电子科大20春《电子技术基础》在线作业2答案42587

（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。

A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。

A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。

1.N个触发器可以构成能寄存（）位二进制数码的寄存器A.N-1B.NC.N1D.2N【参考答案】: B2.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）A.变窄B.基本不变C.变宽【参考答案】: A3.一位8421BCD码计数器至少需要（）个触发器A.3B.4C.5D.10【参考答案】: B4.一个触发器可记录一位二进制代码，它有（）个稳态。

A.0B.1C.2D.3【参考答案】: C5.在晶体管电压放大电路中，当输入信号一定时，静态工作点设置偏向截止区将可能产生( )A.底部失真B.顶部失真C.交越失真D.频率失真【参考答案】: B6.为了改善整流电压的脉动程度，要在整流电路中加接（）A.变频器B.滤波器C.稳压器【参考答案】: B7.固定偏置基本放大电路出现饱和失真时，应调节RB，使其阻值（）A.增大B.减小C.先增大后减小【参考答案】: A8.对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作在（）A.放大区B.饱和区C.截止区【参考答案】: B9.负反馈对放大电路性能的影响，下列叙述中正确的是（）A.提高放大倍数B.降低放大倍数的稳定性C.带负载能力降低D.改善波形失真【参考答案】: D10.稳压电源中的稳压二极管工作于（）状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿【参考答案】: C11.直流稳压电源一般是由（）、（）、滤波、稳压四部分组成A.变压B.变频C.整流【参考答案】: AC12.直流稳压电源一般是由变压、整流、（）、（）四部分组成A.变频B.滤波C.稳压【参考答案】: BC13.如果希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用（）；如希望负载变化时，输出电流稳定，应引入（）A.电压负反馈B.电流负反馈C.串联负反馈D.并联负反馈【参考答案】: BC14.单相半波整流电路只利用了电源的半个周期。

A.错误B.正确【参考答案】: B15.稳压二极管与限流电阻配合能起到稳压作用，在电路中稳压管的阳极接电源的负极。

电子科技大学智慧树知到“机电一体化技术”《电子技术基础》网课测试题答案（图片大小可自由调整）第1卷一.综合考核(共10题)1.三端集成稳压器W7800系列3端为()。

A.输出端B.输入端C.公共端2.晶体管的反向和饱ICBO电流越小，说明晶体管的稳定性越好。

()A.正确B.错误3.单相桥式整流电路利用了电源的整个周期。

()A.正确B.错误4.理想集成运放的两个输入端的电压相等称为()；两输入电流为零称为()。

A.虚短B.虚断C.虚地5.3/8线译码器的输入信号是十六进制代码。

()A.正确B.错误6.下式中与非门表达式为()，或门表达式为()。

A.Y=A+BB.Y=ABC.D.7.在放大电路中，为了稳定静态工作点，可引入()；若要稳定放大倍数，应引入()。

A.直流负反馈B.直流正反馈C.交流负反馈D.交流正反馈8.下列电路中，是时序电路的是()。

A.编码器B.移位寄存器C.数值比较器D.二进制译码器9.稳压电源中的稳压二极管工作于反向击穿状态。

()A.正确B.错误10.负反馈对放大电路性能的影响，下列叙述中正确的是()。

A.降低放大倍数的稳定性B.改善波形失真C.提高放大倍数D.带负载能力降低第1卷参考答案一.综合考核1.参考答案：C2.参考答案：A3.参考答案：A4.参考答案：AB5.参考答案：B6.参考答案：DA7.参考答案：AC8.参考答案：B9.参考答案：A10.参考答案：B。

《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是（A ）A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时，应引入（C ）反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是（D）。

A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝（B）。

A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B）。

A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为（A）。

A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中，若变压器副绕组电压有效值为10V，而测得输出电压为14.1V，则说明：（B ）A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时，应引入（D ）反馈。

A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路（电阻负载）中承受的最大反向电压是（C）。

A.大于B.小于C.等于D.大于，小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= （A ）A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是（ C）A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ C）A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指（B）。

A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。

A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中，若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点，且瞬时极性相同，则属于（B ）A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态，其发射结电压和集电结电压分别为（B）。

精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。

一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。

A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。

A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。

A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。

精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

《电子技术基础》作业一．电路如图所示：1、请计算该电路的静态工作点Q ；112:b B a b R Q V V R R =⋅+ B BE E e V V I R -= c E I I ≈ c B I I β= c B I I β-= 12////b b be Rin R R γ= o c R R =2、 请画出该电路的微变等效电路图；3、请计算该电路的输入电阻Ri;输出电阻Ro;12////b b be Rin R R γ= o c R R =二．电路如图所示，试判断：1.该电路的反馈类型； 答：该反溃为电压串联页反溃2.该反馈稳定什么输出量，该反馈对输入输出电阻有什么影响。

