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精细化工技术基础知识单选题100道及答案解析1. 以下哪种物质常用于精细化工中的催化剂？（）A. 氯化钠B. 氧化铁C. 蔗糖D. 碳酸钙答案：B。
解析：氧化铁在一些化学反应中可作为催化剂，氯化钠一般用作调味剂等，蔗糖是糖类物质，碳酸钙常用作填充剂等，所以选B。
2. 精细化工产品的特点不包括（）。
A. 品种多B. 产量大C. 附加值高D. 技术密集答案：B。
解析：精细化工产品通常品种多、附加值高、技术密集，而产量一般相对不大，所以选B。
3. 下列哪种分离方法常用于精细化工中分离沸点不同的液体混合物？（）A. 过滤B. 蒸馏C. 萃取D. 结晶答案：B。
解析：蒸馏是利用液体混合物中各组分沸点不同进行分离的方法，过滤用于分离固体和液体，萃取用于分离溶质在两种互不相溶的溶剂中溶解度不同的物质，结晶用于分离溶质从溶液中析出，所以选B。
4. 精细化工中常用的表面活性剂不包括（）。
A. 阴离子表面活性剂B. 阳离子表面活性剂C. 中性表面活性剂D. 两性离子表面活性剂答案：C。
解析：表面活性剂分为阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂和两性离子表面活性剂等，没有中性表面活性剂这种说法，所以选C。
5. 以下哪种物质是常见的精细化工香料？（）A. 苯B. 甲醛C. 香草醛D. 丙酮答案：C。
解析：香草醛具有特殊的香味，是常见的香料，苯、甲醛、丙酮一般不作为香料，所以选C。
6. 在精细化工中，用于调节体系酸碱度的常用物质是（）。
A. 乙醇B. 氢氧化钠C. 甘油D. 甲苯答案：B。
解析：氢氧化钠是一种强碱，可用于调节体系的酸碱度，乙醇是有机溶剂，甘油是多元醇，甲苯是有机溶剂，所以选B。
7. 精细化工中，制备高分子材料常用的聚合方法不包括（）。
A. 加聚反应B. 缩聚反应C. 取代反应D. 共聚反应答案：C。
解析：加聚反应、缩聚反应、共聚反应都是制备高分子材料常用的聚合方法，取代反应一般不是制备高分子材料的主要聚合方法，所以选C。
三维设计化学选修二答案1、醇提醚沉法主要适用于以下的哪一类成分（）[单选题] *A多糖B叶绿素C皂苷(正确答案)D黏液质2、二氢黄酮类专属性的颜色反应是（）[单选题] *A盐酸-镁粉反应B四氢硼钠反应(正确答案)C硼酸显色反应D锆盐-枸橼酸反应3、萜类化合物在化学结构上的明显区别是（）[单选题] *A氮原子数不同B碳原子数不同(正确答案)C碳环数不同D硫原子数不同4、羟基蒽醌类化合物中，大黄素型和茜草素型主要区别于（）[单选题] * A羟基位置B羟基数目C羟基在不同苯环上的分布(正确答案)D羟基数目5、四氢硼钠反应变红的是（）[单选题] *A山柰酚B橙皮素(正确答案)C大豆素D红花苷6、二萜的异戊二烯单位有（）[单选题] *A5个B6个C3个(正确答案)D4个7、厚朴酚的结构类型为（）[单选题] *A简单木脂素B单环氧木脂素C木脂内酯D新木脂素(正确答案)8、下列化合物中，酸性最强的是（）[单选题] *A芦荟大黄素B大黄酚C大黄素甲醚D大黄酸(正确答案)9、下列方法中哪一个不是按照色谱法的操作形式不同而进行分类的（）[单选题] * A离子交换色谱(正确答案)B薄层吸附色谱C纸色谱D吸附柱色谱10、E与水任意比例相溶(正确答案)不耐热成分不宜采用的提取方法是（）*A浸渍法B渗漉法C煮法(正确答案)D回流提取法(正确答案)11、可与异羟肟酸铁反应生成紫红色的是（）[单选题] *A羟基蒽醌类B查耳酮类C香豆素类(正确答案)D二氢黄酮类12、连续回流提取法与回流提取法比较，其优越性是（）[单选题] *A节省时间且效率高B节省溶剂且效率高(正确答案)C受热时间短D提取量较大13、结晶法一般是在分离纯化物质的哪个阶段常常使用的（）[单选题] * A开始B中期C最后(正确答案)D以上