DRAM内存颗粒测试简介

DDR \DDR2\DDR3简介DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。

之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDR AM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。

DDR内存不向后兼容SDRAMDDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。

DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品）。

从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看，针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率。

高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。

DDR-II内存将采用200-、220-、240 -针脚的FBGA封装形式。

最初的DDR-II内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。

DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令，但是新技术将使D DR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。

DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中断指令。

DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置，以及16位512MB内存2K B的寻址设置。

DDR-II内存标准还包括了4位预取数（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技术的预取数位只有2位。

DDR测试软件简要说明书如以上的示范图:闪动的代表8颗粒的区域横着数0-7带表第一颗区域8-F代表第二颗区域,0-7带表第三颗区域,8-F代表第四颗区域依次带表8颗颗粒的内存条⒈DDR8位与16位的单面测法:注意:DDR的颗粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8⑴.0-7(第1颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第一颗粒已经损坏⑵. 8-F(第2颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第二颗粒已经损坏⑶. 0-7(第3颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第三颗粒已经损坏⑷.8-F(第4颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第四颗粒已经损坏⑸. 0-7(第5颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第五颗粒已经损坏⑹. 8-F(第6颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第六颗粒已经损坏⑺. 0-7(第7颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第七颗粒已经损坏⑻. 8-F(第8颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第八颗粒已经损坏⒉如果你是128M的双面DDR内存,如以上显示界面图:1-16M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 16-32M ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 32-48M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------48-64M------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 从1M到64M的上面的4根虚线上出现乱码的话,代表这跟内存的的第一面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)64-80M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 80-96M -------------------------------------------------------------------------------------------------------96-112M------------------------------------------------------------------------------------------------------------112-128M---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 从64M到128M的上面的4根虚线上出现乱码的话,代表这跟内存的的第二面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)注意:在内存的PCB板上的两边标着1与92的代表第一面93与184的代表第二面,1-128M的8根虚线是用来区分两面区域的作用.⒊SD的8位与16位的单面测法:注意:SD的颗粒排列循序是8-4-7-3-6-2-5-1⑴.0-7(第1颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第8颗粒已经损坏⑵. 8-F(第2颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第4颗粒已经损坏⑶. 0-7(第3颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第7颗粒已经损坏⑷.8-F(第4颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第3颗粒已经损坏⑸. 0-7(第5颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第6颗粒已经损坏⑹. 8-F(第6颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第2颗粒已经损坏⑺. 0-7(第7颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第5颗粒已经损坏⑻. 8-F(第8颗粒)区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏4.通过以上的说明SD的双面是跟DDR的是一样的但是颗粒的好坏判断要按照他们的排列循序来判断的.5.PCB板的短路或者虚焊的测法:在以8根虚线上都出现乱码代表这根内存的PCB板有问题.6.不点亮内存的测试方法:很多内存短路和颗粒损坏后都不能点亮,不点亮的可以用一根好的内存去带动他.必须SD的带SD的.DDR的带DDR的.内存软件会自动跳过好的那根去检测坏的那条.7.使用方法:直接把软盘插入软驱,在主板的CMOS里设置软驱起动,起动后本软件会自动引导到测试界面进行检测RAM Stress Test（RST）内存测试软件使用指南近日比较关注内存的检测问题，找到了名为“RAM Stress Test”的软件（简称“R. S. T.）。

ETT、UTT、TCCC等DRAM颗粒解析不论是在集邦、DRAMeXchange网站观看DRAM芯片的交易信息，还是在观察内存颗粒相关信息时，我们常会发现内存颗粒有类似DDR2 512Mb 64Mx8 ETT UTT的字样，前面的信息多半能了解，但所谓的ETT、UTT，究竟意味着什么呢？所有内存颗粒在出货给内存条厂商、OEM厂商前会经过许多程序，其中最重要的一项即是内存颗粒测试，通过测试的内存颗粒产品代表着产品本身是良好的，但由于测试这道程序需要成本费用，同时有的厂商想自己测试内存颗粒，故内存颗粒的出货就分成测试过的、未测试过等分类。

