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有机电化学晶体管跨导
有机电化学晶体管，简称OECT，是一种基于有机半导体材料的电子器件。
它具有高灵敏度、高选择性、低功耗等优点，在生物传感、柔性电子、能量转换等领域具有广泛的应用前景。
OECT的基本结构是一个有机半导体层和一个电解质层组成的结构。
有机半导体层是一个高分子材料，它具有导电性能，可以通过控制电子的注入来调节电阻率。
电解质层则是一个离子导体，它充当了载流子的媒介，可以实现电流的输送。
OECT的工作原理是电化学反应。
当施加一个电压时，电子会从电极注入到有机半导体层中，形成电子空穴对。
这些电子空穴对会在有机半导体层中移动，并与电解质层中的离子发生反应，导致电流的流动。
通过控制电压的大小和方向，可以调节电阻率和电流的大小。
OECT的跨导是一个重要的性能参数，它反映了电流对电压的响应程度。
跨导越大，代表着电流对电压的响应越灵敏，因此可以用来评价OECT的灵敏度和选择性。
为了提高OECT的性能，研究人员开展了一系列的研究工作。
其中一个重要的研究方向是寻找新的有机半导体材料。
这些材料需要具有高导电性、高电子迁移率、高稳定性等特点，以实现高效的电荷输运和稳定的器件性能。
另一个重要的研究方向是优化OECT的器件结构和制备工艺。
通过控
制电极形态、电解质浓度、有机半导体的晶化度等因素，可以调节OECT的性能，提高其灵敏度和选择性。
有机电化学晶体管作为一种新兴的电子器件，具有广泛的应用前景。
未来的研究工作将继续探索新的材料和工艺，进一步提高OECT的性能，推动其在生物传感、柔性电子、能量转换等领域的应用。
导电高分子材料的制备与性质尽管目前的半导体材料有着较强的导电性，但是他们的性能远远达不到我们想要的标准。
如今，要想获得可理解的电子学器件，我们需要比半导体更好的导电材料。
这就导致了导电高分子材料的出现。
导电高分子材料是一种很有前途的材料，与其他电子数据存储前沿技术相比，有着较低的制造成本、改善的数据保存特性和更广泛的应用范围。
但是，要想制备合适的导电高分子材料，还需要深入了解它的性质和制备方法。
一、导电高分子材料的种类导电高分子材料可以分为两大类：一类是纯高分子材料，例如聚噻吩（polythiophene）和聚苯胺（polyaniline）等；另一种是复合高分子材料，例如碳纤维（carbon fibers）增强的复合材料。
纯高分子材料通常只具有比较弱的导电性，但是有着很好的加工性能和扩散性能。
由碳纤维增强的复合材料则具有较强的导电性，同时还有着很强的机械和热学性能。
二、导电高分子材料的制备方法导电高分子材料的制备方法包括导电高分子的化学合成法和表面改性法。
化学合成法是基于原位合成原理制备的，通过多种化学反应将功能化合物和基准高分子中的官能团结合起来形成导电高分子材料。
这种方法适用于有机电子器件，如晶体管、OLED等。
表面改性法是利用载体、分散剂和处理剂等改善高分子材料的导电性能。
三、导电高分子材料的性质导电高分子材料有着比一般高分子材料更高的导电性，而且导电性能可以在特定的外界条件下调节和控制。
此外，导电高分子材料还具有以下几种性质：1.热稳定性：导电高分子材料具有比其他材料更高的热稳定性，可以在较高温度下稳定运行。
2.机械性能：导电高分子材料的机械性能很好，可以制成各种形状和尺寸。
3.化学稳定性：导电高分子材料在弱酸和弱碱环境中具有较好的稳定性。
4.光学特性：导电高分子材料在可见光范围内吸收，可用于制作光电转换器。
作为一种新型的电子材料，导电高分子材料可以被广泛应用于各种领域，例如电池、传感器、发光器件、显示器件等。
有机半导体材料的性质和应用有机半导体材料是一种新型的材料，在近年来的研究中引起了广泛的关注。
这种材料具有很多与传统的无机半导体材料不同的性质和应用，因此也被广泛应用于新型的电子器件中。
在这篇文章里，我们将会深入的探讨有机半导体材料的性质和应用，为大家带来更多的了解。
有机半导体材料的性质有机半导体材料具有很多独特的性质，这些性质与传统的无机半导体不同。
