F系列OCXO恒温晶振选型手册

恒温控制晶体振荡器（OCXO的原理exo是利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器，其内部结构如图4所示。

在OCXO中，有的只将石英晶体振子置于恒温槽中，有的是将石英晶体振子和有关重要元器件置于恒温槽中，还有的将石英晶体振子置于内部的恒温槽中，而将振荡电路置于外部的恒温槽中进行温度补偿，实行双重恒温槽控制法。

利用比例控制的恒温槽能把晶体的温度稳定度提高到5000倍以上，使振荡器频率稳定度至少保持在1X 10-9。

OCXO主要用于移动通信基地站、国防、导航、频率计数器、频谱和网络分析仪等设备、仪表中。

OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。

通常人们是利用热敏电阻“电桥”构成的差动串联放大器，来实现温度控制的。

具有自动增益控制（AGC）的（Clapp振荡电路，是目前获得振荡频率高稳定度的比较理想的技术方案。

在近几年中，OCXO的技术水平有了很大的提高。

日本电波工业公司开发的新器件功耗仅为老产品的。

在克服OCXO功耗较大这一缺点方面取得了重大突破。

该公司使用应力补偿切割（SCCut石英晶体振子制作的OCXO与使用AT 切形石英晶体振子的OCXO比较，具有高得多的频率稳定度和非常低的相位噪声。

相位噪声是指信号功率与噪声功率的比率（C/N），是表征频率颤抖的技术指标。

在对预期信号既定补偿处，以1Hz带宽为单位来测量相位噪声。

Bliley公司用AT切形晶体制作的NV45A在补偿点10Hz、100Hz、1kHz和10kHz处的相位噪声分别为100、135、140和145dBc/Hz,而用SC切割晶体制成的同样OCXQ 则在所有补偿点上的噪声性能都优于5dBc/Hz。

凯越翔电子生产的OCXQ频率范围为5〜120MHz,在一10〜+60C的温度范围内，频率稳定度有士0.02、±0.03 和±0.05ppm，老化指标为士0.02ppm/ 年和士0.05ppm/年。

晶振简介（OCXO恒温、 MCXO数补、VCXO压控、VCTCXO、VCOCXO）各种晶振简介1. 普通晶振Packaged Crystal Oscillator（PXO）：是⼀种没有采取温度补偿措施的晶体振荡器，在整个温度范围内，晶振的频率稳定度取决于其内部所⽤晶体的性能，频率稳定度在10-5量级，⼀般⽤于普通场所作为本振源或中间信号，是晶振中最廉价的产品。

2. 温补晶振Temperature Compensated Crystal Oscillator（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进⾏补偿，以达到在宽温温度范围内满⾜稳定度要求的晶体振荡器。

⼀般模拟式温补晶振采⽤热敏补偿⽹络。

补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格⽐及功耗低、体积⼩、环境适应性较强等多⽅⾯优点，因⽽获⾏了⼴泛应⽤。

3. 压控晶振Voltage Controlled Crystal Oscillator（VCXO）：是⼀种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要⽤于锁相环路或频率微调。

压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所⽤变容⼆极管及晶体参数两者的组合 4. 恒温晶振Oven Controlled Crystal Oscillator（OCXO）：采⽤精密控温，使电路元件及晶体⼯作在晶体的零温度系数点的温度上。

中精度产品频率稳定度为10-7~10-8，⾼精度产品频率稳定度在10-9量级以上。

主要⽤作频率源或标准信号 5. 电压控制－温补晶体振荡器（VCTCXO）温度补偿晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。

6. 电压控制－恒温晶体振荡器（VCOCXO）恒温晶体振荡器和电压控制晶体振荡器结合。

晶振的应⽤：晶体振荡器被⼴泛应⽤到军、民⽤通信电台，微波通信设备，程控电话交换机，⽆线电综合测试仪，BP机、移动电话发射台，⾼档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。

恒温晶振、温补晶振选用指南晶体振荡器被广泛应用到军、民用通信电台，微波通信设备，程控电话交换机，无线电综合测试仪，BP机、移动电话发射台，高档频率计数器、GPS、卫星通信、遥控移动设备等。

它有多种封装，特点是电气性能规范多种多样。

它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO）,每种类型都有自己的独特性能。

如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或温补晶振，如果要求稳定度在0.5ppm以上，则需选择数字温补晶振（MCXO）。

模拟温补晶振适用于稳定度要求在5ppm～0.5ppm之间的需求。

VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。

在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm 的，可选用OCXO。

频率稳定性的考虑晶体振荡器的主要特性之一是工作温度内的稳定性，它是决定振荡器价格的重要因素。

稳定性愈高或温度范围愈宽，器件的价格亦愈高。

工业级标准规定的-40～+75℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-30～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。

设计工程师要慎密决定特定应用的实际需要，然后规定振荡器的稳定度。

指标过高意味着花钱愈多。

晶体老化是造成频率变化的又一重要因素。

根据目标产品的预期寿命不同，有多种方法可以减弱这种影响。

晶体老化会使输出频率按照对数曲线发生变化，也就是说在产品使用的第一年，这种现象才最为显著。

例如，使用10年以上的晶体，其老化速度大约是第一年的3倍。

采用特殊的晶体加工工艺可以改善这种情况，也可以采用调节的办法解决，比如，可以在控制引脚上施加电压（即增加电压控制功能）等。

与稳定度有关的其他因素还包括电源电压、负载变化、相位噪声和抖动，这些指标应该规定出来。

对于工业产品，有时还需要提出振动、冲击方面的指标，军用品和宇航设备的要求往往更多，比如压力变化时的容差、受辐射时的容差，等等。

恒温晶振OCXO主要技术指标定义的IEC标准恒温晶振OCXO主要技术指标定义的IEC标准1）标称频率（Nominal frequency）IEC标准定义：振荡器标明的工作频率。

2）中心频率偏差 (Frequency accuracy)IEC标准定义：在基准点温度环境（25 ± 2 ℃ ）和中心控制电压时，测得的频率值与标称频率的偏差。

3）频率调谐范围（Frequency adjustment range）IEC标准定义：用某种可变元件使振荡器频率能够改变的频率范围。

注：调整的目的：1）把频率调到规定调整范围内的任一特定值。

2）由于老化和其它条件变化而引起频率偏移后，能够把振荡器频率修正到规定值。

调整的方式：3）调节方式有机械调节和电压调节两种4）可变元件通常指变容二极管、多圈电位器等。

4）工作温度范围 (Operating temp. range)IEC标准定义：振荡器能够正常工作，其频率及其它输出信号性能均不超过规定的允许偏差的温度范围。

注：1）工作温度范围的下限越低，振荡器功耗越大，同时频率温度稳定度越难实现。

2）工作温度范围的上限越高，晶体拐点设置越高，晶体成本上升越多。

5）压控特性（电压范围、极性、线性、压控输入阻抗）IEC标准定义：当控制电压变化时，引起的振荡器输出的频率、波形特征等电特性的变化。

注：1）电压范围：用来调节频率的电压的可调范围。

常见的有0～3.3V, 0.3～3.0V, 0～ 5V, 0.5～4.5V等。

2）压控范围：压控电压在电压范围内变化的时候，振荡器的频率能够变化的范围。

3）极性：当振荡器的频率随压控电压的增加而增加的时候，压控极性为正极性，反之为负极性。

4）线性度：理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的，但实际上总会有所偏差，这个偏差就是表征理想程度的压控线性度，通常用百分比表示。

5）如果系统不能给出稳定的电压信号，或者对输出频率有严格的控制要求时，通常振荡器可以自己给出经过稳压后的精准的电压供压控电压用，这个精准的电压就是参考电压。

军用 > 航空航天 > 导航 > 通信 > 测控 > 仪器与设备产品选型手册XO - 晶体振荡器OCXO - 恒温晶体振荡器TCXO - 温补晶体振荡器VCXO - 压控晶体振荡器AVXO - 抗振晶体振荡器MXO - 倍频晶体振荡器PLXO - 锁相晶体振荡器成都世源频控技术有限公司是一家高端射频与微波产品整体解决方案提供商。

公司专注于超低相位噪声、超高稳定度、低功耗及高可靠射频与微波产品的设计、制造、销售以及相关技术服务。

世源频控技术拥有数条射频与微波产品的柔性生产线，针对不同客户的需求进行产品的设计及制造。

在低相位噪声、高稳定度和低功耗等应用场合具有丰富的设计经验和高度的专业知识，目前公司主要产品技术指标及性能处于世界先进水平。

我们的产品：•恒温晶体振荡器(OCXO)• 温补晶体振荡器(TCXO)• 压控晶体振荡器(VCXO)• 抗振晶体振荡器(AVXO)• 倍频晶体振荡器(MXO)•锁相晶体振荡器(PLXO)世源频控技术具有一流的技术开发工具和生产检测设备。

如相位噪声测试仪、信号源分析仪、信号分析仪、高精度频率计、示波器、高低温试验箱、振动试验台及专用自动测试系统等。

领先的设计、先进的生产检测设备以及严格的质量过程控制保证了产品的质量与可靠性，提高了产品的生产效率。

世源频控技术的产品广泛应用于频率源（频率合成器）、同步时钟、电信设备及基站（含无线通信、移动通信设备及卫星通信）、数字交换和无线电测试测量仪器等领域，并为全球的军用、航空航天、仪器仪表、通信设备和卫星导航等行业的企业提供大量的高品质产品及服务。

