磁场测量讲义
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大学物理实验讲义实验12用霍尔效应法测量磁场实验名称:用霍尔效应法测量磁场实验目的:1. 学习使用霍尔效应测量磁场;2. 熟悉实验仪器和操作方法。
实验器材:1. 霍尔效应磁场测量仪;2. 电磁铁;3. 直流电源;4. 万用表。
实验原理:霍尔效应是指将电流通过一个导体时,如果该导体处于垂直于磁场方向的磁场中,导体上将会产生一个电压,这个电压称为霍尔电压。
霍尔电压与磁场的强度具有一定的关系,可以通过测量霍尔电压来测量磁场的强度。
根据霍尔效应的原理,可得到以下公式:\[E_H = K \cdot B \cdot I\]其中,E_H为霍尔电压,K为霍尔常数,B为磁场强度,I为通过导体的电流。
实验步骤:1. 连接实验仪器。
将实验仪器的电源接入直流电源,将电磁铁的输入端接入直流电源的正极,将输出端接入实验仪器的霍尔电压测量端。
2. 调节电磁铁的电流。
通过调节直流电源的电流大小,控制电磁铁的磁场强度。
3. 测量霍尔电压。
通过实验仪器的读数,记录下给定电流下的霍尔电压。
4. 重复步骤2和步骤3,分别记录不同电流下的霍尔电压值。
5. 绘制电流与霍尔电压的图线。
6. 根据拟合直线的斜率和霍尔常数的关系,计算磁场强度。
注意事项:1. 实验过程中,要注意安全,避免触电和磁场对身体的影响。
2. 测量时需保持实验环境的恒温和较低的干扰。
3. 操作仪器时要注意仪器的使用说明,避免操作不当导致误差。
4. 测量结果的精度和准确性取决于实验仪器的精度、操作人员的技术水平和实验环境的条件等因素。
实验结果:根据测量所得的电流和霍尔电压数据,绘制出电流与霍尔电压的图线。
利用图线的斜率和霍尔常数的关系,计算出磁场的强度。
实验 3.1.8 用霍尔法测直流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场在工业、国防、科研中都需要对磁场进行测量,测量磁场的方法有很多,如冲击电流计法、霍耳效应法、核磁共振法、天平法、电磁感应法等等,本实验介绍霍尔效应法测磁场的方法,它具有测量原理简单、测量方法简便及测试灵敏度较高等优点。
实验目的和任务1. 学习用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
2. 了解圆线圈和亥姆霍兹线圈磁场的特点。
3. 测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。
实验仪器、设备及材料FB511型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪。
实验原理1. 载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 (1) 载流圆线圈的磁场根据毕奥-萨伐尔定律,N 匝半径为R ,通以电流强度为I 的圆线圈,其轴线上某点的磁感应强度为:2022322()N IR B R x μ=+ (1)式中x 为轴线上某点到圆心O 点的距离,710410H m μπ--=⨯⋅,其磁感应强度B 在轴线上的分布如图1(a )所示。
图1在流线圈的磁感应强度B 分布(a)(b)本实验取400N =匝、400I mA =及0.100R m =,则在圆心O 点0x =处,可算得磁感应强度 100053.13T B -⨯=。
(2) 亥姆霍兹线圈的磁场所谓亥姆霍兹线圈是指大小相同,间距等于其半径,通以电流的强度和方向相同,且平行共轴的一对圆线圈,如图1(b )所示。
设亥姆霍兹线圈轴线上某点离原点O (两线圈圆心连线的中点)的距离为x ,则其磁感应强度大小为32322222201()()222R R B NIR R x R x μ--⎧⎫⎪⎪⎡⎤⎡⎤=++++-⎨⎬⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎪⎪⎩⎭(2)这种线圈的特点是能在其原点O 附近产生较大的均匀磁场区域。
这种均匀磁场在生产和科学实验中应用十分广泛,例如,显像管中的行、场偏转线圈就是根据实际情况经过适当变形的亥姆霍兹线圈。
