半导体照明工程师光学初级笔试复习题

2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体工艺中，使用多种类型的光刻胶，其中最常用于大规模集成电路生产的是（）。

A. GRI-45B. GRI-25C. GRI-46D. GRI-422、MOS（金属-氧化物-半导体）制作技术中，晶体管结构所采用的材料中不包括（）。

A. 金属B. 绝缘体C. 导电材料D. 电阻体3.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的半导体制造流程？A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 清洗4.下列哪种材料是用于制作半导体器件的理想材料？A. 铜B. 锌C. 石墨D. 硅5、以下哪个半导体工艺技术能够实现更小的晶体管尺寸？A、传统CMOS工艺B、FinFET工艺C、GAAFET工艺D、平面晶体管工艺6、在半导体制造过程中，以下哪个步骤是为了提高硅片的纯度？A、扩散B、蚀刻C、清洗D、热处理7、半导体材料中最常用的材料是什么？（）A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 金（Au）D. 镁（Mg）8、在芯片制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？（）A. 去除不需要的材料B. 增加材料的功能性C. 将电路设计图案转移到硅片上D. 加热固化硅片结构9.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的CMOS工艺流程？A. 氧化硅膜沉积B. 光刻C. 切割D. 离子注入 10.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 栅极D. 上述全部二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪个物理现象通常用于提高晶体管开关速度？（）A、短沟道效应B、量子隧道效应C、沟道极化D、多晶硅栅极2、在数字电路中，一种常见的数字缓冲器是 _ 。

（）A、反馈触发器B、D触发器C、三态缓冲器D、差分放大器3.以下关于半导体材料的说法正确的是（）：A. SiC的禁带宽度比 Si 更宽B. GaN的发光效率比 Si 更高C. InGaAs 的电子迁移率比 Si 更快D. ZnSe可以用于制造红光 LED4.在半导体器件制造中，对于离子注入工艺，正确的工作原则包括（）：A. 离子注入可以形成三维空间中的杂质分布B. 注入离子可以改变晶格特性，增强材料强度C. 注入离子能量过高，可能导致晶体缺陷D. 离子注入温度应当尽可能高，以提高注入效率5.半导体芯片制造过程中，哪些步骤通常需要使用光刻技术？A. 芯片设计B. 光刻C. 薄膜沉积D. 金属化6.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 次沟道区D. 栅极7、在半导体的制造过程中，以下哪个工艺步骤不用于清洗晶圆？A. 刻蚀B. 化学机械抛光C. 清洁去毛刺D.湿法沉积8、在半导体制造过程中，以下哪种类型的晶圆对齐是用来确保图案精确地转移到光罩上的？A. 接触式对准B. 深亚微米对准C. 缩放对准D. 光学对准9.在半导体行业中，晶体管通常分为两种类型：双极型晶体管（BJTs）和场效应晶体管（FETs）。

半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。

A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

2. 常见的半导体材料有（）。

A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。

3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。

A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。

4. 半导体中的载流子包括（）。

A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。

5. P 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。

6. N 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。

7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。

A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。

8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。

9. 二极管的主要特性是（）。

A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。

10. 三极管的三个电极分别是（）。

A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。

11. 场效应管是（）控制器件。

A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。

12. 集成电路的基本制造工艺是（）。

A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。

半导体照明职业资格考试光学方向—上机复习题一、1）利用TRACEPRO 设计一个”单透镜”a)单透镜中心位于（0,0,0）位置b)透镜参数：以半径为单位c)透镜中心厚度为4.5mm，d)透镜材料为肖特玻璃(SCHOTT)，牌号为K10e)第一个面半径为59.46f)第二个面半径为-47.33g)半孔径：10g)”光源”参数设置：i. 光源大小为半径为10mm的圆形发光面，出射平行光ii．中心位置（0，-50,0）,（0, 0,-50）iii．光源形式：光通量1watts 总光线数：1000iv．波长：0.5461 umv．场角分布：垂直发光表面发光场型h)接收器参数设置：i.在距离透镜36mm的地方接收光线ii.接收面的尺寸为100mm*100mm(h)效果图要求：i.观察空间光强分布曲线：采用灯具模式；光强分布的参数设置为平滑度为50；水平方向角度数目为50ii.辐照度/光照度图：辐照度；描绘光线：入射；平滑化：图示计数50通过Cadala plot 选项设置使配光曲线的法线为0度。