世源频控技术致力于通过专业的产品及良好的服务，注重客户意见，持续极力为客户提升价值。

1. 恒温晶体振荡器(OCXO)------------------------------------------------------------------第04页~第30页2. 温补晶体振荡器(TCXO)--------------------------------------------------------------------第31页~第41页3. 压控晶体振荡器(VCXO)-------------------------------------------------------------------第42页~第43页FCOX2系列<超高稳定度,超低老化率,50.8mm 50.8mm H mm>-----------------------------------------第05页~第06页 FCOX3系列<极低相位噪声,50.8mm 50.8mm 19.0mm,SMA-F>-----------------------------------------第07页~第08页 FCOX4系列<超低相位噪声,38.1mm 38.1mm 12.7mm>--------------------------------------------------第09页~第10页 FCOX5系列<超低相位噪声,38.1mm 38.1mm 12.7mm>--------------------------------------------------第11页~第12页 FCOX7系列<超低相位噪声,小体积,25.4mm 25.4mm 12.7mm>-----------------------------------------第13页~第14页 FCOX8系列<超低相位噪声,超小体积,20.320.39.7(or 11.4)mm>--------------------------------------第15页~第16页FCOX9系列<极低相位噪声,试验室级应用,74.6344.4525.4mm>--------------------------------------第17页~第18页FCOX10系列<低相位噪声,超小体积,25.415.249.7(or 11.4)mm>--------------------------------------第19页~第20页FCOX12系列<低相位噪声,表面贴,25.522.210.0mm>---------------------------------------------------第21页~第22页FCOX17系列<超低相位噪声,35.4mm 26.7mm 12.7(or 13.6)mm>--------------------------------------第23页~第24页 FCOX18系列<超高稳定度,超低老化率,51.3.0(or 25.4)mm>-----------------------------------第25页~第26页 FCOX101系列<超低功耗,超小体积,低相位噪声,插件,21.013.6.5mm>------------------------------第27页~第28页FCOX102系列<超低功耗,超小体积,低相位噪声,表面贴,25.415.24.7mm>-------------------------第29页~第30页FCTX8系列<超低相位噪声,20.3mm 20.3mm 9.7(or 11.4)mm>------------------------------------------第32页~第33页 FCTX9系列<超低相位噪声,25.4mm 15.24mm 9.7(or 11.4)mm>----------------------------------------第34页~第35页 FCTX10系列<超低相位噪声,表面贴,27.4mm 17.8mm 5.9mm>-----------------------------------------第36页~第37页 FCTX12系列<超低相位噪声,表面贴,25.5mm 22.2mm 6.7mm>-----------------------------------------第38页~第39页 FCTX13系列<低相位噪声,超小体积,表面贴,17.014.0 6.0mm>-----------------------------------------第40页~第41页FCVX3系列<低相位噪声,表面贴,27.4mm 17.8mm 5.9mm>---------------------------------------------第42页~第43页×××××××××××××××××××××41.3×19××8××8××××××××××××晶体振荡器QUARTZ CRYSTAL OSCILLATOR5. 倍频晶体振荡器(MXO)---------------------------------------------------------------------第51页~第55页MXO4系列<极低相位噪声,极低杂散,50.0mm 50.0mm mm>-------------------------------------------第52页~第53页MXO7系列<双路输出,低相位噪声,低杂散,50.8mm 50.8mm mm>------------------------------------第54页~第55页××H ××H 倍频晶体振荡器MULTIPLIED CRYSTAL OSCILLATOR4. 抗振晶体振荡器(AVXO)-------------------------------------------------------------------第44页~第50页AVXO3系列<抗振设计,优秀动态相位噪声,38.138.119.0(or 16.0)mm>-------------------------------第45页~第46页 AVXO4系列<抗振设计,优秀动态相位噪声,38.138.119.0(or 16.0)mm>-------------------------------第47页~第48页 AVXO6系列<抗振设计,卓越动态相位噪声,50.850.827.0mm>-----------------------------------------第49页~第50页××××××抗振晶体振荡器ANTI-VIBRATION CRYSTAL OSCILLATORNEW ！NEW ！NEW ！NEW ！6. 锁相晶体振荡器(PLXO)----------------------------------------------------------------第56页~第60页PLXO1系列<内置PLL,极低相位噪声,50.8mm 50.8mm 19.0mm,SMA>----------------------------第57页~第58页 PLXO2系列<内置PLL,小体积,低相位噪声,35.4mm 26.7mm 12.7mm>----------------------------第59页~第60页××××锁相晶体振荡器PHASE LOCKED CRYSTAL OSCILLATOR7. 客户订货信息表---------------------------------------------------------------------------------第61页客户订货信息表8. 新产品发布专栏--------------------------------------------------------------------------------第62页新产品发布专栏---NEW PRODUCTS RELEASE敬请关注!-恒温晶体振荡器<OVEN CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR>超短预热时间FCOX350.8mm X 50.8mm X19.1mmFCOX17FCOX7FCOX8FCOX10FCOX10121.0X13.6X8.5mmFCOX10225.4X15.24X8.7mmNEW ！NEW ！NEW！FCOX12NEW ！OCXOFCOX2产品数据手册 Rev A电性能参数输出信号(客户定义)标称频率 5~20MHz 输出波形 正弦波或方波输出功率,正弦波 0~+13.0dBm 初始频率准确度 ±0.05~±0.3ppm 谐波,正弦波 -30dBc max.杂波,正弦波 -70dBc max.相位噪声(客户定义)OSC @ 10MHz@1Hz -85~-110dBc/Hz @10Hz -110~-140dBc/Hz @100Hz -135~-155dBc/Hz @1KHz -145~-165dBc/Hz @10KHz -150~-166dBc/Hz @100KHz -150~-168dBc/Hz @1MHz -150~-168dBc/Hz稳定度(客户定义)温度稳定度 ±短期稳定度 ±1E-10~±5E-13/s 老化率 ±1E-7~±1E-8/y50~±0.1ppb 电源电压(客户定义)工作电压 +5.0V 或+12.0V 或+15.0V 最大工作电流 500~1500mA max.稳定工作电流 200~700mA max.预热特性 1~15分钟，达到±1E-7~±1E-8频率调节(客户定义)频率调节方式 电调节（EFC ）压控电压范围 0~2.5~5.0V 频率牵引范围 ±0.3~±1.0ppm 频率牵引斜率 正输入阻抗 100k Ω min.环境适应性(客户定义)工作温度范围 最宽-55℃~+85℃机械冲击 GJB-360B,方法213,15g,11ms,半正弦温度冲击 GJB-360B,方法107,-55℃~+85℃,5次2随机振动 GJB-360B,方法214,0.04g /Hz,3个轴向存储温度范围-55℃~+100℃.标签纸，位于产品外壳顶部，包括生产厂家标识、产品型号、标称频率、序列号、生产日期等信息。

晶振电路的生产研发条件质量保证命名规则恒温晶体振荡器(OCXOs)OX253B-H-MR-V-10M OX362D-H-MR-V-10MOX20系列10～40SC±0.01～0.20.2S/T/HOX30x系列10～120SC±0.005～0.20.5S/T/H-140/-14556●●9●1215订购表7●OX14B-T-HU-V-10MOX12A-T-HT-V-40M温度补偿晶体振荡器(TCXOs)TX12/TX14/TX15系列10～120±0.5～512/5/3.3S/T/H/CTXG36B-S-KW-R@300M1922命名规则●-55～+85CTX7A-C-GU-V@10M TX12B-T-JW-N@20M注：ppm=10,120MHz以上为倍频输出,可选定制产品；10MHz以下为分频输出；产品概览8●型号频率范围f(MHz)频率温度稳定度压控频率范围工作电压V输出选择*电压控制晶体振荡器(VCXOs)ppmVX12/VX14/VXM14(SMD)ppm压控线性注：ppm=10, 除VXM15系列外，频率>35MHz压控频率范围为±30ppm; 需宽压控频率范围可选倍频输出。

*:S:Sinewave; LC:L VCMOS; LP:LVPECL。

VXM15B-T-HQ-A@100M页码24命名规则●VX12/VX14/VXM14集成晶体振荡器目录封装外形尺寸图35(TMs )±ppmppm时钟模块概述VTM18B-T-HT-001页码TM18系列±4.62/2CMOS5/3.328±0.370.008～32.768●27集成晶体振荡器目录(XTALs )封装页码29命名规则●±5ppm1、完善的晶体谐振器生产线2 我们拥有1000m 资上千万元完整的晶体谐振器生产线，其主要设备从国外引进，可生产高Q、低老化冷压焊和电阻焊(抽真空)SC、AT切晶体。

