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光伏技术期末复习题（2011～2012学年第一学期）第一章概述1，光伏产业链包含哪些企业？p6图6-72，太阳能的主要来源于情聚变成（）的聚变反应。
P11～123，太阳从中心到边缘可分为那几个部分组成？p124,太阳能光伏系统有哪几部分组成？p135，简述硅的主要用途。
P17第二章硅材料基础1，半导体有哪些特性？p182，硅材料可以分为哪几类？p163，按纯度来分多晶硅分哪几个等级？p174，简述我国硅矿资源的分布特点。
P20第三章多晶硅生产工艺1，简述改良西门子法生产高纯多晶硅的步骤。
P32～332，硅烷法多晶硅生产工艺分哪几种？p353，污垢对多晶硅生产的应享有哪些因素？p41～424，还原沉积生成高纯多晶硅的设备是什么？p38图3-115，多晶硅定向凝固生长的方法有哪些？p466，多晶硅生产的环保措施有哪些？p51～527有哪些物质在多晶硅生产过程中造成污染？p50第四章单晶硅生产工艺1，单晶硅的生产方法有哪些？p562，直拉法生产单晶硅的设备是什么？p58图4-4 3，直拉单晶炉由哪两部分组成？p58～604，知啦单晶硅生产工艺有那几步组成？p62～64 5，硅原料熔化后的正常液面是什么样？p636，简述由单晶硅棒加工成单晶硅抛光片的加工流程。
P657，单晶硅片抛光的目的是什么？p68第五章太阳能电池生产工艺1，硅电池片的生产工艺包括哪几步？p70图5-1（不含前两步）2，制绒工艺的目的是什么？p71扩散的目的什什么？P71（制备P-N结）3，刻蚀的目的是什么？（去除硅片周边的N型区）4简述等离子刻蚀的原理。
P745，去PSG是什么含义？（去鳞硅玻璃）6，什么是PECVD?其目的是什么？（在硅片表面沉积氮化硅-si3N4保护层。
7，丝网印刷的目的是什么？（制作电极）8，丝网印刷和烧结分哪四个步骤？p78～799,硅电池的检测参数有哪些？p81第六章光伏组件生产工艺1，什么是光伏组件？（电池片通过合理的串、并联组合成的电池板称为光伏组件）2，按材料来分光伏组件可分哪几类？p86图6-1 3光伏组件的敷设（自下而上）顺序是什么？p86 4,简述光伏组件的生产工艺。
题型十八化学反应原理综合应用通关演练(建议完成时间：30分钟)1．(2013·杭州调研)多晶硅是太阳能光伏产业的重要原材料。
(1)由石英砂可制取粗硅，其相关反应的热化学方程式如下：SiO2(s)＋C(s)===SiO(g)＋CO(g)ΔH＝a kJ·mol－12SiO(g)===Si(s)＋SiO2(s)ΔH＝b kJ·mol－1①反应SiO2(s)＋2C(s)===Si(s)＋2CO(g)的ΔH＝________ kJ·mol－1(用含a、b的代数式表示)。
②SiO是反应过程中的中间产物。
隔绝空气时，SiO与NaOH溶液反应(产物之一是硅酸钠)的化学方程式为_____________________________________。
(2)粗硅提纯常见方法之一是先将粗硅与HCl制得SiHCl3，经提纯后再用H2还原：SiHCl3(g)＋H2(g)Si(s)＋3HCl(g)。
不同温度及不同n（H2）n（SiHCl3）时，反应物X的平衡转化率关系如图所示。
①X是________(填“H2”或“SiHCl3”)。
②上述反应的平衡常数K(1150 ℃)________K(950 ℃)(填“>”、“<”或“＝”)。
(3)SiH4(硅烷)法生产高纯多晶硅是非常优异的方法。
①用粗硅作原料，熔融盐电解法制取硅烷原理如图所示，电解时阳极的电极反应式为______________________________________。
②硅基太阳电池需用N、Si两种元素组成的化合物Y作钝化材料，它可由SiH4与NH3混合气体进行气相沉积得到，已知Y中Si的质量分数为60%，Y的化学式为________。
解析(1)①反应SiO2(s)＋2C(s)===Si(s)＋2CO(g)可由第一个反应×2＋第二个反应得到，则ΔH＝(2a＋b)kJ·mol－1。
②根据产物有硅酸钠及质量守恒得到反应的化学方程式为SiO＋2NaOH===Na2SiO3＋H2↑。
课时提能演练（十）（45分钟 100分）一、选择题(本题包括10小题，每小题6分，共60分)1.(2012·武汉模拟)据《参考消息》报道，有科学家提出硅是“21世纪的能源”、“未来的石油”的观点。
假如硅作为一种普遍使用的新型能源被开发利用，下列关于其有利因素的说法中，你认为不妥的是( )A．便于运输、储存，从安全角度考虑，硅是最佳的燃料B．自然界的含硅化合物易开采C．硅燃烧放出的热量大，燃烧产物对环境污染程度低且容易有效控制D．自然界中存在大量单质硅2．下列关于硅单质及其化合物的说法正确的是( )①硅是构成一些岩石和矿物的基本元素②水泥、玻璃、水晶饰物都是硅酸盐制品③高纯度的硅单质广泛用于制作光导纤维④陶瓷是人类应用很早的硅酸盐材料A．①② B．①④ C．②③ D．③④3．可以用来检验碳酸氢钠粉末中是否混有碳酸钠的实验方法是( )A．加热，看有无气体放出B．滴加盐酸，看有无气体放出C．溶于水后，滴加稀的氯化钡溶液看有无白色沉淀生成D ．溶于水后，滴加澄清石灰水看有无白色沉淀生成4.下列有关说法正确的是( )A. CO 2、CH 4、N 2等均是造成温室效应的气体B. 14C 可用于文物鉴定，14C 与12C 互为同素异形体C.二氧化硅不与任何酸反应，可用石英制造耐酸容器D.精炼粗铝时要清除坩埚表面的石英砂，铝与石英砂反应的方程式为2233SiO 4Al 3Si 2Al O ++高温==== 5.将足量CO 2通入KOH 和Ca(OH)2的混合稀溶液中，生成沉淀的物质的量(n)和通入CO 2体积(V)的关系正确的是( )6.将足量CO 2通入下列各溶液中，所含离子还能大量共存的是( )A.233K SiO Cl NO +---、、、B.3244H NH Al SO +++-、、、C.224Na S OH SO +---、、、D.2333Na CO CH COO HCO +---、、、7.(2012·潍坊模拟)下列说法正确的是( )A.CO 、NO 、NO 2都是大气污染气体，在空气中都能稳定存在B.检验红砖中的氧化铁成分，向红砖粉末中加入盐酸，充分反应后取上层清液于试管中，滴加KSCN 溶液2～3滴即可C.在粗硅的制取中，2C+SiO 2 高温 Si+2CO ↑硅被还原，所以硅的非金属性比碳强D.用SiO2制取硅酸，应先使二氧化硅与氢氧化钠溶液反应，然后通CO28.“碳捕捉技术”是指通过一定的方法将工业生产中产生的CO2分离出来并利用。
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重点突破锁定高考热点探究规律方法1沸点高，硬度大，其中金刚石为硬度最大的物质.2．一般情况，非金属元素单质为绝缘体，但硅为半导体,石墨为电的良导体.3．一般情况，较强氧化剂＋较强还原剂===较弱氧化剂＋较弱还原剂，而碳却能还原出比它更强的还原剂：SiO2＋2C错误!Si＋2CO↑，FeO＋C错误!Fe ＋CO↑。
4．硅为非金属,却可以和强碱溶液反应，放出氢气：Si＋2NaOH＋H2O===Na2SiO3＋2H2↑。
5．一般情况，较活泼金属＋酸===盐＋氢气，然而Si是非金属，却能与氢氟酸发生反应:Si＋4HF===SiF4↑＋2H2↑。
6．一般情况,碱性氧化物＋酸===盐＋水，SiO2是酸性氧化物，却能与氢氟酸发生反应：SiO2＋4HF===SiF4↑＋2H2O.7．一般情况,较强酸＋弱酸盐===较弱酸＋较强酸盐。
