分布反馈布拉格半导体激光器DFB-LD

分布反馈式半导体激光器
分布反馈式半导体激光器（DFB激光器）是一种高性能半导体激光器，具有独特的结构和工作原理。

DFB激光器主要由一个具有周期性折射率的光栅和一段活性区域组成，其中光栅用于选择性地调制激光器的输出波长，从而实现单一波长的激光输出。

DFB激光器具有高度的稳定性和精度，非常适用于通讯、光纤传输、生物医学、光学测量和一些高速数据传输等领域。

其波长范围广泛，可以覆盖从850nm到1600nm的波段，因此在多个领域中广泛应用。

DFB激光器不仅具有高效、稳定的单频输出和低噪声特性，而且还可以通过调整光栅的周期、深度、宽度等参数来控制输出波长，从而适应不同的应用需求。

它的稳定性和可靠性高，寿命长，使得它成为现代光电子器件中不可或缺的一部分。

分布反馈式半导体激光器在实际工程系统中的应用摘要：DFB (Distributed Feed Back) DFB型光发射机，分布反馈（激光器）半导体激光器因其波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的激光导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展、半导体激光器体积小、重量轻、成本低、波长可选择，其应用范围遍及的领域越来越宽广，其的出现带来了巨大的变化，使科技更发达，人们生活更加丰富多彩，应用范围遍及医学、科技、航天交通，通信等各个领域。

自从1962 年世界上第一台半导体激光器(Diode Laser)发明问世以来, 由于其体积小、重量轻、易于调制、效率高以及价格低廉等优点, 被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一. 四十几年来半导体激光器逐步应用在激光唱机、光存储器、激光打印机、条形码解读器、光纤电信以及激光光谱学中, 不断扩大应用范围, 进入了一些其它类型激光器难以进入的新的应用领域。

关键字: DFB、工作波长、边模抑制比、阈值电流、输出光功率一、分布反馈式半导体激光器简介1、分布反馈式半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带之间,或者半导体物质的能带与杂质能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用.半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS,InAS,Insb等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。

培训内容 LD定义、分类、管脚定义PD定义、分类、管脚定义BOSA原理、Triplexer原理器件参数定义测试原理（PIV、ISO/CT、Sen、IL/RL) 命名规则设备及工装夹具接线现场演示工程部/杨涌涛2009.8.19半导体激光器LD（Laser Diode）•作用将电信号转变成光信号，用于光发射端机。

•类型•法布里-珀罗（FP）型LD•分布反馈（DFB）LD•分布布拉格反射器（DBR）LD•量子阱（QW）LD•垂直腔面发射激光器(VCSEL)DFB LD光谱特性FP LD光谱特性LD管脚定义外购TO地脚在大槽对面“4”光电探测器PD（Photoelectron Diode）•作用将光信号还原成电信号，用于光接收端机。

