基于掺杂改性的钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展
- 格式:docx
- 大小:48.10 KB
- 文档页数:16
Nd掺杂钛酸钡基陶瓷的制备及性能研究王艳【摘要】The Nd-doped Ba( Zr0. 1 Ti0. 9 ) O3 ceramics were prepared by sol-gel method. Samples were analyzed by using XRD,SEM and so on. The effect of Nd-doped concentration on the microstructure and dielectric proper-ties of Nd-doped Ba( Zr0. 1 Ti0. 9 ) O3 ceramics were investigated. As the Nd-doped concentration increased,grain si-zes increased,while the maximum dielectric constant first increased and then decreased. As the Nd-doped con-centration was 0. 07mol%,and that with a permittivity of 16032,low dielectric loss below 0. 46 % at room tem-perature.%采用溶胶-凝胶一步法制备了Nd掺杂锆钛酸钡基陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对样品进行表征.研究了Nd掺杂量的不同对其微观形貌及介电性能的影响.研究表明:随着Nd掺杂量的增大,钛酸钡基陶瓷的晶粒尺寸增大,介电常数呈现出先增大后减小的变化趋势,介电损耗逐渐减小;当Nd掺杂量为摩尔分数0.07%时,陶瓷较为致密,其室温介电常数达到最大值16032,介电损耗较小为0.0046.【期刊名称】《合成材料老化与应用》【年(卷),期】2017(046)005【总页数】5页(P84-88)【关键词】溶胶-凝胶法;钛酸钡;Nd掺杂;介电性能【作者】王艳【作者单位】铁电功能材料工程(技术)研究中心陕西省植物化学重点实验室宝鸡文理学院化学与化工学院,陕西宝鸡721013【正文语种】中文【中图分类】TQ028.8;TB34近年来,人们对陶瓷的开发和研究很关注,而且在新工艺、新材料等很多方面取得了成果[1]。
钛酸锶钡铁电陶瓷材料掺杂改性研究进展探究摘要:鉴于钛酸锶钡陶瓷材料较好的优势特征,所以在当今社会上具有广泛的应用,主要包括较高的介电常数以及介质的耗损较小等。
经对材料微观构成进行改变,能够于较宽范围之中实施材料的介电常数调节。
因此,在电容器、PTC 陶瓷以及动态随机存储器等内已经普遍的应用到此系列材料。
本文对不同掺杂物在BST材料中的应用和钛酸锶钡陶瓷发展情况进行了一个探究。
关键词:钛酸锶钡;铁电陶瓷材料;掺杂改性;电解质引言钛酸钡(BaTiO3)陶瓷是一种无铅型的高介电环境友好材料.稀土作为“现代化学工业维他命”,能移动钛酸钡的居里温度从而提高介电性能。
1.不同掺杂物在BST材料中的应用1.1B2O3在BST中的应用随着大规模集成电路的飞速发展,对动态随机存储器(DRAM)的存储性能要求在不断的提高。
由于BST薄膜具有介电常数高和热稳定性好,且居里温度可调等优点,被认为是最有发展前途的DRAM材料之一,引起了学界的广泛关注。
有研究指出掺杂B203掺杂Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷薄膜,发现当掺杂B2O3的物质的量分数为5%时,烧结温度比纯Ba0.5 Sr0.5 TiO3的烧结温度降低了100℃,并且,B2O3的添加改善了陶瓷的结构,细化了陶瓷晶粒,提高了陶瓷介质的绝缘电阻,减小了渗漏电流,降低了薄膜的表面粗糙度。
近年来,相关人员等在此基础上进行了更深入的研究,结果发现在BST薄膜中掺杂非金属氧化物B2O3可以显著降低材料的烧结温度,当B2O3的掺杂量小于5%时,渗漏电流随着掺杂量的增加而减小,当B 2O 3的掺杂量大于此数值时,则出现相反的变化关系。
