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mand Per Clock(CPC) 1T/2T:CPC 的设定特徵是允许你在单一资料存取的延迟选择，信号在记忆体控制器开始把命令送到记忆体的时间。
设定值愈低记忆控制单元能送到外部记忆体的命令就越快。
当CPC设定為1T时，记忆控制器读写一次资料花费一个时脉週期。
当CPC设定為2T时，记忆控制器读写一次资料发费两个时鐘週期的命令延迟。
2.CAS Latency Control(tCL)这是随机存起记忆体公司第一个会拿来做评比的时间参数，例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
第一的设定值4，如被评為3 產生最好的性能，CAS 5通常能提供较好的稳定性。
CAS从开始到结束的时间被称為CAS latency。
既然CAS 是找出正确资料的最后依个阶段，所以它也是记忆体最重要的计时步骤。
(设定值小= 效能高)3.RAS# to CAS# Delay(tRCD)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第二个时间参数。
例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。
在JEDEC 的规格裡，这是在3 或者5 个数列的第2 位数。
因為这次延迟发生每当排被更新或者一个新排被开动时，降低延迟改进性能。
因此，推荐你把延迟降低到4或者更好的记忆性能3。
请注意如果你使用对于你的记忆体模组来说太低的价值，这有可能引起系统的不稳定。
如果你的系统在降低RAS对CAS 的延迟之后变得不稳定，你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟。
有趣的是，增加RAS对CAS 的延迟可以允许记忆体模组以更高的时脉运转。
因此，如果你遇到意外困难超频你SDRAM 模件，你可以试著增加RAS对CAS 的延迟。
(设定值小= 效能高)4.Row Precharge Timing(tRP)这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第3个时间参数。
他的BIOS具备有对相同的DDR 设备指定在连续的活动指令之间的最小时间。
