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微电子器件 课后答案 第三版

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微型计算机原理第三版课后答案

微型计算机原理第三版课后答案

微型计算机原理第三版课后答案1. 什么是微型计算机的基本组成部分？微型计算机的基本组成部分包括中央处理器（CPU）、内存、输入设备、输出设备和存储设备。

中央处理器是微型计算机的大脑，负责执行程序和处理数据；内存用于临时存储数据和程序；输入设备用于将数据输入到计算机；输出设备用于将计算机处理的数据输出；存储设备用于长期存储数据和程序。

2. 什么是微处理器？微处理器是一种集成电路芯片，包含了中央处理器的所有功能。

它是微型计算机的核心部件，负责执行计算机指令和处理数据。

微处理器的性能和功能决定了微型计算机的整体性能和功能。

3. 什么是时钟频率？时钟频率是微处理器内部时钟的频率，用于控制微处理器内部操作的速度。

时钟频率越高，微处理器执行指令的速度越快，计算机的整体性能也越好。

4. 什么是总线？总线是微型计算机内部各部件之间传输数据和信号的通道。

它包括地址总线、数据总线和控制总线，用于传输地址、数据和控制信号。

总线的宽度和速度决定了微型计算机的数据传输速度和性能。

5. 什么是存储器？存储器是用于存储数据和程序的设备，包括内存和外存。

内存用于临时存储数据和程序，外存用于长期存储数据和程序。

存储器的容量和速度影响了微型计算机的运行速度和存储能力。

6. 什么是输入输出设备？输入输出设备用于将数据输入到计算机和将计算机处理的数据输出。

常见的输入设备包括键盘、鼠标、扫描仪等，输出设备包括显示器、打印机、音响等。

输入输出设备的种类和性能决定了用户与计算机之间的交互方式和体验。

7. 什么是操作系统？操作系统是微型计算机的核心软件，负责管理计算机的硬件资源和提供用户界面。

它包括文件管理、内存管理、进程管理等功能，为用户和应用程序提供了一个统一的接口。

8. 什么是计算机网络？计算机网络是将多台计算机通过通信设备连接起来，实现数据和资源共享的系统。

它包括局域网、广域网、互联网等，为用户提供了全球范围的信息和服务。

9. 什么是计算机安全？计算机安全是保护计算机系统和数据不受非法侵入和破坏的技术和方法。

微电子器件课后答案(第三版)

微电子器件课后答案(第三版)
2 qVBE ni qVBE 又由 nB (0) np0 exp exp ， kT N B kT kT nB (0) N B kT 得：VBE ln , 将 、nB (0)、N B 及 ni 之值代入， 2 q ni q
Hale Waihona Puke 得：VBE 0.55V WB2 1 WB 已知： 1 1 , 将 n 106 s 及 WB 、DB 2 LB 2 DB n
q
s
N D xn , 由此得：xn
q
s
N A xp , 由此得：xp
s Emax
qN A
(2) 对于无 I 型区的 PN 结： q xi1 0, xi2 0, E1 N D ( x xn ), s
在 x 0 处，电场达到最大， Emax q
E3 N D xn
0
AE q 2 DE ni2 1 QEO
1
再根据注入效率的定义，可得：
J pE QBO DE J nE J nE 1 1 J E J nE J pE J nE QBE DB
9、
I C AE J nC AE J nE
1 2
39、
qV I F I 0 exp kT dI F qI F gD dV kT kT 当 T 300K 时, 0.026 V, 对于 I F 10 mA 0.01 A， q 10 1 gD 0.385s, rD 2.6 26 gD kT 373 在 100C 时， 0.026 0.0323V, q 300 10 1 gD 0.309s, rD 3.23 32.3 gD

模电课后答案 第三版

模电课后答案 第三版
六、1、
UO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）A C（2）A（3）C（4）A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.20根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
1.21
1.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。
2.9（a）截止失真（b）饱和失真（c）同时出现饱和失真和截止失真
2.10（1）
（2）
2.11空载时，
2.12②①②①③
③②①③①
③③①③③
2.13（1）静态及动态分析：
(2)Ri增大，Ri≈4.1kΩ； 减小， ≈－1.92。
2.14
2.15Q点：
动态：
（d）×（e）×（f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
一、（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√
二、（1）A A（2）D A（3）B A（4）D B（5）C B
三、（1）B D（2）C（3）A（4）A C（5）B（6）C
四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/Re3＝0.3mAIE1＝IE2＝0.15mA