步骤：1.构建模型：单透镜，光源，接收面2.设置属性：1）LED面发光属性定义单透镜材料透镜中心厚度为4.5mm，透镜材料为肖特玻璃(SCHOTT)，牌号为K10 第一个面半径为59.46第二个面半径为-47.33半孔径：103.进行光线追迹4.修改必要参数，获得配光曲线，并导出IES文件。

5.获得接收面的照度分布题二、利用DIALUX模拟室内照明设计效果一、基本参数a) 房间长84m、宽27米、高13米;b) 灯具安装高度11米，c) 采用给定灯具d) 照度要求大于200Luxe) 天棚、墙壁、地面的反射率分别为50%、50%、20%f) 维护系数0.8g) 工作面高度0.75。

h）工作面的照度均匀度大于0.4。

二、自行选择灯具，获得以下结果：i. 照明器具表ii. 等照度图iii.点照度表iv. 结果目录v. 3D图步骤：1.建立新的室内设计案，选用3D视图2.天棚、墙面、地面反射率分别为50%、50%、20%3.使用灯具为Thorn 96 207 107 OPTUS IV DI 2x54W HFS GRY DSB ML [STD]，在天花板上黏贴一枚灯具，计算地板上的照度情况若要在地面形成平均照度200lx以上，则至少需要128枚灯具。

半导体照明认证初级光学笔试复习题考试时间180分钟一、填空题1.光按照激发方式不同分为如下几类：生物发光，化学发光，，阴极射线发光，燃烧发光，。

2.道路照明中很窄的路段应使用布灯方式，照度均匀度和纵向照度均匀度都很好的布灯方式有和，道路两侧有茂密树木的情况下应考虑布灯。

3.某灯具的输入功率为18W，光通量为1512 lm，则次灯的光效为。

4.在相同的使用条件下，灯具发出的总光通量与灯具内所有光源发出的总光通量之比，称为。

5.当电流流过LED 器件时，PN结的温度将上升，我们把PN结区得温度定义为；其温度越高，LED的光输出，发光波长，发生红移。

6.光的反射通常包括三种，分别为、、。

7.如果光线的入射角大于临界角，那么就没有折射光线，入射光线的能量都被反射了，这种现象叫做。

二、选择题1．下面那一种材料可以用来制作蓝光发光二极管（）。

A.铝磷化镓(AlGaP)B.磷化镓(GaP)C.氮化镓(GaN)D.氮化铝(AlN)2．以下哪种措施不能减少反射眩光？( )A.限制灯具亮度B.采用漫反射墙面C.同等功率时选用宽光束灯具替换窄光束的D.采用高光效光源3．某均匀漫反射表面的反射比为，则该表面的亮度与照度的关系为：（）。

A.B.C.D.4．考虑国家照明标准和节能，教室照明采用以下哪种规划最好？( )A.平均照度250lx，LPD 8w/m2B.平均照度350lx，LPD 11.5w/m2C.平均照度285lx，LPD 8.5w/m2D.平均照度300lx，LPD 10.5w/m25．安装灯具时要考虑距高比，这是因为要( )。

A.保证工作面平均照度B.控制照度均匀度C.减少维护次数D.减少眩光6．荧光灯汞齐技术的优势在于( )。

A.提高光源显色性B.提高光源寿命C.放宽工作温度范围D.降低启动电压7．一盏出光面为40cm×80cm的LED灯具，测量其光强分布时，以下最合适的LED灯具到光度探头的距离是：（）。

光学工程基础考试试题
1. （10分）请简要描述光学工程的定义和应用领域。

2. （15分）请解释以下术语：
a) 反射率
b) 折射率
c) 散射
d) 光程差
e) 像差
3. （20分）光学薄膜是光学器件中的重要组成部分。

请简要说明光学薄膜的制备方法，并列举几种常见的光学薄膜材料及其应用。

4. （25分）请解释以下光学元件的工作原理和应用：
a) 凸透镜
b) 平面镜
c) 光栅
d) 偏振器
e) 相位调制器
5. （15分）在光学传输中，有时会遇到衍射现象。

