半导体物理

半导体物理归纳总结半导体物理是研究半导体材料及其在电子器件中的应用特性的学科领域。

在过去几十年里，半导体技术的飞速发展对我们的生活产生了巨大的影响。

本文将对半导体物理的一些重要概念和原理进行归纳总结，帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理及其应用。

1. 半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，具有中等电导率。

它的导电性质可以通过控制掺杂和温度来进行调节。

常见的半导体材料有硅和锗，它们的物理性质决定了半导体器件的性能。

2. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构直接影响其导电性质。

能带是描述电子能量和电子分布的概念。

在半导体中，价带是最高的填满电子的能带，而导带是电子可以自由移动的能带。

半导体的导电性取决于导带和价带之间的能隙大小。

3. 掺杂与载流子掺杂是将某种杂质引入到半导体材料中，以改变半导体的导电特性。

掺杂可以分为施主掺杂和受主掺杂两种。

施主掺杂会引入额外的自由电子，增加半导体的导电性，而受主掺杂引入额外的空穴，减少导电性。

掺杂后产生的自由电子和空穴被称为载流子，它们在半导体中的运动导致了电流的流动。

4. pn结及其特性pn结是由p型半导体和n型半导体相接触形成的结构。

在pn结中，p区富含空穴，n区富含自由电子。

当p区和n区相接触时，会发生空穴和自由电子的复合过程，形成耗尽区。

耗尽区内形成了电场，阻止了进一步的复合。

这种特殊的结构使得pn结具有整流特性，即在正向偏置下电流可以流动，而在反向偏置下电流几乎不流动。

5. 半导体器件的应用半导体器件包括二极管、场效应晶体管、晶体管等，它们在各种电子设备中起着重要作用。

二极管是一种具有单向导电性的器件，广泛应用在电源供电和信号处理中。

场效应晶体管是一种高度可控的电流放大器，常用于放大和开关电路。

晶体管则是一种功率放大器，被广泛应用在音频和无线通讯领域。

总结：半导体物理是一门涉及半导体材料特性和器件应用的重要学科。

通过对半导体的能带结构、掺杂与载流子、pn结特性以及器件应用的介绍，我们对半导体器件的工作原理有了更深入的理解。

半导体物理主要概念在现代科技和电子领域中，半导体材料具有重要的地位。

半导体物理学涉及了许多核心概念，这些概念对我们理解半导体材料的性质和应用至关重要。

本文将重点介绍一些关键的半导体物理主要概念。

1. 能带理论（band theory）能带理论是解释固体材料电子结构的核心理论。

它描述了原子的电子如何在固体中形成能带（电子能量分布的区域）。

根据能带理论，固体材料中的电子可以填充到不同能量的能带中。

价带是离自由电子最近的能带，其中填满电子的能带称为价带；离自由电子最远的能带是导带，其中可以存在自由电子。

价带和导带之间的能量间隔称为能隙（band gap），是一个半导体的重要参数。

有无能隙区分了导电性质和绝缘性质的半导体。

2. 禁带宽度（band gap width）禁带宽度，也称能隙宽度，是半导体能带理论的一个重要概念。

禁带宽度是价带和导带之间的能量差异。

半导体材料根据禁带宽度的不同，可以分为直接带隙半导体和间接带隙半导体。

直接带隙半导体的价带和导带在动量空间中的最小距离很小，电子可以通过发射或吸收光子以较高的效率进行能带跃迁。

而间接带隙半导体的最小距离较大，电子的能带跃迁一般需要借助缺陷或其他粒子的参与。

3. 斯特克斯位移（Stark effect）斯特克斯位移描述了外加电场对半导体能带结构的影响。

当半导体材料中存在电场时，它会改变价带和导带的能量分布，导致能带发生位移。

斯特克斯位移是半导体器件如光电二极管等的基础理论。

4. 谐振频率（resonant frequency）谐振频率是指在某种特定的条件下，半导体材料会表现出共振特性。

半导体材料中的晶格结构和电子能级之间的相互作用会导致谐振频率的存在，这在电子器件的设计和性能优化中发挥重要作用。

5. 载流子（charge carrier）载流子是指在半导体材料中能够自由移动的电荷粒子。