虽然酸性：H2CO3＞H2SiO3,却能发生如下反应：Na2CO3＋SiO2错误!Na2SiO3＋CO2↑。
8．一般情况，非常活泼金属(Na、K等）才能够置换出水中的氢，但C＋H2O（g）错误!CO＋H2。
9．一般情况，非金属氧化物与水反应生成相应的酸，如SO3＋H2O===H2SO4，但SiO2不溶于水，不与水反应。
WORD格式光伏技术期末复习题（2011～2012 学年第一学期）第一章概括1，光伏家产链包含哪些公司？p6 图 6-72，太阳能的主要根源于情聚变为（）的聚变反响。
P11～ 123，太阳从中心到边沿可分为那几个部分构成？p124, 太阳能光伏系统有哪几部分构成？p135，简述硅的主要用途。
P17第二章硅资料基础1，半导体有哪些特征？p182，硅资料能够分为哪几类？p163，按纯度来分多晶硅分哪几个等级？p17 4，简述我国硅矿资源的散布特色。
P20第三章多晶硅生产工艺1，简述改进西门子法生产高纯多晶硅的步骤。
P32～ 332，硅烷法多晶硅生产工艺分哪几种？p353，污垢对多晶硅生产的应享有哪些要素？p41～424，复原堆积生成高纯多晶硅的设施是什么？p38专业资料整理WORD格式图3-115，多晶硅定向凝结生长的方法有哪些？p46 6，多晶硅生产的环保举措有哪些？p51～ 527有哪些物质在多晶硅生产过程中造成污染？p50第四章单晶硅生产工艺1，单晶硅的生产方法有哪些？p562，直拉法生产单晶硅的设施是什么？p58 图 4-4 3，直拉单晶炉由哪两部分构成？p58～ 604，知啦单晶硅生产工艺有那几步构成？p62～64 5，硅原料融化后的正常液面是什么样？p63 6，简述由单晶硅棒加工成单晶硅抛光片的加工流程。
P657，单晶硅片抛光的目的是什么？p68第五章太阳能电池生产工艺1，硅电池片的生产工艺包含哪几步？p70 图 5-1（不含前两步）2，制绒工艺的目的是什么？p71 扩散的目的什什么？P71（制备 P-N 结）3，刻蚀的目的是什么？（去除硅片周边的N 型区）专业资料整理WORD格式4 简述等离子刻蚀的原理。
P745，去 PSG是什么含义？（去鳞硅玻璃）6，什么是 PECVD?其目的是什么？（在硅片表面堆积氮化硅 -si3N4保护层。
7，丝网印刷的目的是什么？（制作电极）8，丝网印刷和烧结分哪四个步骤？p78～ 799, 硅电池的检测参数有哪些？p81第六章光伏组件生产工艺1，什么是光伏组件？（电池片经过合理的串、并联组合成的电池板称为光伏组件）2，按资料来分光伏组件可分哪几类？p86 图 6-1 3 光伏组件的敷设（自下而上）次序是什么？p864, 简述光伏组件的生产工艺。
2、举例说明晶体缺陷主要类型。
晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷点缺陷：弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷线缺陷：位错(棱位错、刃位错、螺旋位错)面缺陷：层错（外延层错、热氧化层错）4、简述光生伏特效应。
1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；2）p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；3）非平衡载流子破坏原来的热平衡；4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；5）若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
5、简述硅太阳能电池工作原理。
当拥有等于或者大于硅材料禁带宽度的光子照射到硅材料上，在价带上的电子吸收这个光子的能量，跃迁到导带上，并且在价带上留下一个空穴。
即是在禁带两端产生了电子—空穴对。
而硅电池本身即为一个PN结，产生的电子—空穴对即是注入的非平衡载流子，在内建电场的作用下，非平衡载流子分离，产生电流并在在整个硅电池两端形成电压。
6、如何从石英砂制取硅简要框图说明从石英到单晶硅的工艺。
工业硅制备原理：多晶硅生产工艺：法、硅烷法、流化床法、改良西门子法（、、）单晶硅的生长7、简述半导体硅中的杂质对其性能的影响.本征半导体 Si、Ge等的四个价电子，与另四个原子构成四个共价键，当掺入少量的五价原子（如P、As）时，就形成了n型半导体，由量子力学知识可知，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处，DED～10-2eV，极易形成电子导电。
则半导体中的电子变为主要载流子，在室温下，除了本征激发之外还受到杂质电离的影响，载流子浓度增加，使半导体的电导率上升；而当掺入的杂质为三价原子时（如B、Ga、In等），多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，DED～10-2eV，极易形成空穴导电，空穴为其主要载流子，与N型材料类似的，在室温下，由于杂志电离效果的存在，掺杂后的半导体硅的载流子浓度增大，电导率增大。
8、以P掺入Si为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和N型半导体。
太阳能电池材料试题复习(总24页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除复习大纲1. 铝背场的作用：①减少少数载流子在背面复合的概率；②作为背面的金属电极；③提高电池的开路电压；④提高太阳电池的收集效率；⑤降低电池的反向饱和暗电流和背表面复合速率；⑥制作良好的欧姆接触。
2. 简述晶体硅的制备工艺过程答：晶体硅太阳电池的制备工艺：p型硅片-清洗制绒-扩散制结（p-n结）-去周边层-去PSG（磷硅玻璃）-镀减反射膜-印刷电极-高温烧结-检测-分选-入库包装。
3.太阳能的利用形式：光化学转化、太阳能光热转化和太阳能光电转化。
4.太阳能电池理论效率最高为75% 。
5.太阳常数：是指大气层外垂直于太阳光线的平面上，单位时间、单位面积内所接受的太阳能辐射。
也就是说，在日地平均距离的条件下，在地球大气上界，垂直于光线1Ｃ㎡的面积上，在１分内所接受的太阳能辐射能量；为（１３６７＋｜－７）Ｗ/㎡。
６．太阳能能量转换方式主要分为光化学转化、太阳能光热转化和太阳能光电转化三种方式。
７．P-N结的形成原理。
答：⑴Ｐ型和Ｎ型半导体都呈电中性；⑵Ｐ型半导体的多子是空穴；Ｎ型半导体的多子是电子；⑶当Ｐ型半导体与Ｎ型半导体连接在一起时，由于ＰＮ结中不同区域的载流子分布存在浓度梯度，Ｐ型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至Ｎ型半导体材料；同理，Ｎ型半导体材料中过剩的电子通过扩散作用流动至Ｐ型半导体材料。
电子或空穴离开杂质原子后，该固定在晶格内的杂质原子被电离，因此在结区周围建立起了一个电场，以阻止电子或空穴的上述扩散流动，该电场所在的区域及耗尽区或者空间电荷区，故而称为ＰＮ结。
如图所示：在交界面，由于扩散运动，经过复合,出现空间电荷区。
８．P-N结半导体光生伏特效应的原理。
答：在半导体被光照射、产生光传导现象时，如果由光产生的载流子在不同位置具有不均一性，或者由于PN结产生了内部载流子的话，就因扩散或者漂移效应而引起电子和空穴密度分布不平衡，从而产生电力，这一现象称为光生伏特效应（photovoltaic effect）.9.太阳能电池的主要参数是短路电流、开路电压、填充因子和光电转换效率。
原电池化学电源(限时：60分钟满分：100分)一、选择题(本题包括10小题，每小题5分，共50分)1．原电池的电极名称不仅与电极材料的性质有关，也与电解质溶液有关。