首先，有机半导体材料具有极高的分子可溶性，因此可以通过溶液的形式进行加工。
这使得有机半导体材料具有很好的可塑性和可加工性，可以用于制造各种形状的电子元件。
其次，有机半导体材料的导电性质是一种电荷传输过程，称为空穴传输和电子传输。
这种传输方式与无机半导体中的基带传输和掺杂导电区传输不同。
同时，有机半导体材料在输运中的缺陷密度很高，这导致了其在室温下的电导率相当低。
第三，有机半导体材料的能带结构与无机半导体不同，因为它们是由有机分子组成的三维晶体结构。
这种结构使得有机半导体材料的带隙相对较小，因此可以通过调整有机分子的结构来调节其光学和电学性质。
最后，有机半导体材料具有很强的非线性光学效应和光化学作用。
这使得它们可以用于制造光电器件和光电子器件。
有机半导体材料的应用有机半导体材料由于其独特的性质，已经被广泛应用于新型的电子器件中。
其中最为广泛的应用是有机场效应晶体管（OFET），这种器件的制造方式与传统的晶体管不同。
OFET制造方式是利用有机半导体材料作为电荷传输层，进行电荷传输过程来控制器件效应。
另外，有机光电二极管（OLED）也是一种广泛应用的器件。
它利用有机半导体材料的光电转换效应，制造出来的器件能够发出非常明亮的光。
除了OFET和OLED，有机太阳能电池和超级电容器也是有机半导体材料的典型应用案例。
有机太阳能电池是一种利用光照射产生阳极和阴极光电子转移来产生电能的器件。
而超级电容器则是一种通过电化学反应，在电流上具有高容量密度的器件。
结论以上是有机半导体材料的性质和应用的探讨。
半导体的工作原理半导体是一种材料，其工作原理基于其特殊的电子能级结构和导电性质。
半导体的原子结构类似于晶体结构，但其电子能级分布具有较小的能隙。
在纯净的半导体中，其电子能级被填满，带电的电子与正电荷的原子核相互吸引而保持稳定。
当外部某种条件影响下，例如施加电场或加热，半导体中的电子将被激发，跃迁到较高的能级或离开原子。
半导体中的电子行为可通过以下两种方式解释：1. 带电的电子：当半导体中的某些原子减少了电子，就会出现阳离子空穴（空位）。
这些空穴可以看作带正电的“粒子”，并具有与电子相反的电荷。
空穴在半导体中以一种类似于正电子的方式运动，可以传导电流。
2. 杂质的掺入：半导体中添加一些杂质原子，可以改变其导电性质。
通过掺入杂质，半导体的电子能级结构发生变化，形成额外的能级，称为“杂质能级”。
这些额外的能级可用于电子的传导，从而增加了半导体的导电能力。
根据杂质的种类和掺入量的不同，半导体可以分为N型半导体和P型半导体。
在一个典型的半导体器件中，如二极管或晶体管，N型半导体与P型半导体相接触形成PN结。
PN结的形成会导致电子在P区向N区的扩散，而空穴则从N区向P区扩散。
当电子和空穴相遇后，它们将发生再结合，这导致了PN结的两侧形成空间电荷区域。
这个空间电荷区域在无外部电压作用下阻止了电流的流动。
通过施加外部电压，可以改变PN结的导电行为。
当外部电压为正极性时，即P区连接正电压，N区连接负电压，电子和空穴被推向PN结，形成电流。
这种情况下，PN结被认为是“正向偏置”的。
相反，当外部电压为负极性时，即P区连接负电压，N区连接正电压，电子和空穴被推开，电流无法通过PN 结。
这种情况下，PN结被认为是“反向偏置”的。
半导体器件的工作原理基于电子和空穴在半导体中的运动和再结合行为。
通过控制材料的特性、杂质的掺入和外部电压的施加，可以实现不同类型的半导体器件，如二极管、晶体管等，以实现各种电子功能。
半导体的工作原理半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它在现代电子技术中扮演着重要的角色。
了解半导体的工作原理对于理解现代电子设备的工作原理至关重要。
本文将介绍半导体的工作原理，帮助读者更好地理解这一概念。
首先，让我们来了解一下半导体的基本特性。
半导体材料通常是由硅(Si)或者锗(Ge)等元素构成的，它们的原子结构使得在晶格中存在着一定数量的自由电子和空穴。
这些自由电子和空穴的存在使得半导体既具备了导电性，又具备了一定的绝缘性。
半导体的工作原理主要涉及到两个重要的概念，P型半导体和N型半导体。
