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第1篇一、实验目的1. 理解指令寄存器（Instruction Register, IR）在CPU中的作用和工作原理。
2. 掌握指令寄存器在指令执行过程中的数据流动和状态变化。
3. 通过实验加深对CPU工作流程的理解，提高对计算机硬件的认识。
二、实验原理指令寄存器是CPU中用于存放当前正在执行的指令的寄存器。
在指令执行过程中，CPU从内存中取出指令并存放到指令寄存器中，然后对指令进行解码和执行。
指令寄存器的主要功能如下：1. 存储指令：CPU从内存中读取指令并存放到指令寄存器中。
2. 指令解码：控制器分析指令寄存器中的指令，提取操作码和操作数地址。
3. 控制信号生成：根据操作码确定指令类型和操作，生成相应的控制信号。
4. 状态更新：执行指令后，更新状态寄存器中的标志位，反映运算结果的状态。
三、实验仪器与设备1. 单片机实验平台2. 示波器3. 编程软件4. 逻辑分析仪5. 信号发生器四、实验步骤1. 搭建实验环境：根据实验要求搭建单片机实验平台，连接示波器、逻辑分析仪等设备。
2. 编写程序：使用编程软件编写实验程序，实现指令寄存器的相关功能。
3. 程序下载：将编写好的程序下载到单片机中。
4. 调试程序：使用示波器、逻辑分析仪等设备对程序进行调试，观察指令寄存器在指令执行过程中的状态变化。
5. 分析实验结果：根据实验数据，分析指令寄存器在指令执行过程中的工作原理和功能。
五、实验结果与分析1. 指令存储：在实验过程中，通过编程将指令存储到指令寄存器中。
实验结果显示，指令被正确地存放到指令寄存器中。
2. 指令解码：在实验过程中，通过逻辑分析仪观察指令寄存器中的指令，发现控制器能够正确地提取操作码和操作数地址。
3. 控制信号生成：在实验过程中，通过示波器观察控制信号，发现控制器能够根据操作码生成相应的控制信号。
4. 状态更新：在实验过程中，通过逻辑分析仪观察状态寄存器中的标志位，发现执行指令后，标志位能够正确地反映运算结果的状态。
教程#2——靶的混合和溅射前一个教程介绍了如何设置TRIM 、如何确定一个n 型井的注入离子和能量以及如何估算在注入过程中的损伤。
这个教程将介绍其它离子与固体的相互作用。
界面混合和溅射界面混合是原子从一层靶被输运到另一层靶的过程。
通常这是不希望产生的效应。
我们已经看到了离子如何将大量的能量转移给反冲原子并使其移动很长的距离，产生显著的级联碰撞（参阅四教程）。
当一个反冲原子穿过一个靶层进入另一个时，该靶层就被污染了。
然而有一些特例是特意应用反冲混合进行材料改性，这个过程被叫做“反冲注入”。
这个技术用于一些操作起来很难或者具有危险性的材料的注入。
一个例子是包含放射性物质材料的合成。
例如将很薄的一层钙沉积在硅靶上，然后将其放置在一个核反应堆中使钙转化成射性同位素。
之后硅靶被放置在离子注入机中并将大剂量的氙（Xe ）注入到钙层中去。
氙离子就会将一些放射性物质撞击到硅靶中去并使其停留于其中。
在移除所有剩余在表面的钙原子后，含有放射性钙的硅靶就可以被安全地处理了。
若需要提供一个能释放出放射性离子（此处来自于钙原子）而危险性又远低于纯的放射性钙靶的样品，这样的一个靶是很合适的。
溅射是和反冲注入相反的一个过程。
表面原子通过产生的级联反冲往回冲出靶，并具有足够的能量能够离开靶并脱离靶表面。
表面会施加给原子一种结合力，即所谓表面结合能E surf 。
由于靶表面的原子并不是在一个面上被束缚住的，因而要使它从其晶格中移位所需的能量比它在固体内部被其他原子围绕时要小。
一个表面原子所受到的电子约束更小。
对固体而言，E surf 通常小于移位能E disp 。
● 点击桌面上的图标打开SRIM 软件。
● 在操作界面上点击键打开TRIM 设置窗口。
● 点击键。
窗口将生成12个例子的输入，它们展示了在不同的应用中TRIM 可以如何被使用。