标示UTT（未经测试的内存颗粒）的内存颗粒就意味着未经测试的产品，而标示ETT （有效测试过的内存颗粒）的颗粒则是已经测试过的产品。

至于TCCC，是内存颗粒厂原厂测试过的内存颗粒产品，TCCC是韩厂三星电子（Samsung Electronics）原厂测试过的内存颗粒，三星其TCCC是韩厂三星电子（Samsung Electronics）原厂测试过的内存颗粒，三星其它的原厂颗粒还有不同的标示，如UCCC、TCCD等。

一般而言，厂商买内存颗粒后，还得经过测试程序才好做成内存条或其它应用，不然出货发生瑕疵品的机率会因此提高。

未经测试的颗粒存在着些微风险，故售价最低，也是较便宜内存条产品的颗粒来源之一。

NAND内存价格可望回升东芝看好海外市场NAND闪存芯片的价格一直在下跌，但是受到市场需求可能进一步扩大的影响，其价格可望回升。

东芝表示，未来的业绩，尤其是NAND闪存芯片业务。

在今后几年，随着更多携带型设备的出现，NAND闪存芯片市场的年增长率将达到24％左右。

东芝和SanDisk 将各在整个NAND闪存芯片市场占三分之一左右的份额。

根据东芝的估计，东芝到2011年3月时的营业利润可能会是目前的两倍。

资本收益率可能会由目前的11％增加到15％。

其中收入增长最多的将是NAND闪存芯片、硬盘和其它设备，销售额在公司总销售额中占22％，但是利润却占到公司总利润的一半以上。

Agenda• DRAM的测试方法和测试项目• DRAM失效案例分享DRAM的测试方法和测试项目内存测试法•内存厂了解记忆细胞排列结构,地址排列,漏电路径…...测试主要可分为-对记忆细胞单元透过特定背景数据排列,地址线(row address),地址线(column address)测试顺序,搭配内部电压调整进行不同漏电路径测试.-透过测试模式(test mode)调整内部讯号timing增加讯号的容限度-JEDEC定义功能及参数(AC/DC)测试-仿真系统开发random access测试方式高温(90℃)缺陷侦测& 工作电压边缘测试 (记录修补单元)针测卡电容修补低温性能测试&电容修补程序&修补后验证 (Advantest 5377)工厂晶圆产出测试晶圆产出高温性能测试 (Advantest 5377)晶圆测试流程低温(-10℃)缺陷侦测& 工作电压边缘测试 (记录修补单元)记忆单元修餔 验证修补位置及有效性晶圆测试项目介绍:测试站点 Test项目分类内容简述高温功能测试早夭不良品测试利用高温高工作电压测试条件，进行Wafer Burn-in，将制程可靠性风险之缺线提早筛选。

电容续航力测试测试高温Wafer Burn-in后电容续航力，剔除不良品。

内部电压优化透过设计预留fuse, 调整芯片电压至设计要求目标电容漏电流测试利用电容数组不同的排列方式及调整内部电压方式，侦测有漏电流的不良品，常见的有棋盘状排列。

电容保持能力测试利用static/dynamic pause及电容数组不同的排列方式来测试电容保持能力。

字符线开关测试利用字符线的频繁开关测试，来检测是否有制程缺陷在相邻字符线及相邻位线中。

数据传送测试缩短或调整电容数据传送到数据线之有效时间，将有前级数据传送问题之芯片刷出。

译码电路测试利用字符线与位线跳跃测试，将字符线或位线有译码问题的芯片刷出。

电流测试测试动态及静态电流值检测制程缺陷造成的漏电低温功能测试电容储存能力测试利用低温储存时间延长特性筛选电阻性漏电缺陷电容写入测试利用低温电子energy特性筛选数据写入困难cell放大器测试利用低温组件速度快特性调整内部放大器timing ,侦测cell讯号不良品。

内存工作原理及发展历程RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。

不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。

虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。

对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。

存储原理：为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。

RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。

但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。

对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。

让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。

如果已知这本书的编号87，那么我们首先锁定第8行，然后找到第7列就能准确的找到这本书了。

在RAM存储器中也是利用了相似的原理。

现在让我们回到RAM存储器上，对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。

因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，所以我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。

提到内存，相信大家都不陌生，几乎所有的计算机系统中都有它的身影，按照内存的工作原理划分，可将内存分为RAM和ROM两大类。

RAM（Random Access Memory）存储器又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问，RAM中的数据在掉电时会丢失；ROM（Read Only Memory）存储器又称只读存储器，只能从中读取信息而不能任意写信息。

