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图说三极管工作原理（以NPN为例）
如图所示为三极管电路图，以NPN为例：
Ib：指代基极B流到发射极E的电流。
Ic：指代集电极C流到发射极E的电流。
基本表现原理：
放大：集电极流出的电流会受到基极电流的控制，基极电流很小的变化就会引起集电极
电流很大的变化，且这种变化满足一定的比例关系，一般Ic=nIb，我们称这个n就是放大系数。
根据公式U=R*I，那么此时的Rc上的电压就会变大，我们就可以把找个时候的电压信号取出来，
输出到它用，这个状态我们称之为三极管的放大状态。
截止：试想基极B与发射极C间表现为一个二极管，那么三级管的放大状态一定会满足一定条件的，
二极管的开启电压0.6--0.7v，小于这个电压，我们称三极管工作在截止区。
饱和：当Ic增大到一定程度后，再增大Ib，Ic也不会增大了，因为有电源电压在那里，况且Rc电阻固定，
最大电流也超不过(电源电压/Rc)，这个时候我们成三极管工作于饱和状态。
利用截止和饱和我们可以当开关使用。
三极管的工作原理详解，图文案例，立马教你搞懂大家好，我是李工，希望大家多多支持我。
今天给大家讲一下三极管。
什么是三极管？三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件。
通常指本征半导体三极管，即BJT管。
典型的三极管由三层半导体材料，有助于连接到外部电路并承载电流的端子组成。
施加到晶体管的任何一对端子的电压或电流控制通过另一对端子的电流。
三极管实物图三极管有哪三极？•基极：用于激活晶体管。
（名字的来源，最早的点接触晶体管有两个点接触放置在基材上，而这种基材形成了底座连接。
）•集电极：三极管的正极。
（因为收集电荷载体）•发射极：三极管的负极。
（因为发射电荷载流子）三极管的分类三极管的应用十分广泛，种类繁多，分类方式也多种多样。
根据结构•NPN型三极管•PNP型三极管根据功率•小功率三极管•中功率三极管•大功率三极管根据工作频率•低频三极管•高频三极管根据封装形式•金属封装型•塑料封装型根据PN结材料锗三极管硅三极管除此之外，还有一些专用或特殊三极管三极管的工作原理这里主要讲一下PNP和NPN。
PNPPNP是一种BJT，其中一种n型材料被引入或放置在两种p型材料之间。
在这样的配置中，设备将控制电流的流动。
PNP晶体管由2个串联的晶体二极管组成。
二极管的右侧和左侧分别称为集电极-基极二极管和发射极-基极二极管。
NPNNPN中有一种 p 型材料存在于两种 n 型材料之间。
NPN晶体管基本上用于将弱信号放大为强信号。
在 NPN 晶体管中，电子从发射极区移动到集电极区，从而在晶体管中形成电流。
这种晶体管在电路中被广泛使用。
PNP和NPN 符号图三极管的3种工作状态分别是截止状态、放大状态、饱和状态。
接下来分享我在微信公众号看到的一种通俗易懂的讲法：三极管工作原理-截止状态三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。
这就相当于一个关紧了的水龙头，水龙头里的水是流不出来的。
三极管原理通俗
三极管原理通俗易谨的说法是，它像一个水坝，有两个阀门。
小阀门受大阀门控制。
当小阀门开启一点点水流
就缓缓流下:如果小阀门开大一点，水流就变得汹涌;:如果小阀门关上了，水就不会流动了。
三极管放大电路的基本构成:
1.发射区向基区注入电子:当基极电压大于发射极电压时，基极电源将电子从发射区吸引到基区，当基极电流增大时，基区的电子数量增多，电子从发射区向基区的注入量也增大。
2.电子在基区扩散和复合:进入基区的电子在靠近基极的区域会扩散开来，并有可能与集电极附近的空六复合。
3.集电极收集电子:随若基极电流的增大，进入基区的电子数量增多，但只有很少一部分电子能够到达集电极。
当基极电流增大到一定程度时，集电极的电压增大到足以将扩散到集电区的电子吸引到集电极。
4.输出信号:当集电极收集到电子后，集电极的电位降低，产生输出信号。
输出信号的大小取决于基极电流的大小和比例常数。
5.反馈作用:当三极管放大电路的输出信号对输入信号产生影响时，就称为反馈作用。
反馈作用可以使电路的增益减小或使电路的输出波形失真。
总之。
三极管是一种电流控制元件，可以通过控制其电流大小来实现对电路的控制和调节作用。
制表：审核：批准：。
图文：PN结的形成锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。
半导体具有一些特殊性质。
如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。
利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。
图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。
中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。
下边部分为PN 结的形成。
表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
三极管工作原理图解
三极管是一种常见的电子元件，也是现代电子仪器的基础。
它的工作原理虽然相对比较复杂，但是理解起来又并非难以想象。
下面就简单介绍一下三极管工作的基本原理。
三极管可以分为三个区域：发射区、基区、集电区。
其中，发射区与基区之间形成pn结。
在基区施加电压时，会影响pn
结的载流子浓度分布，从而影响发射区和集电区的电流。