点击按键：查看TRIM 计算的各种输入参数。
然后点击窗口将会关闭，而TRIM 将会马上开始进行计算。
修改2CM第5个程序my5.asm的过程图示荣新华 BD6CR2001年12月23日前提我已经安装了MPLAB软件PP程序安装在d:\pp并把2CM的源程序从邮件附件保存到d:\pp中编程器已经连接到并行口1编程器电源插上1开始-程序-Microchip MPLAB-MPLAB打开MPLAB2选择打开新建项目菜单3在d:\pp目录下创建新项目my5.pjt点OK4如下图点Change您的显示内容可能有所不同5我们如下图设置点OK6如第4步图点Add node见到下图点my5.asm后点确定7如第4步图点OK8点主菜单的File-Open如下图选择源文件my5.asm点确定9在这个源文件窗口中修改这个窗口能显示中文只是不能输入中文10修改完的源文件你能在/bd6cr/hampic/soft/my5.asm下载假定我已经修改完毕了如下图点Project - Build All11在这里MPLAB调用MPASMWIN.EXE编译程序对这个项目的所有源程序进行编译一个项目可能不只一个源程序并输出编译结果如下这里说明了编译器的参数和结果可能会不通过出错误根据这个窗口指出的错误修改源程序并再次操作第10步12到这里供pp编程器软件烧写的my5.hex文件已经可在d:\pp目录下找到我们关闭MPLAB会弹出如下对话框点Yes就可以了见到同样的问题都回答Yes13好了我们开一个DOS窗口切换目录到d:\pp运行mypp my5.hex在Insert PIC…的时候在编程器的插座上插上PIC16F84芯片或把编程电缆连接到实验板实验板上不要接电源PORTB端口的6和7脚应没有插线按回车编程灯亮一下显示如下窗口就一切OK了MPLAB的功能远不止编辑并编译一个程序可以通过MPLAB进行软件仿真大多数的错误都可以在软件仿真中找到避免了硬件调试的麻烦。
IMS-SYSM系统平台操作手册广东盘古信息科技股份有限公司更新记录序号修改内容编写人编写日期审核人1 新增石灵2020-04-202 增加流程图与数据角色石灵2020-11-103 增加优化功能石灵2021-10-15目录1. 简介 (5)1.1 目的 (5)1.2 背景 (5)2. 软件概述 (6)2.1目标 (6)2.2系统功能 (6)3. 系统要求 (6)3.1 硬件设备要求 (6)3.2 支持软件客户程序软件 (7)4. 运行环境 (7)4.1界面要求 (7)4.2登录页面 (7)4.3系统首页 (8)4.4主页面 (10)4.5 单选框、多选框 (13)4.6 卡片式 (13)4.7 必填项、选填项 (14)4.8 关联字段 (14)4.9 显示列自定义 (15)4.10 产品图标 (16)5. 系统操作流程图 (19)6. 系统权限分配 (20)6.1系统资源分配管理 (20)6.2 设置外部资源 (22)6.3 系统配置 (25)6.4 创建角色并分权限 (27)6.5 创建数据角色并分权限 (28)7. 维护机构信息 (31)7.1 机构管理 (31)7.1.1新增机构 (31)8. 用户信息维护 (36)8.1 用户管理 (37)8.1.1. 创建用户账号并分配权限 (37)8.1.2. 新增用户 (37)8.1.3. 给用户分配权限 (39)8.1.4. 导入用户 (41)8.1.5. 重置密码 (43)9. 通用配置 (44)9.1 资源管理 (44)9.2 参数管理 (49)9.2.1新增参数 (49)9.3 国际化管理 (50)9.3.1 新增国际化 (51)9.3.2 编辑国际化 (52)9.3.3 删除国际化 (53)9.4 页面配置管理 (54)9.4.1 新增页面配置 (55)9.4.2 删除页面配置 (57)9.5 下拉选择页面配置管理 (58)9.5.1 新增下拉选择页面配置 (59)9.5.2 新增下拉选择页面配置 (62)1. 简介1.1 目的本文档是系统管理后台操作指导书，通过该文档用户可以了解该系统后台新增用户、新增角色、权限分配、创建权限等功能。
