移特性。（Infineon笔试试题）
25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare
the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.（威
盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）
28、画p-bulk 的nmos截面图。（凹凸的题目和面试）
29、写schematic note（？），越多越好。（凹凸的题目和面试）
30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知）
31、太底层的MOS管物理特***觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公
式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence,
Synopsys, Avant，UNIX当然也要大概会操作。
32、unix 命令cp -r, rm,uname。（扬智电子笔试）