答：该反溃稳定输出电压，该反溃减少输出电阻，增大输入电阻三．电路如图所示：a) 请画出该电路的差模单边等效电路并计算差模输入电阻Rid ，输出电阻Rod ； 22(//)b be Rid R γ= 2c Rod R =b) 请画出该电路的共模单边等效电路并计算共模输入电阻Ric ，输出电阻Roc ；12(//)ic b be R R γ= 2c Rod R =c) 请计算该电路的差模电压放大倍数Aud ， cud beR A βγ=-d) 共模电压放大倍数Auc 。

四．电路如图所示，请分析输入与输出之间的关系。

o12o if V V R R -= 12f o i R V V R =- 1o o V V = 2f o i R V V R =- 五．请分析下列电路，试分析：1.该电路中二极管的作用；该电路中的二极管给12,V V2.计算该电路的最大输出功率。

答：222(182max 8a a a L L LV V V Po R R R ===六．请判断该波形描述何种电路元件。

结型N 沟道场效应管七．请分析下列电路图，试判断：1.该电路的反馈类型；答：A 图为电压串联页反溃 B 图为电流并联页反溃 2.该反馈稳定什么输出量,该反馈对输入输出电阻有什么影响。

一.填空题1. 真值表、逻辑图、逻辑表达式、卡诺图;2. 0；3. 施密特触发器、单稳态触发器4. 高5. 与、或、非6. 最高7. 同步型、主从型；8. 积分型单稳态9. TTL 、CMOS ;10. 两、0 :二.数制转换（10）：三.化简题: 画出卡诺图答案要点:化简得 r = AC + AZ) 4变量卡诺图四.分析题20分）1.1、写出表达式Y } =~AB Y 2=~BC Y,=CA Y = AB + BC + CA2、画出真值表ABC 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 01 0 1 rooo1o 1 (1 1 • 0 0 1)2=(3. 2 ) 16= ( 3 • 12 5) io2、 3、 4、 (8 F ・ F F) l6= ( 1 0 0 0 (2 5.7)z=(ll (+ 1 0 1 1 B)原码=(0 (-1 0 1 0 1 0 B)原码=( )反码=(0 0 10 1111)2=(14 2=(19.B 0 11 )补码反码二(1 0 10 11 0 )补码3、当输入A、B、C中有2个或3个为1时，输出Y为1,否则输出Y为0。

所以这个电路实际上是一种3人表决用的组合电路：只要有2票或3票同意，表决就通过。

2.(1)逻辑表达式Y} = + ㊉B)CV2二A㊉〃㊉C(2)最简与或式：Y} =AB + AC + BCY2 = ABC + ABC + ABC + ABC(3)真值表ABC Y)丫200000001100 1 0100 1 1011 00101 0 1011 1 00111111(4)逻辑功能为：全加器。

五.设计题：1.1、画出真值表ABC Y0 0 000 0 100 1 000 1 111 0 001 0 111 1 011 1 112写出表达式Y = AB + BC-^-CA3画出逻辑图Y2.解：根据题意，得状态转换图如下：Q3Q2 QiQo0000 > 0001 ——> 0010 ——> 0011 ——0100―> 0101/ \ 1LO(X —101K —1010<—1001 <—1000 <—011K —0110 ^ = QA+QAQ I Q OQ5+1 = Q3Q2Q1Q0 + Q2Q1Q0密=QiQo+QiQoQ'Q 亦耳=QaQiQo'% = Q2L = QiQo’K? = Q +Q1Q0Ji = Ki=Qo所以：Jo^Qa’Koi>0010― 0011— 0100— 01011100< ---- 1011< ---- 1010< ----- 1001 < --- 1000 < ---- 0111< ---- 01101101 1110Q3Q2 Q1Q01111——> 0000 ― 00012 1 1六./珂八打严=疙波形如图§所示图5。

电子科大20春《电子技术基础》在线作业2
试卷总分:100 得分:100
一、单选题(共10 道试题,共50 分)
1.在下列触发器中，有约束条件的是（）
A.T触发器
B.RS触发器
C.JK触发器
D.D 触发器
答案:B
2.场效应晶体管的控制方式是（）
A.输入电流控制输出电流
B.输入电流控制输出电压
C.输入电压控制输出电流
D.输入电压控制输出电压
答案:C
3.集成运放可分为两个工作区，它们是（）
A.虚短与虚断
B.线性与非线性
C.正反馈与负反馈
答案:B
4.固定偏置基本放大电路出现饱和失真时，应调节RB，使其阻值（）
A.增大
B.减小
C.先增大后减小
答案:A
5.一个触发器可记录一位二进制代码，它有（）个稳态。