目录目录................................................ 错误!未定义书签。
第一部分基础实验...................................... 错误!未定义书签。
第1章伪随机序列产生实验.............................. 错误!未定义书签。
实验一 m序列产生及特性分析实验ﻩ错误!未定义书签。
实验二ＧOＬD序列产生及特性分析实验ﻩ错误!未定义书签。
实验三ＷALSＨ序列产生及特性分析实验................... 错误!未定义书签。
第2章信源编码和信道编码实验ﻩ错误!未定义书签。
实验一语音模数转换和压缩编码实验ﻩ错误!未定义书签。
实验二线性分组码实验ﻩ错误!未定义书签。
实验三 GＳM卷积码实验ﻩ错误!未定义书签。
实验四GSＭ交织技术实验ﻩ错误!未定义书签。
第３章扩频通信基础实验............................... 错误!未定义书签。
实验一直接序列扩频(DS）编解码实验.................... 错误!未定义书签。
实验二跳频（ＦH)通信实验.............................. 错误!未定义书签。
实验三ＤS/CDＭＡ码分多址实验.......................... 错误!未定义书签。
第4章数字调制和解调实验ﻩ错误!未定义书签。
实验一 BPSＫ调制解调实验............................... 错误!未定义书签。
实验二ＱPSK调制解调实验ﻩ错误!未定义书签。
实验三OQPSＫ调制解调实验............................. 错误!未定义书签。
实验四 MＳK调制解调实验 ............................... 错误!未定义书签。
实验五 GMSK调制解调实验 ............................... 错误!未定义书签。
XULM(简体版)操作说明书(HK)第一章符号，说明，商标符号和标志本操作手册使用了下面的符号和标志：表示安全标志和对仪器或附件，也可能是操作员本人有潜在危险的警告标志。
表示特别重要的提示和注释。
·显示列表。
/ 1 / 参考“第九章中断联线(打开仪器): 1. 选择菜单条“一般-中断联线”。
2. X-RAY仪器与WinFTM软件联线中断。
不能再用WinFTM 软件进行测量。
选择合适的产品程式为了进行测量,仪器需要产品程式中的一些基本信息。
因此,在进行测量前必须选择适合样品的产品程式。
按下面的方法选择产品程式: ●按动计算机键盘上的功能键。
(每种产品程式必须已经指定了功能键)●点击图标“F5”“F12”。
●选择菜单“产品程式-选择”。
●点击图标。
●选择产品程式:1. 点击图标或选择菜单“产品程式-选择”,打开“选择产品程式”窗口, 其中显示有一系列已经设定好的产品程式。
2. 选择需要的产品程式。
3. 点击“确定”调用所选的产品程式。
输入操作员和订货号三个记录框用来输入与测量资料有关的特定使用者的信息。
每个读数都可以附加与测量有关的特定信息。
例如,进行测量的操作员名字或缩写输入“使用者”记录框。
进行测量的订货号或样品的部件号输入“订货号”记录框。
输入操作员和订货号:1.选择菜单“结果计算-标签编号/使用者”打开“标签号/操作员”窗口。
图: ”标签号/操作员”窗口112.输入特定使用者的信息。
3.选择[确认]证实输入的信息。
选择[取消]保留以前的信息。
4.关闭“标签号/操作员”窗口后, WinFTM软件的测量窗口重新出现。
调校检验测量在进行调校检验测量时,正确放置标样(参见“标样”,第21页),在同样的条件．．．．．．下至少重复测量五次,计算出这些测量资料的平均值X1和标准偏差。
