内存编号识别解读

看如何识别电脑内存条型号电脑内存条是计算机中非常重要的组件之一，它对于计算机的运行速度和性能起着至关重要的作用。

然而，对于一些非专业人士来说，识别电脑内存条的型号可能并不容易。

本文将介绍一些简单的方法和技巧，帮助大家快速准确地识别电脑内存条的型号。

一、通过物理检查识别型号通过物理检查来识别电脑内存条的型号是最常见也是最直接的方法之一。

下面将介绍几种常见的物理检查方法：1. 查看标签大多数内存条上都会有一个标签，上面会标明内存品牌、型号和容量等信息。

通常情况下，这些信息都可以帮助识别内存条的型号。

用户只需打开电脑机箱，仔细观察内存条上的标签，就能够找到所需的信息。

2. 查看序列号有些内存条上可能没有明确的型号标签，但会有一个唯一的序列号。

用户可以通过将序列号输入到内存厂商的官方网站上，来获取该内存条的型号等详细信息。

3. 查看物理外观不同型号的内存条往往在外观上有所不同。

例如，DDR2和DDR3内存条的物理外观就有显著的区别。

通过比对内存条的外观和参考资料，用户也可以初步获得内存条的型号信息。

二、通过软件识别型号除了通过物理检查来识别内存条型号外，还可以通过一些软件工具来获取内存条的相关信息。

下面将介绍两种常用的软件工具。

1. CPU-ZCPU-Z是一款免费的软件工具，可以提供详细的硬件信息，包括内存条的品牌、型号、频率和容量等。

用户只需下载并安装CPU-Z，然后打开该软件，选择“Memory”选项卡，就可以查看到内存条的详细信息。

2. HWiNFOHWiNFO是一款功能强大的硬件信息检测工具，可以提供详细的硬件报告。

用户只需要将软件下载并安装后，打开软件，选择“Memory”选项，即可查看到内存条的型号、频率等详细信息。

三、通过官方网站查询型号信息如果上述方法都不能准确识别内存条的型号，用户也可以通过内存厂商的官方网站来查询相关信息。

大多数内存厂商都会在其官方网站上提供产品型号、规格和用户手册等详细信息。

轻松识别DDR内存颗粒编号！现在DIY爱好者们在帮朋友或者是自已攒机的时候，往往会选择性价比最高的内存，呵呵，DDR内存就是目前最好的选择了。

可是DDR到底是什么呀？（我倒～～～）DDR顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为DDR。

由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。

DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。

但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。

（明白什么是DDR了吧！）既然我们现在已经知道了DDR为何物了，那么我们就开始选够吧。

可是目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度内存的情况时有发生，为了能让哪些刚入门的DIYer们在够机的时候作一个明白白的消费者，我特地教给你们一手，如何从内存芯片的编号上识别那些识别假冒内存，不让JS的奸计得成！一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。

由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面我们就举例说明内存编号上代表的信息。

现代DDR内存：随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。

既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。

双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。

HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我们就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。

详细的内存大小识别方法哈，你说没开机是指不打开机盖还是不按电源。

内存条上写的数字表示大小很固定，32M,64M,128,156M,512,1024M 等，其它的还有像PC100,PC133,DDR266,DDR400,DDR533等表示频率。

右击我的电脑选择属性，在常规选项的右下角就可以看到内存大小！内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit 的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit 的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。

先举2个例子:有两条SD内存，一条编号是HY57V28820AT-H，双面16片，一条是GM72V66841XT7J，单面8片，是多大的内存？怎样识别那些代码啊？一直都不会看。

答案:HY57V28820AT-H，-H表示这是符合PC-133规范的内存,CAS参数为3，也就是原来的T75。

封装形式为TSOP。

HY57指的是现代SDRAM颗粒，V指的是COMS 工艺3.3电压。

后面跟的28意思指的是128Mb、4K的刷新。

也就是这个颗数的组织形式是*8。

也就是16M * 8的颗粒。

GM72V66841XT7J，原LGS的，后与HY公司的内存部门合并，这片内存是10ns 的，PC100，64M的SDRAM内存下面是识别方法:HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.dd表示带宽。

f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.g表示版本号，B—第三代。

h表示电源功耗， L—低功耗；空白—普通型。

ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)10—100MHZ(非PC100)。

例：1） HY57V651620B TC-75按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ下面给各位个参考数据:各厂商内存芯片编号（1）HYUNDAI（现代）现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k 代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns ［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