微电子器件期末复习题含答案

微电子器件期末复习题含答案
52、在高频下，基区渡越时间 b 对晶体管有三个作用，它们是：
（复合损失使小于 1β0*
小于 1）、
（时间延迟使相位滞后）和（渡越时间的分散使|βω*|减小）
。
53、基区渡越时间 b 是指（从发射结渡越到集电结所需要的平均时间）
。当基区宽度加
倍时，基区渡越时间增大到原来的（2）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数 随频率的（增加）而下降。当晶体管的 下
比例增大，使注入效率下降。
微电子器件（第三版）陈星弼
电子科技大学中山学院/——4
陈卉/题目 王嘉达/答案
答案为个人整理，如有错误请 仔细甄别 ！ 厚德 博学 求是 创新
34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（注入效率）
，反
而会使其（下降）
。造成发射区重掺杂效应的原因是（发射区禁带变窄）和（俄歇
（提高）基区掺
杂浓度。[P90]
47、比较各击穿电压的大小时可知，BVCBO（大于）BVCEO ，BVCBO（远大于）BVEBO。
48、要降低基极电阻 rbb ，应当（提高）基区掺杂浓度，
（提高）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（为了降低体电阻）
。
微电子器件（第三版）陈星弼
电子科技大学中山学院/——5
降到（
0
）时的频率，称为 的截止频率，记为（
2
f
）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数 随频率的（增加）而下降。当晶体管的 下
降到
1
0 时的频率，称为 的（截止频率），记为（ f ）。

2
56、当 f f 时，频率每加倍，晶体管的 降到原来的（½）

eda技术及应用第三版课后答案谭会生

eda技术及应用第三版课后答案谭会生

eda技术及应用第三版课后答案谭会生【篇一：《eda技术》课程大纲】>一、课程概述1.课程描述《eda技术》是通信工程专业的一门重要的集中实践课，是通信工程专业学生所必须具备的现代电子设计技术技能知识。

eda是电子技术的发展方向，也是电子技术教学中必不可少的内容。

本课程主要介绍可编程逻辑器件在电子电路设计及实现上的应用，介绍电路原理图和pcb图的设计技术。

开设该课程，就是要让学生了解大规模专用集成电路fpga和cpld的结构，熟悉一种以上的硬件描述语言，掌握一种以上的开发工具的使用等，掌握电路原理图和pcb图的现代设计技术与方法，从而提高学生应用计算机对电子电路和高速智能化系统进行分析与设计的能力。

2.设计思路本课程坚持“以学生为中心”的原则，以项目任务驱动的方式，采取理论知识与案例相结合的方式授课，提高学生的学习主动性。

通过必要的理论知识讲授、大量的实践训练和案例分析，培养学生的动手设计和实践能力，掌握eda开发的整个流程和基本技巧。

课程采用演示讲授和实践相结合，边讲边练的方法，让学生切身体会并掌握eda开发产品的流程和方法。

本课程集中2周时间开设，注重实践性，边讲边练，让学生切身体会并掌握eda开发技术。

3.实践要求（1）纪律和安全要求①不得将食物带入实验室，每次实训后请将使用后的废弃物带走。

违反者每次扣罚平时分2分。

②实训期间不得做与实训无关的其他事情，不得大声喧哗或做其他影响实训正常进行的事宜。

违反者每次扣罚平时分2分。

③实训期间，若学生有事不能正常参加实训，须提前以书面形式请假，并按指导教师的安排补做实训。

未经指导教师许可，学生不得任意调换实训时间和实训地点。

违反者每次扣罚平时分4分。

④学生不得以任何理由替代他人进行实训，违者直接取消实训成绩。

⑤学生除操作自己所分配的计算机外，不得操作实验室内其他任何设备。

违者每次扣罚平时分2分。

（2）业务要求实训所使用的软件protel和quartus ii，所有数据均通过服务器中转以及储存在服务器上，所以重启自己所用的电脑不会造成数据丢失。

微电子器件第三版教学设计

微电子器件第三版教学设计

微电子器件第三版教学设计1. 课程目标本教学设计旨在让学生通过学习微电子器件的相关知识，掌握微电子制造技术和器件的物理特性，培养学生的实际操作能力和团队协作精神，提升学生创新能力和综合素质。