这种电流控制效应就是三极管的主要工作原理。
下面我们以pnp型三极管为例，来具体介绍一下三极管的工作原理。
(1) 正向偏置
当三极管处于正向偏置时，即基极处于正极、发射极处于负极的时候，发射区的电压比基区高，pn结就会被加宽，载
流子的扩散电流就会不断增大，最终形成一个从发射极到集电极的电流。
此时，三极管处于开关状态，被称为导通状态。
(2) 反向偏置
当三极管处于反向偏置时，即基极处于负极、发射极处于正极的时候，由于pn结载流子扩散电流极小，因此极少有电
流通过三极管，它处于关闭状态。
(3) 双向偏置
当三极管处于双向偏置时，即它同时被正向偏置和反向偏置时，二者的作用同时存在，此时需要根据具体的电路条件分析。
总结一下，三极管的工作原理基本上就是利用基极电流控制发射极和集电极之间的电流，从而实现电流放大、开关控制等不同的功能。
掌握这个原理，就能够更好地理解各种电路中三极管的作用，为电子电路设计和实现提供更加有效的支持。
三极管的工作原理，详细、通俗易懂、图文并茂一、很多初学者都会认为三极管是两个PN 结的简单凑合（如图1）。
这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管。
我们以NPN 型三极管为例（见图2 ），两个PN 结共用了一个P 区——基区，基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两个PN 结有机地结合成一个不可分割的整体，它们之间存在着相互联系和相互影响，使三极管完全不同于两个单独的PN 结的特性。
三极管在外加电压的作用下，形成基极电流、集电极电流和发射极电流，成为电流放大器件。
二、三极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。
从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。
一个三极管制成后，它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了（见图 3 ），用式子来表示就是β 和α 称为三极管的电流分配系数，其中β 值大家比较熟悉，都管它叫电流放大系数。
三个电流中，有一个电流发生变化，另外两个电流也会随着按比例地变化。
例如，基极电流的变化量ΔI b ＝10 μA ，β ＝50 ，根据ΔI c ＝βΔI b 的关系式，集电极电流的变化量ΔI c ＝50×10 ＝500μA ，实现了电流放大。
三、三极管自身并不能把小电流变成大电流，它仅仅起着一种控制作用，控制着电路里的电源，按确定的比例向三极管提供I b 、I c 和I e 这三个电流。
为了容易理解，我们还是用水流比喻电流（见图 4 ）。
这是粗、细两根水管，粗的管子内装有闸门，这个闸门是由细的管子中的水量控制着它的开启程度。
如果细管子中没有水流，粗管子中的闸门就会关闭。
注入细管子中的水量越大，闸门就开得越大，相应地流过粗管子的水就越多，这就体现出“以小控制大，以弱控制强”的道理。
由图可见，细管子的水与粗管子的水在下端汇合在一根管子中。
三极管的基极 b 、集电极 c 和发射极e 就对应着图4 中的细管、粗管和粗细交汇的管子。
电路见图 5 ，若给三极管外加一定的电压，就会产生电流I b 、I c 和I e 。
调节电位器RP 改变基极电流I b ，I c 也随之变化。
由于I c ＝βI b ，所以很小的I b 控制着比它大β 倍的I c 。
I c 不是由三极管产生的，是由电源V CC 在I b 的控制下提供的，所以说三极管起着能量转换作用。
四、如图5，假设三极管的β=100，RP=200K，此时的Ib=6v/(200k+100k)=0.02mA,Ic=βI b=2mA当RP=0时，Ib=6v/100k=0.06mA，Ic=βI b=2mA。
以上两种状态都符合Ic=βI b，我们说，三极管处于"放大区"。
假设RP=0,Rb=1k,此时，Ib=6v/1k=6mA按Ic=βI b计算，Ic应等于600mA，而实际上，由于图中300欧姆限流电阻（Rc）的存在，实际上Ic=(6v/300)≈20mA,此时，Ic≠βI b，而且，Ic不再受Ib控制，即处于"饱和区"，当RP 和Rb大到一定程度，使Ube<死区电压(硅管约0.5V，锗管约0.3）此时be结处于不导通状态，Ib=0，则Ic=0，处于"截止区"。
五、单纯从“放大”的角度来看，我们希望β 值越大越好。
可是，三极管接成共发射极放大电路（图 6 ）时，从管子的集电极 c 到发射极e 总会产生一有害的漏电流，称为穿透电流I ceo ，它的大小与β 值近似成正比，β 值越大，I ceo 就越大。
I ceo 这种寄生电流不受I b 控制，却成为集电极电流I c 的一部分，I c ＝βI b ＋I ceo 。
值得注意的是，I ceo 跟温度有密切的关系，温度升高，I ceo 急剧变大，破坏了放大电路工作的稳定性。
所以，选择三极管时，并不是β 越大越好，一般取硅管β 为40 ～150 ，锗管取40 ～80 。
六、在常温下，锗管的穿透电流比较大，一般由几十微安到几百微安，硅管的穿透电流就比较小，一般只有零点几微安到几微安。
I ceo 虽然不大，却与温度有着密切的关系，它们遵循着所谓的“加倍规则”，这就是温度每升高10℃，I ceo 约增大一倍。
例如，某锗管在常温20℃时，I ceo 为20μA ，在使用中管芯温度上升到50℃，I ceo 就增大到160μA 左右。
测量I ceo 的电路很简单（图7 ），三极管的基极开路，在集电极与发射极之间接入电源V CC （6V ），串联在电路中的电流表（可用万用表中的0.1mA 挡）所指示的电流值就是I ceo 。