ROM具有掉电后数据可保持不变的优点。

RAM和ROM两大类下面又可分很多小类，如下图所示：♦SRAM简介SRAM即Static RAM，也就是静态随机存取存储器，按照制造工艺可分为NMOS SRAM、CMOS SRAM和双极型SRAM(用的是TFT)。

SRAM的基本存储单元是数字锁存器，只要系统不掉电，它就会无限期地保持记忆状态。

掉电时，存储数据会丢失。

并且SRAM的行列地址线是分开的(DRAM的行列地址线是复用的)。

SRAM地特点是读写速度极快，在快速读取和刷新时能够保持数据地完整性，并且非常省电。

所以在一些高速和高可靠性要求电路中，基本上是SRAM 地天下，如CPU的Cache。

但是SRAM的存储单元电路结构非常复杂，它内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，制作一个bit存储位通常需要6个MOS 管(4个MOS管组成两个交叉耦合反相器，用来锁存数据，另外2个用于对读写操作过程的控制)。

由于SRAM的复杂电路结构，使得成本要比DRAM高很多，而且其集成度低，很难做成大容量，一般只有几十KByte到几百KByte的容量，最大也就几MByte。

下图为6个NMOS构成的基本SRAM存储单元，Xi和Yj为字线；I/O为数据输入/输出端；R/W为读/写控制端。

当R/W=0时，进行写操作；当R/W=1时，进行读操作。

图中红色虚线框中的T1、T2、T3、T4、T5、T6六个NMOS管构成一个基本的存储单元。

T1、T3和T2、T4两个反相器交叉耦合构成触发器。

sdr，，ddr1/2/3，gddr1/2/3/4/5详细规格解释（下）sdr●GDDR4的技术特性：使用DDR3的8bit预取技术，以较低的核心频率达到更高带宽，但延迟增加；采用数据总线转位技术（DBI，Data Bus Inversion，下文做详细介绍），提高数据精度，降低功耗；地址线只有GDDR3的一半，多余线用于电源和接地，有利于提升频率，但导致延迟增加；采用多重同步码（Multi-Preamble）技术，解决了GDDR3存在的爆发限制（Burst Limitation），从连续地址读取少量数据时的性能大幅提升；电压从1.8V降至1.5V；同频功耗下降75%，2400MHz的GDDR4功耗只有2000MHz GDDR3的一半；采用136Ball FBGA封装，单颗32Bit，向下兼容GDDR3；GDDR4的确更好超，但性能提升有限由于采用了8bit预取技术，因此在相同频率下GDDR4的核心频率（即电容刷新频率）只有GDDR3的一半，理论上来讲GDDR4最高频率可达GDDR3的两倍。

但值得注意的是，虽然核心频率通过8bit预取技术减半，但GDDR4与GDDR3的I/O频率是完全相同的，因此GDDR4频率提升的瓶颈在于I/O 频率而不是核心频率。

由于制造工艺和技术水平的限制，虽然三星官方宣称早已生产出3GHz以上的GDDR4，但实际出货的GDDR4只有2GHz-2.5GHz，此后改进工艺的GDDR3也追平了这一频率。

在相同频率下，GDDR4比起GDDR3虽然功耗发热低，但延迟大性能稍弱，再加上成本高产量小，GDDR4遭受冷落并不意外。

●导致GDDR4失败的非技术方面原因GDDR3是NVIDIA和ATI参与JEDEC组织后共同制定的显存标准，而GDDR4在标准制定过程中双方产生了较大的分歧。

NVIDIA较为保守，认为应该保持DDR24bit预取技术不变，继续改进I/O控制器来提升频率；而ATI则比较激进，准备直接使用DDR38bit预取技术。

【转】DDR DDR2 DDR3 DDR4详细【转】DDR,DDR2,DDR3,DDR4详细介绍00DDR显存 DDR显存分为两种，一种是大家习惯上的DDR内存，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM。

另外一种则是DDR SGRAM，此类显存应用较少、不多见。

DDR SDRAM人们习惯称DDR SDRAM为DDR。

DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

DDR SDRAM是在SDRAM 基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现 DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。