2. 教学内容和安排2.1 教学内容本教学设计包括以下内容：•微电子器件的基本概念和分类•微电子器件的制造工艺和设备•微电子器件的物理特性和应用•微电子器件测试与检测技术2.2 教学安排本教学设计将分为以下阶段：•第一阶段：讲授微电子器件的基本概念和分类，以及微电子器件的制造工艺和设备。

学生将在课上了解微电子器件技术现状和未来发展方向。

•第二阶段：学生将进行微电子器件的制造和加工实验。

此阶段注重学生实践操作能力的培养，让学生了解微电子器件的制造流程和技术原理。

•第三阶段：学生将学习微电子器件的物理特性和应用。

通过案例分析，让学生了解微电子器件在各个领域的应用。

•第四阶段：学生将进行微电子器件测试与检测实验。

学生将了解微电子器件测试的方法和技术，并掌握微电子器件检测技术的实践操作能力。

3. 教学方法本教学设计将采用以下教学方法：•讲授法：通过课堂讲解，让学生了解微电子器件的基本概念、制造工艺和物理特性等相关知识。

•实验教学法：通过实验操作，让学生掌握微电子器件制造和测试技术。

•案例教学法：通过案例分析，让学生了解微电子器件在各个领域的应用。

并在小组内讨论分析，增强学生团队协作精神和创新能力。

•互动式教学法：通过课堂问答、小组讨论等互动方式，加深学生对微电子器件相关知识的理解和记忆。

4. 教学评价为了对学生的学习情况进行评价，本教学设计将采用以下方式：•课堂作业和考试：通过课堂作业和考试，评价学生对微电子器件的掌握程度和理解能力。

•实验报告评分：通过实验报告的评分，评价学生的实际操作能力和团队协作精神。

•课堂表现评分：通过课堂表现的评分，评价学生的参与精神和互动能力。

5. 教材本教学设计将以以下教材为主：•微电子器件（第三版），作者：黄宗武等6. 总结通过本教学设计，学生将从多个角度了解微电子器件的相关知识，掌握微电子制造技术和器件的物理特性，增强实际操作能力和团队协作精神，提升创新能力和综合素质。

单片机原理及应用(第三版)课后习题答案完整版

第1章思考题及习题1参考答案一、填空1. 除了单片机这一名称之外，单片机还可称为或。

答：微控制器，嵌入式控制器.2.单片机与普通微型计算机的不同之处在于其将、、和三部分，通过内部连接在一起，集成于一块芯片上。

答：CPU、存储器、I/O口、总线3. AT89S52单片机工作频率上限为 MHz。

答：33 MHz。

4. 专用单片机已使系统结构最简化、软硬件资源利用最优化，从而大大降低和提高。

答：成本，可靠性。

二、单选1. 单片机内部数据之所以用二进制形式表示，主要是A．为了编程方便B．受器件的物理性能限制C．为了通用性D．为了提高运算速度答：B2. 在家用电器中使用单片机应属于微计算机的。

A．辅助设计应用B．测量、控制应用C．数值计算应用D．数据处理应用答： B3. 下面的哪一项应用，不属于单片机的应用范围。

A．工业控制 B．家用电器的控制 C．数据库管理 D．汽车电子设备答：C三、判断对错1. STC系列单片机是8051内核的单片机。

对2. AT89S52与AT89S51相比，片内多出了4KB的Flash程序存储器、128B的RAM、1个中断源、1个定时器（且具有捕捉功能）。

对3. 单片机是一种CPU。

错4. AT89S52单片机是微处理器。

错5. AT89C52片内的Flash程序存储器可在线写入，而AT89S52则不能。

错6. 为AT89C51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89C51直接用芯片AT89S51替换。

对7. 为AT89S51单片机设计的应用系统板，可将芯片AT89S51直接用芯片AT89S52替换。

对8. 单片机的功能侧重于测量和控制，而复杂的数字信号处理运算及高速的测控功能则是DSP的长处。

对四、简答1. 微处理器、微计算机、微处理机、CPU、单片机、嵌入式处理器它们之间有何区别？答：微处理器、微处理机和CPU它们都是中央处理器的不同称谓，微处理器芯片本身不是计算机。

而微计算机、单片机它们都是一个完整的计算机系统，单片机是集成在一个芯片上的用于测控目的的单片微计算机。

数电第三版课后答案(共19页)

