综模拟电子技术及应用合试卷A答案

《模拟电子技术基础》试题（A 卷）一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。

（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。

（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。

（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。

（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。

（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。

（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。

（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。

（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流子应是空穴。

2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。

3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。

5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。

6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或_反向偏置。

7、半导体二极管的基本特性是单向导电性，在电路中可以起整流和检波等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。

9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。

10、硅二极管的死区电压约为0.5，锗二极管的死区电压约为0.1。

11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的1+β倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量小。

12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导m g 。

13、结具有单向导电特性。

14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和_发射结。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置，集电路反向偏置。

16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。

18、P 型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。

19、结外加正向电压，即电源的正极接P 区，电源的负极接N 区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极、发射极和基极。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正向电压；（2）集电结外加反向电压。

22、N 型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表示。

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。

二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。

，、二、选择题（10分）1. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的( )。

A. 差B. 和C. 平均值2. 图示电路中，已知稳压管DZ的稳定电压UZ=5V，流过稳压管的电流IZ为（）A、5mAB、10mAC、20mAD、40 mA3.某放大电路的增益为105，则折算成dB数为（）。

A.60dBB.80dBC.100dBD.120dB4.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为5W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（）。

A．2W B．1W C．0.5W D.0.2W5. 如果在电路中测出某PNP锗管三个电极对地电位分别为:E6.0VV=，B5.8VV=，C1.0VV=，则该管工作在（）区。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿6.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）。

A. 10kΩB. 2kΩC. 4kΩD. 3kΩ7. 通用型集成运放的输入级多采用（）。

A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法8. 已知某一放大器的A=100,现要求引入负反馈后，增益A f=10，问反馈系数K f应为（）。

A.0.01 B.0.05 C.0.09 D.0.19.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（）；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入（）。

A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈。

模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。

A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。

a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。

A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的是负反馈。

《模拟电子技术与应用项目教程》部分习题答案1-1（1）导体；绝缘体；半导体 （2）单向导电；正向；反向（3）迅速增大；正向导通；很小；反向截止；单向导电 （4）0.7V ；0.3V （5）反向击穿（6）电；光；正向偏置；光；电；反向偏置 （7）NPN ；PNP （8）正向；反向（9）放大；饱和；截止；无 （10）电流；较小；电压；很高 （11）增大；增大；减小 （12）PNP （13）0.03mA ；100（14）金属；氧化物；半导体 （15）1）集电极；基极；发射极2）40 3）PNP 1-2×；×；×；×；×；×；√；×；×；√ 1-3答：因为二极管是一种非线性元件，从它的伏安特性曲线可以看出，加在二极管两端的电压与流过元件的电流并不成正比关系，即其伏安特性不是一条直线而是一条曲线。

当用万用表欧姆档测量二极管正向电阻时，虽然欧姆档的 R ×1到R ×1k 的内电源电压相同，但是选用不同档位测量，其测量回路的内阻不同，所以加在元件两端的电压也就不同，结果使被测元件反映出不同的阻值。

1-4答： 三极管具有放大作用的内部条件（结构特点）：1）发射区的掺杂浓度高；2）基区的掺杂浓度低，且做得很薄，一般只有几微米至几十微米；3）集电结的面积比发射结要大得多。

三极管具有放大作用的外部条件：发射结正偏、集电结反偏。

1-5 解：321==50(4020)10C B I I β-∆-=∆-⨯ 1-6 答：由于三极管基极电流的微小变化能引起集电极电流较大的变化，因此可以通过控制基极电流的大小，能实现对集电极电流的控制，所以晶体管放大的本质是电流控制作用。

三极管电流分配：B C E I I I +=，B C E I I I β=≈解：a ）VD 导通，32A=1mA 210I =⨯ b ）1VD 导通， 2VD 截止，R 310A=5mA 210I =⨯，2VD 0.1mA I =，12VD R VD 4.9mA I I I =-= c ）1VD 导通，2VD 截止，I R =0.1mA 1-8解：a ）由图知VD 截止，则o 12V u =-b ）由图知1VD 优先导通，2VD 截止，则o 4.5V u =- 1-9解：a ）由图知，1VS 、2VS 反偏，均处于稳压状态，则o Z1Z215V U U U =+=b ）由图知，1VS 正偏，2VS 反偏，则1o VS Z210.7V U U U =+=c ）由图知，1VS 、2VS 反偏，则o Z15V U U == 1-10解：a ）1VD 导通，2VD 截止，o 0V u = b ）1VD 、2VD 均截止，o 12V u =- 1-11解：1）当A B 0V V V ==时，A VD 、B VD 均导通，由于二极管为理想二极管，则F 0V V =。

