太原芯片项目可行性研究报告

太原芯片项目可行性研究报告

规划设计/投资分析/产业运营

报告摘要说明

由于近年来硬件创新市场逐渐转移国内，中国市场对于MEMS传感器的需求增速远高于全球MEMS市场增速，约13.9%。2016年全球微机电系统(MEMS)市场规模约114亿美元，其中，国内需求规模约42亿美元，占比36.8%。国内企业产品满足不了国内需求，每年从国外大量进口微机电系统(MEMS)产品。

国内半导体行业市场规模快速增长，但需求供给严重不平衡，高度依赖进口，国产核心芯片自给率不足10%。

该MEMS芯片项目计划总投资8125.72万元，其中：固定资产投资6828.79万元，占项目总投资的84.04%；流动资金1296.93万元，占项目总投资的15.96%。

本期项目达产年营业收入10770.00万元，总成本费用8301.47万元，税金及附加132.37万元，利润总额2468.53万元，利税总额2941.39万元，税后净利润1851.40万元，达产年纳税总额1089.99万元；达产年投资利润率30.38%，投资利税率36.20%，投资回报率22.78%，全部投资回收期5.89年，提供就业职位182个。

随着汽车、智能装备、家电类产品领域的迅速增长，MEMS传感器用量将大大增加。物联网、云计算、大数据、智慧城市更为MEMS传感器创造了

良好的市场空间，农业、环保、食品检测、智慧医疗、健康养老、可穿戴

设备、机器人、3D打印也为MEMS传感器技术的提升和应用创新拓展了思路。

MEMS虽然侧重于超精密机械加工，但它涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域，它的学科面涵盖微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理、化学、机械学的各分支。举例而言，如果要设计MEMS麦

克风去取代传统的驻极体麦克风，需要设计MEMS音腔，这是声学的范畴；

需要设计振膜，这是材料学的范畴；当然，还需要懂微电子学去把MEMS麦

克风设计出来，并了解微电子加工工艺，知道如何设计才能更好更快成本

更低的加工出来。同样，设计MEMS执行器要懂马达驱动，设计MEMS光学

器件要懂光学，设计气味传感器要懂化学等等。简而言之，MEMS产品团队

需要跨多个学科的复合型人才，但我国目前的分学科培养体制很难培养出

大量优秀的复合型人才。

太原芯片项目可行性研究报告目录

第一章项目总论

第二章市场前景分析

第三章主要建设内容与建设方案

第五章土建工程

第六章公用工程

第七章原辅材料供应

第八章工艺技术方案

第九章项目平面布置

第十章环境保护

第十一章企业安全保护

第十二章风险应对评估

第十三章项目节能说明

第十四章项目实施进度计划

第十五章投资估算与资金筹措

第十六章经济效益可行性

第十七章项目招投标方案

附表1：主要经济指标一览表

附表2：土建工程投资一览表

附表3：节能分析一览表

附表4：项目建设进度一览表

附表5：人力资源配置一览表

附表6：固定资产投资估算表

附表7：流动资金投资估算表

附表8：总投资构成估算表

附表9：营业收入税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表

附表11：总成本费用估算一览表

附表12：利润及利润分配表

附表13：盈利能力分析一览表

第一章项目总论

一、项目建设背景

国内半导体行业市场规模快速增长，但需求供给严重不平衡，高

度依赖进口，国产核心芯片自给率不足10%。

AI芯片主要包括GPU、FPGA、ASIC三种技术路线，分为云端训练

芯片、云端推理芯片和边缘推理芯片。

在移动终端设备稳定出货的背景下，随着通信网络向5G升级，射

频器件的数量和价值量都在增加，射频前端芯片行业的市场规模将持

续快速增长，从2010年至2018年全球射频前端市场规模以每年约

13.10%的速度增长，到2020年接近190亿美元。

射频前端各组件增速不同。滤波器作为射频前端最大的细分市场，市场空间将从2018年的80亿美元增长到2023年的225亿美元，年增

长率19%，这一增长主要来自高质量BAW滤波器的渗透;PA的市场空间

将会从50亿美金增长到70亿美金，年增长率7%，主要是高端和超高

频段PA市场的增长，将弥补2G/3G市场的萎缩。

目前，射频前端市场集中度高，国外厂商占据了绝大部分的市场

份额，贸易战带来的国产化需求是国内射频厂商最大的机会。

从产业链传导的角度看，物联网将从“快速联网”到“规模联网+

应用服务”，具有通用性以及与物联网连接相关的上游产业链环节将

最先受益，包括通信芯片、传感器、无线模组等

高端(高速率、高功率)光芯片行业进入壁垒高、投入大、周期长、难度大，尤其是芯片的材料生长、芯片设计、芯片工艺制程、芯片封

装等是光芯片研发与制造的核心。

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度

≥2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料;第三代半导体材料

具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点，满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频、抗辐射等恶劣条件

的新要求。

射频器件是无线通信设备的基础性零部件，在无线通信中负责电

磁信号和数字信号的转换和接收与发送，是无线连接的核心。

过去十年来，国防应用一直是推动GaN技术发展的主要驱动力，

现在这些技术正在从军用转向商用•由于高频性能优异，未来大部分Sub-6GHz以下宏基站都将采用GaN器件，2019年至2021年为5G基础

设施建设的关键期，也将是氮化镓器件替换LDMOS的关键期。