自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性
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碳纳米管透明导电薄膜一、引言随着科技的不断发展,人们对材料的要求也越来越高。
透明导电薄膜作为一种新型材料,在电子、光电子、太阳能等领域有着广泛的应用前景。
碳纳米管作为一种优秀的导电材料,被广泛应用于透明导电薄膜制备中。
本文将从碳纳米管的性质、制备方法以及透明导电薄膜的应用等方面进行详细介绍。
二、碳纳米管的性质1. 结构特点碳纳米管是由碳原子组成的中空圆柱体结构,其直径通常在1~100纳米之间,长度可以达到数百微米甚至更长。
碳纳米管可以分为单壁和多壁两种类型。
单壁碳纳米管由一个单层石墨烯卷成中空圆柱体而成,多壁碳纳米管则是由多个同心圆柱体组成。
2. 电学性质碳纳米管具有优异的电学性质,其导电性能比铜还要好。
此外,由于碳纳米管具有极小的直径和高的长度-直径比,因此其电学性质受到量子限制的影响,表现出了独特的电学性质。
3. 光学性质碳纳米管具有良好的光学性质,其吸收和发射光谱范围广泛,可以覆盖紫外、可见和近红外等多个波段。
此外,碳纳米管还具有优异的非线性光学特性,可以用于激光调制、频率转换和非线性光学器件等领域。
三、碳纳米管透明导电薄膜制备方法1. 化学气相沉积法化学气相沉积法是一种常用的碳纳米管制备方法。
该方法主要通过在高温下将碳源分解成碳原子或石墨烯片段,并在催化剂作用下形成中空圆柱体结构。
该方法可以控制碳纳米管的直径和长度,并且可以在大面积基底上进行制备。
2. 液相剥离法液相剥离法是一种将碳纳米管从其它材料表面剥离出来的方法。
该方法主要通过利用表面活性剂或高分子溶液将碳纳米管与其它材料表面分离。
该方法可以制备出高质量、高纯度的碳纳米管,并且可以控制碳纳米管的长度和直径。
3. 真空热蒸发法真空热蒸发法是一种将碳纳米管沉积在基底上的方法。
该方法主要通过在真空环境下加热碳源,使其蒸发并沉积在基底上形成碳纳米管。
该方法可以制备出高质量、高密度的碳纳米管阵列,并且可以控制碳纳米管的长度和直径。
四、透明导电薄膜应用1. 智能触摸屏透明导电薄膜作为智能触摸屏的核心材料之一,具有优异的导电性能和透明度,可以实现人机交互功能。
碳纳米管材料的性质及应用近年来,碳纳米管作为一种神奇的新材料,逐渐成为了科学研究及工程应用中备受瞩目的材料之一。
碳纳米管具有非常出色的力学、电学和光学性能,因此被广泛地应用于电子器件、太阳能电池以及生物医学领域等高新技术领域。
本文将探讨碳纳米管材料的性质及应用领域。
一、碳纳米管的基本结构和性质1. 碳纳米管的结构和尺寸碳纳米管是由由单层或多层石墨烯卷曲而成的纳米管。
相对于传统的纤维素和聚酯纤维,碳纳米管的直径非常小,一般在1-50纳米之间,长度通常为数百微米到几毫米,甚至达到厘米级别。
2. 碳纳米管的力学性质碳纳米管具有很强的力学性能,其刚度可媲美钢铁,但密度仅为碳钢的四分之一。
因此,碳纳米管被广泛应用于强度要求高、重量要求轻的领域,如太空探索领域和航空航天设备领域等。
3. 碳纳米管的电学性质碳纳米管在电学特性方面表现非常突出,可以用来制作复杂的纳米电子器件。
碳纳米管的电学性能非常优异,主要表现在很高的电导率、稳定性和热传导率等方面。
可以将其应用于半导体器件、触控屏幕、柔性电路板等领域。
4. 碳纳米管的光学性质碳纳米管的光学性能是其应用领域之一。
由于碳纳米管的直径非常小,因此对光的吸收和散射产生了很特殊的影响。
例如,碳纳米管可以用于太阳电池领域,能够将大量光线转化为电能。
二、碳纳米管的应用领域1. 碳纳米管的生物医学应用碳纳米管在生物医学领域中应用广泛,主要包括抗肿瘤疗法、药物载体、病菌检测,以及细胞图像学等方面。
与传统的药物相比,碳纳米管具有更好的生物相容性、渗透性和药物传递性等特性。
2. 碳纳米管在电子领域的应用碳纳米管在电子领域的应用非常广泛,包括晶体管、纳米电路板、半导体器件等。
由于碳纳米管的电导率极高,因此可以用来制作高性能的传输线路和电子器件。
3. 碳纳米管的材料增强应用碳纳米管可以应用于增强其他材料的性能,如增强聚合物、金属基复合材料的强度和硬度等。