5脚ocxo晶振引脚定义OCXO晶振是指 Oven Controlled Crystal Oscillator，即温度稳定的晶体振荡器。

它是一种高度精密的频率稳定源，用于要求高稳定性和精确度的应用中，如通信系统、导航系统、卫星通信、测量设备等。

在OCXO晶振中，引脚起着连接晶振与外部电路的作用。

5脚OCXO 晶振是一种常见的类型，下面将对其引脚定义进行详细说明。

1. Vcc：这是晶振的电源引脚，用于提供电源给晶振。

通常情况下，Vcc引脚需要输入稳定的直流电压，以确保晶振的正常工作。

在5脚OCXO晶振中，Vcc引脚通常连接到电源正极。

2. GND：这是晶振的地引脚，用于提供电路的参考电位。

GND引脚通常连接到电源的负极或是系统的地线，以确保电路的稳定性和准确性。

3. OUT：这是晶振的输出引脚，用于输出晶振产生的稳定频率信号。

OUT引脚通常连接到外部电路的输入端，以提供一个稳定的参考信号。

输出的频率通常在几十kHz到几百MHz之间，具体取决于晶振的设计和规格。

4. NC：这是晶振的未连接引脚（No Connection），也可以理解为不连接引脚。

在5脚OCXO晶振中，NC引脚没有连接到任何电路或元件，它的存在是为了与其他型号的晶振兼容，方便在生产过程中的布局和安装。

5. TCXOEN：这是OCXO晶振的温度补偿引脚（Temperature Compensation X-tal Oscillator Enable）。

TCXOEN引脚用于控制晶振的温度补偿功能，以提高晶振的频率稳定性。

通常情况下，TCXOEN引脚需要接入一个控制信号，通过控制信号的状态来启用或禁用温度补偿功能。

通过以上对5脚OCXO晶振引脚定义的介绍，我们可以看出，不同的引脚在晶振的工作中扮演着不同的角色。

Vcc和GND引脚提供了晶振的电源和参考电位，OUT引脚输出稳定的频率信号，TCXOEN引脚控制温度补偿功能的启用。

在实际应用中，正确连接晶振的引脚是非常重要的，错误的引脚连接可能导致晶振无法正常工作或频率不稳定。

ocxo的控制方式
恒温晶体振荡器（Oven Controlled Crystal Oscillator，简称OCXO）的控制方式主要是为了维持其内部石英晶体在极其稳定的温度环境下工作，以实现极高的频率稳定度。

通常情况下，OCXO采用以下几种方式来实现对温度的精密控制：
1、闭环温控系统：
1）OCXO内部有一个小型恒温槽，它包含一个加热元件和温度传感器（如热敏电阻或热电偶）。

2）温度传感器实时监测恒温槽内的温度，并将信号反馈给控制器。

3）控制器根据预设的目标温度与实际测量到的温度差值，通过经典的PID（比例-积分-微分）控制算法或其他高级控制策略，输出控制信号来调整加热元件的功率，从而精确控制恒温槽内的温度。

2、PID控制器：
PID控制器是一种常见的自动控制系统元件，它可以基于误差（目标温度与当前温度之差）的比例、积分和微分三个部分计算出控制量，以达到快速响应和消除静态误差的目的。

3、热补偿技术：
在某些设计中，可能会结合使用热补偿元件来减少温度变化带来的频率漂移，但这不属于严格意义上的“控制”方式，而是对温度敏感性的一种补偿手段。

4、智能控制算法：
高级的OCXO可能还会应用更为复杂的控制算法，例如模糊逻辑控制、自适应控制等，这些算法可以更好地应对环境变化和设备老化等因素引起的温度稳定性挑战。