2. 用霍尔效应测磁场的原理在匀强磁场B 中放一板状导体,使导体板面与B 方向垂直(如图2所示),如果在板状导体中沿着与磁场B 垂直的方向通以电流H I ,那么导体在垂直于电流和磁场方向的两端就会产生一定的电势差H U ,这种现象称为霍尔效应,电势差H U 称为霍尔电压。
实验15 磁阻效应法测量磁场物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应,磁阻传感器利用磁阻效应制成。
磁场的测量可利用电磁感应,霍尔效应,磁阻效应等各种效应。
其中磁阻效应法发展最快,测量灵敏度最高。
磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化,如弱磁场测量,地磁场测量,各种导航系统中的罗盘,计算机中的磁盘驱动器,各种磁卡机等等。
也可通过磁场变化测量其它物理量,如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器,各种接近开关,隔离开关,广泛用于汽车,家电及各类需要自动检测与控制的领域。
磁阻元件的发展经历了半导体磁阻(MR ),各向异性磁阻(AMR ),巨磁阻(GMR ),庞磁阻(CMR )等阶段。
本实验研究AMR 的特性并利用它对磁场进行测量。
【实验目的】1. 了解AMR 的原理并对其特性进行实验研究。
2. 测量赫姆霍兹线圈的磁场分布。
3. 测量地磁场。
【仪器用具】ZKY-CC 各向异性磁阻传感器(AMR )与磁场测量仪【实验原理】各向异性磁阻传感器AMR (AnisotropicMagneto-Resistive sensors )由沉积在硅片上的坡莫合金(Ni 80 Fe 20)薄膜形成电阻。
沉积时外加磁场,形成易磁化轴方向。
铁磁材料的电阻与电流与磁化方向的夹角有关,电流与磁化方向平行时电阻R max 最大,电流与磁化方向垂直时电阻R min 最小,电流与磁化方向成θ角时,电阻可表示为:θ2min max min cos )(R R R R -+= (1)在磁阻传感器中,为了消除温度等外界因素对输出的影响,由4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥,结构如图1所示。
图1中,易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。
理论分析与实践表明,采用45度偏置磁场,当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场,且外磁场强度不太大时,电桥输出与外加磁场强度成线性关系。
无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时,磁化方向即易磁化轴方向,电桥的4个桥臂电阻阻值相同,输出为零。
电磁感应法测交变磁场_讲义电磁感应法测交变磁场在⼯业、国防、科研中都需要对磁场进⾏测量,测量磁场的⽅法有不少,如冲击电流计法、霍⽿效应法、核磁共振法、天平法、电磁感应法等等,本实验介绍电磁感应法测磁场的⽅法,它具有测量原理简单,测量⽅法简便及测试灵敏度较⾼等优点。
⼀、实验⽬的1.了解⽤电磁感应法测交变磁场的原理和⼀般⽅法,掌握201F B 型交变磁场实验仪及测试仪的使⽤⽅法。
2.测量载流圆形线圈和亥姆霍兹线圈的轴向上的磁场分布。
3.了解载流圆形线圈(或亥姆霍兹线圈)的径向磁场分布情况。
4.研究探测线圈平⾯的法线与载流圆形线圈(或亥姆霍兹线圈)的轴线成不同夹⾓时所产⽣的感应电动势的值的变化规律。
⼆、实验仪器FB 201-Ⅰ型交变磁场实验仪,信号频率可调范围30~200H z ,信号输出电流,单个圆线圈可 900m A ≥ ,两个圆线圈串联400m A ≥。
亥姆霍兹线圈每个400匝,允许最⼤电流1A 。
三、实验原理1.载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场:(1)载流圆线圈中⼼轴线上的磁场分布:⼀半径为R ,通以电流I 的圆线圈,轴线上磁场的公式为:2/322200)(2X R RI N B +=µ (1)式中0N 为圆线圈的匝数,X 为轴上某⼀点到圆⼼O '的距离,70410/,H m µπ-=?磁场的分布图如图1所⽰。