数电第三版课后答案[模版仅供参考，切勿通篇使用]篇一：数电答案蔡良伟(完整版)数字电路答案第一章习题1-1（1）221*8010=2*8+6=268268=2?6?=101102010110101102=0?0010?110=1616 16（2） 10821010=1*8+5*8+4*8=15481548=1?5??4=11011002 00110110011011002=0?1101?100=6C16 6C（3）*80-110=1*8+5+1*8==1?5?.1?= 001101001=1??010= D2（4）-110=2*8+0*8+3*8+5*8==2?0?3?.5?= 010*********=1?0000??010= 83A1-2（1）1011012=1?011?01=558 551011012=0?0101?101=2D16 2D555*81+5*808==4510（2）111001012=0?111?001? 01=3458 345111001012=1?1100?101=E516 E534528=3*8+4*81+5*80=22910（3）=1??011?00= 514=0??011= 53-184=5*+81*+8-42=*851 0.1875（4）=1?001?? 01= 474=0?0100??010= 27A?4*81?7*80?5*8?1? 1-3（1）161+6*808=1*8=1410168=1?6?=1110200111011120=?11=10E16E（2）1722108=1*8+7*8+2*8=12210 1728=1?7??2=11110102 001111010 11110102?0111?1010??7A167A（3）-1-28=6*8+1*8+5*8+3*8= =6?1?.5?3?= 110001101011=0?0110??0101?100= 31AC（4）-1-28=1*8+2*8+6*8+7*8+4*8= =1?2?6?.7??4 = 001010110111100=0?1010??111= 56F1-4 （1）2A16=2??A=1010102 001010101010102=1?010?10=528 52521+2*808=5*8=4210（2）B2F16=B?2?F?=1011001011112 1011001011111011001011112=1?011?001? 011?11=54578 54575457=5*83+4*82+5*81+7*80 8=286310（3）=D?3?.E?= 110100111110=0?110?100??11= 3237-18=3*8+2*8+3*8+7*8= （4）=1?C?3?.F?9?= 00011100001111111001=1?110?000??111?100?10= 73762*81+3*80+7*8-1+6*8-2+2*8-38=7*8+=（1）A(B?C)?AB?AC左式＝右式，得证。

PLC第三版课后答案

第一章作业参考答案2、何谓电磁机构的吸力特性与反力特性？吸力特性与反力特性之间应满足怎样的配合关系？答：电磁机构使衔铁吸合的力与气隙长度的关系曲线称作吸力特性；电磁机构使衔铁释放（复位）的力与气隙长度的关系曲线称作反力特性。

电磁机构欲使衔铁吸合，在整个吸合过程中，吸力都必须大于反力。

反映在特性图上就是要保持吸力特性在反力特性的上方且彼此靠近。

3、单相交流电磁铁的短路环断裂或脱落后，在工作中会出现什么现象？为什么？答：在工作中会出现衔铁产生强烈的振动并发出噪声，甚至使铁芯松散得到现象。

原因是：电磁机构在工作中，衔铁始终受到反力Fr的作用。

由于交流磁通过零时吸力也为零，吸合后的衔铁在反力Fr 作用下被拉开。

磁通过零后吸力增大，当吸力大于反力时衔铁又被吸合。

这样，在交流电每周期内衔铁吸力要两次过零，如此周而复始，使衔铁产生强烈的振动并发出噪声，甚至使铁芯松散。

5、接触器的作用是什么？根据结构特征如何区分交、直流接触器？答：接触器的作用是控制电动机的启停、正反转、制动和调速等。

交流接触器的铁芯用硅钢片叠铆而成，而且它的激磁线圈设有骨架，使铁芯与线圈隔离并将线圈制成短而厚的矮胖型，这样有利于铁芯和线圈的散热。

直流接触器的铁芯通常使用整块钢材或工程纯铁制成，而且它的激磁线圈制成高而薄的瘦高型，且不设线圈骨架，使线圈与铁芯直接接触，易于散热。

8、热继电器在电路中的作用是什么？带断相保护和不带断相保护的三相式热继电器各用在什么场合？答：热继电器利用电流的热效应原理以及发热元件热膨胀原理设计，可以实现三相电动机的过载保护。