请简述衍射的基本原理，并说明它在光学工程中的应用。

6. （15分）请解释光学干涉的基本原理，并提供一个实际应用的例子。

7. （约300字）请简要概述光学系统设计的基本步骤和方法，以及需要考虑的关键因素。

8. （约500字）请结合实际案例，描述光学工程在现代科技中的重要应用，并讨论其对社会进步和发展的影响。

考试结束。

（注意：本试卷共计3000字，每题总分均已标明。

请在规定时间内完成试题，准备好交卷。

祝你好运！）。

华力半导体笔试题1. 关于半导体技术，以下哪个说法是正确的？A. 半导体材料只包括硅和锗B. N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度C. P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度D. 半导体器件的导电性能可以随意改变2. 下列哪种情况是晶格振动？A. 声子B. 激子C. 电子D. 光子3. 在半导体制造中，以下哪种技术用于制作PN结？A. 离子注入B. 外延生长C. 化学气相沉积D. 金属化4. 下列哪个参数用于描述半导体的导电性能？A. 电阻率B. 电容率C. 电导率D. 电场强度5. 在半导体材料中，硅的化学符号是什么？A. SiB. GeC. GaAsD. InP6. 关于半导体的能带结构，以下哪个说法是正确的？A. 能带间隙越大，导电性能越好B. 能带间隙越小，导电性能越好C. 能带间隙越大，禁带宽度越小D. 能带间隙越小，禁带宽度越大7. 在半导体器件中，以下哪种器件是利用PN结进行工作的？A. 双极晶体管B. 场效应晶体管C. 晶体三极管D. 电阻器8. 下列哪个参数用于描述半导体的光学性能？A. 折射率B. 反射率C. 透过率D. 色散系数9. 在半导体材料中，锗的化学符号是什么？A. GeB. SiC. GaAsD. InP10. 关于半导体的应用，以下哪个说法是正确的？A. 半导体只用于制造电子器件B. 半导体只用于制造光电器件C. 半导体可用于制造所有类型的器件D. 半导体没有实际应用价值。

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体器件中，以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择？A、硅（Si）B、锗（Ge）C、砷化镓（GaAs）D、碳化硅（SiC）2、在半导体工艺中，以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区？A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干：在半导体制造过程中，下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层？A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干：下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板？B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干：在半导体制造过程中，以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域？A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积（CVD）C. 光刻D. 离子注入6、题干：以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素？A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术？A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的？A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中，下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂？A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节？A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素？A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中，以下哪些工具或方法有助于提高设计效率？A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能？（）A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数？（）A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。

招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、下列关于半导体材料的描述，错误的是：A、半导体材料在室温下的导电性介于导体和绝缘体之间。

B、常见的半导体材料有硅、锗等。

C、半导体材料的导电性可以通过掺杂来调节。

D、半导体材料在高温下的导电性会降低。

2、在半导体芯片制造过程中，以下哪个步骤是为了提高芯片的集成度？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积3、以下哪种类型的晶体管是现代半导体器件中应用最为广泛的？A、双极型晶体管（BJT）B、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）C、隧道晶体管（Tunnel FET）D、光晶体管（Phototransistor）4、在半导体制造过程中，用于去除硅片表面杂质的工艺是？A、光刻（Photolithography）B、蚀刻（Etching）C、离子注入（Ion Implantation）D、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）5、在半导体制造过程中，以下哪种设备用于在硅片表面形成绝缘层？A. 离子注入机B. 化学气相沉积（CVD）设备C. 离子束刻蚀机D. 线宽测量仪6、在芯片设计过程中，以下哪个术语描述了晶体管中电子流动的方向？A. 电流B. 电压C. 漏极D. 源极7、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 钎焊8、以下哪种类型的晶体管在数字电路中应用最为广泛？（）A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 双栅场效应晶体管D. 双极型与场效应晶体管的混合结构9、以下哪个选项不属于半导体制造过程中常见的物理气相沉积（PVD）技术？A. 真空蒸发B. 离子束刻蚀C. 化学气相沉积D. 热丝蒸发 10、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是为了提高晶圆的表面平整度？A. 光刻B. 化学机械抛光（CMP）C. 离子注入D. 硅片切割二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、化学气相沉积D、离子注入E、封装2、以下关于芯片设计的描述，正确的是？（）A、芯片设计主要包括逻辑设计、物理设计和验证设计B、逻辑设计关注电路的功能实现，物理设计关注电路的布局和布线C、验证设计确保设计的正确性，通常通过仿真和测试来完成D、芯片设计过程中，设计者需要考虑功耗、性能和面积等因素E、以上都是3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 线宽测量E. 晶圆切割4、以下关于半导体材料的描述中，正确的是？（）A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