下列说法中正确的是()A．(1)(2)中Mg作负极，(3)(4)中Fe作负极B．(2)中Mg作正极，电极反应式为6H2O＋6e－===6OH－＋3H2↑C．(3)中Fe作负极，电极反应式为Fe－2e－===Fe2＋D．(4)中Cu作正极，电极反应式为2H＋＋2e－===H2↑2．(2012·南京调研)X、Y、Z都是金属，把X投入Z的硝酸盐溶液中，X的表面有Z析出，X与Y组成原电池时，Y为电池的负极，X、Y、Z三种金属的活泼性顺序为() A．X>Y>Z B．X>Z>YC．Y>X>Z D．Y>Z>X3．将两个铂电极放置在KOH溶液中，然后分别向两极通入CH4和O2，即可产生电流，称为燃料电池，下列叙述正确的是()①通入CH4的电极为正极；②正极的电极反应式是O2＋2H2O＋4e－===4OH－；③通入CH4的电极反应式是CH4＋2O2＋4e－===CO2＋2H2O；④负极的电极反应式是CH4＋10OH－－8e－===CO2－3＋7H2O；⑤放电时溶液中的阳离子向负极移动；⑥放电时溶液中的阴离子向负极移动。
A．①③⑤B．②④⑥C．④⑤⑥D．①②③4．(2011·广东高考)某小组为研究电化学原理，设计如图装置。
下列叙述不．正确的是()A．a 和b 不连接时，铁片上会有金属铜析出B．a 和b 用导线连接时，铜片上发生的反应为：Cu2＋＋2e－===CuC．无论a 和b 是否连接，铁片均会溶解，溶液均从蓝色逐渐变成浅绿色D ．a 和 b 分别连接直流电源正、负极，电压足够大时，Cu 2＋向铜电极移动 5．(2012·北京西城期末)一种新型燃料电池，一极通入空气，另一极通入丁烷气体；电解质是掺杂氧化钇(Y 2O 3)的氧化锆(ZrO 2)晶体，在熔融状态下能传导O 2－。
氧化还原反应与电化学原理【考情分析】一、考纲要求1．理解原电池原理。
熟记金属活动性顺序。
了解化学腐蚀与电化学腐蚀及一般防腐蚀方法。
2.通过电能转变为化学能的探究活动，了解电解池工作原理，能正确书写电解池的阴、阳极的电极反应式及电解反应方程式。
3.知道电解在氯碱工业、精炼铜、电镀、电冶金等方面的应用。
认识电能转化为化学能的实际意义。
二、命题趋向：电化学是高考的必考考点，大多数省市卷中以选择题的形式出现，少数省市卷中与氧化还原反应等结合，以大题的形式考查。
考查涉及的知识点有电极的判断，电子、离子流向，电极反应的书写以及得失电子守恒相关的计算。
近几年的一个总体趋势为结合最新的信息，考查新型电池、燃料电池及可充电电池。
电化学试题在解题过程中有很强的规律性，解题过程中建立好思维模型，即首先分析池型，确定用电解原理还是原电池原理进行分析，然后分析电解材料及反应物质，写出电解反应；再分析电子及离子流动方向，最后分析整个过程中量的关系。
电化学反应过程是以氧化还原反应为基础的，必须要用氧化还原的规律方法进行分析。
【真题再现】2013.热激活电池可用作火箭、导弹的工作电源。
一种热激活电池的基本结构如图所示，其中作为电解质的无水LiCl-KCl混合物受热熔融后，电池即可瞬间输出电能。
该电池总反应为：PbSO4+2LiCl+Ca =====CaCl2+Li2SO4+Pb。
下列有关说法正确的是A．正极反应式：Ca+2Cl- - 2e- ===== CaCl2 B.。
放电过程中，Li+向负极移动C.每转移0.1mol电子，理论上生成20.7gPbD.常温时，在正负极间接上电流表或检流计，指针不偏转2012.某兴趣小组设计如下微型实验装置。
实验时，先断开K2，闭合K1，两极均有气泡产生；一段时间后，，闭合K2，发现电流表A指针偏转。
下列有关描述正确的是断开KB．断开K2，闭合K1时，石墨电极附近溶液变红C．断开K1，闭合K2时，铜电极上的电极反应式为：Cl2 + 2e- = 2Cl-D．断开K1，闭合K2时，石墨电极作正极2011.研究人员最近发明了一种“水”电池，这种电池能利用淡水与海水之间含盐量差别进行发电，在海水中电池总反应可表示为：5MnO2+2Ag+2NaCl==Na2Mn5O10+2AgCl下列“水”电池在海水中放电时的有关说法正确的是A．正极反应式：Ag+Cl——e—==AgCl B．每生成1molNa2Mn5O10转移2mol电子C．Na+不断向“水”电池的负极移动D．AgCl是还原产物2010.某固体酸燃料电池以CaHSO4固体为电解质传递H+，其基本结构见下图，电池总反应可表示为：2H2+O2= 2H2O，下列有关说法正确的是A．电子通过外电路从b极流向a极B．b极上的电极反应式为：O2 + 2H2O + 4e- = 4OH-C．每转移0.1mol电子，消耗1.12L的H2D．H+由a极通过固体酸电解质传递到b极2009. Cu2O 是一种半导体材料，基于绿色化学理念设计的制取Cu2O的电解池示意图如下，电解总反应为：2Cu＋H2O电解Cu2O＋H2↑。
人教版2014年高二化学下学期期末考试题答案摘要高中频道的编辑就为您准备了人教版2014年高二化学下学期期末考试题答案题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15答案 C D D D C D C C B A A D A B A第Ⅱ卷(非选择题，共55分)二、请完成下列各题(共计55分)。
16.(10分)(1)①④;(2)①锂原子失去核外第一个电子后即达到稳定结构，所以锂原子失去核外第二个电子时所需的能量要远远大于失去第一个电子所需的能量。
②a、s、Na2O和Na2O2;③ⅢA;④m17.(8分)(1)第2周期ⅥA族 (2)S2-gt;O2-gt;Na+(3)SO2 +Cl2+2H2O=4H++2Cl-+SO42-(4)Na2S、SCl2、SO等(填两种即可)18.(12分)(1)C、E(2分)(3 ) 1s22s22p63s23p63d54s1 (2分) Cu 、K (各1分)(3) D (1分) (4)BF3 sp2杂化 NF3 sp3杂化 CF4 sp3杂化 (各1分，共6分)(5) lt; (1分) (6)Cgt;H gt;Si (1分)19.(12分)(1) (1分) (2)2N2H4+N2O4=3N2+4H2O(2分)(3)N2H4+2HCl=N2H6Cl2 (2分)(4)N2H62++2OH-=N2H4+2H2O(2分)(5)pi;(1分)(6)CO2(1分)直线形(1分) (1分) 含有(1分)20.(10分)Ⅰ(1)Na3AlF6 (1分) Al(1分) 6(1分)Ⅱ(1)难电离(1分)(2)①[Fe(SCN)]2+ (1分) ②FeCl3+5KSCN=K2[Fe(SCN)5]+3KCl (2分)(3)Fe(SCN)3 +3F-=FeF3+3SCN- (或其它合理答案)(2分)FeF3比Fe(SCN)3更难电离(1分)只要大家用心学习，认真复习，就有可能在高考的战场上考取自己理想的成绩。
一、名词解释1化学气相沉积化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应在表面上以薄膜形式产生固态的副产品其它的副产品是挥发性的会从表面离开。
2物理气相沉积“物理气相沉积” 通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术: a.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体b.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底c.蒸汽在衬底表面上凝聚形成薄膜3溅射镀膜溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速使其获得一定的动能后轰击靶电极将靶电极的原子溅射出来沉积到衬底形成薄膜的方法。