三角形接法的电动机必须用带断相保护的三相式热继电器；Y形接法的电动机可用不带断相保护的三相式热继电器。

9、说明热继电器和熔断器保护功能的不同之处。

答：热继电器在电路中起过载保护的作用，它利用的是双金属片的热膨胀原理，并且它的动作有一定的延迟性；熔断器在电路中起短路保护的作用，它利用的是熔丝的热熔断原理，它的动作具有瞬时性。

微电子器件 (附答案) (第三版)


DE DB
−1
9、
= IC
A= E JnC
AE β= ∗ JnE
AE β
∗
qDBni2 WB NB
exp
qVBE kT
式中，β ∗
= 1− 12
WB LB
2
= 1− WB2
2DBτ B
= 0.9986
将 A=E 104 μm2 ，β=∗ 0.9986, =q 1.6 ×10−19 C,
15、
γ
= 1− DEWB NB ，γ
DBWE NE
npn
= 1− DpWB NB , DnWE NE
γ
pnp
= 1− DnWB NB DpWE NE
由 D kT 可知，D ∝ µ µq
µn > µp , ∴ Dn > Dp , γ npn > γ pnp
β∗
= 1− WB2 ,
2DBτ B
β* npn
当 xi 增大时，Emax 减小, 当 xi → ∞sh时a， nrEenmax → 0
20、
已知： = σ p σn
= 由于 Jdp
= J dn
因此
J d=p J dn
qµ= p NA µp NA >> 1 qµn ND µn ND
qDp ni2 Lp ND
exp
qV kT
−
1
qDn ni2 Ln NA
shanren
6、
ND2
ND1
由平衡时多子电流为零
Jn
=
qDn
dn dx
+
qµn nE
=
0
得： E =− Dn ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ 1 ⋅ dn =− kT ⋅ d ln n
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DE 2= cm2s−1, DB 18cm2s−1, 代入γ = 中，得：γ 0.9972
(2) β ∗ = 1− WB2 = 0.9999 2DBτ B
(3) = α γ= β ∗ 0.9971，=β α= 344 1−α
(4) 当由基区输运造成的亏损非常小时，可假设 β ∗ = 1，这时
可用 β ' ≈ QEODB 来代替β 。
=100
shanren
6、
由 JnE
q= DBWnBB (0) , 可得：nB (0)
JnEWB , qDB
将
JnE = 0.1Acm−2 , WB = 2 ×10−4 cm, q = 1.6 ×10−19 C, DB = 15cm2 ⋅ s−1
之值代入，得： nB= (0) 8.33×1012 cm−3
当 xi 增大时，Emax 减小, 当 xi → ∞sh时a， nrEenmax → 0
20、
已知： = σ p σn
= 由于 Jdp
= J dn
因此
J d=p J dn
qµ= p NA µp NA >> 1 qµn ND µn ND
qDp ni2 Lp ND
exp
qV kT
−
1
qDn ni2 Ln NA
q
εs
ND= , E1
q
εs
ND x + C1
边界条件：在
x
=− xi1
−
xn
处，E1
=0，由此得：E1
=q
εs
ND(x +
xi1
+
xn )
在 I 型区， = dE2 dx
0, = E2
常= 数
Emax
在 P型区，
dE3 dx
= − εqs NA
,
E3 = − εqs NA x + C3
边界条件：在 x =xi2 + xp 处，E3 =0，由此s得h：aEnr3 e= n− εqs NA (x − xi2 − xp )
15、
γ
= 1− DEWB NB ，γ
DBWE NE
npn
= 1− DpWB NB , DnWE NE
γ
pnp
= 1− DnWB NB DpWE NE
由 D kT 可知，D ∝ µ µq
µn > µp , ∴ Dn > Dp , γ npn > γ pnp
β∗
= 1− WB2 ,
2DBτ B
β* npn
= kT ln ND1 q ND2
将 kT q
= 0.026V , ND1 = 1×1020 cm−3 , ND2
= 1×1016 cm−3
代入= ，得：Vbi 0= .026 ln(104 ) 0.24 V
shanren
7、由第 6 题：
E = − kT ⋅ 1 ⋅ dn = − kT ⋅ 1 ⋅ dN (x) q n dx q N (x) dx
AEq2 DBni2 QBO
exp
qVBE kT
−1
J pE
∫0WqEDNEnEid2 x= exp qkVTBE −1
AEq2 DEni2 QEO
exp
qVBE kT
−1
再根据注入效率的定义，可得：
γ
= JnE =JnE JE JnE + JpE
= 1 +
J J
pE nE
−s1 h= an1r+enQQBBOE
exp
qV kT
−1
Ln Dp N=A Ln ⋅ µp NA >> 1 Lp Dn ND Lp µn ND
shanren
24、 PN 结的正向扩散电流为
I
=
I0
exp
qV kT