1．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）2．晶体管可以把小电流放大成大电流。

（对）3．在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

（对）4．在P型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子。

（错）5．晶体管可以把小电压放大成大电压。

（错）6．在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

（错）7．在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。

（对）8．二极管两端加上正向电压就一定会导通。

（错）9.半导体随温度的升高,电阻会增大。

（错）10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。

（对）11.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

（错）12.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（错）13.二极管一旦反向击穿就一定损坏。

（错）14.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

（对）15.发光二极管可以接受可见光线。

（错）16.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

（错）17.硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。

（错）18.硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。

（错）19.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。

（错）20.只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。

（对）21.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）22.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（对）23-.PN结正向偏置时，其表现的电阻为无穷大。

（错）24.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

（错）25.无论P型半导体还是N型半导体都是不带电的。

（对）26.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。

（错）27.当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I㎝时，该管必被击穿。

（错）28.使用万用表无法判断一个二极管的好坏。

（错）29.三极管的集电极和发射极半导体类型相同，因此可以互换使用。

招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某大型央企)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体行业中，以下哪种材料通常用作硅晶圆的衬底材料？A. 氧化铝B. 硅C. 硅碳D. 氧化硅2、在芯片制造过程中，以下哪种工艺属于光刻工艺的范畴？A. 刻蚀B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 光刻3、以下哪个选项不属于半导体制造过程中使用的蚀刻技术？A. 化学蚀刻B. 物理蚀刻C. 光刻D. 激光蚀刻4、在半导体器件中，以下哪种现象与二极管正向导通有关？A. 内部电流增大B. 内部电流减小C. 内部电势降低D. 内部电势升高5、以下哪种元素是半导体材料的主要成分？A. 钙（Ca）B. 铝（Al）C. 硅（Si）D. 钾（K）6、在半导体器件中，用于控制电流通断的器件称为：A. 电阻B. 晶体管C. 电容D. 电感7、题干：在半导体制造过程中，用于去除硅片表面的杂质和氧化物层的工艺称为：A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 化学机械抛光D. 硅片清洗8、题干：在芯片设计中，以下哪项技术用于提高晶体管的工作速度？A. 多晶硅技术B. 封装技术C. 纳米技术D. 缓存技术9、题干：在半导体制造过程中，用于将硅晶圆表面氧化形成绝缘层的工艺是：A. 光刻B. 离子注入C. 化学气相沉积D. 硅片切割二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些选项是半导体制造过程中常用的化学气体？（）A、氮气（N2）B、氢气（H2）C、氯气（Cl2）D、氧气（O2）E、氟化氢（HF）2、以下哪些技术是用于提高半导体芯片集成度的关键？（）A、CMOS技术B、FinFET技术C、3D集成电路技术D、量子点技术E、微机电系统（MEMS）3、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型？（）A、表面划痕B、孔洞缺陷C、金属化层缺陷D、硅片位错E、氧化层缺陷4、在芯片设计中，以下哪些是常用的数字设计技术？（）A、组合逻辑设计B、时序逻辑设计C、模拟电路设计D、数字信号处理E、VLSI设计5、以下哪些技术或工艺与半导体制造密切相关？（）A. 光刻技术B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 热氧化E. 机械加工6、在半导体器件设计中，以下哪些因素会影响器件的功耗？（）A. 工作电压B. 静态功耗C. 动态功耗D. 工作频率E. 材料特性7、以下哪些属于半导体制造工艺流程的关键步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、热处理8、以下哪些因素会影响半导体器件的性能？（）A、半导体材料的纯度B、器件的结构设计C、温度D、电场强度E、工作频率9、以下哪些选项是半导体制造过程中常见的材料？A. 高纯度硅B. 硅酸盐C. 金D. 光刻胶三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、集成电路的制造过程中，光刻步骤是直接在硅晶圆上进行的，无需任何掩模。