总之，OCXO的温度控制是一个精细而关键的过程，确保晶体振荡器能在恒定且适宜的温度下运行，从而保证其输出频率的长期稳定性和极高精度。

OX-2211-EAE-1090-20M00OCXONominal frequency (f0)20MHzFeaturesApplication•SMD•SC Cut Crystal •hermetically sealed•Wander generation (Standard /ZLAN Group)MTIE &TDEV compliant with:-G.812(zR1)•S3E compliant according GR1244Performance SpecificationsEnclosure17,87,6223,43,42,71234567top view25,4 0,27,62 0,117,8 0,122 0,2G275H 0,250,1Co- Planarity spec ( 0,1mm)2,52,58,9 0,1()all units in mmNotes:Unless otherwise stated all values are valid after warm-up time and refer to typical conditions for supply voltage, frequency control voltage,load,temperature(25◦C).Subject to technical modification.USA:Europe:100Watts Street LandstrasseMt Holly Springs,P A1706574924NeckarbischofsheimGermanyTel:1.717.486.3411T el:+49(0)7268.801.0Fax:1.717.486.5920Fax:+49(0)7268.801.281Information contained in this publication regarding device applications and the like is provided only foryour convenience and may be superseded by updates.It is your reasonability to ensure that yourapplication meets with your specifications.MICROCHIP MAKES NO REPRESENT A TION ORWARRANTIES OF ANY KIND WHETHER EXPRESS OR IMPLIED,WRITTEN OR ORAL,ST ATUTORYOR OTHERWISE,RELA TED TO THE INFORMA TION INCLUDING,BUT NOT LIMITED TO ITSCONDITION,QUALITY,PERFORMANCE,MERCHANT ABILITY OR FITNESS FOR PURPOSE.Microchip disclaims all liability arising from this information and its e of Microchip devices in lifesupport and/or safety applications is entirely at the buyer’s risk,and the buyer agrees to defend,indemnify and hold harmless Microchip from any and all damages,claims,suits,or expenses resultingfrom such use.No licenses are conveyed,implicitly,or otherwise,under any Microchip intellectualproperty rights unless otherwise statedTrademarksThe Microchip and Vectron names and logos are registered trademarks of Microchip TechnologyIncorporated in the U.S.A.and other countries.List of appendicesAppendix_OX-2211-EAE-1090_Power_on_time II Appendix_OX-2211-EAE-1090-20M000_TDEV III Appendix_OX-2211-EAE-1090-20M000__Jitter V Appendix_OX-2211-EAE-1090-20M000_I2C_V1.0VI Appendix handling&processing note XIThe following MTIE TDEV plots were generated from data collected on production devices over the course of a year and represent typical performance. Frequency is measured every second and converted to phase using Microchip’s golden standard TimeMonitor software. Filtering is applied to the data per standards requirements, and limits where applicable, are shown in red. Additional information on standards and oscillatorrecommendations can be found in ZLAN-830 and ZLAN-3467 (formerly ZLAN-442 and ZLAN-68).Const. Temp ±1°K; slope 0,1°C/min, range 21..23°C Const. Temp ±5°F; slope 0,1°C/min,range 19.22..24.78°CTrapezoid_Pattern_slope 0,5°C/min,range +2,5...42,5°C Triangle-Pattern_slope 0,2°C/min,range -40...85°CConst. Temp ±1°K; slope 0,1°C/min, range 21..23°C Const. Temp ±5°F; slope 0,1°C/min,range 19.22..24.78°CTrapezoid_Pattern_slope 0,5°C/min,range +2,5...42,5°C Triangle-Pattern_slope 0,2°C/min,range -40...85°COX-2211-EAE-1090-20M0002The I2C interface option is available since manufacturing DC 2301The I2C interface shall be compliant with the I2C-Bus specification for standard speed operation. I2C Bus Voltage V I2C= 2.8VI²C-Device interface (SDA, SCL) CharacteristicsParameter Min. Typ. Max. Units Condition DC Electrical CharacteristicsHigh Level Input Voltage (Vih) 0.7*V I2C V I2C+0.25 V dc SDA and SCLLow Level Input Voltage (Vil) -0.3 0.3 *V I2C V dc SDA and SCL Electrical Characteristics (Note 1)SCL Clock Frequency 10 100 kHz Communication (Note 2)I²C-Device I 2C-Device 7-bit Address:10101001) Product is to communicate via industry standard I2C bus timing. I2C is a PhillipsSemiconductor registered trademark.22Following the Start condition from the master, the device code (7 bits) and the R/W bit is placed onto the bus by the master transmitter. This indicates to the addressed slave receiver that 2 bytes with a word address (little endian format) will follow once it has generated an Acknowledge bit during the ninth clock cycle. Therefore, the next 2 bytes transmitted by the master is the word address and will be written into the Address Pointer of the slave device. After receiving another Acknowledge signal from the slave device, the master device will transmit the data word to be written into the addressed memory location. The slave device acknowledges again and the master generates a Stop condition. This initiates the internal write cycle and, during this time, the slave device will not generate Acknowledge signals.AP2.2 Page write operationThe write control byte, word address and the first data byte are transmitted to the slave device in the same way as in a byte write. However, instead of generating a Stop condition, the master transmits up to 16 data bytes to the slave device, which are temporarily stored in the on chip page buffer and will be written into memory once the master has transmitted a Stop condition. Upon receipt of each word, the Address Pointer bits are internally incremented by ‘1’. As with the byte write operation, once the Stop condition is received an internal write cycle will beginAP2.3 Acknowledge pollingSince the device will not acknowledge during a write cycle, this can be used to determine when the cycle is complete (this feature can be used to maximize bus throughput). Once the Stop condition for a Write command has been issued from the master, the device initiates the internally-timed write cycle and ACK polling can then be initiated immediately. This involves the master sending a Start condition followed by the control byte for a Write command (R/W = 0). If the device is still busy with the write cycle, no ACK will be returned. If the cycle is complete, the device will return the ACK and the master can then proceed with the next Read or Write command. See the figure below for a flow diagram of this operation.AP2.4 Current address readThe slave device contains an address counter that maintains the address of the last word accessed, internally incremented by ‘1’. Therefore, if the previous access (either a read or write operation) was to address n, the next current address read operation would access data from address n + 1. Upon receipt of the slave address with R/W bit set to ‘1’, the slave device issues an acknowledge and transmits the 8-bit data word. The master willnot acknowledge the transfer, but does generate a Stop condition and the slave device discontinues transmission.AP2.5 Random readRandom read operations allow the master to access any memory location in a random manner. To perform this type of read operation, the word address must first be set. This is accomplished by sending the 2 byte word address to the slave device as part of a write operation. Once the word address is sent, the master generates a Start condition following the acknowledge. This terminates the write operation, but not before the internal Address Pointer is set. The master then issues the control byte again, but with the R/W bit set to a ‘1’. The slave device will then issue an acknowledge and transmit the 8-bit data word. The master will not acknowledge the transfer, but does generate a Stop condition and the slave device will discontinue transmission.AP2.6 Sequential readSequential reads are initiated in the same way as a random read, except that once the slave device transmits the first data byte, the master issues an acknowledge as opposed to a Stop condition in a random read. This directs the slave device to transmit the next sequentially addressed 8-bit word.Memory Map (EEPROM)Address Range ByteCountRegister Name Description Format Default Value(without null)General registers (0x0000 - 0x00EF)0x0000 - x0000 1 MM_REV Memory map revision 8-bit unsignedinteger01h 0x0001 - x0001 1 Reserved0x0002 - x0004 3 VENDOR_ID Vendor ID (3 characters including null) ASCII 7-bit “VI”0x0005 - x0024 32 PART_NUM Vendor part number (32 charactersincluding null) ASCII 7-bit e.g. “OX-2211-EAE-1090-20M000”0x0025 - x0028 4 NOM_FREQ Nominal frequency in Hertz 32-bit unsignedinteger0x0029 - x002B 3 SERIAL_NUM Device serial number 24-bit unsignedinteger0x002C - x0030 5 DATECODE_ASC Date code of manufacture (5 charactersincluding null)ASCII 7-bit “YYWW“Special function registers (0x00F0 - 0x00FF)0x00F0 - x00F1 2 V_TEMP Vtemp Indicator for ambient temperature,related to the power consumption of theOCXO16-bit unsigned 0x00F2 - x00FF 14 ReservedNotes:(1) All numerical values are stored in little endian format.ApplicationUnless otherwise noted, the products listed in the catalogue are designed for use with ordinary electrical devices, such as stationary and portable communication, control, measurement equipment etc.. They are designed and manufactured to meet a high degree of reliability (lifetime more than 15 years) under normal …commercial“ application conditions. Products dedicated for automotive and H-Rel applications are specifically identified for these applications. If you intend to use these …commercial“ products for airborne, space or critical transport applications, nuclear power control, medical devices with a direct impact on human life, or other applications which require an exceptionally high degree of reliability or safety, please contact the manufacturer.Electrostatic SensitivityCrystal oscillators are electrostatic sensitive devices. Proper handling according to the established ESD handling rules as in IEC 61340-5-1 and EN 100015-1 is mandatory to avoid degradations of the oscillator performance due to damages of the internal circuitry by electrostatics. If not otherwise stated, our oscillators meet the requirements of the Human Body Model (HBM) according to JESD22-A114F.HandlingExcessive mechanical shocks during handling as well as manual and automatic assembly have to be avoided. If the oscillator was unintentionally dropped or otherwise subject to strong shocks, please verify that the electrical function is still within specification.Improper handling may also detoriate the coplanarity of bended leads of SMD components. SolderingOscillators can be processed using conventional soldering processes such as wave soldering, convection, infrared, and vapour phase reflow soldering under normal conditions. Solderability is guaranteed for one year storage under normal climatic conditions (+5°C to +35°C @ 40% to 75% relative humidity), however typically sufficient solderability –depending on the process – is maintained also for longer time periods. In cases of doubt, components older than one year should undergo a sample solderability test.The recommended reflow solder profile for SMT componets is according IPC/JEDEC J-STD-020 (latest revision)SMD oscillators must be on the top side of the PCB during the reflow process.After reflow soldering the frequency of the products may have shifted several ppm, which relaxes after several hours or days, depending on the products. For details please contact the manufacturer.CleaningCleaning is only allowed for hermetically sealed oscillators. Devices with non hermetical enclosures (e.g. with trimmer holes) shall not be cleaned by soaking or in vapour, because residues from the cleaning process may penetrate into the interior, and degrade the performance.Our products are laser marked. The marking of our oscillators is resistant to usual solvents, such as given in IEC 60068-2-45 Test XA. For applicable test conditions see IEC 60679-1.Ultrasonic cleaning is usually not harmful to oscillators at ultrasonic frequencies of 20kHz at the sound intensities conventional in industry. Sensitive devices may suffer mechanical damage if subjected to 40kHz ultrasound at high sound pressure. In cases of doubt, please conduct tests under practical conditions with the oscillators mounted on the PC board.Hermetical SealIf the device is specified as hermetically sealed, it meets the requirements of IEC 60679-1, i.e. for enclosures with a volume smaller than 4000mm³ the leak rate is below 5*10-8 bar cm3/s, for larger enclosures it is below 1*10-6 bar c bar cm3/s, tested according to IEC 60068-2-17 Test Qk.Glass feed-throughs may be damaged as a result of mechanical overload, such as bending the connection leads or cutting them with an unappropriated tool. In order to avoid microcracking, the wire must be held fixed in position by a pressure pad between glass feed-through and the bending point during the bending process. Check: there should be no damaged edges on the glass feed-through after the bending.Tape & ReelThe packing in tape and reel is according to IEC 60286-3.Details see tape & reel data sheets.QualificationVectron products are undergoing regular qualification/reliability tests as per product family definition. Results are available upon request. Customer specific qualification tests are subject to agreement.If not otherwise stated, the product qualifications are performed according to IEC 60679-5 or other valid industry standards.ScreeningOur oscillators are 100% tested, and all key manufacturing processes are controlled by Statistical Process Control (SPC). Additional screening is therefore usually not required.On request, we can perform screening tests according to MIL-PRF-55310, class B for discrete or hybrid constructions of commercial (COTS) products. For special requirements see the High Reliability Clock section.Demounting/Desoldering of Ocsillator device for analysis:The removal or desoldering of oscillators from customer application after SMT process may cause damage to the device if not handeld appropriately. It may lead to parametric change such as frequency shift (like OCXO: up to +/- 200 ppb) . It is utmost important to minimize the direct heat exposure to the device in order to avoid such effects. Use of hot air gun for desoldering should be avoided.A mechanical stress could also destroy the part, if exposed to excessive mechanical shock after removal process. Appropriate shock protection & ESD designated packaging must be used to avoid any external mechanical shock for FA return process.In general, the products* withstand the tests listed in the following Table 1, which are based on valid industry standards.*Additional note: Test conditions could vary for different product families and individual product specifications depending on the customer as well as product requirements.Recommended Environmental Test ConditionsTable 1Appendix Page XIV of XIVMicrochip Frequency Technology•。

恒温晶振OCXO自适应驯服保持技术的分析作者：于光运李国强牛希东来源：《科技信息·上旬刊》2017年第03期摘要：恒温晶体振荡器具有精确度高、频率稳定等特点，在稳定度、温度稳定性和老化率方面都具有优势，是一种非常精密的时频信号源，在网络分析仪、计量、通信和全球定位系统中都得到了广泛的应用。

恒温晶振驯服保持技术将晶体振荡器的短期稳定度和GPS信号的准确度和长期稳定度有效融合在一起，促使频率源的性能得到了很大的改善，使其得到了更广泛的应用。

本文就恒温晶振驯服保持技术进行分析，旨在为人们提供一定的参考。

关键词：恒温晶振；驯服保持技术；频率测量晶体振荡器的锁定技术在国内外都已经有相应的研究，并且也取得了一定的成果，研制出了相应的产品，国外一些公司的二级频标技术采用卫星信号来进行锁定，就能够同步GPS 输出的1PPS信号和晶振分频得到的秒信号，同步的精度非常高。

近年来二级频标的应用非常广泛和普及，因此对准确性和稳定性也提出了更高的要求，加强二级频标的驯服保持技术的研究才能够满足现阶段人们的需求和要求。

一、恒温晶振驯服保持技术系统设计（一）恒温晶振驯服保持技术系统总体方案恒温晶振驯服保持技术系统总体方案由微处理器模块、GPS接收机、恒温晶体整荡器、信号调理模块、时间间隔测量模块、显示器和分频模块等组成，由控制软件来控制发挥作用。

其中微处理器模块；GPS接收机模块主要用于GPS信号的接收，同时输出标准的秒信号，但是秒信号一般含有干扰脉冲，所以并不会直接使用，而是要经过解码、处理等之后用来校准晶振；时间间隔测量模块对GPS接收机输出的秒信号和恒温晶振分频产生的秒信号上升沿之间的时间间隔进行测量，同时将测定得到的结果输送给数据处理模块；数据处理模块对测定得到的时间间隔进行数字滤波，消除信号抖动[1]。