DDR 内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。

DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA的两倍。

DDR SDRAM是目前应用最为广泛的显存类型，90%以上的显卡都采用此类显存。

DDR SGRAMDDR SGRAM是从SGRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。

可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。

DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM，只在较少的产品上得到应用。

三星内存颗粒规格指标详解尽管市面上的内存品牌十分繁杂，但采用的内存颗粒不外乎三星、现代、英飞凌等这几家，其中三星的内存颗粒所占比重是极大的。

搞清楚三星内存颗粒的规格参数与性能指标，在内存的选购中是极为重要的。

当然，对内存而言，并不是只要采用同样型号的颗粒，内存的性能指标就会相同。

因为即便对同一型号的内存颗粒而言，也有等级之分，不同等级的颗粒，其性能也会有所区别，同时，更重要的，内存生产厂商的设计能力与生产工艺也会在很大程度上影响内存的性能与指标。

因此，对内存颗粒的性能指标，只能在我们选购内存时作为参考，而不要将其绝对化。

三星DDR内存颗粒面向中低端市场的内存颗粒三星TCB3颗粒TCB3是三星早期推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700，2-2-2-X 的时序，参数非常优秀。

此外它同样可以工作在PC3200，但时序需要相应地调低，200MHz时的时序为2-3-3-6，虽不能说优秀但表现尚可。

TCB3颗粒的频率极限大致在230MHz左右，这对于一款默认为166MHz的内存来说，超频幅度很大。

TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。

目前该款颗粒多见于低端内存。

三星TCCC颗粒TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。

TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz 时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。

此外也有不少DDR 500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留下的超频空间很小。

电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，但在2.8V时已经基本可以达到最高频率。

三星TCC4颗粒TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。

千丝万缕的联系 DDR1-3和GDDR1-5全解析●内存的存取原理及难以逾越的频障： 在半导体科技极为发达的台湾省，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。

基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。

DRAM的存储单元结构图 DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管加一个电容。

但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。

而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。

“上古”时代的FP/EDO内存，由于半导体工艺的限制，频率只有25MHz/ 50MHz，自SDR以后频率从66MHz一路飙升至133MHz，终于遇到了难以逾越的障碍。

此后所诞生的DDR1/2/3系列，它们存储单元官方频率（JEDEC制定）始终在100MHz-200MHz之间徘徊，非官方（超频）频率也顶多在250MHz左右，很难突破300MHz。

事实上高频内存的出错率很高、稳定性也得不到保证，除了超频跑简单测试外并无实际应用价值。

既然存储单元的频率（简称内核频率，也就是电容的刷新频率）不能无限提升，那么就只有在I/O（输入输出）方面做文章，通过改进I/O单元，这就诞生了DDR1/2/3、GDDR1/2/3/4/5等形形色色的内存种类，首先来详细介绍下DDR1/2/3之间的关系及特色。

通常大家所说的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其实并非是内存的真正频率，而是业界约定俗成的等效频率，这些DDR1/2/3内存相当于老牌SDR 内存运行在400MHz、800MHz、1600MHz时的带宽，因此频率看上去很夸张，其实真正的内核频率都只有200MHz而已！ 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。

DRAM内部结构和性能分析DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一种常见的计算机主存储器，具有高密度和较低的成本。

