2008年材料科学基础真题
(1)名词解释（每题5分，共40分）
1.空间点阵：组成晶体的粒子（原子、离子或分子）在三维空间中形成有
规律的某种对称排列，如果我们用点来代表组成晶体的粒子，这些点的空间排列就称为空间点阵。
2.中间相：金属与金属，或金属与非金属（氮、碳、氢、硅）之间形成的化合物总称为金属间化合物。由于金属间化合物在相图中处于相图的中间位置，故也称为中间相。
3.全位错：柏氏矢量等于点阵矢量的位错称为全位错。
4.共格界面：所谓共格晶界，是指界面上的原子同时位于两相晶格的结点上，即两相的晶格是彼此衔接的界面上的原子为两者共有。
5.滑移临界分切应力：滑移系开动所需的最小分切应力；它是一个定值，与材料本身性质有关，与外力取向无关。
6.包晶转变：成分为H点的δ固相，与它周围成分为B点的液相L，在一定的温度时，δ固相与L液相相互作用转变成成分是J点的另一新相γ固溶体，这一转变叫包晶转变或包晶反应。即HJB---包晶转变线，LB+δH→γJ
7.再结晶：塑性变形金属后续加热过程通过形核与长大无畸变等轴晶逐渐取代变形晶粒的过程。
8.上坡扩散：在化学位差为驱动力的条件下，原子由低浓度位置向高浓度位置进行的扩散。
(2)简答题（每题8分，共56分）
1.采用四轴坐标系标定六方晶体的晶向指数时，应该有什么样的约束条件？为什么？
2.写出FCC、BCC、HCP晶体的密排面、密排面间距、密排方向、密排方向最小原子间距。
3.指出图1中各相图的错误，并加以解释。
4.什么是柯肯达尔效应？请用扩散理论加以解释。若Cu-Al组成的互扩散偶发生扩散时，界面标志物会向哪个方向移动。
答：柯肯达尔效应：在置换式固溶体的扩散过程中，放置在原始界面上的标志物朝着低熔点元素的方向移动，移动速率与时间成抛物线关系。
柯肯达尔效应否定了置换式固溶体中扩散的换位机制，而证实了空位机制；系统中不同组元具有不同的分扩散系数；相对而言，低熔点组元扩散快，高
熔点组元扩散慢，这种不等量的原子交换造成了柯肯达尔效应。
当Cu-Al组成的互扩散偶发生扩散时，界面标志物会向着Al的方向移动。
一、简述变形后的金属在退火过程中的显微组织、储能及其力学、物理性能的变化。
答：随退火温度的升高或时间延长，出现亚晶合并长大，再结晶形核及长大，无位错的等轴再结晶晶粒取代长条状高位错密度的变形晶粒，然后是晶粒的正常长大。储存能逐渐被释放；硬度及强度下降，伸长率上升；电阻降低，密度提高。再结晶时各种性能变化都比回复时强烈得多。
二、常温下金属塑性变形的机制主要有哪些？它们的主要差别是什么？
答:主要形变机制是滑移和孪生；滑移产生的切变量是原子间距的整数倍，孪生产生的切变量是原子间距的一个分数；由此产生一系列其他方面的差异。
三、简述一次渗碳体（Fe3CІ）、二次渗碳体（Fe3C II）、三次渗碳体（Fe3C III）的定义，各自的组织形貌及分布特征。
三、论述题（共54分）
1.介绍合金强化的四种主要机制及其强化原因
答：固溶强化、弥散强化、第二相强化、细晶强化、加工硬化、马氏体强化（钢铁）、有序强化。其机理均是通过阻碍位错的运动来提高材料的强度。不同的强化方法的机理有其特殊性。