均可14、以橙皮苷为指标成分进行定性鉴别的中药是（）[单选题] *A葛根B黄芩C槐花D陈皮(正确答案)15、从香豆素类的结构看，香豆素是一种（）[单选题] * A内酯(正确答案)B羧酸C酰胺D糖16、具有光化学毒性的中药化学成分类型是（）[单选题] * A多糖B无机酸C鞣质D呋喃香豆素(正确答案)17、下列溶剂中亲脂性最强的是（）[单选题] *A甲醇B苯(正确答案)C三氯甲烷D丙酮18、E易酶解苷类成分关于亲水性有机溶剂，说法正确的有（）* A极性大(正确答案)B极性小C水不相溶D与水部分相溶19、临床用于上呼吸道抗菌消炎的是（）[单选题] *A穿心莲内酯(正确答案)B青蒿素C莪术醇D薄荷脑20、以下不属于吸附色谱法的操作步骤的是（）[单选题] *A制板B洗脱(正确答案)C点样D显色21、阿托品的结构类型是（）[单选题] *A喹啉类B异喹啉类C莨菪烷类(正确答案)D苄基异喹啉类22、以下黄酮类化合物中，以离子状态存在的是（）[单选题] * A黄酮B花色素(正确答案)C二氢黄酮D查耳酮23、使游离香豆素呈现红色的是（）[单选题] *A异羟肟酸铁反应(正确答案)BA-萘酚-浓硫酸反应C浓硫酸-没食子酸D浓硫酸-变色酸24、与水不分层的溶剂是（）[单选题] *A正丁醇B石油醚C三氯甲烷D丙酮(正确答案)25、从香豆素类的结构与分类看，下列属于简单香豆素类的是（）[单选题] * A龙脑B七叶内酯(正确答案)C薄荷醇D西瑞香素26、溶剂极性由小到大的是（）[单选题] *A石油醚、乙醚、乙酸乙酯(正确答案)B石油醚、丙酮、乙酸乙酯C石油醚、乙酸乙酯、三氯甲烷D三氯甲烷、乙酸乙酯、乙醚27、下列含香豆素类成分的中药是（多选）（）*A秦皮(正确答案)B甘草C补骨脂(正确答案)D五味子28、淀粉含量多的药材提取时不宜用（）[单选题] *A浸渍法B渗漉法C煎煮法(正确答案)D回流提取法29、区别挥发油与油脂常用的方法是（）[单选题] *A相对密度B溶解性C油迹试验(正确答案)D沸点30、适用于队热及化学不稳定的成分、低极性成分的提取（）[单选题] * A渗漉法B超声提取法C回流提取法D超临界流体提取法(正确答案)。
第一章1、冶炼过程的定义、实质、步骤？定义：高温下元素的分离和浓缩过程。
实质：从由氧化物、硫化物构成的矿石以及其他精制原料中分离提取某种有用金属，再经过精炼后制成金属的物理化学过程。
步骤：(1)把矿石粉碎分离，经过筛选获得含有某种金属的高品位精矿，这一过程称为选矿过程；(2)对精矿进行高温物理化学处理，提取某种金属(粗金属)的冶炼过程；(3)去除粗金属中杂质的精炼、提纯过程。
2、说出熔化-凝固、离子交换、电解溶液与析出法精炼工艺原理？熔化-凝固：利用物质的熔点差，通过冷凝或者熔化过程去除杂质，从而获得较高纯度的某一物质。
离子交换：利用物质的选择系数差，通过离子交换过程去除杂质，提取所需的物质。
电解溶解与析出：利用物质的电解电压差，通过电解去除杂质，提取所需的物质。
3、详细分析区域精炼、挥发精炼的工艺原理？利用溶液中析出固体的现象，使其中一种成分浓缩、富聚的方法叫做区域精炼。
如图：*的液相和在温度T*下二元系的固相和液相处于平衡时，系统中溶质浓度C溶质浓度C S*的固相处于平衡且共存。
这时由于C L*> C S*，因此浓度为C L*的液相凝固时，在固-液界面析出浓度为C S*的固相。
这说明凝固过程中存在着溶质浓度升高(或降低)的可能性，从而造成明显的不均匀，即产生偏析。
当偏析系数1或者1时，就可以通过熔化或凝固过程去除杂质(精炼)从而获得较高纯度的某一物质。
4、ΔGθ－T图的应用，为何炼钢时，Si先氧化，C后氧化？杂质氧化去除而精炼金属不被氧化时为何杂质成分平衡线必须处于精炼金属下方，而且越远越好？铁熔化后的初始温度约为1300℃左右，由图可知，在这一温度下SiO2的位置比CO低，因此SiO2比CO稳定，反应初期Si优先氧化。