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。

模拟电子技术课程试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1. 稳压二极管正常工作在伏安特性曲线上的区；变容二极管正常工作在伏安特性曲线的区；发光二极管正常工作在伏安特性曲线的区，光敏二极管正常工作在伏安特性曲线的区。

2. 双极型三极管是用控制集电极大电流的控制型器件；单极型三极管是用控制漏极大电流的控制型器件。

3. 根据静态工作点设置的不同，功率放大电路可分为类放大电路、类放大电路和类放大电路三种类型。

其中类功放电路存在交越失真。

4. 集成运算放大器的理想化条件是：差模输入电阻r id=∞；电压放大倍数A UO= ；输出电阻r o=0；共模抑制比K CMR= 。

根据上述理想化条件导出和两个重要概念，成为分析线性运放应用电路的重要依据。

5. 小功率并联型直流稳压电源系统中，整流部分采用的电路是整流电路，滤波环节采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。

（）2. 三极管无论是哪种组态的放大电路，均有输入、输出反相。

（）3. 若本征半导体掺入三价杂质元素，会生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。

（）4. OCL甲乙类功放采用了单电源供电方式，输出大电容起负电源的作用。

（）5. 差动放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。

（）6. 放大电路的输出无论发生饱和失真或截止失真，还是频率失真，都属于非线性失真。

（）7. 非线性应用的集成运算放大电路中，虚断的概念不再成立，虚短的概念仍然适用。

（）8. 相对于单门限比较器，滞回比较器的灵敏度高，但抗干扰能力较弱。

（）9. 文氏桥正弦波发生器中的RC串并联网络的主要作用是放大反馈信号。

（）10. 复合管的类型，总是与输入相连接的第一只管子的类型相同。

（）（本题共10小题，每小题2分，共20分）三、单项选择题1. NPN型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。

2021-2021第二学期模拟电子技术期末试卷A详细答案（）一、填空（本题共8小题,每空1分, 总计20分）得分判卷人 U/UT1. PN结的伏安特性方程 i =IS(e-1)，表明PN结呈现单向导电性。

2. 放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为 UA= -9V，UB= -6.2V，UC= -6V，则该三极管是锗PNP 型三极管，A为集电极；B为基极；C为发射极。

3.对于下图所示的电压跟随器，其输出电压与输入电压的关系是 uo＝ui ，输入电阻趋于零；输出电阻趋于无穷大，该电路是电压串联类型反馈电路（反馈组态）。

4．多级放大电路与各单级放大电路比较，多级放大电路压增益大，单级放大电路通�l带宽。

5．双端输入、双端输出差动放大电路如下所示，已知静态时VO=VC1-VC2=0，设差模电压增益|AVD|=100，共模电压增益AVC=0，Vi1=10mV，Vi2=5mV，则差模输入电压Vid为 5mV ，共模输入电压Vic为7.5mV ，输出电压|Vo|= 0.5V 。

6.所示放大电路中引入的反馈组态是电流串联负反馈。

该反馈能稳定电路的输出电__流_。

＋ io vi A ＋－ vo RL － R17．场效应管（FET）用于放大时，应工作在恒流区。

8．为了稳定放大器的静态工作点，应引入直流负反馈；为了稳定放大器的交流性能，应引入交流负反馈。

二、选择题（共10小题，每题1分，总计10分）得分判卷人 1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ C ]A．温度 B．掺杂工艺的类型 C．杂质浓度D．晶体中的缺陷2.滞回比较器有2个阈值电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生次跃变。

［ A ］A. 1B. 2C. 3D. 013.当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为。

[ C ］A. 反向偏置但不击穿B. 正向偏置但不击穿C. 反向偏置且被击穿 D. 正向偏置且被击穿4.双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ A ]A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏5.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。