可控硅符号与工作原理

可控硅符号与工作原理

目录

一、可控硅的符号

1.什么是可控硅

2.可控硅长什么样

3.可控硅符号

二、可控硅的工作原理

1.单向可控硅的工作原理

2.双向可控硅的工作原理

三、可控硅的伏安特性

一、可控硅的符号

1.什么是可控硅？

可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

2.

可控硅长什么样

(平板型)系列ks200a可控

硅

双向可控硅

普通晶闸管(螺栓型) |可控硅

可控硅

3.可控硅的符号

有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G 。

K A

G

二、可控硅的工作原理

1.单向可控硅的工作原理

2.双向可控硅的工作原理

三、可控硅的伏安特性

晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关系，称晶闸管的伏安特性。晶闸管的伏安特性位于第一象限的是正向伏安特性，位于第三象限的是反向伏安特性。反向特性是晶闸管的反向阳极电压（阳极相对阴极为负电位）与阳极漏电流的伏安特性，它与一般二极管的反向特性相似。在正常情况下，当晶闸管承受反向阳极电压时，晶闸管总处于阻断状态。当反向电压增大到一定数值时，反向漏电流增长较快。若再继续增大反向电压，会导致晶闸管的反向击穿，造成晶闸管损坏。晶闸管的正向特性又有阻断状态和导通状态之分（简称断态和通态）。在门极电流IG＝0情况下，逐渐增大晶闸管的正向阳极电压。先是晶闸管处于断态，只有很小的正向漏电流，随着正向阳极电压的增加，当达到正向转折电压VBO时，漏电流突然剧增，特性从高阻区（阻断状态）经负阻区到达低阻区（导通状态）