在半导体中，载流子通常可以分为两类：电子和空穴（空穴可以看作是价带内缺少电子导致的正电荷）。

半导体物理知识及其应用半导体是当前电子技术的重要材料之一，具有导电能力较弱但比绝缘体强的特点，半导体物理知识对于半导体的应用至关重要。

本文将从半导体物理的基本原理入手，探讨半导体物理知识在半导体应用中的作用。

一、半导体物理的基本原理半导体物理的基本原理与量子力学息息相关。

半导体中电子的行为受到电子波的限制，即电子的自旋、动量和位置是不确定的，并且只能以某种概率存在于半导体的某个能级之中。

基于这一特性，半导体可以区分为n型半导体和p型半导体两种。

n型半导体指掺杂了小量的施主杂质元素（如磷、锑、铋等）的半导体，其内部电子富余，导电能力比纯净半导体强。

p型半导体指掺杂了小量的受主杂质元素（如硼、铝、镓等）的半导体，其内部电子亏损，导电能力比纯净半导体弱。

当n型半导体和p型半导体连接在一起时，形成了p-n结，这一结构可以在电路中用作整流器、变频器等电子元件。

二、半导体物理知识的应用半导体物理知识的应用非常广泛，以下列举几个实例：1. 半导体器件半导体物理技术已广泛应用于电子芯片、光电器件、电子射线探测器等器件制造中。

例如，在电子芯片制造中，化学蚀刻技术可以利用半导体物理知识对半导体材料进行加工，形成不同形状、不同功能的微型结构，进而实现电子芯片的封装和集成；在激光器和LED（发光二极管）器件制造中，利用半导体物理知识控制半导体中的带隙能量可以调整发射光谱，进而实现特定波长、高亮度发光和低能耗的光电器件。

2. 太阳能电池太阳能电池是一种将太阳光能转化为电能的器件，半导体物理知识在其制造中起到关键作用。

太阳能电池通常由p-n结、超薄的p型和n型半导体薄层及金属和吸收层等组成，其中半导体材料的带隙能量与太阳光的波长匹配度非常重要，制造技术的提高和半导体物理知识的深入研究，为太阳能电池的高效率利用提供了理论依据和实现路径。

3. 光电检测器随着现代通信技术的飞速发展，光电器件的应用范围也越来越广泛，光电检测器、图像传感器、线性传感器等器件可以通过半导体物理知识调控半导体材料的特性，实现对光信号的快速、准确、稳定传感和处理。

半导体物理名词解释1.有效质量：a 它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用 b 可以由实验测定，因而可以很方便的解决电子的运动规律2.空穴：定义价带中空着的状态看成是带正电荷的粒子，称为空穴1.意义a 把价带中大量电子对电流的贡献仅用少量的空穴表达出来b金属中仅有电子一种载流子，而半导体中有电子和空穴两种载流子，正是这两种载流子的相互作用，使得半导体表现出许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件3.理想半导体（理想与非理想的区别）：a 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动 b 半导体材料并不是纯净的，而是含有各种杂质即在晶格格点位置上存在着与组成半导体材料的元素不同其他化学元素的原子c 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷4.杂质补偿：在半导体中，施主和受主杂质之间有相互抵消的作用通常称为杂质的补偿作用5.深能级杂质：非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带较远，他们产生的受主能级距离价带也较远，通常称这种能级为深能级，相应的杂质为深能级杂质6.简并半导体：当E-E F》k o T不满足时，即f（E）《1，[1-f（E）]《1的条件不成立时，就必须考虑泡利不相容原理的作用，这时不能再应用玻耳兹曼分布函数，而必须用费米分布函数来分析导带中的电子及价带中的空穴的统计分布问题。

这种情况称为载流子的简并化，发生载流子简并化的半导体被称为简并半导体（当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂，这种半导体即称为简并半导体7.热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子与晶格系统不再处于热平衡状态。