数据处理模块完成对数据的处理之后，发出控制数据，由信号调理模块和高分辨率D/A转换器接收，并将其转化为模拟控制电压，通过对应的信号调理电路就能够将模拟电压的范围和恒温晶振的电压压控范围相符合。

图２
测温电路
图３
（ ４）
３６０ 元 ／ 年 邮局订阅号 ： ８２－９４６
《 Ｐ ＬＣ 技术应用 ２００ 例》
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控制系统
算出数字 ＰＩＤ 参数 Ｋｐ 、 Ｔｉ、 Ｔｄ 和 Ｔ。 （５） 控制效果的调节 按求得的参数值在温控系 统中运行 ， 并 观察控制 效果。如控制效果达不到控制要求 ， 可基于以下原则 ， 根据经验法对参数做适当调整。
参考电压不一致， 运放的温度漂移， 参考电压的纹波
３：
Ｒｔ 是热敏电阻 ， Ｒ０ 、 Ｒ１ 是参考电阻 ， Ｒ２ 是调节电 阻。其中热敏电阻具有负温度系数特性 ， 它的阻值 ＲＴ 随温度上升而下降 ， 其阻值随温度变化的函数如下 ：
R =R e
−
Á
式 （ ４ ） 中 ， Ｔ 为 绝 对 温 度 ， Ｔ０ 为 规 定 的 温 度 ， Ｒ０ 为 热 敏 电 阻 在 规 定 温 度 Ｔ０ 下 的 阻 值 ， Ｂ 为 材 料 系 数 ， 也 称为热敏指数。
１ 引言
单 层 ＯＣＸＯ 制 作 中 需 要 把 晶 体 与 振 荡 电 路 置 于 恒温槽中 ， 目的是在外界环境温度变化的情况 下使晶 体与振荡电路受影响到最小化， 所以， 恒温槽是恒温 晶 体 振 荡 器 （ ＯＣＸＯ） 的 重 要 组 成 部 分 ， 恒 温 槽 温 度 的 控制精度直接影响 ＯＣＸＯ 的温度特性 ， 根据控制方式 的不同， 可以分为模拟和数字控制系统两种， 一般情 况下， 不论采用那种控制方式， 基本的控制策略都是 模拟控制系统依靠控制电路设计简单、 目标 ＰＩＤ 控制。 温度调节方便 ， 但存在 Ｐ、 Ｉ、 Ｄ 参数不易一次确 定 ， 参 数整定需要一定的经验 ， 并反复多次试验确 定。随着 单片机的出现 ， 采用单片机控制的数字控制 系统得到 普遍应用， 数字控制系统是用程序来实现的， 因而控 制策略具有更大的灵活性 ， 恒温槽具有控温精度相 对 较高、 加热方式多等优点。由于 ＯＣＸＯ 多数是需要在 工业温度范围内工作 ， 环境温度 － ４０℃到 ＋８５℃内变化 ， 而放在恒温槽内的晶体与振荡电路 ， 实际上是处 于恒 温槽内的温度场内 ， 温度场务必会随环境温 度变化 ， 而我们测温一般只能采用单一的测温点 ， 控 温实际上 也是控制了测温点的温度， 因此， 要求能够根据外界 环境温度变化控制恒温槽内的温度场变化最小而选 区适当的控制策略。

恒温控制晶体振荡器（OCXO）的原理CXO是利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器，其内部结构如图4所示。

在OCXO中，有的只将石英晶体振子置于恒温槽中，有的是将石英晶体振子和有关重要元器件置于恒温槽中，还有的将石英晶体振子置于内部的恒温槽中，而将振荡电路置于外部的恒温槽中进行温度补偿，实行双重恒温槽控制法。

利用比例控制的恒温槽能把晶体的温度稳定度提高到5000倍以上，使振荡器频率稳定度至少保持在1×10－9。

OCXO主要用于移动通信基地站、国防、导航、频率计数器、频谱和网络分析仪等设备、仪表中。

OCXO是由恒温槽控制电路和振荡器电路构成的。

通常人们是利用热敏电阻“电桥”构成的差动串联放大器，来实现温度控制的。

具有自动增益控制（AGC）的（C1app）振荡电路，是目前获得振荡频率高稳定度的比较理想的技术方案。

在近几年中，OCXO的技术水平有了很大的提高。

日本电波工业公司开发的新器件功耗仅为老产品的1/10。

在克服OCXO功耗较大这一缺点方面取得了重大突破。

该公司使用应力补偿切割（SCCut）石英晶体振子制作的OCXO，与使用AT 切形石英晶体振子的OCXO比较，具有高得多的频率稳定度和非常低的相位噪声。

相位噪声是指信号功率与噪声功率的比率（C/N），是表征频率颤抖的技术指标。

在对预期信号既定补偿处，以1Hz带宽为单位来测量相位噪声。

Bliley公司用AT切形晶体制作的NV45A在补偿点10Hz、100Hz、1kHz和10kHz处的相位噪声分别为100、135、140和145dBc/Hz，而用SC切割晶体制成的同样OCXO，则在所有补偿点上的噪声性能都优于5dBc/Hz。

凯越翔电子生产的OCXO，频率范围为5～120MHz，在－10～＋60℃的温度范围内，频率稳定度有±0.02、±0.03和±0.05ppm，老化指标为±0.02ppm/年和±0.05ppm/年。

一、什么是OCXO/TCXO/VCXO？ 一、什么是OCXO/TCXO/VCXO？
1、OCXO是“恒温石英晶体振荡器” OCXO是“恒温石英晶体振荡器” 的英文缩写。也简称为“恒温石英 晶振”，或“高稳晶振”、“恒温 晶振”。恒温晶振是产生标准频率 信号的一个电子部件。 2、TCXO 是”温度补偿石英晶体振 荡器”的英文缩写, 荡器”的英文缩写,简称为“温补石 英晶振”. 英晶振”. 3、VCXO是“电压控制石英晶体振荡 VCXO是“电压控制石英晶体振荡 器”的英文缩写。简称为“压控石 英晶振”. 英晶振”.
3.7 、负载特性
负载特性是描述产品的输出频率随负 载变化的状况的指标。有两个项目： 1、负载变化范围。方波输出以门电 负载变化范围。方波输出以门电 路的多少引起的频率变化量来评判。 正弦波以50欧姆+/正弦波以50欧姆+/-的百分比来衡量。 2、频率变化范围。在规定负载变化 频率变化范围。在规定负载变化 范围内，频率变化的相对量。
3.8 、频谱特性
频谱特性是描述OCXO的输出频率的频谱状况 频谱特性是描述OCXO的输出频率的频谱状况 的指标。有以下几个项目： 1、谐波。考察二次以上谐波的输出强度与 谐波。考察二次以上谐波的输出强度与 主波的输出强度之间的关系。用dBc来计量。 主波的输出强度之间的关系。用dBc来计量。 对方波输出不考察谐波指标。 2、杂波。考察除谐波之外其它干扰信号的 杂波。考察除谐波之外其它干扰信号的 输出强度和出现的位置与主波的关系。也用 dBc来计量。 dBc来计量。 TCXO/VCXO一般不作此项要求。 3、TCXO/VCXO一般不作此项要求。
3率随时闲长期变化的指标。 一般有以下几个项目： 1、日老化。一天之内的频率变化率。一般取7天的 日老化。一天之内的频率变化率。一般取7 平均值来描述。用“ppb/day” 平均值来描述。用“ppb/day”来计量。 2、月老化。一个月内的频率变化量。一般取一月内 月老化。一个月内的频率变化量。一般取一月内 的平均值来描述。用“ppb/month” 的平均值来描述。用“ppb/month”来计量。 3、年老化。一年之内的频率变化量。用“ppb/year” 年老化。一年之内的频率变化量。用“ppb/year” 来计量。（一般取日老化的100倍，但与初始老化时 来计量。（一般取日老化的100倍，但与初始老化时 间有关）。 4、长期老化预测。几年或者几十年以后的老化状况。 长期老化预测。几年或者几十年以后的老化状况。 一般是以老化特性的指数规律拟合出老化曲线的数学 公式，然后用微分的方法计算出以后某一时刻的老化 指标，或者某一期间内的老化指标。年老化一般也采 取此法给出。 5. TCXO/VCXO 产品一般是用年老化来衡量. 产品一般是用年老化来衡量.