有相关研究了B 2O 3在Ba 0.7 Sr 0.5 Ti O3铁电材料的掺杂改性作用,发现B 2O 3除了有效的降低材料的烧结温度、减小损耗、提高材料的高频稳定性外,并不改变材料的居里温度,是一种很有发展前途的LTCC 材料。
1.2 Bi 2O 3在BST 中的应用Bi 2O 3在BaTi03中的固熔度物质的量分数为5%左右,而在SrTiO 3中的固熔度则达10%。
两种不同价态离子掺杂钛酸钡陶瓷的介电性质和缺陷化学研究钛酸钡(BaTiO<sub>3</sub>)是一种具有最高室温电容率(ε′<sub>RT</sub>≈1600)的简单化合物。
近年来,在钛酸钡的制备和性能方面的研究非常顺利,取得了很大的进展,主要应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子器件中,被称为“电子陶瓷业的支柱”。
随着电子工业的发展,对电子材料的要求也越来越高。
由于钛酸钡陶瓷材料的微观结构具有不均匀性和较高的孔隙率,因此需要通过掺杂对其进行改性,来得到大量的新型功能材料,如今这已成为了当今的热点研究课题。
本文通过传统的冷压陶瓷制备技术,分别制备了Nd<sup>3+</sup>/Ce<sup>4+</sup>、Eu<sup>3+</sup>/Ca<sup>2+</sup>和Gd<sup>3+</sup>/Ca<sup>2+</sup>共掺杂以及Mg<sup>2+</sup>单掺杂钛酸钡(BaTiO<sub>3</sub>)的陶瓷。
采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、介电温谱(DTC)、电子顺磁共振(EPR)、拉曼光谱(RS)以及光致发光(PL)等技术,系统地研究了陶瓷的各项性能。
具体研究结果如下:1.具有高介电率和低介电损耗的(Ba<sub>1-x</sub>Nd<sub>x</sub>)(Ti<sub>1-y-x/4</sub>Ce<sub>y</sub>)O <sub>3</sub>陶瓷由XRD结果得出(Ba<sub>1-x</sub>Nd<sub>x</sub>)(Ti<sub>1-y-x/4</sub>Ce<sub>y</sub>)O <sub>3</sub>(0.03≤x,y≤0.06)(BNTC)陶瓷具有伪立方结构。
锡锌元素掺杂的钛酸钡陶瓷制备与介电性能研究锡锌元素掺杂的钛酸钡陶瓷制备与介电性能研究摘要:钛酸钡陶瓷作为一种重要的介电材料,在电子器件、电容器等领域具有广泛应用。
本文通过锡锌元素在钛酸钡陶瓷中的掺杂,制备了一系列不同浓度的掺杂样品,并对其结构和介电性能进行了研究。
结果表明,锡锌元素的掺杂可以改变钛酸钡陶瓷的晶体结构和介电性能,且掺杂浓度的增加会导致介电常数的升高,同时也会影响材料的介电损耗。
关键词:钛酸钡陶瓷;锡锌元素;掺杂;晶体结构;介电性能1. 引言钛酸钡陶瓷是一类具有高介电常数和低损耗的材料,在电子器件、电容器等领域有着广泛的应用。
然而,传统的钛酸钡陶瓷在一些特定应用中存在一些不足之处,如介电常数较低、介电损耗较大等。
因此,改善钛酸钡陶瓷的介电性能成为一个研究热点。
锡锌元素是一种常见的掺杂元素,其掺杂可以改变材料的晶体结构和电子结构,进而影响材料的性能。
已有研究表明,锡锌元素的掺杂可以显著提高钛酸钡陶瓷的介电性能,但是其具体的掺杂机制和影响规律还需要进一步的研究。
2. 实验方法本实验选取纯度高的钛酸钡陶瓷粉体作为原料,通过高温固相法制备不同浓度的锡锌元素掺杂的钛酸钡陶瓷样品。
在制备过程中,通过控制掺杂元素的摩尔比例,可以得到不同浓度的掺杂样品。
制备完成后,使用X射线衍射仪对样品的晶体结构进行分析,通过扫描电子显微镜对样品的形貌进行观察。
同时,还采用TF2000频率响应分析仪对样品的介电性能进行测试。
3. 结果与讨论通过X射线衍射分析,可以看出掺杂后的钛酸钡陶瓷样品仍然保持着钙钛矿的晶体结构,但是晶格常数发生了一定变化。
随着锡锌元素的掺杂浓度增加,晶格常数逐渐减小。
这是由于锡锌元素的较小离子半径引起的,导致晶格畸变。
通过扫描电子显微镜观察,可以得知掺杂样品的形貌与纯钛酸钡陶瓷样品相似,无明显的差异。