温度是平均动能的量度，既然载流子的能量大于晶格系统的能量，人们便引入载流子的有效温度T e来描写这种与晶格系统不处于热平衡状态时的载流子，并称这种状态载流子为热载流子8.砷化镓负阻效应：当电场达到一定値时，能谷1中的电子可从电场中获得足够的能量而开始转移到能谷2，发生能谷间的散射，电子的动量有较大的改变，伴随吸收或发射一个声子。

一、半导体物理知识大纲➢核心知识单元A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）→半导体中的电子状态（第1章）→半导体中的杂质和缺陷能级（第2章）➢核心知识单元B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）→半导体中载流子的统计分布（第3章）→半导体的导电性（第4章）→非平衡载流子（第5章）➢核心知识单元C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）→半导体光学性质（第10章）→半导体热电性质（第11章）→半导体磁和压阻效应（第12章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。

主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。

阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。

最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。

在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。

（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。

介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。

（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。

讨论半导体中电子的平均速度和加速度。

（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。

（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。

（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。

（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。

（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。

半导体物理公式总结半导体物理这门学科里的公式那可真是不少，今天咱们就来好好总结总结。

咱先从最基础的开始，比如说电导公式。

电导，简单来说就是衡量材料导电能力的一个指标。

电导公式G = σA/L ，这里面的σ 是电导率，A 是导体的横截面积，L 则是导体的长度。

这就好比咱们生活中的水管，水管越粗（A 大），管子越短（L 小），水流通过就越顺畅，就相当于电导越大。

再来说说电流密度公式 J = nqv 。

这里的 n 是载流子浓度，q 是电荷量，v 是载流子的平均漂移速度。

想象一下，在一个繁忙的马路上，车的数量（n）越多，每辆车开得速度（v）越快，整体的交通流量（J）也就越大。

还有一个重要的公式是漂移电流密度公式。

这就像是在一条拥挤的道路上，交警（电场 E ）指挥着车辆（载流子）快速且有方向地移动。

有一次我在给学生们讲这些公式的时候，有个特别调皮的学生就问我：“老师，这些公式跟我们生活有啥关系啊？”我笑着回答他：“那关系可大啦！比如说你手机里的芯片，它能工作可就靠这些公式背后的原理呢。

没有半导体物理，你的手机可能就没法这么智能，不能让你随时随地玩游戏、刷视频啦。

”这孩子一听，眼睛瞪得大大的，好像突然明白了这些公式的重要性。

接着说，爱因斯坦关系，这个公式反映了扩散系数和迁移率之间的内在联系。

然后是能态密度公式。

这个公式能帮助我们了解半导体中能量状态的分布情况。

再看看费米分布函数，它描述了电子在不同能量状态下的分布概率。

半导体物理中的公式虽然看起来复杂，但只要我们把它们和实际生活中的现象联系起来，理解起来就会容易很多。

就像我们通过观察交通流量来理解电流密度，通过了解芯片的工作原理来感受这些公式的应用。

总之，半导体物理的公式是这门学科的重要基石，掌握好它们，我们才能更好地理解半导体的特性和行为，为未来的科技发展打下坚实的基础。

希望大家在学习的过程中，多思考，多联系实际，相信你们一定能学好这门有趣又有用的学科！。

半导体物理的概念是什么
半导体物理是研究半导体材料和器件的物理学分支。

半导体材料是指一类在温度低于室温时是绝缘体，在高于室温时是导体的材料。

半导体物理研究包括半导体的材料特性、电子结构、能带理论、载流子运动、电导率、电子输运、PN结等相关理论和实验研究，以及半导体器件如晶体管、二极管、光电器件等的设计、制造和性能优化。

半导体材料的特性主要取决于其电子结构和能带理论，在此理论框架下，可以解释半导体特性中的许多现象和规律。

半导体中的原子价电子填满能量较低的全球化价带，而导电性较高的传导带的能量较高，由于其能隙比绝缘体小，这使得外来的激励如温度、光照等可以激发电子从价带跃迁到传导带中，同时在跃迁后留下空穴。