本实验取匝400N 0=,A 400.0I =,m 107.0R =,圆⼼O '处0X =,可算得磁感应强度为:T 10940.0B 3-?= , T 10328.1B 2B 3m -?==(2)亥姆霍兹线圈中⼼轴线上的磁场分布:两个相同圆线圈彼此平⾏且共轴,通以同⽅向电流I ,理论计算证明:线圈间距a 等于线圈半径R 时,两线圈合磁场在轴上(两线圈圆⼼连线)附近较⼤范围内是均匀的,这对线圈称为亥姆霍兹线圈,如图2所⽰。
这种均匀磁场在科学实验中应⽤⼗分⼴泛,例如,显像管中的⾏、场偏转线圈就是根据实际情况经过适当变形的亥姆霍兹线圈。
大学物理实验讲义实验12-用霍尔效应法测量磁场实验目的:1.熟悉霍尔效应的基本原理。
2.掌握用霍尔效应法测量磁场的方法。
3.了解LCR电路的基本原理及其在霍尔效应实验中的应用。
实验原理:1.霍尔效应当一个半导体片被放置在一个磁场中时,正常的电流方向将被改变,这是霍尔效应的重要特征。
在一个横向磁场中,电子将受到一个力,使它们沿一个轴移动,这个轴垂直于电流和磁场之间的平面。
由于电荷的分布而产生的电压称为霍尔电压,它与磁感应强度和电流成正比。
2.LCR谐振电路LCR谐振电路是一种电路,可以在给定频率下将电压最小化。
它包括一个电感,一个电容和一个电阻器。
在特定的谐振频率下,当电感和电容的电流达到平衡时,电阻器的电流将为零。
这时电路的表现出来的阻抗是最小的,因此在谐振频率下可以测量出磁场。
实验器材:霍尔效应实验装置、电源、导线、万用表、量角器、磁铁。
实验步骤:1.首先将霍尔效应实验装置放在静磁场中,并用万用表确认磁场的磁感应强度。
2.将红色电缆夹子连接到霍尔片上的直流电极,将黑色夹子连接到其左边的垂直电极,用导线将电缆夹子连接到电源上。
3.用万用表检查电源输出电压的值。
将电源输出电压调整到所需的范围。
4.将量角器放在霍尔片上,测量电流通过载流电极时,霍尔片的垂直电极与磁场之间的夹角。
5.打开电源,调整电流强度至所需范围。
6.将电阻器调至LCR电路上的电阻元件的最佳位置。
7.使用万用表或示波器测量在谐振频率下所具有的最小值。
8.再次使用量角器,测量电流通过霍尔片时,霍尔电压与磁场之间的夹角。
9.用霍尔电压和磁感应强度计算出霍尔常数。
1.通过等式VH = IBZH / e d,我们可以计算出横向电场的霍尔电压,其中IB是电流,ZH是霍尔电阻,e是电子的带电量,d是半导体晶片的厚度。
3.使用等式R = V/IH计算出霍尔电阻。
实验结果分析:通过实验数据处理,我们可以计算出霍尔电阻和霍尔常数,并使用它们来确定磁场的强度。
磁场一、基础知识要记牢1.安培力的大小F =BIL sin θ(其中θ为B 与I 之间的夹角)(1)若磁场和电流垂直:F =BIL ;(2)若磁场和电流平行:F =0。
(3)L 应为有效长度,即曲线的两端点连线在垂直于磁场方向的投影长度,相应的电流方向沿L (有效长度)由始端流向终端.任何形状的闭合线圈,其有效长度为零,所以通电后,闭合线圈受到的安培力的矢量和为零.2.安培力的方向(1)左手定则可判定安培力的方向。
(2)特点:电流所受的安培力的方向既跟磁场方向垂直,又跟电流方向垂直,所以安培力的方向总是垂直于磁感线和通电导线所确定的平面。
二、方法技巧要用好解决安培力问题的一般思路(1)确定研究对象;(2)明确导线中电流的方向及其周围磁场的方向;(3)利用左手定则判断通电导线所受安培力的方向;(4)结合物体的平衡条件或牛顿运动定律进行求解。
【复习巩固题】1、如图,一段导线abcd 位于磁感应强度大小为B 的匀强磁场中,且与磁场方向(垂直于纸面向里)垂直。
线段ab 、bc 和cd 的长度均为L ,且0135abc bcd ∠=∠=。
流经导线的电流为I ,方向如图中箭头所示。