随着Si的氧化，温度不断升高，C的平衡线和Si的平衡线相交后，CO反而变得稳定，这时才开始被氧化。
利用氧化反应精炼金属时，最理想的结果应该是只把杂质成分氧化掉，而精炼的金属本身不被氧化。
《第3节液晶、纳米材料与超分子》同步训练(答案在后面)一、单项选择题（本大题有16小题，每小题3分，共48分）1、液晶是一种特殊的物质，它在一定条件下既有液体的流动性，又有晶体的有序性。
以下关于液晶的说法中，正确的是：A、液晶在所有温度下都能呈现液晶态B、液晶的分子排列与固体晶体类似，只是排列不够紧密C、液晶的分子排列随温度变化而变化，温度升高时分子排列更有序D、液晶是介于固态和气态之间的物质2、液晶分子在电场作用下会改变其排列方式，以下关于液晶分子排列方式的描述中，正确的是（）A、液晶分子的排列方式类似于液体的无序排列B、液晶分子的排列方式类似于液体的有序排列C、液晶分子的排列方式类似于晶体的有序排列，但比晶体更容易流动D、液晶分子的排列方式介于液体和晶体之间，既有液体的流动性，又有晶体的有序性3、液晶是一种具有流动性的有序排列的介态物质，它处于固体和液体之间。
液晶的分子在一定方向上存在一定程度的有序排列，而在其他方向上则呈现无序状态。
基于此，关于液晶的描述，正确的一项是：A、液晶分子在所有方向上的排列都是无序的。
B、液晶的分子排列有序程度介于固体晶体和非晶体之间。
C、液晶仅在极少数材料中存在。
D、液晶的有序排列一旦形成后，不能改变。
4、下述哪种物质不属于纳米材料？（）A、碳纳米管B、纳米银粉C、纳米硅胶D、铝5、液晶具有特殊的光学性质，下列关于液晶的描述错误的是：A. 液晶分子排列有序，但流动性较好B. 液晶在电场作用下会改变其光学性质C. 液晶广泛应用于显示技术中D. 液晶的熔点较低，易升华6、纳米材料具有许多普通材料不具备的奇特性能，如（）A. 更大的密度B. 更高的熔点C. 更强的强度D. 更高的热膨胀系数7、某纳米材料在高温下会发生相变，原本具有弹性的纳米材料在相变后变得可塑性降低，这种现象最符合以下哪种化学概念？A、液晶ogensisB、纳米孔效应C、超分子作用力D、熔融相变8、在超分子化学中，以下哪种化合物不属于超分子体系的一部分？（）A、环糊精B、DNAC、聚乙二醇D、卟啉9、液晶在特定条件下可以表现出晶体的某些特性，以下关于液晶的说法，正确的是（）A、液晶具有固定的熔点和凝固点B、所有液体都可以通过温度或压力调节变成液晶状态C、液晶的光学性质随分子排列方向的变化而变化D、液晶的分子排列是固定不变的，不会随外界条件改变而变化10、纳米粒子由于其尺寸处于原子和分子之间，因此具有一些特殊的性质。
刻蚀机基础知识单选题100道及答案解析1. 刻蚀机的主要作用是（）A. 沉积材料B. 去除材料C. 检测材料D. 合成材料答案：B解析：刻蚀机的主要作用是通过物理或化学方法去除材料。
2. 以下哪种不是常见的刻蚀方法（）A. 干法刻蚀B. 湿法刻蚀C. 激光刻蚀D. 声波刻蚀答案：D解析：声波刻蚀不是常见的刻蚀方法，常见的是干法刻蚀、湿法刻蚀和激光刻蚀。
3. 干法刻蚀中常用的刻蚀气体有（）A. 氧气B. 氮气C. 氯气D. 氢气答案：C解析：氯气在干法刻蚀中是常用的刻蚀气体。
4. 湿法刻蚀通常使用的刻蚀剂是（）A. 强酸B. 强碱C. 盐溶液D. 有机溶液答案：A解析：强酸是湿法刻蚀中通常使用的刻蚀剂。
5. 刻蚀机的精度主要取决于（）A. 刻蚀方法B. 刻蚀气体C. 设备结构D. 控制系统答案：D解析：控制系统对刻蚀机的精度起到关键作用。
6. 以下哪种材料对刻蚀的选择性较高（）A. 金属B. 半导体C. 绝缘体D. 有机物答案：C解析：绝缘体对刻蚀的选择性通常较高。
7. 刻蚀过程中的侧壁垂直度主要影响（）A. 器件性能B. 材料纯度C. 生产效率D. 成本答案：A解析：侧壁垂直度会直接影响器件的性能。
8. 提高刻蚀速率的方法不包括（）A. 增加刻蚀气体流量B. 提高温度C. 降低压力D. 减小刻蚀面积答案：D解析：减小刻蚀面积并不能提高刻蚀速率。