4蒸发镀膜加热蒸发源使原子或分子从蒸发源表面逸出形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。
5替位式扩散占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。
只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位替位杂质才能比较轻易地运动到近邻空位上6间隙式扩散间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。
7有限表面源扩散扩散开始时表面放入一定量的杂质源而在以后的扩散过程中不再有杂质加入此种扩散称为有限源扩散。
8恒定表面源扩散在整个扩散过程中杂质不断进入硅中而表面杂质浓度始终保持不变。
9横向扩散由于光刻胶无法承受高温过程扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。
当原子扩散进入硅片它们向各个方向运动向硅的内部横向和重新离开硅片。
假如杂质原子沿硅片表面方向迁移就发生了横向扩散。
10保形覆盖保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的上面都能沉积有相同厚度的薄膜。
二、简述题1、简述两步扩散的含义与目的。
答为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求实际生产中常采用两步扩散工艺第一步称为预扩散或预淀积在较低的温度下采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子其分布为余误差涵数目的在于控制扩散杂质总量第二步称为主扩散或再分布将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散以控制扩散深度和表面浓度主扩散的同时也往往进行氧化。
2、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么答扩散杂质所形成的浓度分布杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面这些杂质浓度将从表面到体内单调下降而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。
专题九 电化学原理1.(2012·高考福建卷)将如图所示实验装置的K 闭合，下列判断正确的是( )A ．Cu 电极上发生还原反应B ．电子沿Zn→a→b→Cu 路径流动C ．片刻后甲池中c (SO 2－4)增大D ．片刻后可观察到滤纸b 点变红色2.(2012·高考大纲全国卷)①②③④四种金属片两两相连浸入稀硫酸中都可组成原电池．①②相连时，外电路电流从②流向①；①③相连时，③为正极；②④相连时，②上有气泡逸出；③④相连时，③的质量减少．据此判断这四种金属活动性由大到小的顺序是( )A ．①③②④B ．①③④②C ．③④②①D ．③①②④ 3.(2012·高考安徽卷)某兴趣小组设计如下微型实验装置．实验时，先断开K 2，闭合K 1，两极均有气泡产生；一段时间后，断开K 1，闭合K 2，发现电流表A 指针偏转．下列有关描述正确的是( )A ．断开K 2，闭合K 1时，总反应的离子方程式为：2H ＋＋2Cl －====通电Cl 2↑＋H 2↑ B ．断开K 2，闭合K 1时，石墨电极附近溶液变红C ．断开K 1，闭合K 2时，铜电极上的电极反应式为：Cl 2＋2e －====2Cl －D ．断开K 1，闭合K 2时，石墨电极作正极4.(2012·高考四川卷)一种基于酸性燃料电池原理设计的酒精检测仪，负极上的反应为：CH 3CH 2OH －4e －＋H 2O====CH 3COOH ＋4H ＋.下列有关说法正确的是( )[A ．检测时，电解质溶液中的H ＋向负极移动B ．若有0.4 mol 电子转移，则在标准状况下消耗4.48 L 氧气C ．电池反应的化学方程式为：CH 3CH 2OH ＋O 2====CH 3COOH ＋H 2OD ．正极上发生的反应为：O 2＋4e －＋2H 2O====4OH －5.(2012·高考浙江卷)以铬酸钾为原料，电化学法制备重铬酸钾的实验装置示意图如下：下列说法不正确的是( )A ．在阴极室，发生的电极反应为：2H 2O ＋2e －====2OH －＋H 2↑B ．在阳极室，通电后溶液逐渐由黄色变为橙色，是因为阳极区H ＋浓度增大，使平衡2CrO 2－4＋2H ＋Cr 2O 2－7＋H 2O 向右移动 C ．该制备过程总反应的化学方程式为：4K 2CrO 4＋4H 2O 通电 ==== Ｆ2K 2Cr 2O 7＋4KOH ＋2H 2↑＋O 2↑D ．测定阳极液中K 和Cr 的含量，若K 与Cr 的物质的量之比(n K /n Cr )为d ，则此时铬酸钾的转化率为1－d2[ 6.(2012·高考山东卷)下列与金属腐蚀有关的说法正确的是( )A．图a中，插入海水中的铁棒，越靠近底端腐蚀越严重B．图b中，开关由M改置于N时，Cu Zn合金的腐蚀速率减小C．图c中，接通开关时Zn腐蚀速率增大，Zn上放出气体的速率也增大D．图d中，Zn MnO2干电池自放电腐蚀主要是由MnO2的氧化作用引起的7.(2012·高考课标全国卷)铁是应用最广泛的金属，铁的卤化物、氧化物以及高价铁的含氧酸盐均为重要化合物．(1)要确定铁的某氯化物FeCl x的化学式，可用离子交换和滴定的方法．实验中称取0.54 g的FeCl x样品，溶解后先进行阳离子交换预处理，再通过含有饱和OH－的阴离子交换柱，使Cl－和OH－发生交换．交换完成后，流出溶液的OH－用0.40 mol·L－1的盐酸滴定，滴至终点时消耗盐酸25.0 mL.计算该样品中氯的物质的量，并求出FeCl x中x值：________________________________________________________________________(列出计算过程)；(2)现有一含有FeCl2和FeCl3的混合物样品，采用上述方法测得n(Fe)∶n(Cl)＝1∶2.1，则该样品中FeCl3的物质的量分数为______．在实验室中，FeCl2可用铁粉和______反应制备，FeCl3可用铁粉和______反应制备；(3)FeCl3与氢碘酸反应时可生成棕色物质，该反应的离子方程式为________________________________________________________________________；(4)高铁酸钾(K2FeO4)是一种强氧化剂，可作为水处理剂和高容量电池材料．FeCl3与KClO 在强碱性条件下反应可制取K2FeO4，其反应的离子方程式为________________________________________________________________________，与MnO2－Zn电池类似，K2FeO4－Zn也可以组成碱性电池，K2FeO4在电池中作为正极材料，其电极反应式为________________________________________________________________________，该电池总反应的离子方程式为_______________________________________________________________________ ________________________________________________________________________.8.