•类型光电二极管（PIN）PIN管偏压电路简单，价格较低；灵敏度低。

雪崩光电二极管（APD）具有载流子倍增效应偏压电路复杂，价格较高，灵敏度较高主要用于高速、长距离系统。

PD管脚定义BOSA原理WDM couplerOptical-fiber TO-LDCapillaryTO-RxBlock Diagram1310nm发射1490nm接收1550nm接收1310nm光纤`1490nm,1550nmλ1λ2λ3Triplexer 原理器件参数定义发射端参数定义1.阈值电流Ith：激光二极管开始振荡的正向电流；测试阈值电流一般用P-I曲线法（二次微分）2.光输出功率Po：在阈值电流以上所加正向电流达到规定的调制电流时，激光二极管输出的光功率3.监视光电流Im：当正向驱动电流为一确定值（如Iop=Ith+20mA）时，对应的光电二极管的光电流4.斜效率SE：激光二极管将电流转化为功率的能力5.正向电压Vf：当正向驱动电流为一确定值（如Iop=Ith+20mA）时，对应的激光二极管的电压值；6.跟踪误差TE：在两个不同的管壳温度（背光固定）条件下的光纤输出功率的比值，用以度量器件耦合效率的稳定性；TE=10*log（P1（Tc=x）/P0（Tc=25））线性交叉Ith取值Ith线性交叉Ith取值Ith一次微分Ith取值50%Ith二次微分Ith取值Ith接收端参数定义1.光响应度R：R=Ip/Pi；Ip表示光电探测器产生的光电流，Pi表示输入光电探测器的光功率；2.暗电流Id：指在规定反向电压（PIN光电二极管反偏5V）或者90%击穿电压（APD）时，在无光入射情况下器件内部产生的电流；3.反向击穿电压Vbr：在无入射光照时反向电流（暗电流）达到一个预定值（典型值10uA）的反向电压。

半导体激光器国家标准（二）3.1.32 远场光强分布Far field intensity distribution在距离远远大于激光光源瑞利长度的接收面上得到的光强分布。

3.1.33 近场光强分布Near field intensity distribution激光器在输出腔面（AR面）上的光强分布。

3.1.34 近场非线性Near field non-linearity热应力引起半导体激光器阵列或巴条中各个发光单元在垂直p-n结的方向上发生的位移，导致激光器阵列或巴条近场各个发光单元不在一条直线上，又称为"smile"效应。

3.1.35 偏振Polarization半导体激光器是利用光波导效应将光场限制在有源区内，使光波沿着有源区层传播，并通过腔面输出，半导体激光器的偏振特性与电场和磁场两个空间变量有关，对于横向电场（TE）偏振光，只存在（Ey，Hx，Hz）三个分量，对于横向磁场（TM）偏振光，只存在（Ex，Ez，Hy）三个分量。

半导体激光器偏振特性优劣通常用偏振度来表征，偏振度为两种偏振态的光功率差与光功率和的比值，通常以百分比表示。

3.1.36 热阻Thermal resistance热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，激光器产生1W 热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。

3.1.37 波长-温度漂移Wavelength-temperature shift半导体激光器稳定工作时，结温每升高1℃所引起的波长变化，单位是nm/K。

3.1.38 斜率效率Slope efficiency激光器额定光功率的10％和90％对应的光功率差值△P与相应工作电流的差值△I的比值称为斜率效率。

3.1.39 光功率-电流曲线扭折Optical power-current curve kink光功率-电流曲线上出现的非线性变化的拐点。

扭折表征了光功率与工作电流的线性关系的优劣。

fmost技术原理fmost技术是一种用于光纤通信系统中的光放大器技术。

它是通过将光信号分为多个频率带宽较窄的子信号，然后在每个子信号上进行放大，最后再将子信号合并起来，以实现整体信号的放大。

fmost技术的原理是基于波长分割多重技术（WDM）和光纤分布反馈激光器（DFB-LD）。

在传统的光放大器中，使用的是大面积的光纤芯片，它能够放大整个光信号的频谱。

而fmost技术则采用了波长分割的方法，将光信号分为多个频率带宽较窄的子信号，然后在每个子信号上进行放大。

在fmost技术中，使用的是一种特殊的光纤，它具有多个不同的折射率区域。

这些折射率区域可以将光信号分为不同的频率带宽较窄的子信号。

在光纤中，每个频率的信号会以不同的速度传播，从而实现频率的分离。

接下来，每个子信号都会经过一个光放大器进行放大。

在fmost技术中，使用的是光纤分布反馈激光器（DFB-LD）。

DFB-LD具有高效的放大特性，可以在短距离内实现高增益。

通过将DFB-LD放在光纤中的每个子信号的位置上，可以分别对每个子信号进行放大。

经过放大的子信号会再次合并起来，形成整体的光信号。

在合并的过程中，需要使用一种特殊的器件，称为光纤耦合器。

光纤耦合器可以将多个子信号的光束合并在一起，形成整体的光信号。

fmost技术的优点是可以实现对不同频率的光信号进行独立放大，从而提高系统的整体性能。

同时，由于采用了波长分割的方法，可以避免不同频率信号之间的相互干扰。

此外，fmost技术还可以提高光信号的传输距离和传输容量，进一步扩展了光通信系统的应用范围。

fmost技术是一种基于波长分割多重技术和光纤分布反馈激光器的光放大器技术。

通过将光信号分为多个频率带宽较窄的子信号，然后在每个子信号上进行放大，最后再将子信号合并起来，可以实现对不同频率的光信号进行独立放大，提高系统的整体性能。

fmost 技术的应用有望进一步推动光通信技术的发展，为高速、大容量的光纤通信系统提供支持。

关于dfb和fp激光器FP: Fabry-perot法布里-珀罗，就是说LD内有法布里-珀罗谐振腔；fp是F-P 腔的，多纵模。

DFB：DistributeFeedback分布反馈式.DFBLD与FPLD的主要区别在于它没有集总反射的谐振腔反射镜，它的反射机构是由有源区波导上的Bragg光栅提供的。

DFB是分布式负反馈的，单纵模。

DFB 激光器性能参数DFB激光器是在FP激光器的基础上采用光栅虑光器件使器件只有一个纵模输出，此类器件的特点：输出光功率大、发散角较小、光谱极窄、调制速率高，适合于长距离通信。

多用在1550nm波长上，速率为2.5G以上。

DFB激光器有以下性能参数：工作波长：激光器发出光谱的中心波长。

边模抑制比：激光器工作主模与最大边模的功率比。

-20dB光谱宽度：由激光器输出光谱的最高点降低20dB处光谱宽度。

阈值电流：当器件的工作电流超过阈值电流时激光器发出相干性很好的激光。

输出光功率：激光器输出端口发出的光功率。

其典型参数见下表所示：FP激光器FP激光器是以FP腔为谐振腔，发出多纵模相干光的半导体发光器件。

这类器件的特点；输出光功率大、发散角较小、光谱较窄、调制速率高，适合于较长距离通信。

FP激光器有以下性能参数：工作波长：激光器发出光谱的中心波长。

光谱宽度：多纵模激光器的均方根谱宽。

阈值电流：当器件的工作电流超过阈值电流时激光器发出相干性很好的激光。

输出光功率：激光器输出端口发出的光功率。

典型参数见下表所示：半导体激光器功率及发展半导体激光器又称激光二极管(LD)。

进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长，达到原子层厚度的精度，生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。

dfb半导体激光器的原理
DFB半导体激光器是一种基于半导体材料的激光器，其原理是利用半导体材料的特性，通过电子和空穴的复合放出光子，从而产生激光。

DFB半导体激光器的核心部件是一条具有周期性折射率变化的波导。

这种波导的折射率随着位置的变化而周期性地变化，形成了一个光栅结构。

当电流通过波导时，电子和空穴在波导中复合，产生光子。

由于波导的光栅结构，只有特定波长的光子能够在波导中传播，这就形成了DFB激光器的单色性。

DFB半导体激光器的优点是具有高效率、高功率、高稳定性和窄线宽等特点。

它可以应用于光通信、光存储、光谱分析、医疗和工业加工等领域。

在光通信领域，DFB激光器被广泛应用于光纤通信系统中，用于产生光信号。

在光存储领域，DFB激光器被用于读取和写入光盘等存储介质。

在医疗领域，DFB激光器被用于激光手术和激光治疗等方面。

在工业加工领域，DFB激光器被用于激光切割、激光打标和激光焊接等方面。

DFB半导体激光器是一种高效、高功率、高稳定性和窄线宽的激光器，具有广泛的应用前景。

随着科技的不断发展，DFB激光器将会在更多的领域得到应用，为人类的生产和生活带来更多的便利和效益。