9. 刻蚀机的维护保养重点在于（）A. 清洁刻蚀腔B. 更换零部件C. 校准仪器D. 以上都是答案：D解析：刻蚀机的维护保养包括清洁刻蚀腔、更换零部件和校准仪器等多个方面。
10. 刻蚀机的工作环境要求（）A. 高温高压B. 高湿度C. 无尘无菌D. 强磁场答案：C解析：刻蚀机的工作环境要求无尘无菌，以保证刻蚀质量。
11. 以下哪种不是刻蚀机的关键部件（）A. 真空泵B. 气体流量计C. 加热装置D. 冷却装置答案：D解析：冷却装置不是刻蚀机的关键部件，真空泵、气体流量计和加热装置相对更关键。
第四章离子聚合习题参考答案1．与自由基聚合相比，离子聚合活性中心有些什么特点？解答：离子聚合和自由基聚合的根本不同就是生长链末端所带活性中心不同。
离子聚合活性中心的特征在于：离子聚合生长链的活性中心带电荷，为了抵消其电荷，在活性中心近旁就要有一个带相反电荷的离子存在，称之为反离子，当活性中心与反离子之间得距离小于某一个临界值时被称作离子对。
活性中心和反离子的结合，可以是极性共价键、离子键、乃至自由离子等多种形式，彼此处于平衡状态：BA B+A B+A B AⅠ为极性共价物种，它通常是非活性的，一般可以忽略。
Ⅱ和Ⅲ为离子对，引发剂绝大多数以这种形式存在。
其中，Ⅱ称作紧密离子对，即反离子在整个时间里紧靠着活性中心。
Ⅲ称作松散离子对，即活性中心与反离子之间被溶剂分子隔开，或者说是被溶剂化。
Ⅳ为自由离子。
通常在一个聚合体系中，增长物种包括以上两种或两种以上的形式，它们彼此之间处于热力学平衡状态。
反离子及离子对的存在对整个链增长都有影响。
不仅影响单体的的聚合速度，聚合物的立体构型有时也受影响，条件适当时可以得到立体规整的聚合物。
2．适合阴离子聚合的单体主要有哪些，与适合自由基聚合的单体相比的些什么特点？解答：对能进行阴离子聚合的单体有一个基本要求：①适合阴离子聚合的单体主要有：（1）有较强吸电子取代基的烯类化合物主要有丙烯酸酯类、丙烯腈、偏二腈基乙烯、硝基乙烯等。
（2）有π-π共轭结构的化合物主要有苯乙烯、丁二烯、异戊二烯等。
这类单体由于共轭作用而使活性中心稳定。
（3）杂环化合物②与适合自由基聚合的单体相比的特点：（1）有足够的亲电结构，可以为亲核的引发剂引发形成活性中心，即要求有较强吸电子取代基的化合物。
如VAc，由于电效应弱，不利于阴离子聚合。
（2）形成的阴离子活性中心应有足够的活性，以进行增长反应。
如二乙烯基苯，由于空间位阻大，可形成阴离子活性中心，但无法增长。
（3）不含易受阴离子进攻的结构，如甲基丙烯酸，其活泼氢可使活性中心失活。
CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY1．画出一50cm 长的单晶硅锭距离籽晶10cm 、20cm 、30cm 、40cm 、45cm 时砷的掺杂分布。
（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm -3） 2．硅的晶格常数为5.43Å．假设为一硬球模型： (a)计算硅原子的半径。
(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm -3)?(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。
3．假设有一l0kg 的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm 的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?4．一直径200mm 、厚1mm 的硅晶片，含有5.41mg 的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?(b)硼原子间的平均距离。
