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IC產品常用可靠性測試簡介
8. HTRB (High temperature reverse bias)---For Discrete H3TRB(High Humidity High Temperature Reverse Bias
目的:料件反偏條件下(施加電壓達到或者接近80%反向擊穿電壓) 判定反向電流是否會發生持續增長以及判定材料的散熱性
失效機理:相對高壓蒸煮,偏置電壓在潮濕的晶片表面加速了鋁線及鍵合區的 電化學腐蝕。同時,水汽帶入的雜質及塑封體內的雜質在電應力 作用下富集在鍵合區附近和塑封體內引腳之間而形成漏電通道。
設備: 恒溫恒濕柜(Temperature Humidity Chamber) 檢測標準:JESD22-A101C/電性測試符合Spec
條件: 1000 hrs 150℃,80% BVr Rating Sample Size: 77pcs
失效機理:高溫下芯片由於應力作用(溫度和電壓)表面和内部的杂质加速反 应,暴漏出PN結的非完整性、晶片的缺陷及離子污染等級,使 在兩個或是多個PN結之間形成大的漏電流
設備: 恆溫恆濕柜 & DC Power 參考標準: JESD22-A101/AEC-Q1源自1IC產品常用可靠性測試簡介
5.THBT/THT (Temperature Humidity Bias Test)
目的:類比IC存儲高溫高濕下環境測試,測試內部電路與Package封裝, 在長時間使用下耐濕度的可靠度
條件: 168/500/1000Hrs 85℃/85RH%,With Bias Vccmax Sample Size: 22/77pcs
可靠性:产品在规定条件下和规定时间内,完成规定功能的能力
可靠性的概率度量称可靠度(即完成规定功能的概率)。 产品或产品的一部分不能或将不能完成规定功能(Spec)的事件或状 态称故障,对电子元器件来说亦称失效。