P型半导体中，掺杂了少量的三价元素，如硼(B)等，这些元素会在晶格中形成空穴，使得P型半导体中存在大量的空穴。
而N型半导体中，则掺杂了少量的五价元素，如磷(P)等，这些元素会提供额外的自由电子，从而使得N型半导体中存在大量的自由电子。
当P型半导体和N型半导体通过特定的工艺方法结合在一起形成PN结，便形成了半导体二极管。
在PN结的结合区域，由于P型半导体和N型半导体的电子浓度差异，形成了电场。
当外加电压施加在PN结上时，电场将会影响自由电子和空穴的运动方向，从而控制电流的流动。
这就是半导体二极管的工作原理。
除了半导体二极管，半导体材料还可以用来制造晶体管、场效应管等各种电子器件。
这些器件的工作原理都是基于半导体材料中自由电子和空穴的运动特性。
通过对半导体材料进行特定的掺杂和加工工艺，可以实现对电流和电压的精确控制，从而实现各种电子设备的功能。
总之，半导体的工作原理是现代电子技术的基础，它的特性决定了现代电子设备的性能和功能。
通过对半导体材料的深入研究和理解，我们可以不断推动电子技术的发展，创造出更加先进和高效的电子设备，为人类的生活和工作带来更多的便利和可能性。
希望本文能够帮助读者更好地理解半导体的工作原理，从而对现代电子技术有更深入的认识和理解。
半导体的原理
半导体是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电性质。
它的导电能力比绝缘体强很多，但仍然比金属微弱。
半导体的导电特性主要受到材料中自由电子和空穴的激发和移动的影响。
半导体材料中的能级结构对其导电性起到关键作用。
与绝缘体相比，半导体材料中的价带和导带能级之间的能隙较小。
价带是电子在原子中的最高占据能级，而导带是比价带能量高的能级，其中电子能够自由移动。
在纯净的半导体中，价带中的电子数等于导带中的空穴数，使得整体材料电中性。
半导体的导电性主要是通过掺杂来实现的。
掺杂是向半导体中引入少量的杂质，以改变其导电性质。
当引入掺杂物的原子具有比半导体中的原子更多的价电子时，称为N型掺杂，额外
的自由电子增加了半导体的导电性。
相反，如果引入掺杂物的原子具有比半导体中的原子更少的价电子，称为P型掺杂，
电子缺乏使得半导体中形成了空穴。
在P-N结构中，通过将N型和P型半导体材料相接，形成一
个界面。
由于价电子和空穴之间的重新组合，这个界面形成了一个电势垒。
在正向偏置下，电势垒变薄，电子和空穴能够通过结合并导电。
而在反向偏置下，电势垒增大，阻止了电子和空穴的流动。
半导体材料在电子学、光电子学等领域有广泛应用。
根据半导体材料的特性和掺杂方式的不同，可以制备出各种半导体器件，
如二极管、晶体管、太阳能电池等。
这些器件的工作原理都基于半导体材料中的电子和空穴的行为以及界面效应的利用。
探讨有机导电高分子材料的导电机制摘要：导电高分子的研究起源于二十世纪七十年代，其应用前景十分广阔，因此受到了十分广泛的关注与重视，甚至逐渐成为了国际上十分活跃的一种研究领域，对其的研究也开始由实验室的研究朝着实践应用方面的发展，并广泛及普遍的将其推广到能源、信息与传感器等方面。
本文首先分析了导电高分子材料的种类与发展趋势，继而重点分析了有机导电高分子材料的实际导电机制，并且在研究的过程中逐步提出其未来的发展方向。
关键词：导点高分子；导点机制；导点材料引言高分子材料的机械性相对明显，并且其同样可以用作结构类材料。
现如今的高分子材料已经逐渐的覆盖了绝缘体、金属与半导体等领域。
所谓有机化合物，主要包含有P电子与R电子两类。
R电子作为成键电子，有着较高的键能，但是其离域性小，同时还被称为定域电子。
P电子的出现，是两个成键原子中P电子重叠所得。
一旦P电子出现了被孤立的情况，十分可能会导致出现有线离域性，电子可以围绕着原子核的四周转。
伴随着P共轭体系数量的逐步增加，离域性同样逐步提升。
一、导电高分子材料的种类（一）复合型导复合导电高分子材料发挥作用的主要是充负荷材料，其获得的方式主要包含表面混合或者是层压普通聚合物材料与各种导电材料。
负荷型导电高分子材料有着比较的种类，具体来说主要包含有涂料、塑料与橡胶等。