式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为
=I
C= 1ni2 exp qkVT
C2
exp
EG (G= e) 0.66eV, ni (G= e) 2.4 ×1013 cm−3,
εOX =3.9 × 8.854 ×10−14 =3.453×10−13 F cm
shanren
第2章
1 、在 N 区耗尽区中，高斯定理为：
∫ ∫ E
dA =
q
A
εs
V NDdv
取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处， 面积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得：
qI F kT
300K 时= , kT q
0.026 V, 对= 于 IF
1= 0 mA
0.01 A，
g=D
1=0 26
0.385 s,
= rD
1= gD
2.6 Ω
在 100°C 时，kT = 0.026 × 373 = 0.0323 V,
q
300
g=D
10= 32.3
0.309 s,
= rD
= 1 gD
DB = 18cm2 ⋅ s−1, ni = 1.5×1010 cm−3, WB = 0.7 ×10−4 cm，
NB
1017 c= m−3 , VBE
0= .7 V, kT q
0.026 V 之值代入，
得：IC = 4.55 (mA)
= α
γβ=∗
0.9936, =β
α= 1− α
155,
I=B
I=C
3.23 Ω
shanren
第3章
1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图
NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图
shanren
2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图
pE0
nB0
pC0
shanren
3、
=β I=C1 80
I B1
β0
= dIC dIB
≈
∆IC ∆IB
= IC2 − IC1 IB2 − IB1
DE DB
−1
9、
= IC
A= E JnC
AE β= ∗ JnE
AE β
∗
qDBni2 WB NB
exp
qVBE kT
式中，β ∗
= 1− 12
WB LB
2
= 1− WB2
2DBτ B
= 0.9986
将 A=E 104 μm2 ，β=∗ 0.9986, =q 1.6 ×10−19 C,
K
1
(Vbi −V )2
当
Vbi
= 0.6 V, V = −3V 时， CT
= K = 10 pF , 由此可得 3.6
K 1= 0 3.6, 因此当 V 0.2 V时，
= CT
10 = 3.6 0.4
1= 0 9
30 (pF)
shanren
39、
IF
=
I0
exp
qV kT
= 当 T
= gD
d= I F dV
QBO DE
β ' ≈ QEODB = 360, 误差为： | e |= | β '− β | = 4.7%
QBO DE
β shanren
14、 已知
IC
=
QB
τb
若假设 γ=
1，则 IB=
I=r
QB
τB
所以 =β I=C τ B IB τb
本题与第 10 题的第(4)小题分别是两种极端情况。
shanren
−EG + kT
qV
于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为
dI dT
C= 2 exp −EGkT+ qV −E−GkT+ 2qV
I
EG − qV kT 2
1 ⋅ dI = EG − qV
I dT
kT 2
shanren
31、 当 N- 区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：
N
I
P
−xi1 − xn −xi1 0 xi2
xi2 + xp
E2 = Emax E
E1
E3
−xi1 − xn −xi1 0 xi2
x
xi2 + xp
在
x
= −xi1 处，E1
= Emax = εqs ND xn , 由此得：xn
= εs Emax
qND
在=x
xi2 处，= E3
E= max
q
εs
NDNA ni2
Emax
=
xn
2Vbi + 2xi +
xp
式中，x=i xi1 + xi2
= 将 xn
ε= qs ENmDax , xp
εs Emax
qNA
代入，解出 Emax ，得：
1
Emax
=
qN0 xi
εs
1 +
2ε sVbi
qN0 xi2
2
−1
1
对于PN结，可令 xi → 0，得：Emax = 2qNεs0Vbi 2
= 10−6 s 及 WB 、DB
之值代入，得：β ∗ = 0.9987。
shanren
7、
τb =
WB2 2DB
⋅2
η
1 −
1
η
=
1.125 ×10−11 (s)
8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时， 由式（3-33a）和式（3-33b），
J nE
∫0WqBDNBnBid2 = x exp qkVTBE −1