(2012·高考山东卷)工业上由黄铜矿(主要成分CuFeS2)冶炼铜的主要流程如下：(1)气体A 中的大气污染物可选用下列试剂中的________吸收．a ．浓H 2SO 4b ．稀HNO 3c ．NaOH 溶液d ．氨水(2)用稀H 2SO 4浸泡熔渣B ，取少量所得溶液，滴加KSCN 溶液后呈红色，说明溶液中存在________(填离子符号)，检验溶液中还存在Fe 2＋的方法是________________________(注明试剂、现象)．(3)由泡铜冶炼粗铜的化学反应方程式为________________________________________________________________________________________________________________________________________________.(4)以CuSO 4溶液为电解质溶液进行粗铜(含Al 、Zn 、Ag 、Pt 、Au 等杂质)的电解精炼，下列说法正确的是________．a ．电能全部转化为化学能[b ．粗铜接电源正极，发生氧化反应c ．溶液中Cu 2＋向阳极移动d ．利用阳极泥可回收Ag 、Pt 、Au 等金属(5)利用反应2Cu ＋O 2＋2H 2SO 4====2CuSO 4＋2H 2O 可制备CuSO 4，若将该反应设计为原电池，其正极电极反应式为______________________．9.(2012·高考重庆卷)尿素[CO(NH 2)2]是首个由无机物人工合成的有机物．(1)工业上尿素由CO 2和NH 3在一定条件下合成，其反应方程式为______________________．(2)当氨碳比n （NH 3）n （CO 2）＝4时，CO 2的转化率随时间的变化关系如图所示．①A点的逆反应速率v逆(CO2)________B点的正反应速率v正(CO2)(填“大于”、“小于”或“等于”)．②NH3的平衡转化率为________．(3)人工肾脏可采用间接电化学方法除去代谢产物中的尿素，原理如图．①电源的负极为________(填“A”或“B”)．②阳极室中发生的反应依次为________________________________________________________________________、__________________．③电解结束后，阴极室溶液的pH与电解前相比将________；若两极共收集到气体13.44 L(标准状况)，则除去的尿素为________g(忽略气体的溶解)．专题九电化学原理1.【解析】选A.该题装置为铜锌原电池电解硫酸钠溶液，其中Cu极为正极，该电极上发生还原反应，A项正确；电子流向应为Zn→a，b→Cu，但电子没有通过Na2SO4溶液，B项错误；因有盐桥存在，SO 2－4不会移到甲池中，甲池中c (SO 2－4)不变，C 项错误；b 点为电解池阳极，Na 2SO 4溶液中OH －在该极上放电生成O 2同时产生H ＋而显酸性，该点不变红，D 项错误．2.【解析】选B.本题关键点在于理清原电池的正负极材料与金属性强弱的关系，首先要能正确判断电极．金属性：负极＞正极．因为①与②相连，电流由②流向①，说明电子由①流向②；根据电子由负极流向正极，所以金属性①＞②.①③相连时，③为正极，则金属性①>③.②与④相连，②冒气泡，根据冒气泡的一极为正极，发生反应2H ＋＋2e －====H 2↑，所以②为正极，则金属性④＞②.③与④相连，③的质量减小，根据质量减小的为负极，所以金属性③＞④，由以上得出金属性①＞③＞④＞②，故选B.3.【解析】选D.A 项，断开K 2，闭合K 1，为电解池，电解饱和食盐水总反应式为：2H 2O ＋2Cl －====电解 H 2↑＋Cl 2↑＋2OH －. B 项，断开K 2，闭合K 1，为电解池，根据题意：两极均有气泡产生，则铜为阴极，不能为阳极，若铜作阳极，则发生：Cu －2e －====Cu 2＋，产生不了气体，故铜为阴极，电极反应为：2H ＋＋2e －====H 2↑，剩余OH －，故铜极附近变红．石墨电极为阴极：2Cl －－2e －====Cl 2↑.C 项，断开K 1，闭合K 2形成原电池，电极反应为：正极：Cl 2＋2e －====2Cl －负极：H 2－2e －＋2OH －====2H 2O因为电解时，铜极产生H 2，故铜为负极，石墨为正极，则D 对．4.【解析】选C.A.检测仪利用的是原电池原理，故H ＋应向正极移动，A 项错误．B ．正极反应为O 2＋4e －＋4H ＋====2H 2O 可知转移0.4 mol 电子，消耗0.1 mol O 2即为2.24 L ，B 项错误．C ．正负极两电极反应相加，得出总反应，正确．D ．由于是酸性环境，故正极不可能生成OH －.5.【解析】选D.A 项：阴极发生还原反应2H 2O ＋2e －====2OH －＋H 2↑.B 项：阳极发生氧化反应．由题意可知，由4OH －－4e －====2H 2O ＋O 2↑，产生大量H ＋，使c (H ＋)增大，增大反应物的浓度，平衡右移．C 项：电极总反应为：4K 2CrO 4＋4H 2O ====通电2K 2Cr 2O 7＋4KOH ＋2H 2↑＋O 2↑.D 项：转化率为2－d .6.【解析】选B.图a 中，铁棒底端氧气较少，腐蚀程度较轻，A 项错误；图b 中开关置于N 时，合金作电池的正极，被保护，腐蚀的较慢，B 项正确；图c 中，Pt 作正极，氢气应从Pt 极上放出，C 项错误．Zn —MnO 2中自放电腐蚀主要是Zn 发生氧化反应而自放电．7.【解析】(1)n (Cl －)＝n (OH －)＝0.40 mol/L ×0.0250 L ＝0.010 molm (Fe)＝m (FeCl x )－m (Cl)＝0.54 g －0.010 mol ×35.5 g/mol ＝0.19 gn (Fe)＝m （Fe ）M （Fe ）＝0.19 g 56 g/mol＝0.0034 mol n (Fe)∶n (Cl)＝0.0034∶0.010＝1∶3x ＝3.(2)设n (FeCl 2)＝x mol ，n (FeCl 3)＝y moln （Fe ）n （Cl ）＝x ＋y 2x ＋3y ＝12.1x ＝9yFeCl 3的物质的量分数为：yx ＋y ＝0.1实验中制取FeCl 2：Fe ＋2HCl====FeCl 2＋H 2↑制备FeCl 3用Fe 与Cl 2反应：2Fe ＋3Cl 2====点燃2FeCl 3.(3)Fe 3＋具有氧化性，I －具有还原性，Fe 3＋与I －发生氧化还原反应：2Fe 3＋＋2I －====2Fe 2＋＋I 2.(4)K 2FeO 4中Fe 元素化合价为＋6价，FeCl 3中Fe 为＋3价，故需要氧化剂，而ClO －具有强氧化性可作氧化剂，在强碱性条件下，Fe 3＋以Fe(OH)3沉淀形式存在，2Fe(OH)3＋3ClO －＋4OH －====2FeO 2－4＋3Cl －＋5H 2O.K 2FeO 4－Zn 碱性电池中，K 2FeO 4作正极，发生还原反应，Fe 由＋6价被还原为＋3价，Fe 3＋与OH －反应生成Fe(OH)3.Zn 作负极，被氧化，Zn －2e －＋2OH －====Zn(OH)2.该电极反应为：正极：2FeO 2－4＋6e －＋8H 2O====2Fe(OH)3＋10OH －负极：3Zn －6e －＋6OH －====3Zn(OH)2总反应：2FeO 2－4＋8H 2O ＋3Zn====2Fe(OH)3＋3Zn(OH)2＋4OH －.