其具体的性质与导电填料的实际种类、使用料，实际的颗粒度和状态与其在聚合物材料中的世界处于一种紧密连接的状态。
往往会选择与其在聚合物材料中的世界分散状况连接起来。
普遍情况下可以选择使用粉末金属、炭有金属纤维等，将其用作高分子的导电类的填料用处。
（二）结构型这一材料指的是具备电功能的聚合物类材料，它不仅有着导电功能，同时也掺杂了其他的材料。
这一次材料的导电率并不同，具体可以将其分之为聚合物金属、聚合物超导体、高分子半导体等。
从导电机制的差异角度看来，其可以充分分之为离子导电聚合物与电子聚合类材料。
电子导电聚合物材料其结构特征之时，一般包含平面大共轭体系或者是线性，将光与热的作用充分发挥出来，将π电子激活，继而逐渐将导电的效用利用起来，在半导体的范围中，主要包含有电导率。
半导体导电原理半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，它具有在特定条件下可以导电的特性。
半导体材料的导电原理是通过控制其杂质浓度和外加电场来实现的。
在半导体中，掺杂是一种常见的手段，它可以改变半导体的导电性能。
掺杂分为N型掺杂和P型掺杂，分别用于改变半导体的导电性能。
N型掺杂是指在半导体中加入掺杂剂，使其成为自由电子的主要载流子，从而提高半导体的导电性能；P型掺杂则是通过加入掺杂剂，使其成为空穴的主要载流子，从而改变半导体的导电性能。
通过掺杂，可以实现半导体的导电类型的选择和控制。
在半导体中，还存在着PN结的结构，它是由N型半导体和P型半导体组成的。
PN结具有整流和放大的作用，是半导体器件中的重要组成部分。
当PN结处于正向偏置时，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散，导致PN结两侧形成电势差，从而形成电流。
而当PN结处于反向偏置时，由于少数载流子的移动速度较快，电流非常小，因此可以实现电流的单向传输，实现整流的功能。
此外，半导体中还存在着场效应管和晶体管等重要器件，它们利用半导体的导电特性实现信号的放大和控制。
场效应管通过控制栅极电压来改变导电通道的电阻，从而实现信号的放大和控制；而晶体管则是通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流，实现信号的放大和开关控制。
总之，半导体的导电原理是通过控制杂质浓度和外加电场来实现的，掺杂和PN结是实现半导体导电的重要手段，而场效应管和晶体管等器件则是利用半导体的导电特性实现信号的放大和控制。
半导体在现代电子技术中发挥着重要的作用，对其导电原理的深入理解有助于我们更好地应用和发展半导体器件。
有机半导体材料的设计与合成近年来，随着电子技术的飞速发展，有机半导体材料作为一种新兴的材料，在光电子领域取得了显著的进展。
有机半导体材料的设计与合成是实现高性能器件的关键步骤。
本文将探讨有机半导体材料的设计原理、合成方法以及其在光电子器件中的应用。
一、有机半导体材料的设计原理有机半导体材料的设计原理是指根据电子结构和分子级相互作用的理论，通过计算模拟或实验研究，设计出具有良好电荷输运性能和光电性能的分子结构。
有机半导体材料设计的关键在于找到合适的共轭体系和官能团。
在共轭体系设计方面，有机半导体材料通常是由共轭聚合物或芳香环构成的。
共轭聚合物的空间结构对电荷输运和光电转换性能具有重要影响。
因此，通过合理设计共轭聚合物的拓扑结构、选择合适的相互作用基团，可以调控材料的能带结构和载流子迁移率。
官能团的选择也是有机半导体材料设计的关键。
不同的官能团会对材料的光电性能产生显著影响，例如，引入亲电性基团可以改善材料的电子亲和能、电子迁移率和光吸收特性，引入亲核性基团可以改善材料的离子化能、空穴迁移率和光电转换效率。
二、有机半导体材料的合成方法有机半导体材料的合成方法多种多样，常见的方式包括有机合成、聚合反应和导向自组装等。
有机合成是最基础也是最常用的合成方法，通过有机合成反应可以构建具有特定结构和官能团的有机分子。
聚合反应则是通过将单体分子进行聚合，形成具有高分子量的共轭聚合物。
导向自组装是一种将分子按照特定的几何和排列方式自组装形成有序超分子结构的方法。