A.3
B.2
C.1
D.0
答案:B
6.场效应晶体管的控制方式是（）
A.输入电流控制输出电流
B.输入电流控制输出电压
C.输入电压控制输出电流
D.输入电压控制输出电压
答案:C
7.三端集成稳压器W7800 系列3端为（）。

1.在计算机系统中，控制和管理各种资源、有效地组织多道程序运行的系统软件称作()。

A.文件系统B.操作系统C.网络管理系统D.数据库管理系统【参考答案】: B2.已经获得除()以外的所有运行所需资源的进程处于就绪状态。

A.存储器B.打印机C.CPUD.磁盘空间【参考答案】: C3.可作为页面大小的只有()。

A.100BB.200BC.300BD.512B【参考答案】: D4.已知某二叉树的前序序列是ABDC，中序序列是DBAC，问它的后序序列是()。

A.虚拟存储B.地址变换与重定位C.内存分配与回收D.进程调度【参考答案】: D5.存储管理的目的是()。

A.方便用户B.提高内存利用率C.方便用户和提高内存利用率D.增加内存实际容量【参考答案】: D6.按操作系统的使用环境和对作业的处理方式来分，操作系统的的基本类型有()。

A.批处理操作系统B.实时操作系统C.网络操作系统D.分布式操作系统【参考答案】: ABCD7.从资源分配角度,外设可分为()。

A.独占设备B.共享设备C.虚拟设备D.I/O设备【参考答案】: ABC8.数据的逻辑结构包括()。

A.线性结构B.非线性结构C.算数结构D.几何结构【参考答案】: AB9.存储管理的内容包括()。

A.内存的分配和释放B.虚拟存储管理技术C.地址变换D.内存保护与共享【参考答案】: ABCD10.衡量一个算法的优劣有哪两个要素()。

A.难度B.占用空间C.人员投入D.耗费时间【参考答案】: BD11.I/O设备驱动程序的作用包括()。

A.服务请求校验B.确认设备状态C.启动IO请求D.中断处理、完成【参考答案】: ABCD12.操作系统的特征包括()。

A.并发性B.共享性C.虚拟性D.不确定性【参考答案】: ABCD13.下面属于C语言的基本类型的是()。

A.3B.'3'C."33"D.3.3【参考答案】: ABD14.评估进程调度算法的优劣主要从以下哪几方面进行()。

2020年智慧树知道网课《电子技术基础》课后章节测试满分答案1.引言单元测试是软件开发中的重要环节，通过对代码的小规模测试，可以及早发现和解决问题，提高软件质量和开发效率。

在单元测试中，测试用例的编写和执行是至关重要的步骤。

本文将介绍单元测试的基本概念和测试用例的编写方法。

2.半导体物理2.1 N型半导体和P型半导体的区别在半导体中掺入三价元素可以将其改型为P型半导体，而N型半导体的多子是自由电子，因此它带负电。

2.2 PN结的特性PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

当PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。

当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。

因此，其扩散电流为微安数量级。

2.3 晶体管的工作原理处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

PNP管工作于放大区的偏置条件是发射结正偏导通，集电结反偏。

晶体管工作于放大区时，流过发射结的电流主要是扩散电流。

当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏、后者反偏。

3.放大电路3.1 放大电路的基本概念只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

3.2 直接耦合放大电路的问题直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是晶体管参数受温度影响。

集成放大电路采用直接耦合方式的原因是放大交流信号。

4.结论本文介绍了单元测试、半导体物理和放大电路的基本概念和相关知识点。

对于软件开发人员和电子工程师来说，掌握这些知识是非常重要的。

在实践中，我们需要不断地研究和总结，提高自己的技能水平。

S=0,R=1D.S=R=0答案：D。

输入S和R都为0时，锁存器保持原态不变。

2判断题】(10分)D触发器的输入端只有一个数据输入端，没有时钟输入端。

A.错B.对答案：A。

D触发器有一个数据输入端和一个时钟输入端。

3单选题】(10分)在计算机中，常用的存储器有（）A.RAM和ROMB.EPROM和EEPROMC.SRAM和DRAMD.以上都是答案：D。

1.二进制数（101010）2可转换为十进制数（）A.42B.84C.52D.43【参考答案】: A2.理想二极管构成的电路如题题4图所示，则输出电压Uo为（）。