导线段abcd 所受到的磁场的作用力的合力 ( A )A. 方向沿纸面向上,大小为(21)ILBB. 方向沿纸面向上,大小为(21)ILB -C. 方向沿纸面向下,大小为(21)ILB +D. 方向沿纸面向下,大小为(21)ILB2、(多)电磁轨道炮工作原理如图1-4所示.待发射弹体可在两平行轨道之间自由移动,并与轨道保持良好接触.电流I 从一条轨道流入,通过导电弹体后从另一条轨道流回.轨道电流可形成在弹体处垂直于轨道面的磁场(可视为匀强磁场),磁感应强度的大小与I 成正比.通电的弹体在轨道上受到安培力的作用而高速射出.现欲使弹体的出射速度增加至原来的2倍,理论上可采用的办法是( BD )A .只将轨道长度L 变为原来的2倍B .只将电流I 增加至原来的2倍C .只将弹体质量减至原来的一半D .将弹体质量减至原来的一半,轨道长度L 变为原来的2倍,其他量不变3、如图所示的天平可用来测定磁感应强度,天平的右臂下面挂有一个矩形线圈,宽为L ,共N 匝,线圈的下部悬在匀强磁场中,磁场方向垂直于纸面.当线圈中通有电流I(方向如图)时,在天平左、右两边加上质量各为m1、m2的砝码,天平平衡.当电流反向(大小不变)时,右边再加上质量为m 的砝码后,天平重新平衡.由上可知( B )4、如图所示,两根通电直导线用四根长度相等的绝缘细线悬挂于O 、O ’两点,已知OO ’连线水平,导线静止时绝缘细线与竖直方向的夹角均为θ,保持导线中的电流大小和方向不变,在导线所在空间加上匀强磁场后绝缘细线与竖直方向的夹角均增大了相同的角度,下列分析正确的是CA .两导线中的电流方向一定相同B . 所加磁场的方向可能沿x 轴正向C.所加磁场的方向可能沿z 轴正向D.所加磁场的方向可能沿y 轴负向5、载流长直导线周围磁场的磁感应强度大小为B =kI /r ,式中常量k >0,I 为电流强度,r 为距导线的距离。
DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪使用说明书一、概述DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法,通过施加磁场,可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度,以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。
二、主要技术性能1、环境适应性:工作温度 10~35℃;相对湿度 25~75%。
2、通用磁学测试仪2.1可调电压源:0~15.00V、10mA;2.2可调恒流源:0~5.000mA和0~9.999mA可变量程,为霍尔器件提供工作电流,对于此实验系统默认为0-5.000mA恒流源功能;2.3电压源和电流源通过电子开关选择设置,实现单独的电压源和电流源功能;2.4电流电压调节均采用数字编码开关;2.5数字电压表:200mV、2V和20V三档,4位半数显,自动量程转换。
3、通用直流电源3.1直流电源,电压0~30.00V可调;电流0~1.000A可调;3.2电流电压准确度:0.5%±2个字;3.3电压粗调和细调,电流粗调和细调均采用数字编码开关。
4、测试架4.1底板尺寸:780*160mm;4.2载物台尺寸:320*150mm,用于放置螺线管和双线圈测试样品;4.3螺线管:线圈匝数1800匝左右,有效长度181mm,等效半径21mm;4.4双线圈:线圈匝数1400匝(单个),有效直径72mm,二线圈中心间距 52mm;4.5移动导轨机构:水平方向0~60cm可调;垂直方向0~36cm可调,最小分辨率1mm;5、供电电源:AC 220V±10%,总功耗:60VA。
三、仪器构成及使用说明DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪由实验测试台、双线圈、螺线管、通用磁学测试仪、通用直流电源以及测试线等组成。
1、测试架1.双线圈;2.载物台(上面绘制坐标轴线); 3,4 双线圈励磁电源输入接口;5.霍尔元件;6.立杆;7.刻度尺;8.传感器杆(后端引出2组线,一组为传感器工作电流Is,输出端号码管标识为Input;一组为霍尔电势V H输出,输出端号码管标识为Output); 9.滑座; 10.导轨; 11. 螺线管励磁电源输入接口;12.螺线管; 13.霍尔工作电流I S输入,号码管标有Input(红正,黑负);14.霍尔电势V H输出,号码管标有Output(红正,黑负); 15.底座图1-1组合式磁场综合实验仪(测试架图)2、通用磁学测试仪(DH0802)1.电压或电流显示窗口(霍尔元件工作电流或电压指示);2.恒流源指示灯;3.恒压源指示灯;4.调节旋钮(左右旋转用于减小或增加输出;按下弹起按钮用于恒流源或恒压源最小步进值选择,按照显示值的个、十、百、千位依次循环切换);5.