除了传统的有机合成方法，近年来还出现了一些新的合成策略。
例如，通过交联反应可以构建具有孔隙结构的有机半导体材料，提高材料的载流子传输能力和吸附性能。
此外，还可以利用模板法、溶剂热法和溶液处理等方法制备有机半导体材料的薄膜，进一步优化材料的光电性能。
三、有机半导体材料在光电子器件中的应用由于其良好的电荷输运性能和可调控的光电性能，有机半导体材料在光电子器件中有着广泛的应用。
有机高分子半导体材料的导电与工作原理
及与硅基材料的比较
摘要：
本文从原理角度出发，对有机高分子半导体材料的导电模型与原理，有机高分子半导体材料器件的简要工作原理进行阐述，并将该材料的性能与硅基半导体材料相比较，最后对有机高分子半导体材料的发展提出自己的看法。
关键词：有机高分子半导体原理器件性能比较
1.背景：
随着无机半导体材料的发展、成熟与产业化，有机半导体材料以其种类多样性与巨大的应用潜力逐渐受到广泛关注。
在有机电子领域的几项杰出成就，如1986年和1987年由Eastman Kodak 的Tang[4,5]等提出的有机光生伏打电池（OPVC）和有机发光二极管(OLED)，为有机半导体的实际应用打下了基础。
1986年有机场效应晶体管（OFET）也随之出现。
与此同时，关于有机半导体的结构模型与导电原理的研究也成为了进一步解决其不足与优化其性能的基本出发点。
高分子链紧束缚模型（SSH）的建立，高分子二聚现象的发现，1979年Su,Schrieffer与Heegerd对于孤子、极化子、双极化子等载流子概念的提出，激子在有机材料中的重新定位，跃迁机制对于迁移率的解释等，使人们对其基本规律有了一定程度的认识,并在积极地发展与完善。
2.有机高分子导体材料的分子结构与基本特征
有机高分子半导体，如聚乙炔，普遍存在共轭大π键结构，由成键π轨道与反键π*轨道构成。
两者可分别相当于能带理论中的导带与价带，两个轨道之间的能级差称为带隙。
许多高分子半导体的带隙处于1.5~3.0eV之间，处于可见光范围，十分合适作为太阳能电池。
然而从整体来看，诸多较长的分子链通过范德华力相互纠缠在一起形成无序结构，一条分子链自身也有许多扭转变形，产生的结点破坏了共轭作用，由此关联的导电机制也更加复杂。
SSH模型认为，有机高分子固体可简化为具有一维特性的高分子弱耦合而成，并且电子在某一个碳原子附近时，将较紧地被该碳原子束缚而其他碳原子对其影响较小，及“紧束缚近似”，通过一系列计算描述晶格原子(碳原子)的移动和与电子的相互作用。
之后又出现了修饰完善的TLM模型与PPP模型。
一维体系Peierls不稳定性借助于SSH模型并通过计算说明，等距离排列的碳原子是不稳定的，碳原子将发生微小位移从而二聚化，使得有机高分子如聚乙炔分子中出现一定程度的单双键交替现象，这使得原来连续的能带分裂成导
带与价带并分别被抬高与降低，由于只有价带中填有电子故整个体系能量降低，从而导致聚乙炔在常温下是绝缘体。
温度升高时，晶格原子振动加剧从而使原先的原子位移逐渐模糊，带隙消失，此时有机分子变为导体。
综上，有机高分子半导体的结构相对于无机半导体的显著特征是强的“电子-晶格原子”相互作用与一维特性。
3.有机高分子半导体材料的导电机制
无机半导体中的载流子为电子与空穴，而有机半导体的载流子因为其自身的结构特征并不与电子和空穴等同，Su,Schrieffer与Heeger[3]认为，聚乙炔中的载流子是因“电子-晶格原子”相互作用导致的一种电荷自陷态，即电荷引起晶格畸变从而被局域在了晶格畸变后的陷阱中，而并非无机材料中电子与空穴的扩展态。
依具体形态，它们被称为孤子、极化子与双极化子。
在基态简并体系，如反式聚乙炔中，共轭结构有两种对称的、能量相等的分布方式，当受到激发时，二者可以发生局部的相互逆转，将激发的能量集中在两种方式交界的结点上，该节点即形成孤子。
孤子的形成在带隙中出现了一条分立能级，该孤立能级对应的电子态呈现局域性，并局域在晶格的缺陷处（及上述结点）。
掺杂而引入的外来电子和空穴将进入孤子能级。
该理论已被不同掺杂的聚乙炔的吸收光谱实验所证实。
在基态非简并或非简并体系中，则会出现两个孤子耦合在一起，组成束缚态，两个孤子能级在带隙中分裂成两条能级。