这些载流子在半导体中运动和输运的特性对半导体电子学和器件设计具有重要影响。

PN结是半导体器件中常用的器件之一，它是由n 型半导体和p 型半导体材料的拼接而成的结构。

在PN 结中，n-type 半导体中的高浓度自由电子和
p-type 半导体中的高浓度空穴的扩散汇聚产生了空间电荷区域，它使得PN 结在外加正向偏压下变成导体，在反向偏压下变成绝缘体，从而形成了PN 结二极管器件。

半导体物理的研究不仅对于半导体电子学理论、器件设计和制造具有重要意义，而且具有广泛的应用前景。

例如，半导体材料是制造电子器件的重要材料，其中
包括计算机、手机、平板电视、LED 灯等常用电子产品。

另外，半导体材料被广泛用于太阳能电池、光电器件、半导体激光器、放大器等领域，这些领域的发展对于节能减排、环保、医学、化学等方面都具有积极意义，同时也推动了半导体物理研究的发展。

半导体物理及其应用随着现代科技的飞速发展，半导体技术已经深入到人们的生活中，从电子设备到太阳能、风能等新能源领域，都离不开半导体技术的应用。

那么，何为半导体物理，又有哪些应用呢？一、半导体物理概述半导体物理学是研究半导体材料的准确物理性质和电子行为的学问。

半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，因此叫做半导体。

其导电性能的变化与材料中掺杂的杂质密切相关。

例如，将硼、磷等元素杂质掺入硅晶体中，就可形成p型和n型半导体，达到控制其导电性能的目的。

而半导体材料的导电性能能够根据温度、光照等外界条件的不同而改变，这使得它在实际应用中更具灵活性。

半导体技术可以分为两个方面，一方面是半导体原始材料的生产与制备过程，另一方面是半导体器件的开发与生产。

半导体器件的平均尺寸通常不到数毫米，为了精确控制它的导电性能，需要配合世界上最干净、最先进的制造技术。

因此，半导体材料的生产与制备过程非常严格，需要工艺及安全上的协调、管理和控制。

二、半导体应用领域1. 电子设备智能手机、平板电脑、计算机等电子设备的出现使人们的生活变得更加便捷。

它们的核心器件都是采用半导体技术制造的微处理器。

由于半导体材料能够在三种之间穿行电子－价态、激发态和连续态之间，使它成为了制造微处理器的理想材料。

它的高温，低功耗，长寿命等特点也成为其在电子产业中的优势。

半导体材料还常常被用于光电转换，比如在计算机屏幕上，光学传感器，以及LED灯光的制造当中。

2. 太阳能、风能等新能源领域半导体还有一个重要的应用领域，是在新能源领域的应用。

半导体材料有很强的电子传导特性，光能照射在半导体材料上，其导电性能得到了增强，可产生电能。

因此利用半导体材料制造太阳能电池板就成为了当前新能源领域中的一大方向。

除此之外，半导体三极管还可以被应用于风能发电中的变流器等设备当中。

3. 医疗领域半导体技术已经在医学领域找到了诸多应用。

例如，半导体材料在生物药物、基因测序、病毒疾病诊断、放射性治疗和医疗设备控制等方面有着广泛的应用。

半导体物理与器件半导体物理与器件是研究半导体材料和器件特性的学科领域，这是电子科学与工程的重要分支之一。

在现代科技的发展过程中，半导体物理与器件起到了至关重要的作用，推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的发展与创新。

一、半导体物理的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一种材料。

这类材料的导电性能介于金属和非金属之间，可以通过控制掺杂来调节其电导率。

半导体物理主要研究半导体的物理性质及其在器件中的应用。

1.1 半导体的晶体结构半导体通常采用晶格结构，其中最常见的是硅(Si)和锗(Ge)。

晶格结构决定了半导体的物理特性和电学性能。

1.2 半导体的能带结构能带结构是描述半导体的重要概念，半导体中的能带分为价带和导带。

当半导体被采取适当的掺杂和加压等方法后，会出现禁带宽度，电子能够充满价带或从导带跃迁到价带，形成导电能力。

1.3 半导体的载流子半导体中的载流子是指带电粒子，有正负两种。

在掺杂过程中，掺杂原子注入到半导体晶格中，会引入自由电子或空穴，从而影响半导体的导电性能。

二、半导体器件的应用半导体物理的研究成果被广泛应用于各种半导体器件中，这些器件在现代社会中扮演着重要的角色。

2.1 二极管二极管是最简单的半导体器件之一，具有单向导电特性。

它由正负两种半导体材料构成，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。

二极管广泛应用于电源、通信等领域。

2.2 三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件。

它由三个半导体区域组成，包括基极、发射极和集电极。

通过对基极电流的控制，可以实现对集电极电流的放大，被广泛应用于电子设备中。

2.3 场效应晶体管场效应晶体管（FET）是一种控制电流的半导体器件，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。