如果平均值X1与Xvp(标样的公称值)之差大于标准偏差s的四倍,即｜X1-Xvp｜>4s这时应进行归一化操作。
教程#4——靶损伤的计算SRIM 的教程一已经说明了如何在硅片上建立一个掺杂剂量峰深度为250纳米分布约为每平方厘米5×1018个原子的互补金属氧化物(CMOS )n 型井。
现在的问题是选择正确的掺杂物，并确定合适的注入能量和剂量（离子每平方厘米）来获得这个n 型井。
这个教程得出的结论是选择能量为190keV 的磷离子，注入剂量约为每平方厘米1014个离子。
本教程将会详细阐述离子对靶的损伤这一复杂的课题，并会继续使用教程一中的靶来进行这一论述。
通常，在室温300K 下的注入产生的绝大部分损伤将由于“自退火”而复合。
在室温下,晶格原子具有足够的能量使得简单的靶损伤重新形成晶体而使靶损伤消失。
一般情况下,相比半导体硅的自退火，金属的要快，而绝缘体的要慢，因而一个硅靶是一个不错的例子。
然而SRIM 没有考虑热效应，因而我们计算的注入损伤发生在温度为0K 的情况下。
忽略热效应会改变最终损伤的大小，但我们要讨论的基本损伤种类仍会产生。
首先，按照在第一课中使用的方式在SRIM 中设置相同的计算： ● 点击桌面上的SRIM 图标。
● 在打开的窗口中点击 ● 选择ION DATA （离子数据）并点击 按键。
选择磷元素。
● 在相同的ION DATA （离子数据）线上，在选项框“Energy （keV ）”中输入190。
● 向下移到TARGET DATA （靶数据）。
找到靶的 按键。
选择硅元素（Silicon ）。
● 移到这条线的左边，并在“Width ”（深度）中键入3500Ang （埃）。
● 移到这条线的左边，并在“Layer name ”（层名）中键入“Silicon ” （硅）来代替“Layer 1”● 移到右上角的“DAMAGE ”（损伤）选项。
向下滚动后选择“Detailed Calculation with Full Damage Cascades ”（利用完整的级联损伤详细计算）选项卡。
SRIM多功能微差压变送器使用说明书津制01164002号咨询服务热线: 400 666 1802SRIM型微差压变送器可用于测量非导电气体的差压或表压(静压)，并将压力信号转换为成比例的标准直流电流（4～20mA，两线制电流输出）或直流电压信号（0～5VDC，或0～10VDC，三线制电压输出）。
SRIM型微差压变送器每只产品在出厂前均经过严格的测试和标定。
本产品内部安装有精密测量元件，在您准备安装和使用此产品前，请务必仔细阅读本说明，以便更好的使用本产品，避免安装和使用中可能出现的不当操作而导致产品出现不可预知的测量误差或者损坏。
安装和调试过程注意事项：●安装过程应避免产品经受剧烈振动或者撞击，类似的情况将可能导致产品的测量结果发生偏差甚至永久损坏。
●安装位置应尽量远离频繁启动的大功率设备和高频设备（例如变频器或类似高频大功率设备），以避免较强的电源噪声或共模噪声的干扰。
●产品的供电和信号电缆应和动力电缆分开布线；产品调试时，应避免与现场施工使用的大功率用电设备（例如焊接设备）共用交流供电，并应特别注意用电设备的正确接地。
正常使用和维护注意事项：●使用中应保证电源稳定可靠，负载应符合产品的相应规格。
●参考压力端口的布置方式及其附近的气压变化将直接影响测量结果。
●安装完成后在使用前应先检查产品的零点输出，并通过系统消除此误差或者调整零点以减小零点误差（参考零点调整部分）。
●超出测量范围的压力将导致产品输出异常，应避免使用未知压力的气源测试产品。
●压力超出允许范围将直接造成产品永久损坏！维护过程中禁止用高压气流清洁压力接口或接口附近区域（例如用压缩空气吹扫尘土等）。
关于标定：SRIM型微差压变送器系列产品在出厂前已进行过标定，在使用时无需再进行现场调整。
零点和满量程可以通过菜单内的自动调零和满程设置命令进行校准，除非您有相应的设备，否则不要轻易对满量程进行调整。