【答案】(1)n (Cl)＝0.0250 L×0.40 mol·L －1＝0.010 mol m (Fe)＝m (FeCl x )－m (Cl)＝0.54 g －0.010 mol×35.5 g·mol －1＝0.19 gn (Fe)＝0.19 g/56 g·mol －1＝0.0034 moln (Fe)∶n (Cl)＝0.0034∶0.010≈1∶3，x ＝3(2)0.10 盐酸 氯气(3)2Fe 3＋＋2I －====2Fe 2＋＋I 2(或2Fe 3＋＋3I －====2Fe 2＋＋I －3)[(4)2Fe(OH)3＋3ClO －＋4OH －====2FeO 2－4＋5H 2O ＋3Cl －FeO 2－4＋3e －＋4H 2O====Fe(OH)3＋5OH －2FeO 2－4＋8H 2O ＋3Zn====2Fe(OH)3＋3Zn(OH)2＋4OH －8.【解析】(1)气体A 的成分有二氧化硫为酸性气体，应用碱液吸收．(2)KSCN 溶液显红色，可检验Fe 3＋的存在；Fe 2＋与Fe 3＋共存且具有还原性，Fe 2＋能使酸性高锰酸钾溶液褪色．(3)由流程图中的转化条件可知，发生的反应为氧化亚铜与铝发生铝热反应，生成铜单质．(4)各种形式的能转化时，转化效率不可能完全，a 错；粗铜精炼时，需要先溶解粗铜，故粗铜应连电源正极作阳极，发生氧化反应，b 对；阳离子Cu 2＋应移向阴极，c 错；不如铜活泼的金属会沉积在阳极附近形成阳极泥，d 对．(5)正极上发生还原反应，分析所给方程式即可写出反应式．【答案】(1)c 、d (2)Fe 3＋ 取少量溶液，滴加酸性KMnO 4溶液，KMnO 4溶液褪色(3)3Cu 2O ＋2Al ====高温Al 2O 3＋6Cu (4)b 、d(5)4H ＋＋O 2＋4e －====2H 2O9.【解析】(1)合成尿素根据原子守恒，还生成H 2O ，即2NH 3＋CO 2一定条件CO(NH 2)2＋H 2O.(2)①A 点未达到平衡，此过程中正反应速率减小，逆反应速率增大，B 点达到平衡正逆反应速率相等，对CO 2来说逆反应速率达到最大，故为小于．②根据2NH 3＋CO 2一定条件 CO(NH 2)2＋H 2O 可设起始CO 2为x mol ，则NH 3为4x mol ，2NH 3＋CO 2一定条件 CO(NH 2)2＋H 2O4x x 0 0x ×60%则转化的NH 3为2x ×60%，所以转化率＝2x ×60%4x＝30%. (3)①生成氢气的极为阴极，则B 为负极．②阳极室中Cl －失电子产生Cl 2.③阴极减少的H ＋，可通过质子交换膜补充，而使pH 不变．气体物质的量为13.44 L/22.4 L·mol －1＝0.6 mol ，由电子守恒及原子守恒CO(NH 2)2～3Cl 2～N 2～CO 2～3H 2，则CO(NH 2)2的物质的量为0.6 mol/5＝0.12 mol ，质量为0.12 mol×60 g·mol －1＝7.2 g.【答案】(1)2NH 3＋CO 2一定条件 CO(NH 2)2＋H 2O(2)①小于 ②30%(3)①B ②2Cl －－2e －====Cl 2↑ CO(NH 2)2＋3Cl 2＋H 2O====N 2＋CO 2＋6HCl ③不变 7.2。
2014高考化学专题解析24 原电池 化学电源(时间：45分钟 满分：100分)一、选择题() 1．下列装置中，都伴随有能量变化，其中是由化学能转变为电能的是( )。
解析 A 项是将电能转化成化学能；B 项是将水的势能转化成电能；C 项是将太阳能转化成热能。
答案 D2.(2012·北京理综，12)人工光合作用能够借助太阳能，用CO 2和H 2O 制备化学原料。
如图是通过人工光合作用制备HCOOH 的原理示意图，下列说法不正确的是 ( )。
A ．该过程是将太阳能转化为化学能的过程B ．催化剂a 表面发生氧化反应，有O 2产生C ．催化剂a 附近酸性减弱，催化剂b 附近酸性增强D ．催化剂b 表面的反应是CO 2＋2H ＋＋2e －===HCOOH 解析 电池总反应式为：2CO 2＋2H 2O =====光能催化剂2HCOOH ＋O 2。
负极：2H 2O －4e －===O 2↑＋4H ＋，正极：CO 2＋2H ＋＋2e －===HCOOH 。
A 项，能量转换过程是太阳能先转化为电能，再转化为化学能；C 项，催化剂a 附近生成H ＋，酸性增强，催化剂b 附近消耗H ＋，酸性减弱，故C 项错误。
答案 C3．(2013·惠州模拟)镁/H 2O 2酸性燃料电池采用海水作电解质(加入一定量的酸)，下列说法正确的是( )。
A．电池总反应为Mg＋H2O2===Mg(OH)2B．正极发生的电极反应为H2O2＋2H＋＋2e－===2H2OC．工作时，正极周围海水的pH减小D．电池工作时，溶液中的H＋向负极移动解析根据镁与H2O2两种物质的性质，容易知道负极发生镁失电子的反应，正极发生H2O2得电子的反应，电解质呈酸性，故电池总反应为Mg＋H2O2＋2H＋===Mg2＋＋2H2O；正极消耗H＋，pH增大；原电池中阳离子向正极移动，故溶液中的H＋向正极移动。
答案 B4．(2013·资阳模拟)如图甲是Zn和Cu形成的原电池，某实验兴趣小组做完实验后，在读书卡上的记录如图乙所示，则卡片上的描述合理的是 ( )。
第四章 常见的非金属及其化合物 第讲 一、选择题 1．从光合作用的反应原理6CO2＋6H2OC6H12O6＋6O2可知碳是农作物生长的必需元素之一。
关于用二氧化碳生产肥料的评价正确的是( )A．缓解地球温室效应，抑制农作物营养平衡 B．加剧地球温室效应，促进农作物营养平衡 C．缓解地球温室效应，促进农作物营养平衡 D．加剧地球温室效应，抑制农作物营养平衡 解析 消耗CO2，缓解地球温室效应，生成葡萄糖，促进农作物营养平衡。
答案 C 2．下列关于碳和硅的叙述中，正确的是( ) A．其氧化物都能与NaOH溶液反应 B．其单质在加热时都能跟O2反应 C．其氧化物都能溶于水生成相应的酸 D．碳和硅两种元素共有两种单质 解析 CO不溶于水，也不能与NaOH溶液反应；SiO2不能溶于水，也不生成相应的酸；碳有金刚石、石墨等同素异形体，硅有晶体硅和无定形硅，所以有多种单质。
答案 3．下列各组物质中，不能满足下图物质一步转化关系的是( ) 物质 选项 XYZA Cl2HClOHClBBr2HBrNaBrCAl2O3NaAlO2Al(OH)3DSiSiO2H2SiO3 解析 A项： ；B项：；C项：。
答案 D 4．下列关于硅单质及其化合物的说法正确的是( )①硅是构成一些岩石和矿物的基本元素 ②水泥、玻璃、水晶饰物都是硅酸盐制品 ③高纯度的硅单质广泛用于制作光导纤维 ④陶瓷是人类应用很早的硅酸盐材料 A．①② B．②③ C．①④ D．③④ 解析 硅元素在地壳中的含量仅次于氧，排第二位，是构成岩石和矿物的基本元素；水晶的主要成分为SiO2，②错；制作光导纤维的原料是石英，而不是高纯硅，③错。
答案 C 5．下列说法正确的是( )A．二氧化硅溶于水显酸性，所以二氧化硅属于酸性氧化物 B．二氧化硅是酸性氧化物，它不溶于任何酸 C．二氧化碳通入水玻璃可以得到原硅酸 D．因为高温时二氧化硅与碳酸钠反应放出二氧化碳，所以硅酸的酸性比碳酸强 解析 二氧化硅不溶于水，能溶于氢氟酸：SiO2＋4HF===SiF4↑＋2H2O，碳酸钠与二氧化硅在高温下能反应是因为产生的CO2气体不断逸出，使化学平衡不断向生成物的方向移动，故A、B、D不正确。
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A、EVAB、LCDC、TPTD、TNT 3、太阳能电池片的测试主要有（ D ）参数。