5．用于柴可拉斯基法的籽晶，通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长的开始。
如果硅的临界屈服强度为2×106g/cm2，试计算此籽晶可以支撑的200mm 直径单晶硅锭的最大长度。
6．在利用柴可拉斯基法所生长的晶体中掺入硼原子，为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶端的浓度高?7．为何晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的大?8．对柴可拉斯基技术，在k 0=0.05时，画出C s /C 0值的曲线。
9．利用悬浮区熔工艺来提纯一含有镓且浓度为5×1016cm -3的单晶硅锭。
一次悬浮区熔通过，熔融带长度为2cm ，则在离多远处镓的浓度会低于5×1015cm -3？10．从式L kx s e k C C /0)1(1/---=，假设k e =0.3，求在x/L=1和2时，C s /C 0的值。
11．如果用如右图所示的硅材料制造p +-n 突变结二极管，试求用传统的方法掺杂和用中子辐照硅的击穿电压改变的百分比。
12．由图10.10，若C m =20％，在T b 时，还剩下多少比例的液体?13．用图10.11解释为何砷化镓液体总会变成含镓比较多?14．空隙n s 的平衡浓度为Nexp[-E s /(kT)]，N 为半导体原子的浓度，而E s 为形成能量。
《微电子工艺原理和技术》复习题一、填空题1.半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料⎽Si⎽、⎽Ge⎽和化合物晶体材料⎽GaAs⎽、⎽InP⎽；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（100）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（111）；常用的硅集成电路介电薄膜是⎽SiO2⎽、⎽Si3N4；常用的IC互连线金属材料是⎽Al⎽⎽、⎽Cu⎽。
2.画出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）单晶抛光硅片的外形判别示意图。
3.硅微电子器件常用硅片的三个晶向是：（100）⎽、（111）、（110）画出它们的晶向图。
4.⎽⎽热扩散⎽⎽和⎽离子注入⎽是半导体器件的最常用掺杂方法。
⎽P⎽、⎽⎽As⎽⎽⎽是Si常用的施主杂质；⎽⎽⎽B⎽⎽⎽⎽是Si常用的受主杂质；⎽Zn⎽⎽⎽是GaAs常用的P型掺杂剂；⎽⎽⎽Si⎽⎽⎽⎽是GaAs常用的N型掺杂剂。
5.摩尔定律的主要内容是：⎽晶体管特征尺寸每三年减小到约70%，30年内有效，也可表示为，集成电路的特征尺寸每三年缩小30%；集成度每三年翻二翻；集成电路工艺每三年升级一代；逻辑电路的速度每三年提高30%。
6. 集成电路用单晶硅的主要制备方法是⎽提拉法⎽和⎽区熔法⎽⎽⎽。
7.半导体材料的缺陷主要有点缺陷、位错、层错、孪晶。
8. 半导体晶体的晶胞具有⎽⎽立方⎽⎽⎽⎽⎽对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为⎽金刚石⎽⎽结构。
用⎽⎽密勒指数⎽⎽⎽h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
9.电子和空穴是半导体的主要载流子，N型半导体中⎽电子⎽浓度高于⎽空穴⎽⎽⎽浓度，而P型半导体中⎽空穴⎽⎽浓度高于⎽电子浓度，⎽本证⎽半导体中的两种载流子浓度相等。
10. 半导体单晶材料中的电子能级由于价电子的共有化分裂成能带，价带是⎽0 K 条件下被 电子填充的能量最高的能带，导带是0 K 条件下未被电子填充的能量最低的能带 ，导 带底与价带顶之间称禁带。
施主能级靠近⎽导带底⎽⎽，受主能级靠近⎽价带顶⎽。