SRIM型产品出厂标定是在垂直位置进行的（上盖与水平垂直），在其它方位使用时零点输出会产生微小的漂移，可以参考后续说明调整产品的零点。
第二章实训项目PLC基本技能实操实训一 PLC认知实训一、实训目的1.了解PLC软硬件结构及系统组成2.掌握PLC外围直流控制及负载线路的接法及上位计算机与PLC通信参数的设置二、实训设备序号名称型号与规格数量备注1可编程控制器实训装置THPFSM-1/2 12实训导线3号若干3PC/PPI通讯电缆 1 西门子4计算机 1 自备三、PLC外形图四、控制要求1.认知西门子S7-200系列PLC的硬件结构, 详细记录其各硬件部件的结构及作用；2.打开编程软件, 编译基本的与、或、非程序段, 并下载至PLC中；3.能正确完成PLC端子与开关、指示灯接线端子之间的连接操作；五、拨动K0、K1, 指示灯能正确显示；六、功能指令使用及程序流程图1.常用位逻辑指令使用标准触点常开触点指令（LD.A和O）与常闭触点（LDN、AN、ON）从存储器或过程映像寄存器中得到参考值。
当该位为1时, 常开触点闭合；当该位为0时, 常闭触点为1；输出输出指令（=）将新值写入输出点的过程映像寄存器。
当输出指令执行时, S7-200将输出过程映像寄存器中的位接通或断开。
与逻辑: 如上所示: I0.0、I0.1状态均为1时, Q0.0有输出；当I0.0、I0.1两者有任何一个状态为0, Q0.0输出立即为0。
或逻辑: 如上所示: I0.0、I0.1状态有任意一个为1时, Q0.1即有输出；当I0.0、I0.1状态均为0, Q0.1输出为0。
2.与逻辑: 如上所示: I0.0、I0.1状态均为0时, Q0.2有输出；当I0.0、I0.1两者有任何一个状态为1, Q0.2输出立即为0。
3.程序流程图七、端口分配及接线图1.I/O端口分配功能表序号PLC地址（PLC端子）电气符号（面板端子）功能说明1.I0.0 K0 常开触点012.I0.1 K1 常开触点023.Q0.0 L0 “与”逻辑输出指示4.Q0.1 L1 “或”逻辑输出指示5.Q0.2 L2 “非”逻辑输出指示6.主机1M、面板V+接电源+24V 电源正端7.主机1L、2L、3L、面板COM接电源GND电源地端2.控制接线图八、操作步骤1.按下图连接上位计算机与PLC；按“控制接线图”连接PLC外围电路；打开软件, 点击 , 在弹出的对话框中选择“PC/PPI通信方式”, 点击, 设置PC/PPI属性；2.点击 , 在弹出的对话框中, 双击 , 搜寻PLC, 寻找到PLC后, 选择该PLC；至此, PLC与上位计算机通信参数设置完成；3.编译实训程序, 确认无误后, 点击 , 将程序下载至PLC中, 下载完毕后, 将PLC模式选择开关拨至RUN状态。
实验五 SRIM计算重离子在材料中的剂量分布一、实习目的和要求（一）实习目的：1、熟悉SRIM程序的基本使用方法，以及在辐射剂量和防护计算中的应用。
2、通过此程序仿真模拟重带电粒子入核的过程，获得离子在材料中的剂量分布。
3、通过进一步自学，利用SRIM程序解决实际工作中的碰到的一些实际问题。
（二）实习要求：1、掌握SRIM软件的基本组成、操作方法；2、利用SRIM对离子在不同物质中的射程进行计算分析；3、对质子在不同固体靶中的径迹及剂量分布进行简单的计算，并对计算结果进行分析并绘图，得出结论。
二、SRIM程序简介1、SRIM软件介绍SRIM是模拟计算离子在靶材中能量损失和分布的程序组。
它采用Monte Carlo方法，利用计算机模拟跟踪一大批入射粒子的运动。
粒子的位置、能量损失以及次级粒子的各种参数都在整个跟踪过程中存储下来，最后得到各种所需物理量的期望值和相应的统计误差。
该软件可以选择特定的入射离子及靶材种类，并可设置合适的加速电压。
可以算不同粒子，以不同的能量，从不同的位置，以不同的角度入射到靶中的情况。
SRIM中包含一个TRIM运算软件。
TRIM（Transport of Ions in Matter）是一个非常复杂的程序。