这不仅可以提高材料的热稳定性和抗氧化性,还可以延长材料的寿命。
半导体型单壁碳纳米管1.引言1.1 概述半导体型单壁碳纳米管是一种具有非常重要应用潜力的纳米材料。
它们在近年来的研究中受到了广泛关注,因为其独特的结构和优异的性能使其成为下一代纳米电子器件中的主要候选材料之一。
概括地说,单壁碳纳米管是由一个或多个层次的碳原子组成的圆柱状结构。
与传统的半导体材料相比,主要有两个显著的特点使得单壁碳纳米管在纳米电子器件中具有巨大的潜在价值。
首先,单壁碳纳米管具有优异的电学性能。
由于其特殊的碳原子排列方式,单壁碳纳米管可以表现出半导体的特性,即在一定条件下可以具有可控的电导率。
这使得单壁碳纳米管成为制备高性能晶体管和其他电子器件的理想材料,具有巨大的应用潜力。
其次,单壁碳纳米管的尺寸小,具有优异的机械性能和化学稳定性。
这使得它们在纳米电子器件中的应用非常有利。
单壁碳纳米管可以作为纳米电路中的导线、晶体管中的通道或材料中的增强剂,提供更小尺寸、更高性能和更低功耗的电子器件。
本文将详细介绍半导体型单壁碳纳米管的定义、特点、制备方法和技术。
同时,将探讨半导体型单壁碳纳米管在电子器件中的应用前景,并提出未来发展方向和挑战。
通过对这些内容的深入分析和讨论,我们可以更好地了解并推动这一领域的发展。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以包括以下几点:1.2 文章结构本文将按照以下结构来探讨半导体型单壁碳纳米管的相关内容:第二节将详细介绍半导体型单壁碳纳米管的定义和特点。
我们将阐述什么是半导体型单壁碳纳米管,以及其在电子器件中的重要性。
此外,我们还将介绍半导体型单壁碳纳米管与其他类型碳纳米管的区别和优势。
第三节将重点讨论半导体型单壁碳纳米管的制备方法和技术。
我们将介绍目前主流的制备方法,如化学气相沉积法、物理气相沉积法等,并分析它们的优缺点。
此外,我们还将讨论最新的制备技术和研究进展,以及可能的应用领域。
在结论部分,第四节将探讨半导体型单壁碳纳米管在电子器件中的应用前景。
我们将详细介绍其在场效应晶体管、逻辑门电路、传感器等领域的应用,并分析其优势和挑战。
碳纳米管半导体材料
碳纳米管半导体材料。
碳纳米管是一种具有优异性能的纳米材料,其在半导体领域有
着广泛的应用前景。
碳纳米管具有优良的导电性和热导性,以及较
高的机械强度和化学稳定性,这使得它成为一种理想的半导体材料。
碳纳米管可以用于制备高性能的半导体器件,例如场效应晶体管和
光电探测器等。
在半导体器件中,碳纳米管可以作为电子传输通道,其优异的
电子输运性能使得器件具有较高的电子迁移率和较低的电阻。
此外,碳纳米管还具有可调节的能带结构和优异的光电性能,可以用于制
备高效的光电器件。
因此,碳纳米管半导体材料在光电子器件、柔
性电子器件、传感器等领域有着广泛的应用前景。
除了在电子器件领域,碳纳米管半导体材料还具有巨大的应用
潜力。
例如,在能源领域,碳纳米管可以用于制备高效的太阳能电
池和储能器件;在生物医学领域,碳纳米管可以用于制备生物传感
器和药物输送系统。
因此,碳纳米管半导体材料的研究和应用将对
多个领域产生重要的影响。
随着纳米技术的不断发展,碳纳米管半导体材料将会成为未来
半导体器件和功能材料的重要组成部分。
通过进一步的研究和开发,碳纳米管半导体材料有望在电子、光电、能源和生物医学等领域发
挥重要作用,为人类社会带来更多的创新和进步。
PVA基光学膜中掺杂碳纳米管的制备方法及光学性能引言:光学膜是指应用于光学器件和光学器械上的一种具有特定光学性质的薄膜材料。
碳纳米管是一种具有优异光学性能的碳基材料,其在光学领域具有广泛的应用前景。
将碳纳米管掺杂到PVA基光学膜中可以增加膜的强度、柔韧性和光学性能,提高光学器件的性能。
制备方法:1.碳纳米管的选择和预处理:选择合适的碳纳米管,一般选择直径较小、长度一致的多壁碳纳米管。
首先对碳纳米管进行预处理,如超声处理和化学处理,以去除杂质和改善分散性。
2.制备碳纳米管分散液:将经过预处理的碳纳米管加入适量的溶剂中,在超声分散器或搅拌器中进行分散处理,使碳纳米管均匀分散在溶剂中。
