英飞凌IGBT模块
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IGBT型号
IGBT型号英飞凌IGBT模块是西门子旗下infineon 公司产品，原EUPEC IGBT模块英文名：infineon IGBT模块/英飞凌IGBT模块/别名优派克IGBT模块，欧派克IGBT模块，工业自动化设备维修常用元器件，中国IGBT 代理商！一:infineon(英飞凌)IGBT单管.MOS系列,TO-247封装(电流均为100度高温条件下测试标定)IKW20N60T 20A/600V 30KHZ SKW30N60HS 30A/600V 150KHZIKW50N60T 50A/600V 30KHZ IKW75N60T 75A/600V 30KHZ SKW25N120 25A/1200V 50KHZ IKW08T120 8A/1200V 30KHZIKW15T120 15A/1200V 30KHZ IKW25T120 25A/1200V 30KHZIKW40T120 40A/1200V 30KHZ IKW15N120T2 24A/1200V 50KHZIKW25N120T2 37.5A/1200V 50KHZ IKW40N120T2 56A/1200V 50KHZ SPD07N60C3 SPD04N60C3 SPA11N60C3 SPA20N60C3 SPA07N60C3 SPP03N60C3 SPP04N60C3 SPP07N60C3 SPP11N60C3 SPP20N60C3 IPP60R385CP SPW20N60C3 SPW47N60C3 SPA11N80C3 SPA17N80C3 SPP11N80C3 SPP17N80C3 SPW11N80C3 SPW17N80C3 二:英飞凌IGBT模块/IGBT模块(电流均为80度高温条件下测试标定)IGBT 600V系列(30KHZ高频)BSM50GB60DLC 50A/600V/2U Vcesat=2.1V BSM75GB60DLC 75A/600V/2U BSM100GB60DLC 100A/600V/2U BSM150GB60DLC 150A/600V/2UBSM200GB60DLC 200A/600V/2U BSM300GB60DLC300A/600V/2UFF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3 400A/600V/2U英飞凌IGBT模块IGBT 1200V系列BSM50GB120DN2/DLC BSM75GB120DN2/DLCBSM100GB120DN2K/DLCK BSM100GB120DN2/DLCBSM150GB120DN2 BSM200GB120DN2FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF300R12KS4FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3IGBT 1700V系列BSM75GB170DN2 BSM100GB170DLC BSM150GB170DLCFF200R17KE3 FF300R17KE3英飞凌IGBT模块PIM (三相桥+七单元+温度传感器)FP10R12YT3 FP15R12YT3 BSM10GP120 FP15R12KE3GFP25R12KE3/ K T 3 FP40R12KE3/ K T 3 FP40R12KE3G/KT3G FP50R12KE3/ K T 3 FP75R12KE3/ K T 3英飞凌IGBT模块IGBT 600V/1200系列(H桥40KHZ高频)F4―50R12KS4 50A/1200V/4U+温度检测电阻NTCF4—75R12KS4 F4—100R12 KS4 F4—150R12 KS4F4—100R06KL4 F4—150R06KL4F4—200R06KL4 200A/600V/4U+温度检测电阻NTC英飞凌IGBT模块IGBT 1200V/1700V系列BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2 FZ400R12KS4/KE3 FZ600R12KS4/KE3 FZ800R12KE3BSM300GA170DLS BSM400GA170DLS FZ400R17KE3FZ600R17KE3FS50R12KT3 FS75R12KT3 FS75R12KT3G FS100R12KT3 FS150R12KT3瑞士ABB驱动板+IGBT模块，型号如：FS225R12KE3/AGDR-71C、FS225R12KE3/AGDR-61C、FS225R12KE3/AGDR-62C、FS225R12KE3/AGDR-72C、FS225R17KE3/AGDR-71C、FS300R12KE3/AGDR-61C、FS300R12KE3/AGDR-71C、FS300R12KE3/AGDR-62C、FS300R12KE3/AGDR-72C、FS450R12KE3/AGDR-61C、FS450R12KE3/AGDR-62C、FS450R12KE3/AGDR-71C、FS450R12KE3/AGDR-72C、FS300R17KE3/AGDR-61C、FS300R17KE3/AGDR-62C、FS300R17KE3/AGDR-71C、FS300R17KE3/AGDR-72C、FS450R17KE3/AGDR-61C、FS450R17KE3/AGDR-62C、FS450R17KE3/AGDR-71C、FS450R17KE3/AGDR-72C。
注意选用英飞凌IGBT条件
选用英飞凌IGBT时，经常看到有不同的几个系列KE3，KT3，KT4，KS4。
不太清楚他们的应用场合，看PDF文档也没有直观的了解。