2.固溶强化：固溶在点阵间隙或结点上的合金元素原子由于其尺寸不同于基体原子，故产生一点的应力场，阻碍位错运动；柯氏气团和铃木气团，前者是间隙原子优先分布于BCC金属刃型位错的拉应力区，对位错产生钉扎作用，后者是合金元素优先分布于FCC金属扩展位错的层错区，降低层错能，扩大层错区，使扩展位错滑移更加困难。
3.沉淀强化和弥散强化：合金通过相变过程得到的合金元素与基体元素的化合物和机械混掺于基体材料中的硬质颗粒都会引起合金强化。沉淀强化和弥散强化的效果远大于固溶强化。位错在运动过程中遇到第二相时，需要切过（沉淀强化的小颗粒和弥散强化的颗粒）或者绕过（沉淀强化的大尺寸颗粒）第二相，因
而第二相（沉淀相和弥散相）阻碍了位错运动。
4.晶界强化：按照Hall-Petch公式，屈服点σs同晶粒直径d之间的关系是σ
-1/2，其实质是位错越过晶界需要附加附加的应力。因此低温用钢往往采s=σo+kd
用细晶粒组织。
5.有序强化：有序合金的位错是超位错，要使金属发生塑性变形就需要使超位错的两个分位错同时运动，因而需要更大的外应力。异类元素原子间的结合力大于同类元素原子间的结合力，所以异类原子的有序排列赋予有序合金较高的强度。
2.如图所示，某晶体的滑移面上有一个柏氏矢量为b的位错环，并受到一个均匀的切应力t的作用。试分析：(1)该位错环各段位错的结构类型。(2)求各段位错所受力的大小和方向。(3)在t的作用下，该位错环将要如何运动。(4)在t的作用下，若位错环在晶体中稳定不动，其最小半径应该是多大？
答：1.A为正刃型位错，B为右螺旋位错，C为负刃型位错，D为左螺旋位错，其它为混合型位错。
2.各段位错所受的力大小均为tb，方向垂直于位错线指向环外。
3.在外加切应力t的作用下，位错环将向外扩散。
4.由公式t=Gb
2r，在t的作用下，此位错环要稳定不动，其最小半径为
r min=Gb
2t。
6.什么是固溶体？固溶体的类型有哪些？影响固溶度的原因有哪些？固溶
体与其纯溶剂组元相比，其结构、力学性能和物理性能发生了哪些变化？
答：溶质原子以原子态溶入溶剂点阵中组成的单一均匀的固体；溶剂的点阵类型被保留。
影响固溶体的因素有：
(2)原子尺寸因素。当溶剂、溶质原子直径尺寸相对差小于+15%时，有大的代位溶解度。
(3)负电性因素。溶剂、溶质的负电性差越小溶解度越大，一般小于0.4~0.5会有较大溶解度。
(4)电子浓度因素。有两方面的含义：一是原子价效应，即同一溶剂金属，溶质原子价越高，溶解度越小；二是相对价效应，即高价溶质溶入低价溶剂时的溶解度高于相反的情况。
特点是：固溶体中有点阵畸变（强度、硬度会提高）而造成点阵常数变化：出现原子偏聚或有序化，甚至形成有序固溶体。
固溶体的结构变化：点阵畸变，点阵常数变化，偏聚及短程有序，甚至形成有序固溶体。力学性能变化：硬度、强度提高，塑性下降。物理性能变化：电阻加大，导电率下降。
4.凝固过程中形核和长大与再结晶过程形核和长大的主要区别是什么？简
述再结晶形核过程中晶核的产生方式。
答：凝固时形核的驱动力，是新、旧化学位差，再结晶驱动力只是形变储存能。凝固常是均匀形核；再结晶形核在现有的形变不均匀区，如晶界附近、切变带、形变带、第二相粒子周围。凝固长大时与母相不会有取向关系，再结晶长大时可有特定取向关系。
再结晶核心产生方式：①原有晶界推移成核，也称应变诱导晶界迁移式形核；
②亚晶成核，即通过亚晶合并或长大形成新晶粒。