通过介电性能的测试,可以得出如下结论:随着锡锌元素掺杂浓度的增加,样品的介电常数逐渐升高,这是由于掺杂元素的引入增加了晶格的极化度,进而提高了材料的极化效应。
BaTiO3陶瓷基的制备和不等价掺杂改性研究摘要:小型化、轻薄化电子设备的发展驱使着电子元器件逐步走向片式化。
高介电常数的陶瓷材料是制造小型化的高容量电容器的不贰之选。
BaTiO3基陶瓷因具备高的介电常数和低的介电损耗而广被推崇。
本文主要研究通过调整BaTiO3陶瓷基的制备方法和掺杂手段提高BaTiO3陶瓷基的介电性能。
关键词:BaTiO3;陶瓷;制备;不等价掺杂;Al3+一、BaTiO3基陶瓷概述1.1 BaTiO3基陶瓷的制备方法现今制备BaTiO3基陶瓷的方法从状态上分为三类:a.固相法;b.液相法;c.气相法。
固相法为市面上工业生产BaTiO3陶瓷粉体的主要方法,因操作简单、成本低廉而广被推崇。
此法的关键工艺在于根据化学反应式配比原料和煅烧。
最直接的方式是采用BaCO3混合TiO2直接制备。
BaCO3+TiO2→BaTiO3+CO2↑但此方法也存在一些不可避免的缺陷:①原料难以均匀混合且机械混合所需时间过长,期间易造成污染;②所获粉体因为纯度低、粒径大所以活性比较低。
1.2 BaTiO3基陶瓷的掺杂改性钛酸钡陶瓷是ABO3钙钛矿型结构的铁电材料。
介电常数在低温区变化平坦,高温区变化幅度大,所以其温度稳定性差,适应不了复杂的工业需求。
掺杂改性是在纯净的基质使用物理或化学方法掺入其他杂质元素或化合物。
我们可以通过掺杂改性的手段调整钛酸钡材料的居里点和介电峰值。
二、固相法制备BaTiO3基陶瓷2.1配料、球磨、预成型首先根据方程式配方进行配料。
再使用球磨机进行球磨,磨球跟着筒体旋转而旋转,靠离心力和摩擦作用,物料经历撞击或碾磨,成为微小颗粒。
最后再将粉料装入模具,在压力下预压成型。
2.2烧结烧结过程一般分为三个阶段:①升温过程、②保温过程、③降温过程。
(1)升温过程升温过程一般又为两个阶段:①从室温升到100℃、②从100℃升温到所需烧结温度。
第一阶段本次升温速度为1℃/min;第二阶段本次升温速度为3℃/min。
锶掺杂的钛酸钡陶瓷制备及介电性能巩晓阳;李允令;李伟杰【摘要】钛酸钡作为一种高介电材料,在相变温度120℃附近具有较大的介电常数,为了更好应用于电子陶瓷材料中,需添加锶、锆、硅等掺杂物降低其相变温度至室温附近。
本文用固相反应法制备了多种比例锶掺杂的钛酸钡陶瓷(Ba1-xSrxTiO3)。
在不同频率下对其介电性能与相变温度做了对比研究。
研究结果表明:一定比例锶掺杂能提高钛酸钡陶瓷的有效介电常数,同时随着掺杂比例增加可使相变温度向低温方向移动。
x=0.3的锶掺杂比例使钛酸钡的相变温度移至室温附近,介电常数高于6000,满足了一般电容器的工作环境要求。
【期刊名称】《河南科技大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2014(000)004【总页数】4页(P92-95)【关键词】钛酸钡;钛酸锶钡陶瓷;介电性能;固相法【作者】巩晓阳;李允令;李伟杰【作者单位】河南科技大学物理工程学院,河南洛阳 471023; 河南科技大学洛阳市光电功能材料重点实验室,河南洛阳 471023;河南科技大学物理工程学院,河南洛阳 471023; 河南科技大学洛阳市光电功能材料重点实验室,河南洛阳471023;河南科技大学物理工程学院,河南洛阳 471023; 河南科技大学洛阳市光电功能材料重点实验室,河南洛阳 471023【正文语种】中文【中图分类】O484钛酸钡作为一种高介电材料,是电子陶瓷中使用最广泛的材料之一[1-6]。
但纯钛酸钡陶瓷的相变温度(居里点)约为120℃,此时具有最大的介电常数,而室温时介电常数较小,同时其较高的温度系数及随电压和频率的变化具有不稳定性,使其应用受到极大的局限,通常通过添加锶、锆、硅等掺杂物可以有效地改善它的性质[4-9]。
钛酸锶钡陶瓷因具有较高的电容率,低介电损耗,优良的铁电、压电、耐压和绝缘性能,广泛应用于体积小而容量大的微型电容器、热敏电阻、超大规模动态随机存储器、调谐微波器件等,是一种重要的电子陶瓷材料。