电源输出插座(正极红+,负极黑-,为霍尔元件或传感器提供工作电源;对于此实验,系统默认为恒流输出功能,为霍尔元件提供恒定的工作电流;输出插座与霍尔元件的输入端正负极对应相连,霍尔元件测试线上对应有input标号,连线时请注意!);6. 霍尔电压表(霍尔电势表,200.00mV,2V和20V自动量程转换);7.量程指示灯mV; 8. 量程指示灯V;9.置零键(对某一测试值进行置零,置零后指示灯亮,此时显示值与实际值相差“置零值”;再次按置零键恢复正常测试,电压输入值等于显示值);10.电压输入插座(正极红+,负极黑-;该输入后用于测量霍尔元件的霍尔电势V H,与霍尔元件的输出端正负极对应相连,霍尔元件测试线上对应有output标号,连线时请注意!)。
磁场测量综合实验讲义磁场测量综合实验1 霍耳效应法测量磁场分布1879年,24岁的美国物理学家霍耳(E.H.Hall)在研究载流导体在磁场中所受力的性质时,发现了一种电磁效应,即如果在电流的垂直方向加上磁场,则在与电流和磁场都垂直的方向上将建立一个电场。
这一效应称为霍耳效应。
由于这种效应对一般材料而言很不明显,因而长期未得到实际应用。
20世纪50年代以来,随着半导体工艺和材料的发展,先后制成了有显著霍耳效应的材料,如N型锗、锑化铟、磷砷化铟等,对这一效应实际应用的研究随之增加,其中比较突出的是用它来测量磁场。
用霍耳元件作探头制成的磁场测量仪器,其测量范围宽、精度高,且频率响应宽。
既可测大范围的均匀场,也可测不均匀场或某点的磁场。
霍耳元件是一种利用霍耳效应通过把磁信号形式转变为电信号形式以实现信号检测的半导体器件。
具有响应快、工作频率高、功耗低等特点。
集成开关型霍耳传感器是将霍耳器件、硅集成电路、放大器、开关三极管集成在一起的一种单片集成传感器,可作为开关电路满足自动控制和检测的要求,如应用于转速测量、液位控制、液体流量检测、产品计数、车辆行程检测等,它在物理实验的周期测量中也有许多应用。
通过研究霍耳效应还可测得霍耳系数,由此能判断材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,因此霍耳效应也是研究半导体材料的一个重要实验。
【预习提要】(1)什么是霍耳效应?什么是霍耳系数?什么是霍耳元件的灵敏度?(2)为什么霍耳效应可以测磁场?通过哪些物理量的测量来对磁场进行测量? (3)霍耳效应测量磁场装置怎样使用?应当注意些什么? (4)本实验可采取什么方法消除副效应的影响?【实验要求】(1)了解霍耳效应的机理和霍耳元件的性能。
(2)学习用霍耳元件测量磁场的实验方法。
(3)学习用异号法消除系统误差。
【实验目的】测量长直螺线管线圈轴线上的磁感应强度分布。
【实验器材】XD-HRSZ1型磁场综合实验仪。
【实验原理】12磁场测量综合实验讲义电子科技大学物理实验中心作者:霍中生(一)霍耳效应现象将一块半导体(或金属)薄片放在磁感应强度为B的磁场中,并让薄片平面与磁场方向(如Y方向)垂直。
实验 16 用霍尔效应法测量磁场在工业生产和科学研究中,经常需要对一些磁性系统或磁性材料进行测量,被测磁场的范围可从 10 15 ~ 103 T(特斯拉),测量所用的原理涉及到电磁感应、磁光效应、热磁效应等。
常用的磁场测量方法有核磁共振法、电磁感应法、霍尔效应法、磁光效应法、超导量子干涉器件法等近十种。
一般地,霍尔效应法用于测量 10 4 ~ 10 T 的磁场。
此法结构较简单,灵敏度高,探头体积小、测量方便、在霍尔器件的温度范围内有较好的稳定性。
但霍尔电压和内阻存在一定的温度系数,并受输入电流的影响,所以测量精度较低。
用半导体材料制成的霍尔器件,在磁场作用下会出现显著的霍尔效应,可用来测量磁场、霍尔系数、判断半导体材料的导电类型( N 型或 P 型)、确定载流子(作定向运动的带电粒子)浓度和迁移率等参数。
如今,霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量电测、自动控制和信息处理等方面,如测量强电流、压力、转速等,在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更为广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验,对于日后的工作将有益处。
【实验目的】1.了解霍尔效应产生的机理。