它可作为电压控制器件，广泛应用于放大、开关、模拟和数字电路等领域。

2.4 光电二极管光电二极管是将光信号转换为电信号的设备。

通过光敏材料和PN结的结合，光电二极管可以检测和转换光信号，被广泛应用于通信、光学传感器、光通信等领域。

半导体物理与器件专业半导体物理与器件专业是电子信息科学与技术领域的重要学科之一，主要研究半导体材料的物理特性以及基于半导体材料制造的各种器件的原理和应用。

本文将从半导体物理和半导体器件两个方面进行介绍。

一、半导体物理半导体物理是半导体器件研究的基础，主要研究半导体材料的电子结构、能带理论、载流子行为等方面的物理现象。

其中，半导体材料的电子结构是研究的核心内容之一。

半导体材料的电子结构决定了其导电性质。

通过研究半导体材料的能带结构，可以了解其导电机制和电子行为。

此外，载流子行为也是半导体物理研究的重要内容之一。

载流子包括电子和空穴，其在半导体材料中的运动行为决定了半导体器件的性能。

因此，研究半导体材料中载流子的输运、复合、注入等现象对于半导体器件的设计和制造具有重要意义。

二、半导体器件半导体器件是利用半导体材料制造的各种电子器件，包括二极管、晶体管、场效应晶体管、光电二极管等。

半导体器件由于具有可控性强、体积小、功耗低等优点，在电子技术领域得到了广泛应用。

其中，二极管是最简单的半导体器件之一，它由P型和N型半导体材料组成。

通过在PN结上加正向或反向电压，可以实现电流的导通或截止。

晶体管是一种能够放大电信号的器件，它由三层P-N结构组成，通过控制输入信号的电流，可以控制输出信号的放大倍数。

场效应晶体管是一种控制电流的器件，它通过控制栅极电压来控制漏极电流。

光电二极管则可以将光信号转换为电信号，广泛应用于光通信和光电转换领域。

半导体物理与器件专业的学习内容主要包括半导体物理基础、半导体器件设计与制造技术、半导体器件测试与分析方法等方面。

学生需要掌握半导体材料的物理特性、器件的工作原理和制造工艺等知识。

此外，还需要具备实验能力，能够利用实验手段对半导体材料和器件进行性能测试和分析。

半导体物理与器件专业毕业生可以在电子、通信、计算机等领域从事半导体器件的研发、制造和应用工作。

随着信息技术的快速发展，半导体器件在各个领域的应用越来越广泛，对于半导体物理与器件专业的需求也越来越大。

半导体高中物理
半导体物理是研究半导体材料的性质、结构及其在电子器件中的应用的一门学科。

它是物理学、化学和材料科学的交叉领域，对于现代电子技术的发展具有重要意义。

半导体物理的主要内容包括：
1. 半导体的基本概念：半导体是一种介于导体（如金属）和绝缘体（如玻璃、橡胶）之间的材料，其电导率介于两者之间。

半导体的导电性能受温度、杂质等因素的影响较大。

2. 半导体的能带结构：半导体中的电子能量分布在不同的能带中，主要有价带、导带和禁带。

价带中的电子受到束缚，不能自由移动；导带中的电子可以自由移动，参与导电过程。

禁带是价带和导带之间的能量间隔，决定了半导体的导电类型（n型或p型）。

3. 载流子：半导体中的电子和空穴都可以作为载流子参与导电过程。

n型半导体中的多数载流子是电子，p型半导体中的多数载流子是空穴。

4. 掺杂：通过向半导体中添加杂质元素，可以改变其导电类型和导电性能。

n型半导体中加入五价元素（如磷），p型半导体中加入三价元素（如硼）。

5. p-n结：将n型半导体和p型半导体结合形成的结构称为p-n结。

p-n结具有单向导电性，即在正向偏置下电阻很小，电流可以顺利通过；在反向偏置下电阻很大，电流几乎不流动。

p-n结是许多半导体器件的基础。

6. 二极管：利用p-n结的特性制成的电子器件。

二极管具有整流、稳压等功能，广泛应用于电路中。

7. 晶体管：利用p-n结和多层半导体结构制成的电子器件。

晶体管具有放大和开关功能，是现代电子设备的核心元件。