①开路电压②短路电流③最大输出功率④填充因子⑤光电转换效率A、①②④ B、②④⑤ C、③④⑤ D、①②③④⑤ 4、电池片镀膜的厚度是利用光学中的（ C ）原理来减少反射。
A、光程差B、相长干涉C、相消干涉D、光的折射 5、层压完毕的组件不要马上移动的主要原因是（ A） A、EVA还没有冷却定型，移动会造成电池片裂片B、组件太烫手 C、没地方放D、不知道二、判断题：（每题3分，总计30 分.）1、对于层压机，如果真空泵失灵，组件层压后，会有大面积气泡。
（对）2、太阳能玻璃的铁杂质含量一般控制在0.015%之下。
（对）3、眼睛不小心接触有害物质时，应立即用大量流动清水或生理盐水冲洗至少15分钟。
（对）4、层压机在真空状态下不允许进行开盖操作。
（对）5、短距离搬运玻璃可以不穿安全鞋。
（错）6、太阳电池测试仪的光源称作太阳模拟器，是因为其光照强度和光谱接近于地球表面的太阳光。
太阳能电池材料期末复习题1.半导体太阳能光伏电池工作原理的四个基本过程。
答：第一，必须有光照射，可以是单色光，太阳光和模拟光源。
第二，光子源注入到半导体内后，产生电子-空穴对，且电子-空穴对具有足够的寿命。
第三，利用PN结，将电子-空穴对分离，分别集中于两端。
第四，被分离的电子和空穴，经由电极收集，运输到电池体外，形成电流。
2.空间电荷区，内建电场及方向；漂移电流和扩散电流及其方向。
答：空间电荷区：扩散结果：n区出现正电荷区，p区出现负电荷区，则交界面的两侧的正，负电荷区，总称为空间电荷区。
内建电场：由于空间电荷区正负电荷相互吸引，形成一个称为势垒电场的内建电场，带正电荷的n区指向带负电荷的p区。
扩散电流：当两种不同型号半导体连接起来，在交界处产生载流子扩散。
由n型半导体与p 型半导体交界处两侧不同型号载流子（多数载流子）浓度差引起的载流子扩散产生的电流。
扩散电流=电子扩散电流+空穴扩散电流。
方向p指向n。
漂移电流：内建电场的形成对多数载流子扩散运动起阻挡运动的作用。
载流子在内建电场中的运动叫做漂移电流。
漂移运动产生的电流叫做漂移电流。
漂移电流=空穴漂移电流+电子漂移电流。
方向与扩散电流方向相反。
3.PN结两端接触电势及其表达方式；接触电势与电池的开路电压有关，说明影响太阳电池开路电压的因素。
答：接触电势是PN结空间电荷区两端的电势差Vo。
表达式：影响因素：1.与n区和p区中净摻杂浓度有关（Nd,Na）有关，摻杂浓度越大，V0越大即太阳电池的开路电压Voc越大。
2.与半导体材料种类有关，不同半导体有不同的本征载流子浓度（ni），在同样摻杂浓度下，其Vo不同即Voc不同。
3.温度T有关温度愈高ni愈大，Vo愈小，所以随环境温度增高，太阳电池Voc成指数下降。
4.了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
答：特性：势垒区中的电场减小，由Vo变为（Vo-V）；势垒高度减小，由eV0变为e（Vo-V）；势垒区宽度w减小。
一：1、 单晶硅晶胞常数为0.543 nm,计算（100），（110），（111）晶面的面间距和原子密度 （110）面：面间距：0.543nm ；面密度：6.783nm-2(110)面：面间距：0.768nm ；面密度：4.748nm-2（111）面：面间距：0941nm ；面密度：7.801nm-22、 举例说明晶体缺陷主要类型缺陷分为：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷点缺陷：肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷，反结构缺陷线缺陷：位错，分为刃行位错、螺旋位错面缺陷：层错，常见的有外延层错、热氧化层错体缺陷：有空洞、夹杂物、沉淀等3、 画出PN 结能带图及载流子分布PN 结能带图：载流子分布：4、 简述光生伏特效应1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n 结；2）p 、n 区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；3）非平衡载流子破坏原来的热平衡；4）非平衡载流子在内建电场作用下，n 区空穴向p 区扩散，p 区电子向n 区扩散；5）若p-n 结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
p p0 n n0 n p0 p n0 X p X n X p(x) n(x)5、简述硅太阳能电池工作原理太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应，硅太阳能电池的基本材料为P型单晶硅，上表面为N+型区，构成一个PN＋结。
顶区表面有栅状金属电极，硅片背面为金属底电极。
上下电极分别与N＋区和P区形成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。
当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于硅禁带宽度的光子在N+区，PN ＋结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。
各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发光电压作出贡献。
光生电子留于N＋区，光生空穴留于P区，在PN＋结的两侧形成正负电荷的积累，产生光生电压，此为光生伏打效应。
当光伏电池两端接一负载后，光电池就从P区经负载流至N＋区，负载中就有功率输出。
6、如何从石英砂制取硅？简要框图说明从石英到单晶硅的工艺加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长SiO2+4HCl=SiCl4+2H2O SiCl4+2H2=Si+4HCl 首先对石料分拣出纯石英石，然后用水冼机去皮清污，然后由胶带运送至破裂机粗粉碎，细碎的石料进入磁选振念头筛分出两种石英石：对知足精制的石英砂，举行酸冼、水冼、去铁、去硫去除杂质，再细粉碎或经球磨机制成超细粉未，按目数分级制品，末了包装入库;对不能知足精制的石英砂料，再经破裂后制成低端粗制石英砂产品and供炼钢厂做炉底料。
增长中端精制石英砂产品线，对原料深加工可以有用地进步经济效益。
7、简述半导体硅中的杂质对其性能的影响1）杂质对材料导电类型的影响当材料中共存施主和受主杂质时，他们将互相发生补偿，材料的导电类型取决于占优势的杂质。
对于硅材料，当Ⅲ族杂质元素在数量上占优势时，材料呈现P型，反之当Ⅴ族元素占优势时则呈现N型，当两者数量接近，他们相互补偿，结果材料将呈现弱N型或弱P型。
2)杂质对材料电阻率的影响半导体材料的电阻率一方面与载流子浓度有关，另一方面又与载流子的迁移率有关。
同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率越低。
如果半导体中存在多种杂质，通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围。
在有杂质补偿的情况下，电阻率主要由有效杂质浓度（NA-ND）或（ND-NA）决定。
但是总的杂质浓度N1=NA+ND也会对材料的电阻率产生影响，因为当杂质浓度很大时，杂质对载流子的散射作用会大大降低其迁移率。
3）杂质对非平衡载流子寿命的影响半导体材料中的杂质和缺陷，对非平衡载流子寿命有重要的影响，特别是重金属杂质，它们具有多重能级而且还是深能级，这些能级在禁带中好像台阶一样，对电子和空穴的复合起“中间站”的作用，成为复合中心。