晶振的型号常用晶振型号 石英振荡器系列：全尺寸、半尺寸钟振、（5*7 6*3.5、5*3.2、4*2.5） 石英品振系列：HC--49/U、HC-49/S、HC-49/SMD、50U、UM-1、UM-5。

音义晶体系列：JU/AT 2*6、3*8、3*9。

贴片系列：TCXO、VCXO SMD （5*7、6*3.5、5*3.2、4*2.5）。

  陶瓷系列：ZTA、ZTT、ZTB CRB455 10.7M。

单片机中常用晶振型号 一般分为贴片和直插两种，直插TO49封装居多，多是6兆赫兹，8兆赫兹，11.0592兆赫兹，18.432兆赫兹，20兆赫兹。

另外还有32.768千赫兹的用于RTC。

贴片晶振的体积与型号主要有5070，6035，5032，4025，3225，2520，1510这七种；其中6035，4025这两种体积不常用。

爱普生晶振常用型号 爱普生贴片晶振32.768K系列频率范围晶体单元的产品多以FC、MC 开头，而圆柱晶振则以C开头。

KHZ贴片晶振常用的几种规格大概有以下八种：1.6*1.0mm；2.0*1.2mm；3.2*1.5mm；4.2*1.5mm（爱普生已淘汰此规格产品）；5.0*2.0mm；7.0*1.5mm；8.0*3.8mm；10.41*4.06mm（体积较大）。

注明：晶振长宽高体积均可加减0.2mm。

爱普生晶振MHZ频率范围晶体单元产品均已FA、MA开头。

且常用的规格有：1.6*1.2mm；2.0*1.6mm；2.5*2.0mm；3.2*2.5mm；8.0*3.8mm；11.7*4.8mm（体积较大，用户较少）；13.46*5.08mm（体积较大，用户较少）。

爱普生晶振表面声波（SAW）谐振器产品型号以NS、FS开头，广泛应用于汽车无鈅门锁上的产品线。

用在例如无鈅门锁的参考时钟、近场通信等专用低功耗无线通信上的产品线。

常用的封装有以下三种：2.5*2.0mm；3.8*3.8mm，4.8*5.2mm。

20 pF Max. , R-load 1kΩ Min.
产品名称 (标准显示)
OG2525 C CN 10.000000MHz H C B D D J
①②
③
④⑤⑥⑦⑧⑨
①型号 ②输出(C: CMOS) ③频率 ④电源电压(H: 5.0 V) ⑤频率老化(C: ±100 ×10-9 / year )
⑥工作温度范围(B: -20 C ~ +70 C) ⑦频率温度特征(D: 50 10-9 Max.) ⑧VC 功能(D: 有功能)
条件
裸存
+25 C , Vcc = 5.0 V -20 ºC ~ +70 ºC Vcc = 5.0V ±0.25 V 15 pF ±5 % +25 °C Vcc & Vcont = const 上电后 7 天 +25 °C Vcont = 0.5 V ~ 4.5 V 正极 Vcc = 5.0V Vcc = 5.0V , +25 °C
ISO 14000 是国际标准化组织于 1996 年在全球化变暖、臭 氧层破坏、以及全球毁林等环境问题日益严重的背景下提
出的环境管理国际标准。
追求高品质
Seiko Epson 为了向顾客提供高品质、卓越信赖性的产品、服务，迅 速着手通过 ISO 9000 系列资格认证的工作，其日本和海外工厂也在通 过 ISO 9001 认证。同时，也在通过大型汽车制造厂商要求规格的 ISO/TS 16949 认证。
ISO/TS16949 是一项国际标准,是在 ISO9001 的基础上增 加了对汽车工业的特殊要求部分。
关于在目录内使用的记号
●无铅。
●符合欧盟 RoHS 指令。 欧盟 RoHS 指令免检的含铅产品。 （密封玻璃、高温熔化性焊料或其他材料中包含铅。）

NA-100M-6800 Series in 25.4x25.4mm DIP packageNA-100M-6800 series is a 100.000 MHz high performance (VC)OCXO offeringlow phase noise(LPN), low G sensitivity(LGS) and tight frequency stability down to ±50ppb(-20ºC to +70ºC). The part comes in a small hermetically sealed through hole package which makes it suitable for humid environmental conditionsFEA TURESLow Phase Noise & Low G-Sensitivity Small Hermetically Sealed Package Tight Frequency Stability Low Power Consumption Fast Warm-up TimeElectrical Frequency Tuning Input Reference Voltage OutputRoHS-Compliant (lead-free)APPLICA TIONSInstrument ReferenceMicrowave CommunicationClock Reference for Microwave Signal Source Test & Measurement Telecom SystemsRadar SystemsELECTRICAL SPECIFICA TIONSTest conditions: VDC = +12 V; VCO = +5 V; at +25 ± 3°C unless otherwise identified 1.OUTPUT (PIN = “R.F. OUTPUT”)ParameterMin.Typ.Max. UnitTest Condition1.1. Frequency (Fo) 100.000000MHz1.2.Initial Accuracy -0.3 +0.3 ppm @ +25 ±1°Cafter turn on power 60 minutes Vco=+5V1.3. Waveform Sine wave1.4. Level +10 dBm 1.5. Load 50 Ω 1.6. Harmonics -30 dBc 1.7.Spurious-100dBcRoHS Compliant Standard深圳捷比信－－高品质精密元件供应商ｗｗｗ．ｊｅｐｓｕｎ．ｃｏｍ2. FREQUENCY STABILITYParameter Min. Typ. Max. Unit Test Condition2.1. Ambient ±20, ±50, ±100 ppbreferenced to 25°C Refer to Table 1 : Ordering Information -20o C ~ +70o C-40o C ~ +85o C °C2.2. AgingDaily -5 +5 ppb after 30 daysYearly -500 +500 ppb10 Years -2 +2 ppm2.3. Voltage -5 +5 ppb ±5% change2.4. Short term 0.05 ppb root Allan variance for τ=1 sec2.5. Load -5 +5 ppb ±10% change2.6. Warm-up -50 +50 ppb in 5 minutes @ +25 ±1°C referenced to 1 hour 2.7. G-Sensitivity(each axis)1 ppb/g2.8. Phase Noise (Max.) Option A Option B Option CRefer to Table 1 : Ordering Information-93 -97 -100 dBc/Hz @ 10Hz-125 -130 -135 dBc/Hz @ 100Hz-157 -160 -162 dBc/Hz @ 1KHz-173 -173 -170 dBc/Hz @ 10KHz-177 -175 -172 dBc/Hz @ 100KHz-180 -178 -175 dBc/Hz @ 1MHz3. ELECTRICAL FREQUENCY ADJUSTMENT (PIN = “VCO INPUT”)Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Condition3.1. Tuning Range ±3 ppm Referenced to frequency at nominal Center Voltage 3.2. Control Voltage 0 +10.0 V3.3. Slope Positive3.4. Center Voltage +5 V3.5. Linearity -10 +10 %4. INPUT POWER (PIN = “+VDC”)Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Condition4.1. Voltage +11.4 +12 +12.6 V4.2. CurrentSteady State 2.0 W During Warm-Up 380 mA5. REFERENCE VOLTAGE (PIN = "REFERENCE VOLTAGE")Parameter Min. Typ. Max. Units Test Condition 5.1. Voltage +9.5 +10 +10.5 V深圳捷比信－－高品质精密元件供应商ｗｗｗ．ｊｅｐｓｕｎ．ｃｏｍ6. ENVIRONMENTALParameterReference Std.Test Condition6.1. Operable Temperature -40°C to +85°C Note 16.2. Storage Temperature -55°C to +105°C6.3. HumidityMIL-STD-202, Method 103Test Condition A 95% RH @ +40°C,non-condensing,240 hours 6.4. Vibration (non-operating) MIL-STD-202, Method 201 0.06” Total p-p, 10 to 55 Hz 6.5.Shock (non-operating)MIL-STD-202, Method 213,Test Condition J30g, 11ms, half-sineNote 1 : Output maintained over this temperature range. Other requirements of this specification may not be met when operating outside thetemperature range in 2.1.Phase Noise Test Data深圳捷比信－－高品质精密元件供应商ｗｗｗ．ｊｅｐｓｕｎ．ｃｏｍOUTLINE DRAWING深圳捷比信－－高品质精密元件供应商ｗｗｗ．ｊｅｐｓｕｎ．ｃｏｍ。