然而中性极化子不稳定。
1980年，Schrieffer利用动力学方法研究，当杂质注入电子或空穴，引起晶格畸变，100fs后则会形成负电或正电极化子。
当存在外电场时就会形成运动的极化子，但是当外加电场高于临界电场时就会发生极化子的解离，即电子将脱离晶格势场的束缚。
也会存在电荷为+2e或-2e的极化子，称为双极化子，只存在于基态非简并体系中。
对于一个元激发来说，除了会产生孤子、极化子之外，还会产生正负极化子的复合体——激子，激子也可以通过电极注入电子或空穴产生。
但是在有机材料中形成的大都是Frenkel激子，相比起无机材料中的Wannier激子（电子—空穴对），由于介电常数不同，其束缚能远比Wannier激子大故不易分离形成正负极化子实现导电,外加强电场可以实现激子的解离。
但因为激子本身是电中性的，故其形成后的运动是单纯的扩散机制，如何提高激子的扩散长度是提高有机光器件工作效率的挑战之一。
当极化子运动到一条链的末端时，将有一种称为“跃迁机制”的理论来描述链间导电过程。
Stafström等模拟了外电场条件下一维体系中极化子在两条耦合的聚乙炔链中跃迁的动力学过程。
极化子在链端停滞一段时间获得足够多的能量后就可以被散射到临近链中，并继续在第二条链中传输。
但是这种跃迁机制对于电荷来说是一种很差的机制，这与“共轭高分子具有很低的迁移率”是相吻合的。
4. 有机高分子半导体器件的简要工作原理。
4.1有机电致发光二极管（OLED）
基本原理与无机材料类似，通过两个电极，分别注入电子和空穴，然后经载流子传输，使二者在器件的发光层EML内通过载流子的复合，通过激子的辐射衰变而发射荧光。
其中的重要问题是解决三重态激子的跃迁禁阻从而对发光没有贡献的问题。
近年来对于重金属（Ir Pt Os）配合物
的研究以找到合适提高OLED发光效率的工作已得到广泛开展。
4.2有机场效应晶体管（OFET）
图1
其中，源极接地，漏极接地并与大地相差Vds，门极接地并与大地相差Vg。
介电层是绝缘层。
对于n型半导体活性层（易于接纳空穴），如果
在门极上加以足够的正电压时，就可在半导体活性层与绝缘体的界面上，诱导吸引足够的电子载流子形成通道，从而使源极与漏极导通。
因此，如对门电机的电压加以控制，就可等效地起到控制界面层的电子积聚，从而达到控制源极与漏极间的导电特性。
因此这一器件就可以等
效地用作开关或放大器。
使器件在相同的Vds下，通过改变门电压Vg,引
起电流Id的变化。
也即通过门电压的控制，就可在相同输入电压Vds下，
得到较大的输出电流Id,这就是信号放大原理。
4.3有机光生伏打电池（OPVC）
图2
OPVC中的一个重要突破，是以引入双层异质节概念为其标志的。
在这类器件中，体系存在两个有机层，即电子传输与空穴传输层为其特征，
在界面处实现激子解离。
仿效了无机光生伏打电池的p-n结概念。
5. 有机高分子材料与硅基材料性能的比较
与硅基材料相比，有机高分子半导体材料在合成与器件制备上较为便利，允许采用柔顺的基底，如塑料胶片等。
以及品种的多样化，可以通过修饰对
其性能进行细微的调整。
因此表现出用途广泛、价格低廉和允许废弃等特色。
可以实现大面积连续的生产，实现产业化。
然而，在某些方面仍有一定的差距，最明显的是过低的迁移率，以及易于老化。
故使用年限和安全使用等问题常引起人们的关注。
笔者认为，对有机高分子半导体材料的诸多掺杂与改性确实是一条应该不断尝试的道路，但是有机材料本身结构所决定的某些缺点并不可通过改性将其完全消除，是否可以尝试将有机与无机半导体材料进行复合，从而使两者优势互补从而发挥材料的最大性能？关键是找到能连通有机与无机半导体材料的优良介质以及探寻最佳结合方式。
其次，对于复杂多变的有机结构体系来说，理论的发展面临了相当高的挑战，是否可以从宏观的、统计平均的角度去描述有机高分子半导体的结构而不只是单纯从一个分子入手建立模型再进行运算？相信有机高分子半导体材料在将来能越来越多的填补无机半导体材料的缺陷与空白。
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