说如何识别电脑内存条型号在如何识别电脑内存条型号方面，有几种常见方法可以帮助我们快速准确地获取相关信息。

下面将介绍这些方法，并提供一些实用技巧来实现电脑内存条型号的识别。

记住，正确识别电脑内存条型号对于升级或更换内存条至关重要，因此掌握这些技巧将有助于您进行更好的决策。

一、通过物理检查识别内存条型号首先，您可以通过进行物理检查来获取内存条型号信息。

在电脑关机的情况下，按照以下步骤操作：1. 打开电脑机箱2. 定位并找到内存插槽3. 仔细观察内存插槽上的标签或编号，通常会有型号信息这种方法需要您拥有一定的计算机硬件知识和操作能力，并且需要对电脑进行部分拆卸。

请在操作时注意安全，并确保您了解如何正确使用工具。

二、通过系统信息工具识别内存条型号除了物理检查，您还可以通过操作系统提供的系统信息工具来获取内存条的类型、容量和型号等信息。

以下是一些常见操作系统的方法：1. Windows系统：a. 按下Windows键+R，打开“运行”对话框b. 输入“msinfo32”并按下回车键c. 在打开的“系统信息”窗口中，点击“硬件资源”文件夹下的“内存”选项d. 在右侧的窗口中，您将看到安装在计算机上的内存条信息，包括型号、容量等2. macOS系统：a. 点击上方菜单栏中的“苹果”图标b. 选择“关于本机”c. 在打开的窗口中，点击“系统报告”d. 在左侧的“硬件”栏目下，点击“内存”e. 右侧窗口会显示已安装内存的详细信息，包括型号、容量等通过系统信息工具可以轻松获取内存条的详细信息，适用于不熟悉硬件拆卸的用户。

三、使用第三方软件识别内存条型号除了系统自带的工具，还有许多第三方软件可以帮助您获取电脑内存条的详细信息。

以下是一些常用的软件：1. CPU-Z：这是一款免费的系统信息工具，可以提供有关计算机硬件的详细信息，包括内存模块的型号、容量和时序等参数。

2. Speccy：这是一款功能强大的硬件信息工具，可以提供关于计算机内存的详细信息，并以直观的方式显示。

教你看懂内存编码！内存大小识别方法(详)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。

看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPDIBM：BM NPNX：NN一.日本产系列：主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。

1.HITACHI［日立］。

1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。

它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。

市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。

第6个X如果是字母"L"就是低功耗。

空白则为普通。

TT为TSOII封装。

最后XX代表速度：75：7.5ns［133MHz］80：8ns［125MHz］A60：10ns［PC-100 CL2或3］B60：10ns［PC-100 CL3］例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。

我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如DDR266 DDR333之类的。

但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。

另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。

将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。

(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法)鉴于SDRAM已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM应用不广DDRII内存还未量产。

所以本文将只涉及市场主流的DDR内存。

我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为RAM）。

RAM分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM（DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。

SRAM是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。

SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。

SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。

采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。

制造相同容量的SRAM比DRAM的成本贵许多，因此，SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。

而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。

由于SRAM的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。

DRAM的应用比SRAM要广泛多了。

DRAM的结构较SRAM要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势。

现代SD内‎存颗粒编号‎含义以现代为例‎，SDRAM‎芯片上的标‎识为以下格‎式：HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXHY代表是‎现代的产品‎。