《半导体物理》是电子科学与技术专业、微电子科学与工程专业的专业基础课程，也是“微电子学”、“集成电路设计与集成系统”专业的一门基础和核心主干课程。

该课程在综合运用学生已经学习的《固体物理》、《量子力学》等基础课程的相关知识的基础上，系统地介绍半导体中的电子状态、载流子的统计分布、半导体的导电性以及金半结、MIS结、异质结、半导体的光学性质、半导体的热电性质以及磁效应等内容。

通过学习这门课程，学生可以全面系统地掌握能带、载流子及其基本特性，建立半导体器件物理模型和特殊半导体器件物理模型，为后续半导体器件等专业课程的学习奠定较为扎实的基础。

同时，该课程在整个教学体系中起着十分重要的作用，为后续的专业知识学习和实践能力的培养提供基础。

《半导体物理》课程通常包括半导体的晶体结构与价键模型、半导体的电子结构、半导体中的载流子、半导体中载流子的定量统计描述等内容。

此外，课程还会涵盖半导体物质结构和能带结构、半导体载流子及其输运性质、非热平衡状态下的半导体、pn结、金属和半导体接触、半导体表面与MIS结构等主题。

这门课程对于理解现代电子工业的基础理论至关重要，因为电子工业中的许多关键组件，如手机、数码相机、计算机CPU和DRAM内存等，都是基于半导体物理学的原理设计和制造的。

一、名词解释1、施主杂质：在半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。

受主杂质：在半导体中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心的杂质称为受主杂质。

2、本征半导体：完全不含缺陷且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。

实际半导体不可能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由本征激发决定的纯净半导体。

3、多子、少子（1）少子：指少数载流子，是相对于多子而言的。

如在半导体材料中某种载流子占少数，在导电中起到次要作用，则称它为少子。

（2）多子：指多数载流子，是相对于少子而言的。

如在半导体材料中某种载流子占多数，在导电中起到主要作用，则称它为多子。

4、欧姆接触指金属与半导体的接触，其接触面的电阻远小于半导体本身的电阻，实现的主要措施是在半导体表面层进行高参杂或引入大量的复合中心。

5、（1）费米能级: 费米能级是绝对零度时电子的最高能级。

（2）受主能级: 被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级（3）施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级6、电子亲和能：真空的自由电子能级与导带底能级之间的能量差，也就是把导带底的电子拿出到真空去而变成自由电子所需要的能量。

7、深/浅能级（1）浅能级杂质：在半导体中，能够提供能量靠近导带的电子束缚态或能量接近价带的空穴束缚态的杂质称为浅能级杂质。

（2）深能级杂质：在半导体中，能够提供能量接近价带的电子束缚态或能量接近导带的空穴束缚态的杂质称为深能级杂质。

8、肖特基势垒金属与半导体接触时，若二者功函不同，载流子会在金属与半导体之间流动，稳定时系统费米能级统一，在半导体表面一层形成表面势垒，是一个高阻区域，称为阻挡层。

电子必须跨越的界面处势垒通常称为肖特基势垒。

二、简答题1.简述PN结反向击穿的原理（雪崩效应、齐纳击穿、热电击穿）答：（1）雪崩击穿：半导体中， pn 结反向电压增大时，势垒区中的电场很强，在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用，具有很大的动能，它们与势垒区内的晶格原子发生碰撞时，能把价键上的电子和空穴碰撞出来，成为导电电子，同时产生一个空穴。