2.掌握用霍尔器件测量磁场的原理和基本方法。
3.学习消除伴随霍尔效应的几种副效应对测量结果影响的方法。
4.研究通电长直螺线管内轴向磁场的分布。
【仪器用具】TH-H/S 型霍尔效应 /螺线管磁场测试仪、TH-S 型螺线管磁场实验仪。
【实验原理】1.霍尔效应产生的机理置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场方向垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,载流体的两侧会产生一电位差,这个现象是美国霍普斯金大学二年级研究生霍尔于1879 年发现的,后被称为霍尔效应,所产生的电位差称为霍尔电压。
特别是在半导体样品中,霍尔效应更加明显。
霍尔电压从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
各向异性磁阻传感器(AMR)与地磁场测量实验指导书北京航空航天大学物理实验中心2013年3月10日各向异性磁阻传感器与磁场测量物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应,磁阻传感器利用磁阻效应制成。
磁场的测量可利用电磁感应,霍耳效应,磁阻效应等各种效应。
其中磁阻效应法发展最快,测量灵敏度最高。
磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化,如弱磁场测量,地磁场测量,各种导航系统中的罗盘,计算机中的磁盘驱动器,各种磁卡机等等。
也可通过磁场变化测量其它物理量,如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器,各种接近开关,隔离开关,广泛用于汽车,家电及各类需要自动检测与控制的领域。
磁阻元件的发展经历了半导体磁阻(MR),各向异性磁阻(AMR),巨磁阻(GMR),庞磁阻(CMR)等阶段。
本实验研究AMR的特性并利用它对磁场进行测量。
一、实验要求1.熟悉和了解AMR的原理2.测量磁阻传感器的磁电转换特性和各向异性特性3.测量赫姆霍兹线圈的磁场分布4.测量地磁场磁场强度,磁倾角,磁偏角二、实验原理各向异性磁阻传感器AMR(Anisotropic Magneto-Resistive sensors)由沉积在硅片上的坡莫合金(Ni80 Fe20)薄膜形成电阻。
沉积时外加磁场,形成易磁化轴方向。
铁磁材料的电阻与电流和磁化方向的夹角有关,电流与磁化方向平行时电阻R max最大,电流与磁化方向垂直时电阻R min最小,电流与磁化方向成θ角时,电阻可表示为:R = R min+(R max-R min)cos2θ在磁阻传感器中,为了消除温度等外界因素对输出的影响,由4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥,结构如图1所示。
图1中,易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。
理论分析与实验表明,采用45度偏置磁场,当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场,且外磁场强度不太大时,电桥输出与外加磁场强度成线性关系。
无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时,磁化方向即易磁化轴方向,电桥的4个桥臂电阻阻值相同,输出为零。
当在磁敏感方向施加如图1所示方向的磁场时,合成磁化方向将在易磁化方向的基础上逆时针旋转。
结果使左上和右下桥臂电流与磁化方向的夹角增大,电阻减小ΔR;右上与左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小,电阻增大ΔR。
通过对电桥的分析可知,此时输出电压可表示为:U=V b×ΔR/R (1)式中V b为电桥工作电压,R为桥臂电阻,ΔR/R为磁阻阻值的相对变化率,与外加磁场强度成正比,故AMR磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比,图1 磁阻电桥可利用磁阻传感器测量磁场。