七、严格地说，三极管的β 值不是一个不变的常数。
在实际使用中，调整三极管的集电极电流I ，β 值会随着发生变化（图8 ）。
一般说来，在I c 很小（例如几十微安）或很大（即接近集电极最大允电流I CM ）时，β 值都比较小，在1mA 以上相当宽的范围内，小功率管的β 值都比较大，所以，同学们在调试放大电路时，要确定合适的工作电流I c ，以获得最佳放大状态。
另外，β 值也和三极管的其它参数一样，跟温度有密切的关系。
温度升高，β 值相应变大。
一般温度每升高1℃，β 值增加0.5 ％～ 1 ％。
八、三极管有一个极限参数叫集电极最大允许电流，用I CM 表示。
I CM 常称为三极管的额定电流，所以人们常常误认为超过了I CM 值，由于过热会把管子烧坏。
实际上，规定I CM 值是为避免集电极电流太大时引起β 值下降过多。
一般把β 值降低到它的最大值一半左右时的集电极电流定为集电极最大允许电流I CM 。
九、三极管的电流放大系数β 值还与电路的工作频率有关。
在一定的频率范围内，可以认为β 值是不随频率变化的（图9 ），可是当频率升高到超过某一数值后，β 值就会明显下降。
为了保证三极管在高频时仍然具有足够的放大能力，人们规定：当频率升高到使β 值下降到低频（1000Hz ）值β 0 的0.707 倍时，所对应的频率称为β 截止频率，用 f β 表示。
f β 就是三极管接成共发射极电路时所允许的最高工作频率。
三极管β 截止频率 f β 是在三极管接成共发射极放大电路时测定的。
如果三极管接成共基极电路，随着频率的升高，其电流放大系数α （α ＝I c ／I e ）值下降到低频（1000Hz ）值α o 的0.707 倍时，所对应的频率称为α 截止频率，用 f α 表示（图10 ）。
f α 反映了三极管共基极运用时的频率限制。
在三极管产品系列中，常根据 f α 的大小划分低频管和高频管。
国家规定，f α ＜3MHz 的为低频管，f α ＞3MHz 的为高频管。
当频率高于 f β 值后，继续升高频率，β 值将随之下降，直到β ＝1 ，三极管就失去了放大能力。
为此，人们规定：在高频条件下，β ＝1 时所对应的频率，称为特征频率，用 f T 表示。
f T 常作为标志三极管频率特性好坏的重要参数。
在选择三极管时，应使管子的特征频率 f T 比实际工作频率高出 3 ～5 倍。
f α 与f β 的物理意义是相同的，仅仅是放大电路连接方式不同。
理论分析和实验都可以证明，同一只三极管的 f β 值远比f α 值要小，它们之间的关系为f β ＝（1 －α ）f α这就说明了共发射极电路的极限工作频率比共基极电路低得多。
所以，高频放大和振荡电路大多采用共基极连接。
对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。
但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流去控制大电流。
放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。
假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。
小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。
所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。
如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。
在这里，Ub e就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。
当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。
如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。
管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。
这就是三极管中的截止区。
饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。
如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的击穿。
在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。
没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。
而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。
当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。
结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter,E）、基极（base,B）和集极（co llector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn 与pn p三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn 接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