(锌、镧、钐)掺杂钛酸钡基陶瓷的制备及其性能研究摘要:近年来,钛酸钡陶瓷作为一类具有广泛应用潜力的多功能材料备受研究者的关注。
本文以锌、镧、钐元素作为钛酸钡基陶瓷的掺杂元素,通过不同掺杂浓度下的制备方法,研究了其制备工艺以及性能的变化规律。
研究结果表明,掺杂少量的锌、镧、钐元素可以显著改善钛酸钡陶瓷的电学性能和介电性能,为其在电子器件、储能器件和传感器等领域的应用提供了新的可能性。
一、引言钛酸钡(BaTiO3)作为一种重要的铁电陶瓷材料,具有优异的介电性能和压电性能。
近年来,钛酸钡陶瓷的研究重点主要集中在如何提高其压电系数和介电常数,以及如何调控其铁电相变温度等方面。
其中,通过掺杂少量的其他元素,在保持钛酸钡基本结构稳定的情况下,改变其晶体结构和电荷分布,是一种有效的方法。
二、实验方法本研究采用固相反应法制备了一系列不同掺杂浓度的(锌、镧、钐)掺杂钛酸钡基陶瓷样品。
首先,将高纯度的钛酸钡粉末与合适比例的锌、镧、钐元素粉末混合均匀。
然后,将混合粉末放入高温烧结炉中,在氮气氛围下进行烧结处理。
最后,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对制备的陶瓷样品进行结构和形貌分析,同时利用介电测试仪对样品的介电性能进行测量。
三、结果与分析通过XRD分析发现,锌、镧、钐元素的掺杂对钛酸钡基陶瓷的晶体结构没有明显的影响,所有样品均保持了典型的四方晶体结构。
但是,掺杂元素的引入却导致了晶格畸变和晶粒尺寸的变化。
随着掺杂浓度的增加,晶格常数呈现出先增大后减小的趋势,这可能与掺杂元素替代钛酸钡晶格中的钛或钡原子有关。
SEM观察显示,随着掺杂浓度的增加,样品的晶粒尺寸和晶粒的分布变得不均匀。
低浓度掺杂的样品表现出较小的晶粒尺寸和均匀分布的特点,而高浓度掺杂的样品则表现出较大的晶粒尺寸和较大的晶粒团聚现象。
介电性能测试结果表明,锌、镧、钐元素的掺杂可以显著改善钛酸钡基陶瓷的介电响应。
在较低频率下,介电常数和介电损耗呈现出随掺杂浓度增加而增大的趋势。
两种不同价态离子掺杂钛酸钡陶瓷的介电性质和缺陷化学研究两种不同价态离子掺杂钛酸钡陶瓷的介电性质和缺陷化学研究钛酸钡(BaTiO3)是一种具有最高室温电容率(ε′RT≈1600)的简单化合物。
近年来,在钛酸钡的制备和性能方面的研究非常顺利,取得了很大的进展,主要应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子器件中,被称为“电子陶瓷业的支柱”。
随着电子工业的发展,对电子材料的要求也越来越高。
由于钛酸钡陶瓷材料的微观结构具有不均匀性和较高的孔隙率,因此需要通过掺杂对其进行改性,来得到大量的新型功能材料,如今这已成为了当今的热点研究课题。
本文通过传统的冷压陶瓷制备技术,分别制备了Nd3+/Ce4+、Eu3+/Ca2+和Gd3+/Ca2+共掺杂以及Mg2+单掺杂钛酸钡(BaTiO3)的陶瓷。
采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、介电温谱(DTC)、电子顺磁共振(EPR)、拉曼光谱(RS)以及光致发光(PL)等技术,系统地研究了陶瓷的各项性能。
具体研究结果如下:1.具有高介电率和低介电损耗的(Ba1-x Nd x)(Ti1-y-x/4Ce y)O 3陶瓷由XRD结果得出(Ba1-x Nd x)(Ti1-y-x/4Ce y)O 3(0.03≤x,y≤0.06)(BNTC)陶瓷具有伪立方结构。
当y=0.05时,BNTC的介电峰温度(T m)以-27℃/at.%Nd的速率快速下降。
BN5TC6实现了高介电常数(ε’RT=14100)和低损耗(tanδ=0.014)的X7V陶瓷。
与Ce3+Kramers离子相关的g=2.509的EPR信号证实了Ce3+/Ce4+的混合价态的存在。
在这些陶瓷长期保存后,在室温下可以检测到Nd3+的g=2.151的EPR信号。
2.钛酸钡基陶瓷中氧空位的EPR探索钛酸钡基陶瓷中氧空位的EPR研究为双替代钛酸钡陶瓷介电损耗的降低提供科学依据。
XRD结果显示BMT中Mg2+的溶解度为0.05。
