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稀土信息Rare Earth Information 2022.No.1资讯Information闽都创新实验室染料三重态敏化稀土上转换发光纳米探针研究取得新进展 近年来，稀土离子掺杂的上转换发光纳米晶在防伪、光催化和生物标记等方面表现出优异的应用潜力。
经过不懈努力，国内外科学家在稀土掺杂上转换发光纳米晶的可控合成、发光机理和应用等方面均取得了一系列重要成果。
然而，稀土离子固有的吸收截面小和发光强度弱等问题仍然阻碍了这一类上转换发光材料的进一步应用。
针对这一难题，闽都创新实验室陈学元团队近期提出了一个新颖的策略，即利用CsLu2F7:Yb/Er纳米晶基质中的重原子效应，实现了IR808染料三重态敏化稀土离子的高效上转换发光；进而基于IR808修饰CsLu2F7:Yb/Er纳米探针的808-nm/980-nm双激发比率型荧光信号，实现了对HeLa癌细胞中次氯酸根的灵敏检测。
团队利用CsLu2F7:Yb/Er纳米晶中铯元素和镥元素的重原子效应，使得修饰在纳米晶表面的IR808染料从单重激发态（S1）到三重激发态（T1）的系间窜越效率（ISC）达到了99.3%，并通过飞秒瞬态吸收光谱和低温时间分辨光谱对其高效系间窜越机理进行了系统的分析。
同时，得益于IR808三重激发态和Yb3+之间的有效能量传递，CsLu2F7:Yb/Er纳米晶中Er3+离子的上转换发光强度和量子产率都得到了极大的提升。
特别地，IR808修饰CsLu2F7:Yb/Er纳米晶的上转换发光强度相比于无染料修饰的CsLu2F7:Yb/Er纳米晶提高了1309倍，其发光增强倍数也比相同条件下的IR808修饰NaYF4:Yb/Er纳米晶提高了一个数量级。
进一步地，团队基于IR808修饰的CsLu2F7:Yb/Er纳米晶，构建了808-nm/980-nm双激发比率型荧光探针，其中808 nm和980 nm激发的上转换发光分别作为检测信号和自校准信号，实现了对次氯酸根的特异性检测，检测极限可低至65.3 nM。
支化聚乙烯亚胺荧光纳米粒子的合成、性能及荧光机理张尚尚;施伟光;李紫雪;鲁晓怡;王俊【摘要】以支化聚乙烯亚胺(bPEI)、抗坏血酸(AA)为原料,采用一锅法使AA氧化生成古洛糖酸(DKG),并与bPEI发生交联反应,得到黄绿色荧光的聚乙烯亚胺纳米粒子(bPEI-DKG NPs).采用荧光分光光度计和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对bPEI-DKG NPs的荧光性能及形貌进行表征.结果表明,在90℃、60 min、pH=5.00的水热条件下,AA氧化生成的DKG与bPEI交联反应,生成粒径约为1.2 nm的单分散黄绿色荧光的bPEI-DKG NPs.在35℃恒温条件下,bPEI-DKG NPs的pH缓冲溶液(pH=3.00、12.00)荧光强度稳定,且7 d内不变.金属离子识别实验可知,Cu2+可与bPEI-DKG NPs中的N、O原子发生配位作用,发生能量转移或内滤效应从而导致bPEI-DKG NPs荧光猝灭,并建立了Cu2+浓度-荧光强度标准曲线,为复杂水体环境中的Cu2+定性定量检测提供新的手段.同时,通过荧光机理分析可知,bPEI和DKG中的杂原子基团(N、O)经交联、固化后,杂原子基团的振动和旋转受到限制,导致辐射跃迁强度增加、荧光增强.【期刊名称】《化工科技》【年(卷),期】2019(027)003【总页数】8页(P33-40)【关键词】支化聚乙烯亚胺;荧光纳米粒子;离子识别;荧光稳定性;荧光机理【作者】张尚尚;施伟光;李紫雪;鲁晓怡;王俊【作者单位】东北石油大学化学化工学院石油与天然气化工省高校重点实验室,黑龙江大庆 163318;东北石油大学化学化工学院石油与天然气化工省高校重点实验室,黑龙江大庆 163318;东北石油大学化学化工学院石油与天然气化工省高校重点实验室,黑龙江大庆 163318;东北石油大学化学化工学院石油与天然气化工省高校重点实验室,黑龙江大庆 163318;东北石油大学化学化工学院石油与天然气化工省高校重点实验室,黑龙江大庆 163318【正文语种】中文【中图分类】O644.17近年来，有机纳米荧光材料作为传感器、生物成像、药物和基因传递介质为生物医学的应用开辟了新的途径。
喷墨式PLED全彩显示技术10-31-2002原文刊载于《液晶平面显示器》摘要有机电激发光显示元件除了兼具LCD的轻薄、省电、高解析显示，主动发光、高应答速率、省电冷光源等技术优点外，且由于其本身制程另具低成本、光色调变容易、可应用于挠曲性面板等多项特点，因此被誉为下一世代的平面显示技术。
本文将偏重在介绍有机电激发光显示技术中的PLED，说明PLED之相关技术演进，并特别针对可应用于全彩显示之喷墨式PLED制程与技术的作进一步的介绍。
关键词有机电激发光PLED 全彩色显示器一、有机电激发光显示技术有机电激发光(organic electroluminescence，OEL)显示技术依其元件所使用的载子传递层与发光层等有机薄膜材料之不同可概分成两系统(元件结构参见图一)，一是以染料或颜料为材料之小分子元件(molecule-based device)，另一则以共轭性高分子为材料之高分子元件(polymer-based device)，前者真空蒸镀镀膜制作元件，后者则采溶液涂膜方式。
由于OEL元件亦具有无机发光二极体(light-emitting diode，LED)整流与发光的特性，因此小分子OEL元件亦被称为OLED，而高分子OEL元件则被称为PLED。
图一：有机电激发光元件之典型结构二、PLED元件技术演进严格来说，高分子发光二极体之研究于英国剑桥大学研究群之数年前即有，但使用的材料并非共轭性高分子材料，其结果也未引起大众的注意。
直至1990年英国剑桥大学Friend等人发表PPV PLED 在著名的Nature期刊上，因而引发了后续的研究热潮。
兹将PLED之技术演进整理如下：1. PLED的崛起─单层结构元件1990年英国剑桥大学研究群首先以共轭结构之PPV高分子材料为发光层，制作成二极体元件，其结构为 ITO / PPV / Ca，光色为黄绿色，由于初期的单层结构元件在材料结构与纯度、元件结构设计与界面分析上尚未有完善的考量，因此元件的发光效率相当低，仅0.05%。
Ⅲ-PNVA-co-PSt纳米微球的合成及其性能研究1 Eu()孙雨薇1，倪忠斌1，傅成武1，黄晓华1, 2，陈明清1*1江南大学化学与材料工程学院，江苏无锡 (214122)2南京师范大学化学与环境科学学院，南京 (210097)E-mail：mqchen@摘要：合成了具有核壳结构的以聚苯乙烯为核，聚N-乙烯基乙酰胺为壳的单分散纳米级共聚微球PNVA-co-PSt及其与Eu3+的配合物，并用透射电子显微镜、Zeta-电位、红外光谱、Ⅲ-PNVA-co-PSt 紫外光谱以及荧光光谱分别对其进行了表征。