下面给大家分了几大类给大家介绍下，希望能帮到大家！英飞凌IGBT模块技术选型资料英飞凌(Infineon)，优派克(eupec)-600V系列IGBT模块1200V系列IGBT模块1600V系列IGBT模块1700V系列IGBT模块3300V系列IGBT模块6500V系列IGBT模块DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1VDN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4VKS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85VKE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0VKT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V600V系列IGBT模块两单元 BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC BSM200GB60DLCBSM300GB60DLCFF-KE3 (IGBT3): FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3四单元 F4-KL4 (Low Loss / IGBT2): F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4六单元 FS-L4 (Low Loss / IGBT2): FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4 FS50R06YL4 FS75R06KL4FS100R06KL4 FS150R06KL4 FS200R06KL4BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM30GD60DLC BSM50GD60DLC BSM75GD60DLC BSM100GD60DLC BSM150GD60DLCBSM200GD60DLCFS-VE3 (IGBT3): FS10R06VE3 FS15R06VE3 FS20R06VE3_B2 FS30R06VE3FS-KE3 (IGBT3): FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3 FS150R06KE3 FS200R06KE3功率集成模块PIM FP-KL4: FP10R06KL4 FP15R06KL4 FP20R06KL4BSM-GP: BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60FP-YE3: FP10R06YE3 FP20R06YE3 FP30R06YE3EUPEC 1200V IGBT模块有五种类型供用户选择(按开关频率，从后缀区分)类型 DN2系列 DLC系列 KS4系列 KE3系列 KT3系列最佳开关频率范围fs 10KHZ-20KHZ 4KHZ-8KHZ 15KHZ-30KHZ 4KHZ-10KHZ 8KHZ-15KHZ饱和压降Vce(sat) Tc=25℃ 2.5V 2.1V 3.2V 1.7V 1.7VTc=125℃ 3.1V 2.4V 3.85V 2.0V 1.9V1200V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2FZ -KF4 (Standard): FZ800R12KF4 FZ1200R12KF4 FZ1600R12KF4 FZ1800R12KF4 FZ2400R12KF4GA -DLC (Low Loss): BSM200GA120DLCS BSM300GA120DLC BSM400GA120DLC BSM600GA120DLCFZ -KL4C (Low Loss): FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1600R12KL4C FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4CFZ -KS4 (Fast): FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ300R12KE3G FZ400R12KE3 FZ600R12KE3 FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3 FZ3600R12KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB120DN2 BSM75GB120DN2 BSM100GB120DN2K BSM100GB120DN2 BSM150GB120DN2 BSM200GB120DN2FF -KF4 (Standard): FF400R12KF4 FF600R12KF4 FF800R12KF4GB –DLC (Low Loss): BSM50GB120DLC BSM75GB120DLC BSM100GB120DLCK BSM100GB120DLC BSM150GB120DLCBSM200GB120DLC BSM300GB120DLCFF -KL4C (Low Loss): FF400R12KL4C FF600R12KL4C FF800R12KL4CFF -KE3 (IGBT3): FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3 FF600R12KE3 FF800R12KE3FF1200R12KE3FF -KT3 (Fast IGBT3): FF150R12KT3G FF200R12KT3 FF300R12KT3 FF400R12KT3四单元 F4 -KS4 (Fast): F4-50R12KS4 F4-75R12KS4 F4-100R12KS4 F4-150R12KS4 F4-400R12KS4_B2六单元 GD -DN2(Standard): BSM15GD120DN2 BSM25GD120DN2 BSM35GD120DN2 BSM50GD120DN2 BSM75GD120DN2 BSM100GD120DN2 BSM25GD120DN2E3224 BSM35GD120DN2E3224 BSM50GD120DN2E3226FS -KF4(Standard): FS300R12KF4 FS400R12KF4GD -DLC(Low Loss): BSM15GD120DLCE3224 BSM25GD120DLCE3224 BSM35GD120DLCE3224 BSM50GD120DLCBSM75GD120DLC BSM100GD120DLCFS -KS4(Fast): FS75R12KS4 FS100R12KS4FS -KE3(IGBT3): FS25R12KE3G FS35R12KE3G FS50R12KE3 FS75R12KE3 FS100R12KE3 FS150R12KE3 FS225R12KE3 FS300R12KE3 FS450R12KE3FS -KT3(Fast IGBT3): FS10R12YT3 FS15R12YT3 FS25R12KT3 FS35R12KT3 FS50R12KT3 FS75R12KT3 FS75R12KT3G FS100R12KT3 FS150R12KT3功率集成模块PIM BSM -GP(Low Loss): BSM10GP120 BSM15GP120 BSM25GP120 BSM35GP120 BSM35GP120G BSM50GP120FP –KS(Fast): FP15R12KS4C FP25R12KS4C FP35R12KS4CG FP50R12KS4CFP –KE3(IGBT3): FP10R12KE3 FP15R12KE3 FP25R12KE3 FP40R12KE3 FP40R12KE3G FP50R12KE3 FP75R12KE3FP –YT3(Fast IGBT3): FP10R12YT3 FP15R12YT3 FP15R12KT3 FP25R12KT3 FP40R12KT3 FP50R12KT3 FP75R12KT3 斩波模块choppermodules GAR: BSM75GAR120DN2 BSM300GAR120DLCGAL: BSM75GAL120DN2 BSM100GAL120DN2 BSM300GAL120DLCFD: FD200R12KE3 FD300R12KE31600V、1700V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2 BSM300GA170DN2SFZ -KF4 (Standard): FZ800R16KF4 FZ1200R16KF4 FZ1800R16KF4GA –DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM200GA170DLC BSM300GA170DLC BSM400GA170DLCFZ -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode):FZ800R17KF6C_B2 FZ1200R17KF6C_B2 FZ1600R17KF6C_B2FZ1800R17KF6C_B2 FZ2400R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ400R17KE3 FZ600R17KE3 FZ1200R17KE3 FZ1600R17KE3 FZ2400R17KE3 FZ3600R17KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB170DN2 BSM75GB170DN2 BSM100GB170DN2 C# BSM150GB170DN2FF -KF4 (Standard): FF400R16KF4 FF600R16KF4GB -DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM100GB170DLC BSM150GB170DLC BSM200GB170DLCFF -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FF400R17KF6C_B2 FF600R17KF6C_B2 FF800R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FF200R17KE3 FF300R17KE3 FF600R17KE3 FF800R17KE3 FF1200R17KE3六单元 FS -KF4 (Standard): FS300R16KF4GD -DL (Low Loss): BSM50GD170DL BSM75GD170DLFS -KE3 (IGBT3): FS75R17KE3 FS100R17KE3 FS150R17KE3 FS225R17KE3 FS300R17KE3 FS450R17KE3斩波模块 FD -KF4 (Standard): FD400R16KF4 FD600R16KF4FD -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FD401R17KF6C_B2 FD600R17KF6C_B2 FD800R17KF6C_B23300V系列IGBT模块一单元 FZ - KF2C (Standard): FZ800R33KF2C FZ1200R33KF2CFZ - KL2C (Low Loss): FZ800R33KL2C FZ1200R33KL2C二单元 FF - KF2C (Standard): FF200R33KF2C FF400R33KF2C斩波模块 FD - KF2C (Standard): FD400R33KF2C FD400R33KF2C-K FD800R33KF2C FD800R33KF2C-K FD - KL2C-K_B5 (Low Loss with 10.2 kV Insulation Voltage): FD800R33KL2C-K_B56500V系列IGBT模块一单元 FZ - KF1 (Standard): FZ200R65KF1 FZ400R65KF1 FZ600R65KF1斩波模块 FD - KF1-K (Standard): FD200R65KF1-K FD400R65KF1-K。
英飞凌IGBT模块型号参数大全
EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EasyPACK 750 EasyPACK 750 EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EasyPACK 750 EconoPACK 2B EconoPACK 2B EasyPACK 1B EasyPACK 1B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 2B EconoPACK 3B EconoPACK 3B EconoPACK 3B
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FS150R06KE3 FS150R06KE3_B4 BSM200GD60DLC FS200R06KE3 FS400R06A1E3 FS400R07A1E3 FS800R06A2E3 FS800R07A2E3 FS200R07N3E4R FS200R07N3E4R_B1 1 FP50R06W2E3 BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60 FP10R06KL4 FB10R06KL4G FB15R06KL4 FB15R06KL4B1 FB20R06KL4 FB20R06KL4_B1 FP10R06KL4_B3 FP10R06W1E3 FP10R06YE3 FP10R06YE3_B4
富士和英飞凌IGBT模块型号互换对照表
高速两单元IGBT模块;150A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
2MBI200HH-120-50
FF200R12KS4
高速两单元IGBT模块;200A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
2MBI300HH-120-50
FF300R12KS4
高速两单元IGBT模块;300A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
IGBT功率集成模块(PIM);50A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VB120-50
FP75R12KT4_B15
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VN120-50
FP75R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
6MBI150VB-120
FS150R12KT4
六单元IGBT模块;150A;1200V EconoPACK 3
6MBI300V-120
FS300R12KE3/E4
六单元IGBT模块;300A;1200V EconoPACK +
6MBI450V-120
FS450R12KE3/E4
六单元IGBT模块;450A;1200V EconoPACK +
7MBR100VN120-50
FP100R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);100A;1200V EconoPIM 3
7MBR150VN120-50
FP150R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);150A;1200V EconoPIM 3
1单元模块
1MBI2400VC-120
FZ2400R12KE3
2MBI200HH-120-50
FF200R12KS4
高速两单元IGBT模块;200A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
2MBI300HH-120-50
FF300R12KS4
高速两单元IGBT模块;300A;1200V;软开通20~50KHz 62mm
IGBT功率集成模块(PIM);50A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VB120-50
FP75R12KT4_B15
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
7MBR75VN120-50
FP75R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);75A;1200V EconoPIM 3
6MBI150VB-120
FS150R12KT4
六单元IGBT模块;150A;1200V EconoPACK 3
6MBI300V-120
FS300R12KE3/E4
六单元IGBT模块;300A;1200V EconoPACK +
6MBI450V-120
FS450R12KE3/E4
六单元IGBT模块;450A;1200V EconoPACK +
7MBR100VN120-50
FP100R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);100A;1200V EconoPIM 3
7MBR150VN120-50
FP150R12KT4
IGBT功率集成模块(PIM);150A;1200V EconoPIM 3
1单元模块
1MBI2400VC-120
FZ2400R12KE3
英飞凌各代IGBT模块技术详解
英飞凌各代IGBT模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。
它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。
由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合具有优势。
随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。
英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。
一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。
生产时间是 1990 年－ 1995 年。
西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。
如 BSM150GB120DN1。
图 1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。
PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。
因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。
二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。
由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。
英飞凌第三代IGBT模块开关特性
英飞凌第三代IGBT模块开关特性1. 英飞凌第三代IGBT模块芯片技术IGBT 芯片(IGBT3) 具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了PT 和NPT 技术的优势。
关于IGBT构造及IGBT工作原理可参阅IGBT构造与工作原理一文。
图1.1. 芯片技术该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。
2. 开关特性2.1. 开关特性在开通过程中，电压上升率(-dv/dt) 和电流上升率(di/dt) 可以通过更变栅极电阻进行控制，这一特性在使用第二代IGBT时已很熟悉了。
两种开关瞬态过程均随着栅极电阻的增加而变长。
图2.1.1 标称栅极电阻下（数据手册中规定的最小栅极电阻）的开启过程VCE = 1200V (dv/dt=0.9kV/μs)IC = 1200A (di/dt=6.4kA/μs)VGE = ±15V (ICpeak = 2.4kA)Eon = 816mWs图2.1.2 低值栅极电阻下（比数据手册中规定的最小栅极电阻小）的开启过程（不推荐）VCE = 1200V (dv/dt=1.4kV/μs)IC = 1200A (di/dt=8.7kA/μs)VGE = ±15V (ICpeak = 2.7kA)Eon = 544mWs图2.1.3 大栅极电阻下（比数据手册中规定的最大栅极电阻）的开启过程VCE = 1200V (dv/dt=0.3kV/μs)IC = 1200A (di/dt=3kA/μs)VGE = ±15V (ICpeak = 1.81kA)Eon = 2558mWs2.2 关断特性图2.2.3 用标称栅极电阻的1700V IGBT3 的关断响应。
显示VGE、IC 和VCE。
关断过程从栅极电压的t1 点开始。
英飞凌模块IGBT
4单元，50A/1200V
F4-75R12KS4
4单元，75A/1200V
F4-100R12KS4
4单元，100A/1200V
F4-150R12KS4
4单元，150A/1200V
FS75R12KS4
6单元，75A/1200V
FS100R12KS4
6单元，100A/1200V
T4系列
产品型号
参数说明
FF50R12RT4
6单元，450A/1200V
产品型号
参数说明
FF150R12KT3G
2单元，150A/1200V
FF200R12KT3
2单元，200A/1200V
FF300R12KT3
2单元，300A/1200V
FF400R12KT3
2单元，400A/1200V
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6单元，25A/1200V
FS50R12KT3
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FF300R17KE3
2单元，300A/1700V
FS100R1Βιβλιοθήκη KE36单元，100A/1200V
FS150R12KE3
6单元，150A/1200V
FS225R12KE3
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T4系列
产品型号
参数说明
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产品型号
参数说明
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FS100R1Βιβλιοθήκη KE36单元，100A/1200V
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英飞凌第四代IGBT模块特性
英飞凌第四代IGBT模块特性英飞凌第4代IGBT芯片技术-IGBT4 IGBT4模块封装IGBT4：基于IGBT3技术IGBT4：基于IGBT3技术，按应用优化特性分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片小功率IGBT4–T4为中、小功率应用设计用于中、小功率模块在T3的基础上- 提升开关速度- 使关断波形更平滑一些电压等级：1200V适用开关频率：≤20kHz配用小功率EmCon4二极管中功率IGBT4–E4为中、大功率应用优化设用于中、大功率模块在E3的基础上- 提升开关速度- 使关断波形更平滑一些电压等级：1200V，1700V适用开关频率：≤8kHz配用中功率EmCon4二极管大功率IGBT4–P4为大功率应用优化设计用于大功率模块在E3的基础上- 使关断过程“软”- 降低关断速度电压等级：1200V，1700V适用开关频率：≤3kHz配用大功率EmCon4二极管IGBT4（1200V）：特征参数的调整：饱和电压T4-小功率IGBT4：开关能耗低于T3 （提高了开关速度）E4-中功率IGBT4：开关能耗低于E3 （提高了开关速度）P4-大功率IGBT4：开关能耗高于E3 （降低了关断速度，使关断“柔软”）关断过程对比：T4的波形比T3的平滑一些测试条件：Ls=200nH（极大），Ic=150A（Ic,nom=300A），Vdc=400V/450V/500V，Tj=25°CIGBT4（1200V）：中功率E4关断过程对比：E4的波形比E3平滑一些测试条件：Ic=Ic,nom=450A，Vdc=800V/900V（仅供测试），Tj=25°CIGBT4（1200V）：大功率P4关断过程对比：P4（及EmCon4）呈现明显的“软”特性IGBT4（1700V）：大功率P4关断过程：对比IGBT3（E3），P4呈现明显的“软”特性关断过程：对比IGBT2（KF6C），P4呈现较“软”特性，且关断能耗较小IGBT4模块：Tvjop,max = 150°C！概念：在开关工作条件下，IGBT4模块的最高允许结温规格为 150°C，比IGBT3/IGBT2模块（1200V和1700V）的规格提高了25°C！出发点：适应芯片小型化（Rthjc，ΔTjc[=PLoss×Rthjc]）实现：IGBT4模块内部焊线工艺的改进可靠性因素：焊线工艺决定了模块的可靠性指标之一-功率循环（PC）次数。
英飞凌各代IGBT模块技术详解
英飞凌各代IGBT模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。
它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。
由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合具有优势。
随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。
英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。
一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。
生产时间是 1990 年－ 1995 年。
西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。
如 BSM150GB120DN1。
图 1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。
PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。
因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。
二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。
由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。
英飞凌600V 1200VIGBT模块型号大全
IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT² IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT² Low Loss IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³ IGBT³
400.0 A 300.0 A 800.0 A 1,050.0 A 1,200.0 A 1,600.0 A 1,800.0 A 2,400.0 A 200.0 A 200.0 A 300.0 A
BSM300GA120DLCS BSM400GA120DLC BSM400GA120DLCS BSM600GA120DLC BSM600GA120DLCS FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1600R12KL4C FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4C FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2 FZ300R12KE3G FZ300R12KE3B1G CSERIE FZ400R12KE3 FZ400R12KE3B1 FZ600R12KE3 FZ600R12KE3B1 FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3 FZ2400R12KE3 FZ2400R12KE3_B9 FZ3600R12KE3 B BSM200GA120DN2S BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2S BSM400GA120DN2C BSM400GA120DN2S
1.45 1.45 1.45 1.45 1.45 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.95 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55 1.55
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FF450R17IE4infineon FZ3600R12HP4infineon FS100R07N2E4_B11infineon FF650R17IE4D_B2infineon FS75R07N2E4infineon FF1200R12IE5P infineon FZ400R12KE4infineon DF120R12W2H3_B27infineon FP50R12KT4G infineon DD800S45KL3_B5infineon FS25R12W1T4_B11infineon FD300R07PE4_B6infineon FZ600R17KE4infineon F3L100R12W2H3_B11infineon FB30R06W1E3infineon FS20R06W1E3infineon FP10R12W1T4_B11infineon FP40R12KT3G infineon FF900R12IE4VP infineon FD1000R33HL3-K infineon FP15R12W1T4infineon FF400R07KE4infineon FP35R12W2T4infineonFS75R17KE3infineonFP35R12KT4infineon FF450R12ME4E_B11infineon FZ3600R17HE4P infineon FS100R17KE3infineon IFS75B12N3E4_B31infineon FF200R17KE4infineon FS100R07N2E4infineonDD500S65K3infineon FS200R12PT4P infineon FS150R12KT4infineon FP50R07N2E4infineon F3L300R12ME4_B23infineon FP50R07N2E4_B11infineon FP50R12KT4_B11infineon FP50R06W2E3_B11infineon FP25R12W2T4P infineon FS200R07A5E3_S6infineon FF300R17KE4infineon FS75R12KT4_B11infineon FZ2400R12HP4_B9infineon FS900R08A2P2_B31infineon 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