半导体职业资格考试光学方向——笔试复习一、基础理论知识1. 波长555nm的单色光辐射功率为1W时，对应辐射光通量为683lm。

2. 颜色具有三个基本特性，分别为明度、色调、和饱和度。

3. 光强是光度学中最基本的物理量，也是国际七个基本单位之一。

4. 同一条车道中心线上最小亮度与最大亮度的比值为路面亮度纵向均匀度。

5. 发光二极管的Ｖｆ表示的是正向电压,也就是执行LED亮灯测试之电流对应二极管的电压值。

6. 根据外界视场亮度变化，人眼视觉响应可分为三类，即明视觉，暗视觉和中间视觉。

7. 灯具光强度分布曲线的两种表示方法是极坐标和直角坐标。

8. 灯具效率是指规定条件下测得灯具的光通量与光源的光通量的比值。

9.通常把电磁波谱中的紫外、可见和红外三个频段的电磁波统称为光。

10. 光通量的单位是流明lm；光强度的单位是坎德拉cd；光照度的单位是勒克斯lx；11.当电流流过LED 器件时，PN结的温度将上升，我们把ＰＮ结的温度定义为结温；其温度越高，LED的光输出越低。

12. 被照表面的照度与点光源的亮度成正比，与点光源的距离平方成反比。

13.若视野内有亮度极高的视觉对象或强烈的亮度对比时，产生不舒适感或视觉功能降低的现象，叫做眩光。

14.LED光源燃点至光通量降为初始值的70%所经历的时间，称为有效寿命或经济寿命；当燃点至 50 %的样品已不能工作所经历的时间，称为光源的平均额定寿命。

15.气体放电光源点亮时会经过辉光放电和弧光放电放电两个阶段，最终达到稳定。

16.道路照明和室内照明中，肉眼感觉到的偏蓝说明色温偏高17.在照明标准中，绘图办公室桌面的照度要求是200Lux以上18.朗伯辐射体的特点是其在各方向的光亮度相同。

19.光线进入人眼时，首先接触的是人眼的角膜。

20.能感知色彩与细节的是人眼视网膜上的视锥细胞。

21.下列能发出和太阳光光谱最接近的光源是白炽灯。

22.透雾能力极强的光源是低压钠灯。

23.在通常办公室中使用的照度通常要求200lx以上。

半导体照明应用产品初级工程师执业资格认证统一考试综合考试，笔试部分，光学试题十二一、填空题（10个/15分）1. 在一定条件下，入射到介质上的光会全部饭后到原来的介质中，而没有折射光产生，这种现象称为光的全反射现象。

2. 人对不同波长响应的灵敏度是波长的函数，称之为光谱光效率函数。

3. 发光强度空间分布可用公式Iθ=I N cosθ表示的发光表面为余弦辐射体。

4.晶体这种相同的性质，在不同方向或位置上有规则地重复的现象，称为晶体的对称性。

5. 中性玻璃也是离子着色玻璃，它的特点是在可见光区域内能比较均匀地降低光源的强度，而不改变其光谱成分。

6.能够引起颜色知觉的可见辐射的辐通量称做颜色刺激。

7视觉对视场亮度变化的顺应称作适应。

8.单色仪是利用色散元件对不同波长的光具有不同色散角的原理，将光辐射能的光谱在空间分开。

9.在相同的使用条件下，灯具发出的总光通量与灯具内所有光源发出的总光通量之比，称为灯具效率。

10同一条车道中心线上最小亮度与最大亮度的比值为路面亮度纵向均匀度。

二、选择题（10个/15分）1．下面不属于余弦辐射体的是：（ C ）A、绝对黑体B、乳白玻璃C、LED球泡灯D、硫酸钡涂层2.一盏出光面为40cm×80cm的LED灯具，测量其光强分布时，以下最合适的LED灯具到光度探头的离是（ D ）A、3 mB、5mC、8mD、12m3.按照各国的分类方法，光学玻璃按阿贝数的大小分为（ B ）玻璃两大类。