基于掺杂改性的钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展李远亮;郑占申;顿温新;贺兴辉;王重言;刘媛媛;李金哲;张一旋【期刊名称】《陶瓷》【年(卷),期】2018(0)8【摘要】首先概述了制备工艺即研磨时间、预烧温度、烧结温度、保温时间以及烧结工艺和制备方法即高温固相法、溶胶凝胶法、水热法、沉淀法以及其它新型制备方法对钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展;其次综述了单一元素及多种元素对钛酸钡陶瓷掺杂的研究进展;重点介绍了不同种类的元素及其含量对钛酸钡介电常数及介电损耗的影响;介绍了稀土元素的含量与其进入晶格间位的关系;最后对这一研究方向的未来及其发展做了展望.【总页数】8页(P11-18)【作者】李远亮;郑占申;顿温新;贺兴辉;王重言;刘媛媛;李金哲;张一旋【作者单位】华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210【正文语种】中文【中图分类】TQ174【相关文献】1.低烧钛酸钡基介电陶瓷的研究进展 [J], 杜锋涛;赵俊英;畅柱国;崔斌;唐宗薰2.介电温度稳定型钛酸钡基陶瓷的研究进展 [J], 赵俊英;崔斌;畅柱国;唐宗薰3.钛酸钡介电陶瓷制备方法及其掺杂改性研究进展 [J], 焦更生;4.取向多孔钛酸钡基陶瓷的介电与压电性能 [J], 鲍寅祥;张妍;周科朝;黄伯云5.镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响 [J], 范素华;胡广达;张丰庆;岳雪涛;任艳霞;徐静因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
钛酸锶钡铁电陶瓷材料掺杂改性研究进展作者:罗旋张军剑王娟来源:《文存阅刊》2018年第15期摘要:鉴于钛酸锶钡陶瓷材料较好的优势特征,所以在当今社会上具有广泛的应用,主要包括较高的介电常数以及介质的耗损较小等。
经对于材料构成进行改变,能够于较宽范围之中实施材料的介电常数调节。
因此,在电容器、PTC陶瓷以及动态随机存储器等内已经普遍的应用到此系列材料。
本文对于钛酸锶钡铁电陶瓷材料掺杂改性的研究情况进行观察及探究。
关键词:钛酸锶钡;铁电陶瓷材料;掺杂改性;电解质近些年来,进行研究材料的掺杂改性中,研究者得出一项结论,即合理的、少量的掺杂物,是能够良好的将材料性能指标进行提升的,而且存在部分添加物在渐渐减少钛酸锶钡烧结温度的情况,并不会对于材料性能产生影响。
所以,加强研究钛酸锶钡铁电陶瓷材料掺杂改性内容,能够提供给应用钛酸锶钡材料更好的借鉴和指导。
一、不同掺杂物应用于钛酸锶钡材料中的情况(一)B2O3的应用伴随集成电路大规模的发展,随之对于动态随机存储器存储性能要求标准相应的提升。
因钛酸锶钡薄膜存在良好的热稳定性以及较高的介电常数,所以在动态随机存储器材料中已经具有大量的应用,具有更加广阔的发展前景,学者们普遍获得认可。
有研究指出,掺杂B2O3掺杂Ba0.5 Sr0.5 TiO3陶瓷薄膜结果显示,如果进行掺杂的B2O3物质量分数达到10%,烧结时间相较于纯Ba0.5 Sr0.5 TiO3烧结时间来说可以缩减4小时。
因为B2O3的添加剂将陶瓷结构进行改善,相应的降低渗漏电流以及薄膜表面部位粗糙性程度。
伴随更加深入的研究显示,钛酸锶钡薄膜内加入非金属氧化物B2O3能够明显的将材料的烧结温度进行降低,在掺杂量是10%以下的情况时,就会让渗漏电流伴随掺杂量增加出现渐渐减少的现象,反之增加。
另外,B2O3不仅能够实现减少损耗以及将材料烧结温度进行降低,增强材料稳定度,同时也能够保持材料的居里温度的稳定性,发展前景巨大。
钛酸锶钡基复合陶瓷的储能性能及其改性探究关键词:钛酸锶钡基复合陶瓷;储能性能;氧化状态;掺杂离子;改性探究1.引言钛酸锶钡基复合陶瓷因其优异的介电性能和储能性能,成为了一种备受探究者关注的新型储能材料。
其具有高介电常数、低损耗、高比能量等优良特性,被广泛应用于电子元器件、储能电容器和高性能电磁波吸纳材料等领域。
在实现钛酸锶钡基复合陶瓷材料的性能优化和广泛应用之前,我们需要深度了解其制备、结构和性能之间的干系,以及影响储能性能的因素。
2.钛酸锶钡基复合陶瓷的制备与性质2.1 钛酸锶钡陶瓷的基本结构与性质钛酸锶钡陶瓷是由钛酸锶(SrTiO3)和钛酸钡(BaTiO3)两种单质混合形成的一种复相陶瓷材料。
其化学式为(1-x)BaTiO3-xSrTiO3。
在理论结构上,钛酸锶钡陶瓷由多个钛酸锶和钛酸钡单晶颗粒组成,形成了一个完整的二元体系。
钛酸锶钡陶瓷具有许多优良的物理特性,如高介电常数、低损耗、高比能量和良好的耐热性等。
2.2 钛酸锶钡基复合陶瓷的制备方法钛酸锶钡基复合陶瓷的制备方法有多种,其中包括传统的固相合成法、溶胶-凝胶法、水热法等。
目前,在详尽应用方面,通常使用的是固相合成法和溶胶-凝胶法。
2.3 影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的因素钛酸锶钡基复合陶瓷的储能性能受多种因素的共同影响,包括陶瓷材料的制备方法、化学组成、晶体结构、氧化状态以及掺杂离子等因素。
3.影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的因素3.1 氧化状态对钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的影响氧化状态是影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的重要因素,它可以改变晶体结构和材料的电学性质。
试验表明,当氧化状态较高时,钛酸锶钡基复合陶瓷具有更好的储能性能。
这是由于氧化状态的提高可以增强晶体的电学响应、提高介电常数和比能量,同时降低了材料的损耗。
3.2 掺杂离子对钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的影响掺杂离子是影响钛酸锶钡基复合陶瓷储能性能的另一重要因素。
添加适量的掺杂离子可以引起晶格畸变、提高空间电荷极化和介电响应,从而提高储能性能。
基于掺杂改性的钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展李远亮;郑占申;顿温新;贺兴辉;王重言;刘媛媛;李金哲;张一旋【摘要】首先概述了制备工艺即研磨时间、预烧温度、烧结温度、保温时间以及烧结工艺和制备方法即高温固相法、溶胶凝胶法、水热法、沉淀法以及其它新型制备方法对钛酸钡基陶瓷介电性能的研究进展;其次综述了单一元素及多种元素对钛酸钡陶瓷掺杂的研究进展;重点介绍了不同种类的元素及其含量对钛酸钡介电常数及介电损耗的影响;介绍了稀土元素的含量与其进入晶格间位的关系;最后对这一研究方向的未来及其发展做了展望.【期刊名称】《陶瓷》【年(卷),期】2018(000)008【总页数】8页(P11-18)【关键词】掺杂;改性;钛酸钡基陶瓷;介电性能;进展【作者】李远亮;郑占申;顿温新;贺兴辉;王重言;刘媛媛;李金哲;张一旋【作者单位】华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210;华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室河北唐山 063210【正文语种】中文【中图分类】TQ174前言压电陶瓷是实现机械能和电能相互转换的一类重要的功能材料[1]。
它在传感器、驱动器、超声换能器、滤波器等各种电子元件和器件上有着非常广泛的应用。
钛酸钡系列陶瓷是近几十年发展起来的一类新型现代功能陶瓷,具有压电性、铁电性、热释电性等优良的介电性能,是典型的铁电陶瓷材料[2]。
以钛酸钡或钛酸钡基固溶体为主晶相的陶瓷是无铅陶瓷介质的代表性材料,有较高的介电常数、良好的铁电、压电、耐电压和绝缘性能,是制造电容器的重要材料之一,在电子学、热学、光学等领域得到了广泛的应用,为新型无铅陶瓷介质材料的研发提供了广阔的前景[3]。
但是钛酸钡以单体形态存在的化合物的介电损耗较大,不能满足应用要求,所以常以固溶体,或掺杂的方法来改善其介电特性。
目前,对复合钙钛矿型化合物性能的改善主要涉及新型或位离子的复合、高活性原料的选取及湿化学方法的应用等方面[4~6]。
笔者总结了近几年钛酸钡基陶瓷掺杂改性的研究情况,简要分析了工艺条件、不同的掺杂助剂、掺杂量及掺杂离子进入晶格间位等对钛酸钡基压电陶瓷的介电常数及介电损耗的影响,并对未来的研究方向作了一些展望。
1 影响钛酸钡基陶瓷介电性能的工艺条件1.1 制备工艺对钛酸钡基陶瓷介电性能的影响钛酸钡基陶瓷介电性能的好坏与制备工艺有着密切的关系。
研磨时间、预烧温度、烧结温度、保温时间以及烧结工艺都对钛酸钡基陶瓷介电性能有着显著的影响。
研磨时间的长短将决定原料是否混合均匀,反应是否充分。
周舟[7]在制备钛酸钡基陶瓷过程中,将原料的研磨时间定为2 h、3 h、4 h、5 h、6 h,结果表明:研磨时间为2~4 h时,所得陶瓷的相对介电常数数值逐渐增大;研磨时间为5 h时,相对介电常数略微增长;当研磨时间延长到6 h时,相对介电常数迅速减小。
综合考虑,将研磨时间定为了4 h。
笔者认为:刚开始时,随着研磨时间的增长,原料之间混合越均匀,颗粒粒径也越来越小,这就使得烧结出来的陶瓷样品的晶粒比较细,结构比较致密,所以介电常数逐渐增大;但当一段时间后,随着物料粉体越来越细,粉体之间发生团聚的几率增大,陶瓷样品孔洞变多,结构疏松,相对介电常数数值减小,介电损耗增大。
预烧温度的是否得当对粉体的活性有很大的影响。
邹亚囡[8]用碳酸钡和二氧化钛制备了钛酸钡粉体,分别通过1 150 ℃和1 200 ℃预烧处理得到平均粒径分别约为800 nm和1 500 nm的钛酸钡粉体。
周舟[7]在制备钛酸钡基陶瓷过程中选择预烧温度分别为750 ℃、800 ℃、850 ℃、900 ℃、950 ℃;结果表明:在预烧温度为950 ℃时,粉体收缩严重,有结团现象,研磨过程发现有少许很硬的颗粒,不易粉碎;所以应将预烧温度控制在950 ℃以下,考虑到介电常数等因素后,将预烧温度定为900 ℃。
在烧结过程中,陶瓷颗粒间的接触面积随着气体的排出而增大,通过发生一系列反应,形成晶粒和晶界,在这个过程中样品会发生一定的收缩以及致密化。
蔡苇[9]在制备陶瓷时将烧结温度定为1 250 ℃,1 300 ℃,1 350 ℃,发现所制陶瓷均为单一钙钛矿相,未发现有第二相的存在;且晶格常数和平均晶粒尺寸(平均晶粒尺寸分别为30 μm、35 μm 和40 μm)随烧结温度升高而增大。
赵丽萍[10]在制备钛酸钡陶瓷时将烧结温度分别定为1 100 ℃、1 150 ℃、1 200 ℃、1 250 ℃、1 300 ℃,研究发现:其相对介电常数随温度的升高呈现先增大后减小的变化趋势,温度达到1 250 ℃时,其相对介电常数达到最大值1 250.4。
保温时间与陶瓷体积的收缩、晶粒间距、晶粒尺寸以及陶瓷的致密性密切相关。
蔡苇[9]在制备陶瓷时在烧结温度为1 350 ℃下将保温时间定为0.5 h、2 h、4 h、8 h,结果发现:陶瓷的晶格常数随保温时间增加而增大且晶粒尺寸随保温时间增加而增大(平均晶粒尺寸分别为25 μm、40 μm、45 μm 和80 μm)。
周舟[7]在制备钛酸钡基陶瓷过程中将保温时间分别定为1 h、2 h、3 h、4 h、5 h,结果表明:介电常数随着保温时间的延长呈现出先增大,当超过3 h以后,呈慢慢减小的趋势。
赵丽萍[10]将钛酸钡陶瓷在1 250 ℃下分别保温0.5 h、1 h、2 h、4 h,结果表明:当保温时间为4 h时,会使得晶粒二次长大,导致晶粒尺寸不均匀。
笔者认为:如果保温时间过短,晶粒不能充分发育,所得的陶瓷晶粒较小且气孔多,从而导致陶瓷样品的介电常数不高;如果保温时间过长,会导致陶瓷晶粒过度生长,易出现异常发育的晶粒,从而导致陶瓷样品的性能恶化。
烧结工艺可以影响到陶瓷晶粒的尺寸,进而对钛酸钡基介电性能也有重要的影响。
黄咏安[11]利用普通烧结法和两步烧结法相结合的烧结工艺,制备出晶粒尺寸大小从0.25~10.15 μm的钛酸钡陶瓷。
杨仁波[12]分别采用两段式无压烧结法和传统两步烧结法制备了一系列BZT-BCT陶瓷。
Huan等采用两步烧结法制备出晶粒尺寸为0.99 μm 的钛酸钡陶瓷,其压电常数高达519 pC /N。
1.2 制备方法对钛酸钡基陶瓷介电性能的影响1.2.1 高温固相法高温固相法是指将固体反应原料按照配比混合,采用研磨的方式使之粉碎并均匀混合,然后在高温下使之反应的一种制备粉体的方法。
