MOS动静态测试
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MOSFET动静态测试系统西安易恩电气科技有限公司
MOSFET动静态测试设备技术方案
1.1技术条件
1.1.1环境要求
A.环境温度：25±10℃，
B．相对湿度：湿度不大于65%
C.大气压力：86Kpa～106Kpa
D.工作电压：三相五线制AC380V±10%，或者单相三线制AC220V±10%
E．电网频率：50Hz±1Hz
F.压缩空气：0.4～0.6Mpa
G.防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
1.1.2设备功能简介
此设备具有以下测试单元
注：开关时间，二极管反向恢复，栅极电荷需要可在分装后测试，静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。
●开关时间测试单元
开启延迟时间（Td(on)）上升时间（Tr）
关断延迟时间（Td(off)）下降时间（Tf）
开启损耗Eon关断损耗Eoff
●二极管反向恢复测试单元
反向恢复时间（Trr）反向恢复电荷（Qrr）
●栅极电荷测试单元
阈值电荷（Qg（th））栅电荷（Qg）
●静态全参数测试单元
R DS(ON)V GS(th)T DSS I GSS V SD R25
●雪崩测试单元
雪崩电流（I），雪崩电压(V)，雪崩能量(E)
1.2动态测试参数
1.2.1开通和关断波形及其相关参数的定义
图1.1mosfet开通过程及其参数定义
图1.2mosfet关断过程及其参数定义
1.2.2加电容后可测试的参数
表格1.1可测量的MOSFET动态参数参数名称符号参数名称符号
开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)
上升时间tr下降时间tf
开通时间ton关断时间toff
开通损耗Eon关断损耗Eoff
栅极电荷Qg拖尾时间tz
表格1.2可测量的DIODE动态参数参数名称符号参数名称符号
反向恢复时间trr反向恢复电荷Qrr 1.3静态参数测试
1.3.1加电容前可测试的参数
表格1.3可测量的mosfet静态参数参数名称符号参数名称符号
门极开启电压VGS(th)集射极耐压VDS 集射极漏电流IDSS栅极漏电流IGSS
表格1.4可测量的mosfte其他参数
参数名称符号参数名称符号二极管反向电压Vsd额定电阻R25雪崩电流I雪崩电压V
雪崩能量E