压阻式压力传感器PPT课件
- 格式:ppt
- 大小:3.11 MB
- 文档页数:97
第二节 压阻式传感器 固体受到作用力后,电阻率就要发生变化,这种效应称为压阻效应。
半导体材料的这种效应特别强。
利用半导体材料做成的压阻式传感器有两种类型:一种是利用半导体材料的体电阻做成的粘贴式应变片;另一类是在半导体材料的基片上用集成电路工艺制成扩散电阻,称扩散型压阻传感器。
压阻式传感器的灵敏系数大,分辨率高。
频率响应高,体积小。
它主要用于测量压力、加速度和载荷参数。
因为半导体材料对温度很敏感,因此压阻式传感器的温度误差较大,必须要有温度补偿。
1. 基本工作原理根据式(2-3) 式中,项,对金属材料,其值很小,可以忽略不计,对半导体材料,项很大,半导体电阻率的变化为(2-22) 式中为沿某晶向的压阻系数,σ为应力,为半导体材料的弹性模量。
如半导体硅材料,,,则,此例表明,半导体材料的灵敏系数比金属应变片灵敏系数 (1+2μ)大很多。
可近似认为。
半导体电阻材料有结晶的硅和锗,掺入杂质形成P型和N型半导体。
其压阻效应是因在外力作用下,原子点阵排列发生变化,导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的。
由于半导体(如单晶硅)是各向异性材料,因此它的压阻系数不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关,还与晶向有关。
所谓晶向,就是晶面的法线方向。
晶向的表示方法有两种,一种是截距法,另一种是法线法。
1.截距法 设单晶硅的晶轴坐标系为x、y、z,如图2-29所示,某一晶面在轴上的截距分别为r、s、t(2-23) 1/r、1/s、1/t为截距倒数,用r、s、t的最小公倍数分别相乘,获得三个没有公约数的整数a、b、c,这三个数称为密勒指数,用以表示晶向,记作〈a b c〉,某数(如a)为负数则记作〈b c〉。
例如图2-30(a),截距为-2、-2、4,截距倒数为-、-、,密勒指数为〈1〉。
图2-30(b)截距为1、1、1,截距倒数仍为1、1、1,密勒指数为〈1 1 1〉。
图2-30(c)中ABCD面,截距分别为1、∞、∞,截距倒数为1、0、0,所以密勒指数为〈1 0 0〉。