RA.-10VB.-4VC.+6VD.+10V【参考答案】: B3.在以下输入情况中，“或非”运算的结果为逻辑1的是（）。

A.全部输入为0B.全部输入为1C.任一输入是0，其它输入为1D.任一输入是1，其它输入为0【参考答案】: A4.和TTL电路相比CMOS电路最突出的优势在（）。

A.可靠性高B.抗干扰能力强C.速度快D.功耗低【参考答案】: D5.数字电路中使用的数制是（）。

A.二进制B.八进制C.十进制D.十六进制【参考答案】: A6.在题18图中，引入何种反馈？（）A.正反馈B.负反馈C.无反馈D.不确定【参考答案】: C7.整流的目的是（）。

A.将交流变成直流B.将直流变成交流C.将高频变成低频D.净输入量减小【参考答案】: D8.硅稳压管的工作状态是（）。

A.正向导通B.正向击穿C.反向截止D.反向击穿【参考答案】: D9.对半导体而言，其正确的说法是（）。

A.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电C.P型半导体和N型半导体本身都不带电D.P、N型半导体都带负电【参考答案】: C10.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为（）。

A.F=B.F=C.F=D.F=【参考答案】: C11.理想二极管构成的电路如题43图所示，则输出电压UO为（）。

A.3VB.10VC.-3VD.-10V【参考答案】: B12.某逻辑门的输入端A. B和输出端F的波形图如题37图所示， F与A.B的逻辑关系是（）。

A.与非B.同或C.异或D.或【参考答案】: B13.若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈组态为（）。

A.电流串联B.电流并联C.电压串联D.电压并联【参考答案】: C14.三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为V E=3V,V B=3.7V,V C=3.3V，则此三极管已处于（）。

《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。

电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

[此处图片未下载成功]8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 09.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

23.将交流电变换成直流的过程叫整流。

24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。

28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为 12 V。

思考与练习答案第1章半导体器件一、填空题1.过热烧毁击穿2.单向导电性3.放大区截止区饱和区放大区4.发射结集电结放大区截止区饱和区5.100 2.5mA6.正偏反偏7.几~几十1.5〜3V8.光电反偏9.放大10.100 4mA11.集电极发射极12.⑴集电基发射(2)50 ⑶PNP13.电压电场效应14.结绝缘栅15.源极漏极16.控制极触发P N栅极反向维持二、选择题1. B2.B3.B A4.B5.C6.C7.A8. B9. B 10. B 11.B 12.C A B三、综合题1.图(a)“Ao = 6V；图(b)”Ao = 0V;图(C)U A0=12V；图(d)U A0=-6V2,两只稳压值不等的稳压管串联使用，有4种接法，结果分别为13. 5V、6. 7V、8. 2V、1.4V；两只稳压值不等的稳压管并联使用，有4种接法，只是得到的稳压值只有两种，结果为6V 和0. 7V；四、实训题1.答：⑴黑笔接的是万用表内部电源的正极，红笔接的是万用表内部电源的负极。

在万用表测得的阻值小的情况下，说明此时二极管外加的电压是正向电压(正向偏置)，所以黑笔(电源正极)接的是二极管的正极，红笔接的是二极管的负极。

⑵若将红、黑笔对调后，万用表指示的方向与⑴相反，即阻值很大，近似为无穷大。

(3)如正向、反向电阻值均为无穷大，二极管内部为断路。

(4)如正向、反向电阻值均为零，二极管内部短路。

(5)如正向和反向电阻值接近，说明此时二极管已不具有单向导电的性能。

2.答：⑴基极 (2)基极NPN 型PNP 型第2章 三极管放大电路一、填空题1.静态 Q /BQ /CQ U BEQ U CEQ2.动态 输入信号 电源直流交流3.不失真地放大输入信号4.开路 短路 短路5.基极 射极 集电极6.相反7,同 减小 低提高8.截止失真减小饱和失真增大输入信号过大 9.截止饱和R B10.集电 共集电极11. 1电压 电流和功率 相同 12.共射组态 共集组态 共射组态 13.阻容耦合 变压器耦合直接耦合14.减小增大 15. 30 P A 3mA16. (1) 48u A,2.4mA, 5.2V,放大(2) 1000uA,50mA, 0V,饱和 (3) 10 V, 截止二、选择题1. C2. B3.B4. B5. A C6. C四、实训题 1.答：用万用表测量静态工作点/CQ 时，应选择万用表的电流挡位(具体挡位应根据被测电 路的参数来选择)，将万用表串联接在电路中。