3.制备PVA基溶液:将适量的PVA溶解在溶剂中,加热搅拌使其充分溶解,并保持溶液的温度。
4.混合制备光学膜:将准备好的碳纳米管分散液慢慢加入PVA基溶液中,同时进行搅拌,以保证碳纳米管均匀分散在PVA基溶液中。
5.均匀涂布和干燥:将混合后的光学膜溶液均匀涂布在玻璃基片或其他基底上,并保持其充分干燥。
可以采用旋涂、喷涂等方法使得膜的厚度均匀。
光学性能:掺杂碳纳米管的PVA基光学膜具有以下一些优秀的光学性能:1.可见光透过率高:由于PVA和碳纳米管本身对可见光的吸收较低,因此掺杂碳纳米管的PVA基光学膜在可见光区域具有较高的透过率,可以用于制备光学显示器件等。
2.强吸收近红外光:碳纳米管对近红外光具有较高的吸收能力,因此掺杂碳纳米管的PVA基光学膜在近红外光区域具有较强的吸收能力。
这使得该膜可以用于制备红外吸收膜和红外传感器等。
3.优良的机械性能:碳纳米管的加入可以增加PVA基光学膜的强度和柔韧性,提高膜的耐磨性和抗拉强度。
4.良好的热稳定性:由于碳纳米管具有较高的热稳定性,掺杂碳纳米管的PVA基光学膜具有较好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的光学性能。
结论:通过将碳纳米管掺杂到PVA基光学膜中,可以显著改善薄膜的光学性能,包括增强透过率、增加近红外光吸收能力、提高机械性能和热稳定性等。
碳纳米管结构与光学性质的研究导论碳纳米管(Carbon nanotubes, CNTs)因其优异的力学、电学、光学等性质而引起了广泛关注和研究。
其中,碳纳米管的光学性质是其重要的研究方向之一。
本文将从碳纳米管的结构特征和光学性质两方面展开讨论。
第一章:碳纳米管的结构特征碳纳米管的形成是不同寻常的。
纯碳由于其原子尺寸的特性,无法形成三维的晶体结构,因此只能形成其他形式的几何结构。
碳纳米管是由石墨烯或其变形形式经过卷曲形成的。
其中单壁碳纳米管(Single-walled carbon nanotubes, SWNT)的结构最为简单,由一个石墨烯单层卷曲而成。
多壁碳纳米管(Multi-walled carbon nanotubes, MWNT)则由多个石墨烯层卷曲而成,其中相邻两层之间的距离为0.34 nm,层与层之间的距离为0.34~0.40 nm(K. Fukui, 2007年)。
此外,碳纳米管的外径大小也可以划分为不同的类型。
根据其外径大小的不同,SWNT可以分为“小”直径SWNT(d<1 nm)和“大”直径SWNT(d>1 nm)两种。
经过实验证明,“小”直径SWNT与“大”直径SWNT的光学性质存在显著差异,应该在后续的光学特性分析中作为一个独立的变量被考虑。
第二章:碳纳米管的光学性质碳纳米管的光学性质研究从最开始主要是在可见光和紫外线范围内对其吸收和荧光特性进行研究。
通过应用吸收光谱、荧光光谱和拉曼光谱等多种方法,科学家探索了碳纳米管的多种性质。
吸收光谱的研究表明,碳纳米管的吸收与其结构密切相关。
结构不同的碳纳米管对光的吸收也会有不同的响应。
例如,其外径和壁厚较大的MWNT对可见光的吸收较小,而直径较细的SWNT 对可见光的吸收要强得多(Marcus L. Worsley, 2013年)。
此外,在可见光和紫外线范围内,碳纳米管的吸收谱带的强度和位置可以由其直径、壁厚、甚至是碳纳米管所处的环境等因素影响。
碳纳米管的物理性质研究碳纳米管是一种由碳原子构成的管状结构,具有特别的物理性质。
它的直径一般在纳米级别,而长度则可以在微米级别。
因为其形状和尺寸具有特别的特点,所以在不同的领域都有广泛的应用。
本文将介绍碳纳米管的物理性质,以及它们在纳米电子学、纳米机器人等领域中的应用。
碳纳米管的结构和物理性质碳纳米管由碳原子通过形成六边形的轮廓连接而成,可以是单壁结构或多壁结构。
单壁碳纳米管由一个单独的碳层组成,而多壁碳纳米管则由多个碳层堆叠而成。
碳纳米管的直径一般在数纳米到几十纳米之间,而长度可以从几微米到数百微米不等。
碳纳米管的物理性质非常独特,其导电性、力学特性和光学性质等都表现出了很好的性能。
碳纳米管的导电性非常好,可以达到金属导体的水平。
在碳纳米管的外壳上施加磁场可以导致电子在管内形成稳定的电子态。
碳纳米管的强度非常高,可以承受高压和高温的环境,并且不容易变形或断裂。
因此,碳纳米管适用于高强度纳米机器人和精细电子器件等领域。
此外,碳纳米管的光学性质也非常特殊。
由于其几何形状和电子结构的独特组合,碳纳米管在紫外到近红外的光谱范围内具有很好的吸收和发射性质。
此外,碳纳米管的荧光特性也特别突出,可以用于生物和医药领域的标记和探测。
碳纳米管在纳米电子学中的应用在纳米电子学领域,碳纳米管由于其优越的导电性能和微尺度结构,在电子器件中具有良好的应用前景。
因为这种材料的宽带隙、电子传输和互连性能非常好,所以可以用于制造非常小的晶体管和电荷耦合器件。
此外,碳纳米管由于其输运特性的可控性和稳定性,可以用于开发分子电子学和储存器件等领域的应用。
碳纳米管在纳米机器人中的应用碳纳米管的力学性能非常好,其高强度和形状稳定性使其成为制造纳米机器人的理想材料。
由于碳纳米管的直径和长度可以控制,因此可以制造各种形状和尺寸的纳米机器人。
这些纳米机器人可以通过碳纳米管上的运动控制器来实现移动和操作。
此外,碳纳米管还可以用于制造纳米液压系统和纳米运输管道等设备。
单壁碳纳米管薄膜制备及其光学特性研究宋秋艳;陈根祥;谭晓琳;田恺【摘要】In order to prepare actual optoelectronic devices using single-walled carbon nanotubes , single-walled carbon nanotube/polyimide( SWCNT/PI ) film with the single-walled carbon nanotubes in mass fraction of 0.02 was prepared by means of a new gradient temperature-elevating thermal imidization method .The reflectance , transmittance , and absorbance of the film were measured with a spectrophotometer and the linear refractive index variation with wavelength of SWCNT/PI film was obtained .Simultaneously , the Sellmeyer parameters of the SWCNT/PI film were got by fitting the Sellmeyer formula .Then, the third order nonlinear optical property of the SWCNT /PI film was studied by means of z-scanning.The experiments showed that the nonlinear absorption coefficient and the nonlinear refractive coefficient of the film were -5.3 ×10 -9cm/W and -4.1 ×10 -13cm2/W, respectively.The results prove that SWCNT/PI film owns strong nonlinear optical property .%为了将单壁碳纳米管制成实际可用的光电子器件,采用一种新的梯度升温热亚胺化法来制备单壁碳纳米管/聚酰亚胺薄膜。
[Article]www.whxb.pku.edu.cn物理化学学报(WuliHuaxueXuebao)ActaPhys.-Chim.Sin.2014,30(7),1377-1383July
Received:February26,2014;Revised:May6,2014;PublishedonWeb:May9,2014.∗Correspondingauthor.Email:shengwang@pku.edu.cn;Tel:+86-13671286710.
TheprojectwassupportedbytheNationalKeyBasicResearchProgramofChina(973)(2011CB933002,2011CB933001)andNationalNaturalScienceFoundationofChina(61370009,61271051,61321001).国家重点基础研究发展规划项目(973)(2011CB933002,2011CB933001)和国家自然科学基金(61370009,61271051,61321001)资助©EditorialofficeofActaPhysico-ChimicaSinica
doi:10.3866/PKU.WHXB201405093自组装半导体碳纳米管薄膜的光电特性赵青靓1刘旸1,2魏楠1王胜1,
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(1北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京100871;
2北京大学前沿交叉学科研究院,北京100871)
摘要:采用自组装的方法制备99%高纯度半导体碳纳米管平行阵列条带,以金属钯和钪为非对称接触电极制备碳纳米管(CNT)薄膜晶体管(TFTs)器件.主要研究不同沟道长度碳纳米管薄膜晶体管器件的电输运特性和红外光电响应特性,分析了其中的载流子输运和光生载流子分离的物理机制.我们发现薄膜晶体管器件的电学性能和光电性能依赖于器件沟道长度(L)和碳纳米管的平均长度(LCNT).当沟道长度小于碳纳米管的平均长度时,器件开关比最低;当沟道长度超过碳纳米管平均长度时,随着沟道长度的增加,器件开关比增加,光电流减小.相关研究结果为高纯碳纳米管薄膜晶体管器件在红外光探测器方面的进一步应用提供参考依据.
关键词:碳纳米管;自组装;非对称接触;光电响应;红外;沟道长度;薄膜晶体管中图分类号:O649
PhotoelectricCharacteristicsofSelf-AssembledSemiconductingCarbonNanotubeThinFilms
ZHAOQing-Liang1LIUYang1,2WEINan1WANGSheng1,*(1KeyLaboratoryforthePhysicsandChemistryofNanodevices,DepartmentofElectronics,PekingUniversity,Beijing100871,P.R.China;2AcademyforAdvancedInterdisciplinaryStudies,PekingUniversity,Beijing100871,P.R.China)
Abstract:Weusedtheself-assemblymethodtoformhighpurity(99%)semiconductingcarbonnanotube(CNT)alignedarrays.Thin-filmtransistors(TFTs)werefabricatedwithasymmetricPdandScelectrodes.WestudiedtheelectronictransportcharacteristicsandinfraredphotoelectronicpropertiesoftheTFTswithdifferentchannellengths.Thephysicalmechanismofcarriertransportandthedissociationofphotoexcitedcarriesarealsodiscussed.WefoundthattheelectronicandphotoelectronicpropertiesoftheTFTsweredependentonthechannellengthandtheaveragelengthoftheCNTs.Theon/offratioofthedevicewasthelowestwhenthechannellengthofthedevice(L)waslessthantheaveragelengthoftheCNTs(LCNT),anditincreasedwithincreasingLwhenLwaslargerthanLCNT.Inaddition,theshortcircuitcurrentofthedevicealsodecreased.Theseresultsprovideaneffectivereferenceforfurtherinfrareddetectorapplicationsbasedonhigh-puritysemiconductingcarbonnanotubeTFTs.
KeyWords:Carbonnanotube;Self-assembly;Asymmetriccontact;Photoelectricresponse;Infrared;Channellength;Thinfilmtransistor
1引言碳纳米管(CNTs)自1991年被发现以来,1在纳米电子和光电应用领域以其优异的性能和广阔的
应用潜力得到了广泛的关注.在电学方面,半导体
1377ActaPhys.-Chim.Sin.2014Vol.30型单壁碳纳米管具有高达105cm2∙V-1∙s-1的载流子迁移率2和超过1μm的电子平均自由程.3单根半导体单壁碳纳米管作为沟道材料的场效应晶体管(FET),其性能指标已经在多方面超过传统硅基器件.此外,碳纳米管还具有良好的化学稳定性和机械延展性,具有很好的构建柔性电子器件、4全碳电路的潜力.5,6在光电特性方面,碳纳米管与传统光电材料如化合物半导体、有机物半导体相比也具有优异的光吸收和光响应性能.碳纳米管是一种多子带、直接带隙的半导体,其带隙可调,并与直径大致成反比关系,7因此碳纳米管薄膜具有从紫外到红外的宽谱光吸收特性.碳纳米管的吸收系数很高,已报道碳管薄膜样品在近红外到中红外区间的光吸收系数在104-105cm-1之间,8较传统红外材料高出约一个量级.作为一种小尺度的纳米材料,碳纳米管具有很好的光电集成潜力,在保持较高探测性能的同时,单一像素器件能够达到亚微米尺度.9最早的碳纳米管场效应器件是由碳纳米管和铂(Pt)金属形成肖特基接触制备而成,但肖特基结的存在限制了器件的性能,10对于光电器件应用也会限制最佳光电流和光电压的获得.斯坦福大学的Dai研究组11于2003年首次在碳管上采用高功函数的钯(Pd)金属作为源漏电极,实现了p型欧姆接触的场效应晶体管,器件的接触电阻接近理论的量子极限.我们研究组12,13利用低功函数的钪(Sc)和钇(Y)金属实现了很好的碳管n型欧姆接触.利用Pd和Sc/Y金属电极可以构建非对称接触的碳纳米管二极管,14无需化学掺杂即可形成类似p-n结的内建电场,可以高效地实现光生载流子的分离和收集.基于非对称接触碳管二极管,经过引入“虚电极”对可以构成级联碳管二极管结构,利用级联结构的光伏倍增效应,15碳纳米管平行阵列作为沟道材料的光探测器件可以得到更高的信噪比和探测度,多级级联探测器的室温红外探测率可以接近一般的商用红外探测器水平.16先前的基于单根半导体碳纳米管二极管器件的电学和光电性能的研究显示出很好的应用潜力.14,15但由于单根碳纳米管材料尺度的限制,难以满足应用所需材料的大规模制备和均匀分布要求.碳纳米管薄膜材料在发挥单根碳管优异性能的同时,也可以在二维尺度上拓展碳管各方面的应用,如电子器件的沟道材料4,17-19和太阳能电池.20目前常用的薄膜制备方法主要有化学气相沉积法和溶液沉积法.虽然化学气相沉积直接生长可得到高质量的碳纳米管薄膜,但这种方式得到的碳管薄膜中半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管混合在一起,通常直接生长的碳纳米管中金属管和半导体管的比例为1:2,金属管的存在会使器件具有较低的开关比,而且不利于半导体碳管中的光激发载流子的分离.如果不能有效去除金属管,基于这种薄膜的器件应用受到较大限制.一般的溶液沉积法可以用密度梯度超速离心法提纯后的碳纳米管做原料,经过自然沉积得到随机网络状分布的高纯度半导体碳纳米管薄膜,其中的碳管是无序分布状态,并且碳管的密度大面积均匀性较难控制.21在溶液沉积法的诸多方式中,蒸发自组装方法在排列的定向性和大面积可控性上具有很大优势.22先前的结果显示出用该方法得到的碳管薄膜材料制备的薄膜场效应器件表现出了较好的均一性和电输运性能,23而且由于碳纳米管的光吸收和光发射具有明显的偏振依赖关系,24对于碳纳米管薄膜在光电器件方面的应用来说,需要定向排列的碳纳米管薄膜以确保器件的光学特性控制.本文采用密度梯度超速离心法提纯的99%半导体单壁碳纳米管作为材料,利用蒸发自组装的方法实现了碳纳米管大面积的近似平行排列的条带,在此基础上批量制备了非对称接触薄膜晶体管器件,主要研究器件沟道长度和碳纳米管的平均长度对器件的电学及光电性质的影响规律,以及薄膜晶体管沟道中光生载流子的分离特性.
2实验部分2.1碳纳米管阵列条带材料的制备与表征制备碳纳米管阵列的原材料是经过预先提纯的固态99%半导体碳纳米管(美国NanoIntegris公司).首先将碳纳米管加入浓度为1%的十二烷基硫酸钠(SDS)溶液中,SDS购于Sigma公司,纯度大于99%.用宁波新芝生物科技股份有限公司生产的JY92-2D型超声波细胞破碎机,以200W功率超声1h,以使碳管充分分散.将超声处理过后的碳纳米管的SDS溶液进行超速离心,离心机为日本日立公司CS150GXII,在104000G的加速度下离心30min.离心后取上层清液,得到分散较好的碳纳米管溶液,将这些溶液进一步稀释10倍后,将表面清洗干净的500nm厚氧化硅的硅片垂直插入溶液中,放入真空干燥器,在0.4个大气压下、减震环境下排列
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