红外、紫外光谱表明，在Eu()配合物微球中Eu3+离子可能与PNVA侧链酰胺基团的氧原子和氮原子发生配位作用；荧光Ⅲ-PNVA-co-PSt配合物微球受到260nm波长的紫外光激发后，在584和光谱显示，Eu()612nm处产生增强的Eu3+的特征发射峰，说明在Eu3+离子和PNVA-co-PSt微球之间能够发生有效的Förster能量传递。
关键词：核壳纳米微球；Eu3+；紫外光谱；荧光光谱中图分类号：O614.3; O6411.引言稀土有机高分子除了具有高分子材料优良的加工性能和力学性能外，由于稀土元素独特的电子结构，还兼具有特有的光、电、磁等特性[1-4]。
近年来，稀土高分子化合物因其独特的荧光特性受到各国科学工作者的广为关注[5，6]。
N-乙烯基乙酰胺（NVA）是一种无毒、生理相容性好的酰胺类单体，其均聚物聚N-乙烯基乙酰胺（PNVA）可溶于水和醇类极性有机溶剂，且经过水解后可生成水溶性阳离子型聚乙烯胺（PVAm），既可以作为功能性高分子广泛应用，也可作为制备其它功能聚合物的基本原料[7]。
本文拟在改进无皂种子乳液聚合配方的基础上，制备单分散的以聚苯乙烯(PSt)为核、聚N-乙烯基乙酰胺(PNVA)为壳的（PNVA-co-PSt）核壳结构纳米微球，并加入稀土离子Eu3+，使其与壳层中PNVA上的基团配位，形成稀土Eu(Ⅲ)-PNVA-co-PSt微球配合物。
物 理 化 学 学 报Acta Phys. -Chim. Sin. 2023, 39 (12), 2301024 (1 of 8)Received: January 14, 2023; Revised: February 13, 2023; Accepted: February 14, 2023; Published online: February 28, 2023. *Correspondingauthors.Emails:****************.cn(P.C.);*******************.cn(Q.C.);*******************.cn(L.C.).The project was supported by the Ministry of Science and Technology of China (2021YFA1202802), the National Natural Science Foundation of China (21875280, 21991150, 21991153, 22022205), the CAS Project for Young Scientists in Basic Research (YSBR-054), the Special Foundation for Carbon Peak Neutralization Technology Innovation Program of Jiangsu Province (BE2022026) and the Natural Science Foundation Project of Chongqing (CSTB2022NSCQ-MSX0438). 科技部国家重点研发计划(2021YFA1202802), 国家自然科学基金(21875280, 21991150, 21991153, 22022205), 中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划(YSBR-054), 江苏省碳达峰碳中和科技创新专项资金(BE2022026)和重庆市自然科学基金(CSTB2022NSCQ-MSX0438)资助项目© Editorial office of Acta Physico-Chimica Sinica[Article]doi: 10.3866/PKU.WHXB202301024Incorporation of a Polyfluorinated Acrylate Additive for High-Performance Quasi-2D Perovskite Light-Emitting DiodesTao Zhang 1,2, Simin Gong 3, Ping Chen 3,*, Qi Chen 1,2,*, Liwei Chen 2,4,*1 School of Nano-Tech and Nano-Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China.2 i -Lab, CAS Key Laboratory of Nanophotonic Materials and Devices, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, Jiangsu Province, China.3 Chongqing Key Laboratory of Micro&Nano Structure Optoelectronics, School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China.4 In-situ Center for Physical Sciences, School of Chemistry and Chemical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China.Abstract: Quasi-two-dimensional (quasi-2D) perovskites are one of the most promising luminescent layer candidates for light-emitting diodes (LEDs) because of their excellent optoelectronic properties such as large exciton binding energy, efficient energy transfer, high photoluminescence quantum yield, and adjustable band gap. However, the formation of a large number of low-dimensional phases and surface/interface defects during solution processing of quasi-two-dimensionalperovskite films gives rise to an increase in non-radiative recombination, resulting in deteriorated light-emitting diode performance. It is highly desirable to simultaneously