它捕获导带中的电子和价带中的空穴使两者复合，这就大大缩短了非平衡载流子的寿命。
8、以P掺入Si为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和N型半导P在硅中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质。
P在硅中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质。
磷原子占据硅原子的位置。
磷原子有五个价电子。
其中四个价电子与周围的四个硅原于形成共价键，还剩余一个价电子。
这个多余的价电子就束缚在正电中心P＋的周围。
价电子只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电电子在晶格中自由运动，这时磷原子就成为少了一个价电子的磷离子P ＋，它是一个不能移动的正电中心。
上述电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程称为杂质电离。
施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n 型半导体。
9、 以B 掺入Si 为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和P 型半导体B 在硅中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，所以称它们为受主杂质。
B 原子占据，硅原子的位置。
硼原子有三个价电子。
与周围的四个硅原子形成共价键时还缺一个电子，就从别处夺取价电子，这就在Si 形成了一个空穴。
这时B 原子就成为多了一个价电子的硼离子B －，它是一个不能移动的负电中心。
空穴束缚在正电中心B －的周围。
空穴只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电空穴在晶格中自由运动，使空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的能量称为受主杂质电离能。
受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p 型半导体。
10、 解释平衡载流子和非平衡载流子并举例说明a\在热平衡状态半导体中, 载流子的产生和复合的过程保持动态平衡，从而使载流子浓度保持定值，则处于此种状态下的载流子为平衡载流子。
b\处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。
比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。
Sin cm -⋅Ω的电阻率为举例1:310340315010,101.3105.5---=∆=∆⎪⎩⎪⎨⎧⨯=⨯=cm p n cm p cm n 非平衡载流子浓度其平衡载流子浓度00p p n n >>∆<<∆而则⎪⎩⎪⎨⎧≈∆≈∆+=⨯≈≈∆+=--31003150010105.5n n n cm p p p p cm n二：1、如何控制直拉法生长单晶硅的电阻率均匀性（1）直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡，就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。
方法：变速拉晶法，双坩埚法。
（2）径向电阻率均匀性的控制①固液交界面平坦度的影响。
平坦的固液界面其径向电阻率均匀性比较好，为了获取径向电阻率均匀的单晶，必须调平固液界面，方法：a.调整晶体生长热系统，使热场的径向温度梯度变小。
b.调节拉晶运行参数。
c.调整晶体或坩埚的转速，增加晶转会使固体固体界面由下向上运动的高温液流增大，使界面由凸变凹。
d.增大坩埚内径与晶体直径的比值，会使固体界面变平，还能使位错密度及晶体中氧含量下降。
②小平面效应的影响。
由于小平面效应，小平面区域电阻率会降低，严重时会出现杂质管道芯。
2、Cz硅单晶生长工艺中影响纵向电阻率均匀性主要因素有哪些？如何改善（含原理）影响因素：分凝、蒸发、坩埚污染。
改善：1）变速拉晶法：Cs=KCl是基本原理，实际上K应该为Keff，其随着转速f的增加而增大。
通过速度f的改变可以调节晶体的电阻率。
2）双坩埚法（连通坩埚法、浮置坩埚法）：针对K<1的杂质情况，拉晶过程中在内坩埚熔体减少时外坩埚的熔体补充进来，使熔体杂质浓度的增加减缓，使长成的晶体的电阻率比较均匀。
3、影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素及改善措施影响因素：分凝、蒸发、坩埚污染改善措施 1. 有效抑制热对流，减小了熔体中的温度波动，使液面平整。
ΔT：10℃→ 1℃( 0.2T)，基本消除生长条纹 2. 减少熔硅与坩埚作用，使坩埚中杂质较少进入熔体，并可有效控制晶体中氧浓度。
3. 由于磁粘滞性，使扩散层厚度增大，Keff 增大，提高了杂质纵向分布的均匀性 4. 提高生产效率4、800g高纯多晶硅拉制电阻率为20～50Ω•cm的N型硅单晶，试拉单晶为P型，头部电阻率为250Ω•cm，应掺入多少电阻率为8×10-3Ω•cm的P-Si合金？已知：坩埚直径13cm，从熔化到放肩约为1小时，由ρ-N图得到8×10-3Ω•cm对应浓度为7×1018cm-3，E磷=10-3 cm，K磷=0.53，K硼=0.8，d硅 = 2.5g •cm-3解：C l1=C s1/K硼=5×1013÷0.8=6.25×1013cm-3C l2=C s2/K磷=1×1014÷0.35=2.86×1014cm-3试拉为P型，而拉制的要求为N型，所以：C l=C l1+C l2=3.5×1014cm-3考虑到蒸发问题：C l0=C lx exp(-EAt/V)=4.0×1014cm-3则合金的量为：M合金=W硅C l0/C m≈4.6×10-2g5、从形态、质量、能耗、大小、晶体形状及电池效率对比直拉单晶硅和铸造多晶硅的性质在形态上，直拉单晶硅形状一般为圆柱形，而铸造多晶硅一般铸造成硅锭，为方形。
在质量上由于单晶的工艺要求较高，其纯度一般要求在六个九以上；而相对的，铸造多晶硅的纯度要求相对较低。
在能耗上，单晶由于有拉晶的过程，相对能耗远大于铸造多晶硅。
在晶体形状上，单晶硅的形状比较规则，其中晶体的缺陷明显较少，多晶硅只满足短程有序，其形状规则性较差。
在制造成的电池片效率上看，单晶的效率明优于多晶硅，单晶电池片的转化效率一般能超过百分之二十，而多晶在百分之十几。
6、简述多晶硅的铸造原理及工艺多晶硅的生产方法主要包含：SiCl4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法而太阳能级多晶硅还包含以下方法生产：冶金法、气液沉淀法、重掺硅废料提纯法多晶硅的提纯一般来自于工业硅，其原理工艺如下：生成三氯氢硅：Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2+Q提纯三氯氢硅：萃取法、络合物法、固体吸附法、部分水解法、精馏法通过氢气还原三氯氢硅生成高纯度硅、铸锭7、晶体生长中调平固液界面的目的是什么？有哪些主要方法目的是控制纵向电阻率均匀性。
调平固液界面的方法：1）调整生长热系统，使径向温度梯度变小；2）调节拉晶参数：凸界面，增加拉速；凹界面；3）降低拉速调整晶体或坩埚的转速，增大晶转：使凸变凹，增大埚转：使凹变凸；4）增大坩埚与晶体直径的比值，使固液界面变平坦，同时可降低位错及氧含量。