它不仅可以描述离子在物质中的射程，还可以详细计算注入离子在慢化过程中对靶产生损伤等其他信息。
它可以使用动画让你看到离子注入到靶中的全过程，并给你展示级联反冲粒子和靶原子混合在一起的情形。
为了精确估计每个离子和靶原子间相遇时的物理情形，程序只能一次对一个粒子进行计算。
这样的话，计算可能消耗可观的时间——计算每个离子花费的时间从一秒到几分钟不等。
而精确度由模拟采用的离子数来决定。
典型的情况是，应用1000个离子进行计算将得到好于10%的精确度。
软件特点：一、灵活的几何处理能力蒙特卡罗方法较其它数值方法的最大优点之一，是处理复杂的几何问题方便、灵活，并且不因几何维数的增多而增加更多的计算时间，因此，在SRIM软件中尽可能提高和完善几何处理能力，以适应各种复杂几何条件下的计算。
二、通用化，使用方便SRIM软件的另一个优点是，对截面（参数）按能量分点的多少对计算时间没有多大影响，而其他数值方法却是对此非常敏感。
因此，SRIM软件对截面的处理相当精细。
三、元素和介质材质齐全SRIM的另一个特点是，程序中所用的元素和介质材料十分齐全，对于一般的科学研究和工程设计的需要都能满足。
四、能量范围广，功能强，输出量灵活全面一般中子能量可从10-6甚至10-9MeV到20MeV。
光子能量可在keV到GeV 数值及范围。
电子能量也可在keV到GeV数量级范围。
程序中包含各种类型的记录，输出量齐全，如点通量、面通量、体通量、能量通量。
径迹长度记数、各种微分量记数，各种反应率、能量沉积、剂量等，都可以选择输出。
五、简单可靠又能普遍适用的抽样技巧在蒙特卡罗方法中，为了提高效率，降低方差总是要针对不同类型的问题，采用各种不同的技巧，这些技巧随问题不同可以有很大差别，有的技巧本身不可能也没有必要把所有的技巧都编入其中，只是包含有若干种成熟的、适应性较强的和经过检验是有效的技巧。
六、具有较强的绘图功能对于任意几何的蒙特卡罗方法应用软件，具有较强的绘图功能是十分必要的，因为给出较复杂的几何模型结构，常常需要判断给出的模型结构是否与原来的考虑相一致。
另一方面，计算结果以绘图形式给出，给人以清新、一目了然的感觉，在实际问题中是非常必要的。
2、SRIM软件结构分析SRIM程序包括两个主要程序（SR和TRIM）和其他一些特殊用途的程序。
SR（入射粒子在简单靶物质中的能量损失和射程计算界面）可以对较大范围能量的入射粒子在靶物质中能损和射程进行数值计算。
TRIM（入射粒子在物质中的传输）是一种蒙特卡罗计算方法，它可以跟踪进入到靶物质中的每个入射粒子，并能得出每个靶原子的碰撞能量转移过程的详细图表。
在SR（Ion Stopping and Range Tables）界面中，如图1所示，需要输入入射粒子的数据，包括元素种类，原子质量，入射粒子能量范围；还有靶对象的数据，包括元素种类，状态，原子质量，各成分所占比例，以及能量损失。
图1 SRIM输入界面在TRIM（Monte Carlo Ranges）输入表格中，如图2所示，同样要填写入射粒子数据（元素名称，质量，能量，入射角度）和靶物质数据（靶的名称，厚度，元素组成），还需要选择入射粒子数目，损伤类型及需要输出的图片文件等。
图2 trim calculation设置页面程序运行后可以得出得出如图3所示的输出窗口，上面可给出多种类型的输出图形，用户可根据需要选择合适的图形图3 粒子在材料中的径迹模拟三、质子在Fe中的射程及剂量分布计算实例简介1、计算质子在Fe中的射程和对质子的阻止本领l点击桌面的SRIM图标l点击Stopping and Range Tables○首先输入离子，开始点击在“ION”旁边的帮助按钮？。
○ 点击PT 按钮，即可通过元素周期表来选择入射离子的种类，通过Ion Energy Range下面的方框来输入能量的范围。
○ 在窗口中向下来到了Target按钮，点击帮助？按钮。
○指定靶的成分为Fe，利用PT 按钮选定Fe。
○ 点击Calculate Table 。
○将计算结果保存在如下文件：“SRIM Outputs\Hydrogen in Iron”。
l结果如图4所示，其中第2列为电子阻止本领，第3列为核阻止本领，第4列为所求射程。
改变不同的材料，可得到质子在不同材料中的能量与质量射程的关系，如图5所示。
图4 Fe对质子的阻止本领及射程图5质子在不同材料中能量与质量射程的关系由图5可以看出，各种材料的质量射程按大小排列为Fe>Al>Li,说明粒子与物质相互作用主要是通过与物质核外电子相互作用来损失能量，所以物质中单位质量的电子密度越大，其质量阻止本领越强。
图6 质子在不同材料中的线性能量转移（LET）假设靶物质的厚度远大于次级电子在物质中的射程时，带电粒子在物质中的LET，即定限组织本领，可近似用阻止本领来代替（即图4中的dE/dx），图6为质子在不同材料中的LET值,从图中可以看出，对于质子防护来说，Li 的防护效果最好，Fe的防护效果较差。
2、计算质子在Fe中的能损分布l点击桌面的SRIM图标l点击Trim calculation○首先输入离子，开始点击在“ION DATA”旁边的PT 按钮，即可通过元素周期表来选择质子，再依次输入相应的入射能量及入射角度，假设质子能量为3000keV, 垂直入射时角度为0。
○在Target Data区域，点击右方的PT按钮，添加靶元素Fe ，如果需添加多个元素，只需点击Add new element to layer 按钮进行添加即可。
○确定靶物质的厚度，在这一栏的左边“Width”(宽度)处键入相应的厚度值，这个值可以参考上面所生成的射程，例如假设模拟3MeV的质子入射情况，其在Fe中的射程约为35µm,如果要使全部离子损失在靶物质中，width厚度值应大于35µm,反之亦然，这里我们取1mm。
○确定模拟离子的数目，在Total number of ions右边方框输入1000。
○输出文件的选择，在界面右下方有Output Disk Files选项，在Ion Ranges 和Transmittted Ions前面的方框打钩。
○点击Save Input ﹠Run Trim按钮，进行计算分析。
○将计算结果保存成如下文件：“SRIM Outputs\****.Txt”。
l结果如下图所示。
图7 3MeV的质子入射到100um的Fe中的径迹从图7我们可以看到，对于3MeV的质子来说，由于靶厚100nm比其射程大很多，因此所有质子都损失在靶材料中，随着深度的增加，入射离子的径迹不再是一条直线，而是沿中心线有一定的展宽，而且能量也并不完全相同，这就是所谓的带电离子的角度及能量歧离现象。
图8为入射离子的射程曲线，由于每两次碰撞间粒子穿过的距离以及每次碰撞使带电粒子失去的能量不完全相同，因而相同能量的粒子的射程不是一个定值。
由于每个粒子都必须经过多次的碰撞，因此，各个粒子的射程间的相互差别并不很大。
从图中可以看到，大部分入射质子的射程为35um左右，同样存在射程歧离，歧离值仅为1.27um。
图8 3MeV的质子入射到100um的Fe中的射程分布图9 3MeV的质子入射到100um的Fe中的电离损失情况 此外，应用SRIM我们还可以计算不同能量的质子在靶材料中的能量损失，如图9所示，红色区域为质子在Fe中的电离能量损失曲线，可以看出，质子在物质中形成布拉格峰，即重离子束进入物质后不会马上大量释放能量，只有在重离子停下来的位置才会释放其大部分能量，形成一个尖锐的能量峰-布拉格峰。
正是因为这个特性，质子治疗在核医学中起到非常好的效果。
四、实验步骤1、按照实验讲义，熟悉SRIM程序的使用方法，按照上面的实例，进行简单的射程及剂量计算。
2、在上述例子的基础上，改变粒子类型（如α粒子等），进行相应的射程分析计算。
3、在图6的基础上，分别改变不同的靶材料，计算LET随能量的分布曲线。
4、熟悉重离子所形成的布拉格峰的作用及特点。
五、思考题实例中采用的都是单元素靶，如果为化合物靶，如H2O,SiO2等，该如何操作？。