商品磁阻传感器已制成集成电路,除图1所示的电源输入端和信号输出端外,还有复位/反向置位端、补偿端两个功能性输入端口,以确保磁阻传感器的正常工作。
复位/反向置位端的作用是:当AMR 置于超过其线性工作范围的磁场中时,磁干扰可能导致磁畴排列紊乱,改变传感器的输出特性。
此时按下复位/反向置位端,通过内部电路沿易磁化轴方向产生强磁场,使磁畴重新沿易磁化轴方向整齐排列,恢复传感器的使用特性。
补偿端的作用是:当4个桥臂电阻不严格相等,或是外界磁场干扰,使得被测磁场为零而输出电压不为零时,此时可调节补偿电流,通过内部电路在磁敏感方向产生磁场,用人为的磁场偏置补偿传感器的偏离。
三、实验仪器介绍实验仪结构如图2所示,核心部分是磁阻传感器,辅以磁阻传感器的角度、位置调节及读数机构,赫姆霍兹线圈等组成。
本仪器所用磁阻传感器的工作范围为±6高斯,灵敏度为1mV/V/Guass 。
当磁阻电桥的工作电压为1V ,被测磁场磁感应强度为1高斯时,输出信号为1mV 。
磁阻传感器的输出信号通常须经放大电路放大后,再接显示电路,故由显示电压计算磁场强度时还需考虑放大器的放大倍数。
本实验仪电桥工作电压5V ,放大器放大倍数50,磁感应强度为1高斯时,对应的输出电压为0.25伏。
赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成。
两线圈内的电流方向一致,大小相同,线圈之间的距离d 正好等于圆形线圈的半径R 。
这种线圈的特点是能在公共轴线中点附近产生较广泛的均匀磁场,根据毕奥-萨伐尔定律,可以计算出赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度为:003/285NIB Rμ=⋅ 磁阻传感器盒 传感器轴向移动锁紧螺钉传感器绕轴旋转锁紧螺钉 传感器水平旋转锁紧螺钉赫姆霍兹线圈传感器横向移动锁紧螺钉线圈水平旋转锁紧螺钉 信号接口盒 仪器水平调节螺钉图2 磁场实验仪式中N 为线圈匝数,I 为流经线圈的电流强度,R 为赫姆霍兹线圈的平均半径,m H /10470-⨯=πμ为真空中的磁导率。
采用国际单位制时,由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉(1特斯拉=10000高斯)。
本实验仪N =310,R =0.14m ,线圈电流为1mA 时,赫姆霍兹线圈中部的磁感应强度为0.02高斯。
实验仪的前面板示意图如图3所示。
恒流源为赫姆霍兹线圈提供电流,电流的大小可以通过旋钮调节,电流值由电流表指示。
电流换向按钮可以改变电流的方向。
补偿(OFFSET)电流调节旋钮调节补偿电流的方向和大小。
电流切换按钮使电流表显示赫姆霍兹线圈电流或补偿电流。
传感器采集到的信号经放大后,由电压表指示电压值。
放大器校正旋钮在标准磁场中校准放大器放大倍数。
复位(R/S )按钮每按下一次,向复位端输入一次复位脉冲电流,仅在需要时使用。
四、实验内容1、测量前的准备工作连接实验仪与电源,开机预热20分钟。
将磁阻传感器位置调节至赫姆霍兹线圈中心,传感器磁敏感方向与线圈轴线一致。
调节赫姆霍兹线圈电流为零,按复位键恢复传感器特性,调节补偿电流以补偿地磁场等因素产生的偏离,使传感器输出为零。
调节赫姆霍兹线圈电流至300mA (线圈产生的磁感应图3 仪器前面板示意图强度6高斯),调节放大器校准旋钮,使输出电压为1 .500伏。
2. 磁阻传感器特性测量a. 测量磁阻传感器的磁电转换特性磁电转换特性是磁阻传感器最基本的特性。
磁电转换特性曲线的直线部分对应的磁感应强度,即磁阻传感器的工作范围,直线部分的斜率除以电桥电压与放大器放大倍数的乘积,即为磁阻传感器的灵敏度。
按表1数据从300mA 逐步调小赫姆霍兹线圈电流,记录相应的输出电压值。
切换电流换向开关(赫姆霍兹线圈电流反向,磁场及输出电压也将反向),逐步调大反向电流,记录反向输出电压值。
注意:电流换向后,必须按复位按键消磁。
数据处理要求:以磁感应强度为横轴,输出电压为纵轴,将上表数据作图,并确定所用传感器的线性工作范围及灵敏度。
b. 测量磁阻传感器的各向异性特性AMR 只对磁敏感方向上的磁场敏感,当所测磁场与磁敏感方向有一定夹角α时,AMR 测量的是所测磁场在磁敏感方向的投影。
由于补偿调节是在确定的磁敏感方向进行的,实验过程中应注意在改变所测磁场方向时,保持AMR 方向不变。