KDS常用晶振型号频率指标技术规格KDS常用晶振型号频率指标技术规格产品名称常用晶振型号频率指标技术规格温补晶振 1.25MHZ DIP14 2PPM SINE -20-70 3.3V晶体谐振器 2.176MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器 3.57954MHz HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器 3.57MHz 5070 5V 30PPM 20PF 无电压晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator温补晶振 3.6864MHZ DIP14 -55-+85℃ 10PPM 5V TTL温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振 4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-7 0-50 TTL 5V AT 压控 125d 恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-9 0-50 TTL 5V SC 压控 125d 晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 5.0688MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM恒温晶振 5.0MHz DIP36X27 SINE 3PPB 0-60 -145DBC 1K 12V 5X10?钟振 5.12MHZ DIP14 5V 30PPM数字温补 5.12MHz DIP40X25 0.1ppm 12V 方波 -20+70 机械微温补晶振 5.12MHz DIP40X25 0.5ppm 12V 方波 -20+70 机械微晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHz HC-49SMD 20PPM 20PF晶体谐振器7.3728MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM晶体谐振器7.68MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器8.0MHZ HC-49SMD 30PPM 16pF晶体谐振器8.0MHZ 5032 10PF 20PPM温补晶振8.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3.晶体谐振器8.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm 无电压晶体谐振器8.0MHz SMD8045 2脚 30PPM温补晶振8.388608MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃晶体谐振器9.8304MHz HC-49S 20pF 30PPM 温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM SMI温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 1PPM SMI温补晶振10.0MHZ 5032 DAS535SD 0.5ppm温补晶振10.0MHZ 5032 DS5032TC温补晶振10.0MHZ 5032 方波 2ppm 3.3v -40-85温补晶振10.0MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波不带压控温补晶振10.0MHZ 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.28ppm -30 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 4P 3.3V HCMOS 0.5ppm VCTCXO -35—65 温补晶振10.0MHZ 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 泰艺 2.5ppm -40+85 clippedsine 控晶体谐振器10.0MHz CSTCC10M0G53-R0 Resonator Murata 数字温补10.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO数字温补10.0MHZ DIP14 0.1ppm 3.3V -40—85温补晶振10.0MHZ DIP14 0.3PPM SINE 5V恒温晶振10.0MHZ DIP14 1*10-7 12V -10-+60° 电平极：0dB 温补晶振10.0MHZ DIP14 1ppm 3.3v 正弦波机械调节调节范围几温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM -30-+70 0.5PPM 5V SINE VCTCXO温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM SINE 3.3V 机械微调温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14 -40~85C LVCMOS -1 1KHz温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14-40~85C LVCMOS -131KHz恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 方波恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 正玄波温补晶振10.0Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率0.5ppm SC 温补晶振10.0MHZ DIP14 TCXO ±0.5ppm SINE -40-+85 5V恒温晶振10.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振10.0Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHZ DIP25X25 0.1ppm 3.3V -40—85恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHZ DIP36X27 小于0.05PPM -55-85 10K -160DBC 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 3.3V CMOS -10-+60℃ ±1PPM VCTCX 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 电压3.3V 带压控方波1PPM -55-85C温补晶振10.0MHz SMD14X9 ±0.5ppm －20℃ +70℃ 3.3V sine输调整恒温晶振10.0MHz SMD25X22 SINE 0.02PPM -145 1K 5V -20-70 温补晶振10.24MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振10.36MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃温补晶振10.386MHz DIP14 3ppm 3.3V -40-+85C HCOMS 频率调整晶体谐振器11.0592MHZ HC49/U 30PPM 20PF 晶体谐振器11.0592MHZ HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器11.0592MHZ HC49U 20PF 30PPM 无电压晶体谐振器11.2896MHz HC-49SMD 30ppm 20pf温补晶振12.0MHz 2520 20ppm 1.8V 3mA -40-+85℃钟振12.0MHZ 3225 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器12.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF钟振12.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振12.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC钟振12.0MHZ 5070 5V 30PPM TXC晶体谐振器12.0MHZ 6035 18PF 20PPM钟振12.0MHz SMD2520 3V 50ppm晶体谐振器12.288MHz 5032 2P 18pF 20ppm NDK恒温晶振12.288MHz DIP36X27 SINE 0.005PPM 0.01PPM -20-60 5V恒温晶振12.288MHz 短稳 +-5E-9 长期绝对精度1us -150dBc 1KH 温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 1PPM SMI温补晶振12.8MHZ 3225 1.5PPM SMI温补晶振12.8MHz 3225 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHz 5032 1.5ppm温补晶振12.8MHz 5032 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波带压控库存TAITIEN温补晶振12.8MHz 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振12.8MHz 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波数字温补12.8MHz DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振12.8MHZ DIP14 0.025PPM 5V 0.1PPM 1K 135DB HCMOS温补晶振12.8MHz DIP14 3.3V 1PPM 4脚 -30-85 长方形正弦波恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-70 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-85 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺温补晶振12.8Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率 0.5ppm SC恒温晶振12.8MHz DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控恒温晶振12.8Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHZ DIP60X60 ±2X10-8 ±20PPB -20+80 12V SINE S 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 1PPM KDS温补晶振13.0MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN晶体谐振器13.0MHZ 5070 3.3V/5V 30PPM/50PPM恒温晶振13.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM -30-70 12V 150DBC 1K 晶体谐振器13.52127MHz 6035 10pF ±20ppm -40-85 ±30ppm晶体谐振器13.560MHz 3225 18pF ±20ppm -40-85 ±30ppm 晶体谐振器13.56MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器13.56MHZ 5032 4P 30PPM 16PF NDK钟振13.5MHZ 5070 3.3V ±20PPM晶体谐振器14.31818MHz SMD6035 +/-50PPM KDS晶体谐振器14.318MHZ SMD6035 2P +/-50PPM晶体谐振器14.318MHz 5032 4p 不带电压 30ppm晶体谐振器14.4MHZ 5032 四脚的小于10PPM 10PF 对讲机温补晶振14.7456MHZ 5070 4PIN -40-85 1PPM 3.3V TC 温补晶振14.7456MHZ DIP14 3PPM -55℃-+85℃ 3.3V晶体谐振器14.7456MHZ HC-49S 30PPM 20PF晶体谐振器14.7456MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器15.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器16.0Mhz 3225 50ppm 12PF FA-238 EPSON晶体谐振器16.0MHZ 3225 12PF 9PF 20PF 20PPM 无电压 NDK EPSON 晶体谐振器16.0MHZ 3225 30ppm 12pf温补晶振16.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3温补晶振16.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体谐振器16.0MHZ HC-49U ±100PPM -20-+70 公差±20PPM 18晶体谐振器16.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK 温补晶振16.32MHZ 5032 DSA535SD 3.3V ±0.5ppm -40-80℃ CLIP 晶体谐振器16.3676MHZ 3225 10PF +-10ppm温补晶振16.3676MHZ 5032 DSB535SD 0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 ±0.5ppm SMD3225 KSS温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.369MHZ 3225 1.8V 0.5ppm -30-85 GPS温补晶振16.384MHz 3225 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.384MHz 5070 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.777216MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75温补晶振16.8MHz 5032 0.5ppm SMD SMI晶体谐振器16.9344MHz 5032 20PPM 18PF 4脚温补晶振17.28MHz DIP14 1.5ppm 3.3V HCMOS -40-+85C温补晶振18.285714MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.285714MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 CLIPPED SINE 3.3V 温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 HCMOS 3.3V晶体谐振器18.432MHZ SMD4025 ±20PPM无电压温补晶振18.651429MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.651429MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振19.2MHZ 3225 3.3V CLIPPED -30-+85 0.5PPM DSB321S 温补晶振19.2MHZ 5032 3.3V 2.5PPM -3075 clipped TAITIEN VC-温补晶振19.2MHZ 5032 DSA535SD 0.5ppm clipped sine温补晶振19.44MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED压控晶振19.44MHZ 贴片和直插VCXO 牵引范围+/-50或100PPM 3.恒温晶振19.68MHZ DIP14 0.01ppm 正弦波－20－70 数字温补19.68MHZ DIP14 0.05ppm DIP20*20*10 正弦波－20－70恒温晶振19.68MHZ DIP20X20 0.01ppm 正弦波－20－70 温补晶振20.0MHZ 3225 ±0.5ppm VC-TCXO -40-85 3.0V KDS SM 温补晶振20.0MHZ 5032 0.5PPM钟振20.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振20.0MHZ D1P14 21*13*12 5V 方波±0.05ppm -20—70 温补晶振20.0MHZ DIP14 -55℃ 1.5ppm数字温补20.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA HcmosDTXO钟振20.0MHZ DIP14 3.3V ±30ppm ±30ppm -20-+70℃钟振20.0MHZ DIP14 4插脚长方5V ±30ppm ±30ppm -20-+输出温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 温补晶振20.0MHZ DIP8 TCXO 不带压控1ppm -20-70 sine 3.3v 半温补晶振20.0MHZ SMD11X9 -55℃ 2PPM温补晶振20.48MHZ 3225 0.5PPM 3V 削顶正弦波温补晶振20.48MHz 3225 3.3V -25-55 0.5PPM 方波温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 0.5PPM HCMOS 带压温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 1PPM HCMOS 带压晶体振荡器22.576MHz 3225 3.3V 50PPM恒温晶振22.5792MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 晶体振荡器22.579MHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器24.