5X表示芯‎片类型，57为一般‎的SDRA‎M，5D为DD‎R SDRAM ‎。

第2个X代‎表工作电压‎，空白为5V‎，\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。

第3-5个X代表‎容量和刷新‎速度，分别如下：16： 16Mbi‎ts，4K Ref。

64： 64Mbi‎ts，8K Ref。

65： 64Mbi‎ts，4K Ref。

128：128Mb‎its，8K Ref。

129：128Mb‎its，4K Ref。

256：256Mb‎its，16K Ref。

257：256Mb‎its，8K Ref。

第6、7个X代表‎芯片输出的‎数据位宽，40、80、16、32分别代‎表4位、8位、16位和3‎2位。

第8个X代‎表内存芯片‎内部由几个‎Bank组‎成，1、2、3分别代表‎2个、4个和8个‎Bank。

是2的幂次‎关系。

第9个X一‎般为0，代表LVT‎TL(Low Volta‎ge TTL)接口。

第10个X‎可以为空白‎或A、B、C、D等字母，越往后代表‎内核越新。

第11个X‎如为\"L\"则代表低功‎耗的芯片，如为空白则‎为普通芯片‎。

第12、13个X代‎表封装形式‎，分别如下：JC ： 400mi‎l SOJTC ： 400mi‎l TSOP-ⅡTD ： 13mm TSOP-ⅡTG ： 16mm TSOP-Ⅱ最后几位为‎速度：7： 7ns (143MH‎z)8： 8ns (125MH‎z)10p： 10ns (PC-100 CL2 &3)10s： 10ns (PC-100CL‎ 3)10 ： 10ns (100MH‎z)12 ： 12ns (83MHz‎)15 ： 15ns (66MHz‎)注：例如常见的‎HY57V‎65801‎0CTC-10s，HY是现代‎的芯片，57说明是‎SDRAM‎，65是64‎Mhbit‎和4Krefre‎sh cycle‎s/64ms，下来的8是‎8位输出，10是2个‎Bank，C是第4个‎版本的内核‎，TC是40‎0milTSOP-Ⅱ封装，10S代表‎CL=3的PC-100。

内存颗粒的型号内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits （兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

内存序列号识别第一篇：内存序列号识别内存序列号从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。

当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。

我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。

内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式（1）1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS 相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS 的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC （相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。

5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。

2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP （RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

DDR内存识别部分主流显存颗粒识别MT——Micron 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。

LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

8M8——内存颗粒容量为8M。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

Infineon 亿恒也叫英飞凌Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。

目前，Infineon 在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。

它的编号简单，编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。

它的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。

所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

对它颗粒编号的简单介绍：HYB－内存编号开头25－25是时间（周）D－D代表DDR颗粒，S代表SDR颗粒128－128代表单颗容量为128/8=16M32－32表示位宽32bit3.3－3.3代表颗粒速度这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。

32也就是单颗32位。

顺便说一下，这是DDR SGRAM 显存颗粒。

Samsung 韩国三星目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。

第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。

如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。

C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。

由1-3位字母和数字共同组成。

其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。

其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。

具体详细内容如图二所示。

D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。

“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。

第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM 内存。

第3部分代表工作电压，由一个字母组成。

其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。

第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。

对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。

学会识别内存的颗粒编号一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则现代DDR2内存颗粒HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。

1、HY：现代内存2、5P：DDR23、S：工作电压1.8V4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×326、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-28、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。

二、三星DDR2内存颗粒编号规则三星DD2内存颗粒K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。

1、K4：Memory DRAM2、T：DDR23、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×165、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small）9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。

DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料 空白 表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70 L 大众商用型能 、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别 注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量 略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。

RDRAM(存储器总线式动态随机存储器) 是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯 片到芯片接口设计的新型DRAM，它能在 很高的频率范围下通过一个简单的总线传输 数据，同时使用低电压信号，在高速同步时 钟脉冲的两边沿传输数据。
DDR内存
DDR=Double Data Rate双倍速率 同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫 DDR SDRAM，人们习惯称为DDR ； DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率 两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的 工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的 上升和下降沿都传输数据， 因此传输数据的等效频率 是工作频率的两倍。
DDR2内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它 在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更 快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 . 它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是 采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式， 也就是说: DDR2内存每个时钟 能够以4倍外部总线的速度读/写数据， 并且能够以内部控制总线4倍的速度 运行。
3.存取时间 所谓存取时间，指的是CPU读或写内存内资料 的过程时间，也称为总线循环（bus cycle）。 以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要 求内存取用特定地址的特定资料，内存响应CPU 后便会将CPU所需要的资料送给CPU，一直到 CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。因 此，这整个过程简单地说便是CPU给出读取指令， 内存回复指令，并丢出资料给CPU的过程。我们 常说的6ns（纳秒，秒－9）就是指上述的过程所 花费的时间，而ns便是计算运算过程的时间单位。 我们平时习惯用存取时间的倒数来表示速度，比 如6ns的内存实际频率为1／6ns＝166MHz （如果是DDR就标DDR333，DDR2就标DDR2 6数据的 时间(单位一般用ns)来作为性能指标， 时间越短，速度就越快。普通内存速度 只能达到70ns～80ns，EDO内存速度 可达到60ns，而SDRAM内存速度则已 达到7ns。