realize low-dimensional phase formation inhibition and surface/interface defect passivation during quasi-two-dimensional perovskite film formation. Herein, we report a multifunctional additive, 1,6-bis(acryloyloxy)-2,2,3,3,4,4,5,5-octafluorohexane (OFHDODA), which has strong physical and chemical interactions with the PEA 2Cs 2Pb 3Br 10 precursor that can effectively suppress non-radiative recombination in the perovskite films. The distinct C ＝C peak in the Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) spectra and the F 1s peak in the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra showed that OFHDODA molecules were successfully incorporated into the perovskite films, and most OFHDODA molecules existed as monomers. With the addition of OFHDODA, the photoluminescence quantum yield (PLQY) of the perovskite film increased from 19.7% to 49.0%, and the PL emission wavelength red-shifted from 508 to 511 nm. It was demonstrated that hydrogen bond interactions between the polyfluorine structure and PEA + can tune perovskite crystallization dynamics, which inhibit the formation of low-dimensional phases, as shown by the reduced peak intensities at 403 nm (n = 1), 434 nm (n = 2), and 465 nm (n = 3) in the absorption spectra. The strong Lewis base moiety of the ester groups passivates the unsaturated Pb 2+ defects at the surface and grain boundaries of the perovskite films, as evidenced by the Pb 4f peak shift in the XPS spectra and the C ＝O shift in the FTIR spectra. The trap-filled limiting voltage (V TFL ) decreased in both hole-only and electron-only devices, which also proves the reduction of Pb 2+ defects. At the optimized OFHDODA concentration, the scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) results from the perovskite films show lower roughness and smoother surface potential, which promotes superior interfacial contact. As a result, perovskite LEDs with a device structure of indium tin oxide glass/poly (9-vinylcarbazole)/perovskite/1,3,5-tris(1-phenyl-1H -benzimidazol-2-yl)benzene/8-hydroxyquinolinolato-lithium/Al exhibitedanimproved maximum external quantum efficiency (EQE) from 8.55% to 13.76%, improved maximum brightness from 16400 to 17620 cd∙m−2, and increased lifetime from 8 min to 12 min. This process provides an effective way to suppress non-radiative recombination in quasi-2D perovskites via additive molecular structure design, leading to superior electroluminescence performance.Key Words: Quasi-two-dimensional perovskite; Non-radiative recombination; Low-dimensional inhibition;Defect passivation; Polyfluorinated acrylate additive利用多氟丙烯酸酯添加剂提升准二维钙钛矿发光二极管性能张涛1,2，龚思敏3，陈平3*，陈琪1,2,*，陈立桅2,4,*1中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院，合肥2300262中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所创新实验室，中科院纳米光子材料与器件重点实验室，江苏苏州215123 3西南大学物理科学与技术学院，微纳结构光电子学重庆市重点实验室，重庆4007154上海交通大学化学与化工学院物质科学原位中心，上海200240摘要：准二维钙钛矿由于具有较大的激子结合能和高效的能量转移等优势，在发光二极管(light-emitting diodes，LED)中的应用前景被广泛看好。