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器24.0MHz 5032 50ppm 16PF晶体谐振器24.0MHz 3225 30PPM HOSONIC 无电压晶体谐振器24.0MHz 5032 ±30ppm, 18p SMD 4-pad温补晶振24.0MHZ 5070 0.5ppm HCMOS 3.3V -40-+85钟振24.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器24.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm晶体谐振器24.0MHZ SMD6035 4P +/-30PPM晶体振荡器24.5535MHZ 3225 3.3V 20PPM晶体振荡器24.576MHz 3225 3.3V 50PPM温补晶振24.576MHZ 5070 0.5ppm sine 3.3V -40-+85温补晶振24.576MHZ DIP14 5ppm 正弦波 3.3V -20-+70温补晶振24.576MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波 3.3V -40-+85恒温晶振24.576MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 温补晶振24.704MHz 5070 3.3V HCMOS SINE 2.5ppm 钟振24.704MHz 5070 +/-100PPM晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 18pF +-30ppm晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 +/-50PPM KDS晶体振荡器25.0MHz 3225 1.8V 30PPM温补晶振25.0MHZ 3225 3V 0.5PPM VCTCXO DSA321SDA KDS晶体谐振器25.0MHz 5032 ±30ppm, 20PF SMD 4-pad温补晶振25.0Mhz 5070 2.5PPM 3.3V HCMOS -40-85° 带压控温补晶振25.0MHz 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS 晶体谐振器25.0MHZ HC-49S 20PF 20PPM晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 无电压温补晶振25.6MHZ 5070 0.5PPM 3.3V HCMOS温补晶振26.0MHz 3225 4-SMD ±2.5ppm 3V VCTCXO 晶体振荡器26.0MHZ 3225 2.8V 20PPM 京瓷晶体振荡器26.0MHz 3225 2.8V 50PPM NDK温补晶振26.0MHz 3225 DSA321SCA/L KDS温补晶振26.0MHz 3225 DSB321SCL温补晶振26.0MHZ 3225 DSB321SDA-3.0V TCXO晶体谐振器26.0MHZ 3225 NX3225SA 10PPM 12.5PF温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 晶体谐振器26.0MHZ 5032 4P 25PPM 12PF 无电压即无源钟振26.0Mhz 5032 4p 3.3v ±2.5PPM温补晶振26.0MHZ 5070 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN温补晶振26.0MHZ DIP14 3.3V 0.5PPM sine 带压控数字温补26.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振26.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控晶体谐振器26.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SANDK 无钟振27.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振27.0MHZ 5032 4P 3.3V 25ppm -20 - +70C HCMOS晶体谐振器27.0MHZ 5070 ±50ppm; -20+70 15pF 3.3V钟振27.0MHZ DIP8 半尺寸工业级 -40-85 3.3V 30PPM温补晶振27.0MHz SMD2520 20ppm 1.8V 3mA 2.5*2.0mm -40-+85℃晶体谐振器27.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 晶体谐振器27.12Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器27.12MHZ 3225 8PF 15PPM epson温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS压控晶振30.0MHZ 11X11 3.3V -20-+70 20PPM VCXO恒温晶振30.0MHZ -20-+70 频率稳定度小于0.004ppm晶体谐振器30.0MHZ 3225 ±30PPM -20-70 12PF温补晶振30.0MHZ 3225 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压晶体谐振器30.0MHZ 3225 4PAD 30PPM 12PF -0-+70 钟振30.0MHZ 5032 5V 30PPM CTZ温补晶振30.0MHz 5070 HCMOS 2PPM -30-80 3.3V温补晶振30.0MHZ DIP14 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压温补晶振30.24MHZ 5070 3.3V -20 +70 1PPM温补晶振30.72MHZ 5070 1ppm 3.3V 方波 -20—+70°C晶体谐振器31.996314MHz 5032 4P 16pF +/10ppm温补晶振32.0MHZ 5032 TCXO 3.3V clippedsine 10PPM KTS533EG-温补晶振32.0MHZ 5070 TCXO 3.3V HCMOS 1PPM 温补晶振32.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC温补晶振32.0MHZ SMD11X9 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.0MHZ SMD25X25 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.512MHZ 5070 1PPM -40~85 方波TT 相位 115DBC 温补晶振32.51MHZ 5070 2ppm 3.3v HCMOS晶体谐振器32.768KHZ SMD4.9X1.8 2P 12.5PF +-10ppm晶体谐振器32.768KHZ SMD8x3.8 12.5PF +-20ppm晶体振荡器32.768KHZ 5032 4P 有源 10PPM晶体谐振器32.768Khz DIP2X6MM ±20PPM -10-+60 12.5PF 晶体谐振器32.768kHZ MS1V-T1K 2*6MM 12.5PF晶体谐振器32.768KHZ 3225 +/-20PPM 9PF KDS 无电压晶体谐振器32.768KHZ 3225 2P 20PPM 12.5PF晶体谐振器32.768KHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ 3225 3.3V ±25ppm晶体谐振器32.768KHZ 3225 4P 20PPM 3.3V晶体谐振器32.768KHz 5070 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ CM200C/12.5PF/20PPM/ROHS CITIZEN数字温补32.768KHZ DIP14 0.1PPM 3.3V -20-70恒温晶振32.768KHZ DIP14 温度稳定1E-8 温度特性0.01PPM -20-晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 20ppm 12.5pF晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀镍晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀锡晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD3.2X1.5MM ±20PPM 12.5PF 70KΩ晶体谐振器32.768KHz SMD4.1X1.5 12.5pF + -20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD4.1X1.5 70PPM KDS晶体谐振器32.768KHZ SMD6.9x1.4mm ±20ppm 12.5pF 4-SM 温补晶振32.768MHZ 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-32.768MH温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -30-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -40-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 1PPM 5V -40-+85温补晶振32.768MHZ DIP14 2PPM 5V -40-+85 机械微调温补晶振32.768MHZ DIP14 -40-+85 0.2PPM 5V Sine VCTCXO 钟振33.0Mhz 5032 4p 3.3v ±30PPM 18PF钟振33.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振33.0MHZ 5070 ±1PPM 3.3V HCMOS-40-+85℃温补晶振34.6822MHZ DIP14 2PPM恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -40-85 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.01PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 压控晶振39.4917MHZ DIP-14 电压5V ±100PPM VCXO 温补晶振39.95MHz SMD14.4x9.5 3ppm 5V -40-+85C HCOMS SMD1晶体谐振器40.0MHz 3225 20ppm 3.3V EPSON 钟振40.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振40.0mhz 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-40MHz温补晶振40.0MHz 3225 DSA321SDA KDS温补晶振40.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振40.0MHz DIP36X27 SINE 5.5V 0.01PPM -40-80 -150DBC 温补晶振40.96MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 钟振44.645MHz DIP14 20PPM温补晶振45.0MHZ 5070 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85 温补晶振45.0MHZ 5070 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85温补晶振45.0MHZ DIP14 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm钟振48.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚温补晶振48.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体振荡器50.0MHZ 3225 3.3V +-50ppm -40-+85C钟振50.0MHZ 3225 3.3V ±50ppm台湾亚陶钟振50.0MHz 5032 3.3V 30ppm钟振50.0MHZ 5032 3.3V ±50ppm温补晶振50.0MHz 5070 0.5ppm HCMOS 3V 0-50度钟振50.0MHZ 5070 3.3V ±50ppm晶体振荡器50.0MHZ 5070 3V 20PPM SMD温补晶振50.0MHz DIP14 0.5ppm Sine 3V 0-50度恒温晶振50.0MHZ DIP14 3.3V 1KHZ 125 10KHZ 130 +-200PPB +-10温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波恒温晶振50.0MHZ DIP25X25 5PPB 0.005ppm 5.0V 0-+75℃ HCMO 恒温晶振50.0MHz DIP36X27 TTL 0.05PPM -20-70 140DBC 1K 5V压温补晶振51.2MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 恒温晶振52.0Mhz DIP20X20 0.05PPM@-20~70 5V 方波晶体谐振器54.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK钟振54MHZ 5070 3.3V 30ppm温补晶振55.296MHZ 5070 4PIN -40-85 2PPM 3.3V TCV 压控晶振61.44MHZ SMD14X9温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0MHz SMD11X9 0.5PPM SINE -40-85 105DBC 1K 3.3V 温补晶振64.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC 恒温晶振65.536MHZ DIP36X27 -40-80 1E-10 0.2ppb 30ppb 5VHC 钟振66.666MHz 5070 3.3V ±25PPM温补晶振67.584MHz DIP14 HCMOS ±1.5 5V -20-70 机械微调温补晶振70.455MHz DIP14 1PPM -35-70 5V SINE 1KHZ 110DBC 温补晶振72.448MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波－20－70恒温晶振76.8MHz 0.05PPM 5V电压工业级 OCXO恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 SC 0.02PPM 0-40 5V SINE VCOCXO 恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 稳定性+-0.2PPM 压控可调恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-135dBc恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-150dBc温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ DIP14 1PPM 3.3V 0-65℃温补晶振80.0MHz SMD11X9 0.3PPM -40-85 SINE 3.3 -110DBC 温补晶振80.0MHz SMD11X9 3PPM -55-90 CLIPP SINE 3.3 -110D 钟振81.360MHz DIP14 ±30 ppm 0＋70 5V CMOS TTL ≤5nS 恒温晶振97.536MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃温补晶振100.0MHZ 5070 1PPM -30~80 相噪 1KHz -100 方波3.3V 晶体振荡器100.0MHZ 5070 3.3V -40-85 50PPM TXC温补晶振*****************************.3VSINE-20-60 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V温补晶振100.0MHZ DIP20X20 5V SINE HCMOS -30-85 0.5PPM -130温补晶振******************************* 3.3V SINE -20-7恒温晶振100.0MHz DIP25X25 0.1ppm Sine 3.3V -30--+80C 1KHz/恒温晶振100.0MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃恒温晶振100.0MHz DIP25X25 SINE 0.5PPM -10-60 135DBC 1K 压控恒温晶振100.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM 0.05PPM 1K-155DBC 9差分晶振100.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4恒温晶振100.02MHz DIP14 + -0.1ppm 0-70 1kHZ -155dbc/HZ 恒温晶振102.4MHZ DIP25X25 0.1PPM 正弦波方波OCXO温补晶振102.4MHZ DIP25X25 0.3PPM 正弦波方波 TCXO压控晶振122.88MHZ SMD14X9压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8温补晶振124.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振125.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V差分晶振125.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4温补晶振127.5MHz DIP14 不压控温特性1ppm 年老化1ppm 3.3V 温补晶振140.0MHz DIP14 -20-70 1PPM 5V 5X10-6秒稳输出幅度大于欧姆差分晶振148.5MHZ 5070 2.5V/3.3V 输出LVDS PECL工业级温补晶振299.792458MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS 温补晶振300.0MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS。