图1.2.3
二、温度对二极管特性的影响 如图1.2.3虚线所示，在温度升高时，二极管的正向 特性曲线将左移，在室温附近，温度每升高1 ， 正向压降减小2～2.5mV;温度每升高10 ,反向电流 c 约增大一倍。
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1.2.3 二极管的主要参数 1、最大整流电流IF：二极管长期运行时允许通过 的最大正向平均电流。 2、最高反向工作电压UR：二极管工作时允许外加 的最大反向电压。 3、反向电流IR：二极管未击穿时的反向电流。 4、最高工作频率fM：二极管工作的上限频率。
图1.1.6
2、外加反向电压时PN 处于截止状态 PN结处于反向偏臵状 态。外电场使空间电荷区 变宽，加强了内电场，阻 止扩散运动的进行，加剧 漂移运动的进行，形成反 向电流，也称为漂移电流。 因为少子的数目极少，即 使都参与漂移，反向电流 也非常小，认为PN结处于 截止状态。 图1.1.7
三、PN结的电流方程 IS:反向饱和电流； q：电子的电量； k：玻尔兹曼常数； T：热力学温度。
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将式中的kT/q用UT取代，则得
四、PN结的伏安特性
u＞0,称为正向特性； u＜0,称为反向特性； 当反向电压大于U(BR) 后，反向电流急剧增加，称 为反向击穿。 在高掺杂情况下，耗尽 层很窄，不大的反向电压可 在 耗尽层产生很大的电场， 直接破坏共价键，产生电子图1.1.10 空穴对，称为齐纳击穿；如果掺杂浓度较低，当 反向电压较大时，耗尽层的电场使少子加快漂移 速度，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对， 又撞出价电子，称为雪崩击穿。在击穿时，若不 限制电流，则会造成永久性损坏。
第一章 常用半导体器件
1.1 半导体器件基础
1.1.1 本征半导体 一、半导体 导体 绝缘体 半导体：硅（Si） 锗（Ge） 二、本征半导体 的晶体结构 图1.1.1