将赫姆霍兹线圈电流调节至200mA ,测量所测磁场方向与磁敏感方向一致时的输出电压。
松开线圈水平旋转锁紧螺钉,每次将赫姆霍兹线圈与传感器盒整体转动10度后锁紧,松开传感器水平旋转锁紧螺钉,将传感器盒向相反方向转动10度(保持AMR 方向不变)后锁紧,记录输出电压数据于表2中。
数据处理要求:以夹角α为横轴,输出电压为纵轴,进行数据作图,判断曲线有何规律。
3. 赫姆霍兹线圈的磁场分布测量赫姆霍兹线圈能在公共轴线中点附近产生较广泛的均匀磁场。
a. 赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量根据毕奥-萨伐尔定律,可以计算出通电圆线圈在轴线上任意一点产生的磁感应强度矢量垂直于线圈平面,方向由右手螺旋定则确定,与线圈平面距离为X 1的点的磁感应强度为:201223/21()2()R IB x R x μ=+赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成。
两线圈内的电流方向一致,大小相同,线圈匝数为N ,线圈之间的距离d 正好等于圆形线圈的半径R ,若以两线圈中点为坐标原点,则轴线上任意一点的磁感应强度是两线圈在该点产生的磁感应强度之和:2200223/2223/23/2023/223/2()2[()]2[()]22511{}1116[1()][1()]22NR I NR IB x R R R x R x B x x R Rμμ=++++-=++++-式中B 0是X =0时,即赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度。
表3列出了X 取不同值时B(X)/B 0值的理论计算结果。
调节传感器磁敏感方向与赫姆霍兹线圈轴线一致,位置调节至赫姆霍兹线圈中心(X =0),测量输出电压值。
已知R=140mm ,将传感器盒每次沿轴线平移0.1R ,记录测量数据。
表3 赫姆霍兹线圈轴向磁场分布测量 B= 4高斯数据处理要求:将表3数据作图,讨论赫姆霍兹线圈的轴向磁场分布特点。
b .赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量由毕奥-萨伐尔定律,同样可以计算赫姆霍兹线圈空间任意一点的磁场分布,由于赫姆霍兹线圈的轴对称性,只要计算(或测量)过轴线的平面上两维磁场分布,就可得到空间任意一点的磁场分布。
理论分析表明,在X ≤ 0.2R ,Y ≤0.2R 的范围内,(B X -B 0)/B 0小于百分之一,B Y /B X 小于万分之二,故可认为在赫姆霍兹线圈中部较大的区域内,磁场方向沿轴线方向,磁场大小基本不变。
按表4数据改变磁阻传感器的空间位置,记录X 方向的磁场产生的电压V X ,测量赫姆霍兹线圈空间磁场分布。
数据处理要求:由表4数据讨论赫姆霍兹线圈的空间磁场分布特点。
4.地磁场测量地球本身具有磁性,地表及近地空间存在的磁场叫地磁场。
地磁的北极,南极分别在地理南极,北极附近,彼此并不重合,可用地磁场强度,磁倾角,磁偏角三个参量表示地磁场的大小和方向。
磁倾角是地磁场强度矢量与水平面的夹角,磁偏角是地磁场强度矢量在水平面的投影与地球经线(地理南北方向)的夹角。
在现代数字导航仪等系统中,通常用互相垂直的三维磁阻传感器测量地磁场在各个方向的分量,根据矢量合成原理,计算出地磁场的大小和方位。
本实验学习用单个磁阻传感器测量地磁场的方法。
将赫姆霍兹线圈电流调节至零,将补偿电流调节至零,传感器的磁敏感方向调节至与赫姆霍兹线圈轴线垂直(以便在垂直面内调节磁敏感方向)。
调节传感器盒上平面与仪器底板平行,将水准气泡盒放置在传感器盒正中,调节仪器水平调节螺钉使水准气泡居中,使磁阻传感器水平。
松开线圈水平旋转锁紧螺钉,在水平面内仔细调节传感器方位,使输出最大(如果不能调到最大,则需要将磁阻传感器在水平方向转动180度后再调节)。
此时,传感器磁敏感方向与地理南北方向的夹角就是磁偏角。
松开传感器绕轴旋转锁紧螺钉,在垂直面内调节磁敏感方向,至输出最大时转过的角度就是磁倾角,记录此角度。
记录输出最大时的输出电压值U1后,松开传感器水平旋转锁紧螺钉,将传感器转动180度,记录此时的输出电压U2,将U=(U1-U2)/2 作为地磁场磁感应强度的测量值(此法可消除电桥偏离对测量的影响)。