蔡苇[9]采用固相反应法制备出了BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷,并且研究了烧结制度、晶粒尺寸与陶瓷微结构、介电性能的关系;张云霞等[13]通过固相反应法制备了铌掺杂改性的钛酸钡基陶瓷,最大介电常数为1 395,最小介电损耗为0.013;陈慧英等[14]采用固相法制备了铈掺杂钛酸钡基陶瓷,当掺杂铈的量为0.4%时相对介电常数最大为79 899;范素华等[15] 通过固相反应法制备了钽掺杂的钛酸钡基陶瓷,研究了掺杂元素的与掺杂元素进入晶格间位的关系;王希月等[16]采用固相反应法制备了掺杂钐的Ba(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷材料,研究发现:当钐掺杂量为 0.01 mol 时,锆钛酸钡陶瓷的相对介电常数达到最高值 6 561.57;丰红军[17]在BaZr0.25Ti0.75O3的基础上采用固相法掺杂钇,研究发现,陶瓷的居里温度随掺杂量的增加,呈现先增大后减小的趋势;焦更生等[18]以钛酸钡和氧化锆为原料,通过固相烧结法制备出不同物质的量比氧化锆掺杂钛酸钡基介电陶瓷,研究了掺杂物质的量比及频率对介电峰位置的影响。
1.2.2 溶胶凝胶法溶胶凝胶法是一种以液相反应为基础,将金属醇盐或者无机盐水解并使之溶胶凝胶化,然后将其干燥并焙烧后得到粉体的一种方法。
田靓等[19]以钛酸丁酷,醋酸钡,醋酸镜为原料,按照一定的配比混合,通过在室温滴加冰醋酸和无水乙醇调节值12为左右,得到凝胶,干燥焙烧后得到最大介电常数为8 728的钛酸钡基纳米粉体;邹亚囡[7]通过溶胶-凝胶法制备了颗粒细小的非晶态ZBS玻璃粉,并系统研究了玻璃添加量对陶瓷密度和介电性能的影响规律;王艳[20]采用溶胶-凝胶法制备了钒掺杂钛酸钡基陶瓷,室温下介电常数和介电损耗分别为2 886 和 3.56%;王艳[21]通过溶胶-凝胶法制备了室温介电常数达到最大值为16 032钕掺杂锆钛酸钡基陶瓷;崔斌等[22]通过溶胶-凝胶法制备了最大介电常数为8 596,节电损耗为0.014的BaNd0.01Ti1.02O3陶瓷。
1.2.3 水热法水热法是20世纪中叶地质学家为了模拟自然界成矿作用而开始研究的。
是指在密封的压力容器中,以水为溶剂,在高温高压的条件下进行的化学反应。
黄咏安[23]利用水热法合成四方相的钛酸钡纳米粉体,研究了水热反应温度、反应时间以及乙醇含量对合成四方相的钛酸钡陶瓷的影响及相应的机理;何英等[24]用水热法制备了常温下相对介电常数高达5 650掺钕的钛酸钡基陶瓷;张文星[25]采用水热法制备出钕掺杂的钛酸钡陶瓷,研究了不同掺杂量的钕对钛酸钡陶瓷粉末和陶瓷介电性能的影响;高佳冰[26]分别采用静态和动态水热法制备高分散、粒度均匀的钛酸钡纳米晶,并研究了Ba/Ti比、NaOH浓度、水热温度等因素对钛酸钡纳米晶的物相组成及微观形貌的影响;Xue L等[27]通过水热法合成了纳米钛酸钡颗粒,结果表明,不同水热条件下可制得不同形貌的钛酸钡颗粒。
1.2.4 沉淀法沉淀法是先配制金属的盐溶液,金属盐为目标化合物或可分解为目标化合物的其他成分,利用沉淀剂将反应物沉淀,经过洗涤、干燥或加热分解得到纯净的粉体,沉淀法制备的坯料活性大、颗粒度小和分布均匀。
郭炜等[28]用液相共沉淀法制备了钐掺杂钛酸钡的陶瓷样品;M. Z.-C. Hu等采用共沉淀法合成了粉体颗粒尺寸约为300 nm的钛酸钡粉体。
1.2.5 其他新型制备方法除了上述常用的几种制备方法,许多学者还通过使用其他新型的方法制备出了性能优良的钛酸钡基陶瓷。
Sandeep Mahajan等[29]用微波烧结法制备了陶瓷,并与传统烧结方法做了详细的比较,研究发现:采用该方法得到的陶瓷相比传统烧结方法拥有高的介电常数和低的介电损耗;X H Wang等[30]采用独特的无压烧结方法制备出了一系列尺度在8~100 nm的钛酸钡陶瓷;A K Nath等[31]采用SPS方法制备出晶粒尺度为50 nm且具有弥散型相变特征及介电性能铁酸钡陶瓷;X Guo等[32]采用SPS方法制备出晶粒尺度为35 nm钛酸钡陶瓷并研究了晶粒尺寸对电导率的影响;费张平[33]采用流延法制备出钛酸钡基陶瓷基板并分析了掺杂不同元素及含量对介电性能的影响。