A、冕牌和钡牌B、冕牌和火石C、钡牌和火石D、钡牌和磷牌4.降低反射损失的方法是在玻璃元件的表面镀增透膜。

以下哪种不是常用的增透膜：（ D ）A、二氧化硅（SiO2）B、氧化钛（TiO2）C、氟化镁（M gF2）D、氧化钙（CaO）5.《CJJ45-2006城市道路照明设计标准》中规定快速路、主干路的路面平均照度维持值（1x）为（ A ）A、20/30B、25/35C、15/25D、10/156.《CJJ45-2006城市道路照明设计标准》中规定商业区的流量大的人行道的路面平均照度维持值（1x）为（ B ）A、15B、20C、25D、307.以下哪种方法不能合成白光：（ C ）A、红光LED+绿光LED+蓝光LEDB、紫外光+荧光粉C、红外光+荧光粉D、蓝光+荧光粉8.CIE推荐的标准照明体A的相关色温大约为（ A ）A、2856B、3000C、4874D、67749.谋均匀漫反射表面的反射比为ρ，则该表面与照明的关系为：（ B ）A、L=ρE/2πB、L=ρE/πC、L=2ρE/πD、L=E/2ρπ10.整个球面球面都发光的球泡灯对球心所张的立体角为（ D ）：A、πB、2πC、3πD、4π三、判断题（10个/10分）1.晶体内部质点的排列方式及性质是重复的，称为晶体的对称性。

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体制造过程中，以下哪个步骤属于光刻工艺？A. 清洗B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 刻蚀2、以下哪种半导体器件属于场效应晶体管（FET）？A. 双极型晶体管（BJT）B. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）C. 晶体管-晶体管逻辑（TTL）D. 二极管3、在半导体制造过程中，以下哪项工艺是用于制造晶体管的？A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热处理4、在半导体芯片制造中，以下哪种缺陷检测方法主要用于检测晶体管中的漏电流问题？A. X射线检测B. 电子显微镜检测C. 荧光检测D. 原子力显微镜检测5、在半导体制造过程中，以下哪种工艺用于去除硅片表面的杂质和缺陷？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 化学机械抛光（CMP）6、在芯片设计中，以下哪种设计方法可以提高芯片的集成度和性能？A. 逻辑门级设计B. 结构级设计C. 电路级设计D. 体系级设计7、以下哪项不是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热压焊接8、以下哪种材料不是常用的半导体绝缘材料？A. 氧化硅B. 氮化硅C. 氮化铝D. 硅9、在半导体制造过程中，以下哪种设备主要用于去除晶圆表面的杂质和缺陷？A. 化学机械抛光机（CMP）B. 刻蚀机C. 离子注入机D. 硅片清洗机 10、以下哪种半导体器件在工作时会产生电流，而电流的大小与输入电压成正比？A. 变容二极管B. 线性稳压器C. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）D. 二极管二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、封装2、以下关于芯片设计的相关术语，正确的是？（）A、CPU是中央处理单元的缩写B、GPU是图形处理单元的缩写C、FPGA是现场可编程门阵列的缩写D、ASIC是专用集成电路的缩写E、CPU的主频表示其每秒可以执行的指令数3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？（）A. 克雷顿光刻技术B. 紫外光刻技术C. 电子束光刻技术D. 纳米压印光刻技术4、在半导体制造过程中，以下哪些工艺步骤属于化学气相沉积（CVD）技术？（）A. 氧化硅的沉积B. 氮化硅的沉积C. 多晶硅的制备D. 氧化物的蚀刻5、以下哪些是半导体制造过程中常用的清洗技术？（）A. 水洗B. 氨水清洗C. 酸洗D. 离子液体清洗E. 氩气清洗6、下列哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 材料质量B. 制造工艺C. 环境因素D. 使用条件E. 封装设计7、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻机B. 干法刻蚀C. 湿法刻蚀D. 电子束光刻E. 分子束外延8、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制程工艺D. 温度控制E. 电源电压9、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶B. 光刻机C. 电子束光刻D. 紫外线光刻E. 激光直接成像 10、在芯片设计过程中，以下哪些是常见的电路设计语言？（）A. VHDLB. VerilogC. C++D. SystemCE. SPICE三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。