在本篇文章中，我们将重点讨论DRAM的内部结构和性能分析。

DRAM的内部结构可以分为四个主要部分：存储单元阵列、地址线、数据线和控制线。

首先是存储单元阵列。

DRAM的存储单元是由电容器和一个访问晶体管组成。

每个存储单元可以存储一个位（0或1）。

存储单元按照一个二维矩阵的形式排列，行和列被标记为不同的地址。

接下来是地址线。

DRAM使用地址线来选择要读取或写入的存储单元。

地址线的数量决定了DRAM的寻址能力。

较高容量的DRAM有更多的地址线，可以寻址更多的存储单元。

然后是数据线。

数据线用于传输从DRAM读取或写入的数据。

数据线的数量决定了DRAM的数据传输带宽。

较高带宽的DRAM能够更快地传输数据，提高系统的整体性能。

最后是控制线。

控制线用于控制DRAM的读取和写入操作。

控制线向DRAM发送命令和时序信号，以确保正确的操作序列。

控制线还负责管理刷新操作，刷新操作是DRAM的一个关键功能，用于定期重新写入存储单元中的数据以防止数据丢失。

性能分析是评估DRAM性能的过程，可以通过以下几个关键指标进行评估：1.容量：DRAM的容量是指可以存储的位数。

较高容量的DRAM可以存储更多的数据，适用于需要大容量存储的应用程序。

2.带宽：DRAM的带宽是指在单位时间内可以传输的数据量。

较高带宽的DRAM可以更快地读取和写入数据，提高系统的响应速度。

3.时序延迟：DRAM的时序延迟是指从发送请求到读取或写入数据的时间。

较低的时序延迟表示DRAM能够更快地响应请求，提高系统性能。

4.刷新率：DRAM的刷新率是指每个存储单元需要重新写入数据的频率。

较高的刷新率可能会导致系统性能下降，因为刷新操作会占用一定的带宽和延迟。

5.能耗：DRAM的能耗是指在运行过程中消耗的能量。

较低能耗的DRAM可以减少系统的功耗，延长电池寿命或减少能源成本。

内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon（英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先进）、Nanya（南亚）。

有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。

显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。

另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR的管脚数量为33X2=66。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

ddr压力测试原理DDR压力测试原理什么是DDR？DDR（Double Data Rate）是指双倍数据传输率的内存模块，是目前计算机中最常用的内存类型之一。

DDR内存拥有高速读写操作的特点，因此被广泛运用于各种计算机和移动设备中。

为什么需要DDR压力测试？DDR内存的性能直接影响计算机系统的运行速度和稳定性。

而在现代计算机系统中，内存的数据量和访问速度都是非常庞大的。

因此，为了验证DDR内存的性能和稳定性，需要进行DDR压力测试。

DDR压力测试需要考虑的因素1.数据容量：DDR压力测试需要关注内存模块的容量大小，以确保能够覆盖到各种不同的使用场景。

通常，测试人员会选择不同大小的数据块来进行测试，以模拟实际使用情况。

2.访问速度：DDR内存的访问速度是其性能的关键指标之一。

为了测试内存的最大访问速度，需要采用一些专门设计的测试程序。

3.稳定性：DDR内存的稳定性也是测试的重要指标。

在进行压力测试时，需要保证内存能够持续稳定地工作，并不发生数据错误或崩溃等问题。

4.温度和功耗：DDR内存在工作时会产生一定的热量，需要考虑内存的温度和功耗等因素。

对于高性能的DDR内存，需要测试其在长时间高负载下的温度和功耗。

DDR压力测试的原理DDR压力测试的原理主要包括以下几个方面：1.内存带宽测试：通过向内存中写入数据，然后读取数据，计算数据的传输速度来测试内存的带宽。

测试程序会先将数据写入内存的某个地址，然后再读取相同地址的数据，并计算传输速度。

2.数据完整性测试：通过在内存中写入不同模式的数据，然后读取数据并进行校验，来测试数据在传输过程中是否发生错误。

测试程序会使用不同的数据模式来填充内存，然后再读取并校验数据的正确性。

3.连续运行测试：通过将内存连续读写并进行循环操作，来测试内存在长时间高负载下的稳定性。

测试程序会循环执行内存的读写操作，并监测内存是否发生错误或崩溃等异常情况。

4.温度和功耗测试：通过在压力测试时监测内存的温度和功耗，来评估内存在高负载下的稳定性和耐受性。

dram jedec标准
DRAM（动态随机存取存储器）是一种计算机系统中最常见的内存类型之一。

JEDEC（固态电子协会）定义了不同类型的DRAM标准，如DDR （Double Data Rate）、DDR2、DDR3、DDR4等，它们在数据传输速率和技术方面有所不同。

JEDEC还定义了三种DRAM标准类别，以帮助设计人员满足目标应用的功耗、性能和规格要求：
1. 标准DDR：面向服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类
应用，支持更宽的通道宽度、更高的密度和不同的形状尺寸。

自2013年以来，DDR4一直是这一类别中最常用的标准，预计DDR5设备会在不久的
将来上市。

2. 移动DDR：面向移动和汽车这些对规格和功耗非常敏感的领域，提供更
窄的通道宽度和多种低功耗运行状态。

今天最主流的标准是LPDDR4，预计在不久的将来会推出LPDDR5设备。

3. 图形DDR：面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序，例如图形相关
应用程序、数据中心加速和AI。

图形DDR（GDDR）和高带宽存储器（HBM）是这一类型的标准。

以上内容仅供参考，如需了解更多信息，建议咨询专业技术人员或查阅JEDEC官网。