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场效应管用法
以下是 8 条关于场效应管用法的内容：
1. 嘿，你知道场效应管能当开关用吗？就像我们家里的电灯开关一样，轻轻一按，灯就亮或灭。
比如说在一个电机控制电路里，场效应管就能精准地控制电机的启动和停止呢，是不是很神奇呀！
2. 哇塞，场效应管还能用来放大信号哦！这就好比把一个小小的声音变大好多倍。
像在音响系统中，场效应管就能让我们听到更清晰、更响亮的声音，这可太棒啦！
3. 嘿呀，场效应管做电流源那也是杠杠的！可以想象成它是一个稳定的水源，源源不断地提供特定大小的电流呢。
在一些需要稳定电流的电路里，它的作用可大了，你说厉害不厉害？
4. 天哪，场效应管能实现阻抗变换呢！这不就像一个神奇的转换器，把一种阻抗变成另一种。
比如在一些信号传输的场合，它就能很好地完成这个任务，简直妙不可言啊！
5. 你看哦，场效应管还能用来做电压控制呢！就好像你通过遥控来控制电视音量一样。
在一些自动控制的系统里，用它来控制电压，那效果可太好啦，真让人惊叹不已呢！
6. 哎呦喂，场效应管做恒流源也很在行呀！想象一下，它就像个坚定的卫士，始终保持电流不变呢。
在一些对电流稳定性要求高的地方，它可发挥大作用啦，是不是很牛？
7. 嘿哟，场效应管在模拟电路里可重要啦！它就像一个出色的演员，在各种场景里都能大放异彩。
你能在好多复杂的电路里发现它的身影，这多了不起呀！
8. 哇哦，场效应管能用来做逻辑门呢！就和我们玩的逻辑游戏一样有趣。
在数字电路中，它可是重要的组成部分，这真的太有意思啦！
我的观点结论就是：场效应管的用法真的超多，而且都超级实用，每种用法都有其独特的魅力和价值！。
一、复习引入三极管是电流控制型器件，使用时信号源必须提供一定的电流，因此输入电阻较低，一般在几百～几千欧左右。
场效应管是一种由输入电压控制其输出电流大小的半导体器件，所以是电压控制型器件；使用时不需要信号源提供电流，因此输入电阻很高（最高可达1015Ω），这是场效应最突出的优点；此外，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗低优点，因此得到了广泛的应用。
按结构的不同，场效应管可分为绝缘栅型场效管（IGFET）和结型场效应管（JFET）两大类，它们都只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故又称为单极型三极管。
二、新授（一）N沟道增强型绝缘栅场效应管MOSFET1．结构和符号图1（a）是N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意图，它以一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺在P型衬底上面的左右两侧制成两个高掺杂的N 区，并用金属铝在两个N区分别引出电极，分别作为源极s和漏极d ；然后在P型硅片表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在漏源极之间的绝缘层上再喷一层金属铝作为栅极g，另外在衬底引出衬底引线B（它通常在管内与源极s相连接）。
可见这种管子的栅极与源极、漏极是绝缘的，故称绝缘栅场效应管。
这种管子由金属、氧化物和半导体制成，故称为MOSFET，简称MOS管。
不难理解，P沟道增强型MOS管是在抵掺杂的N型硅片的衬底上扩散两个高掺杂的P区而制成。
（a）N沟道结构示意图（b） N沟道符号（c）P沟道符号图1 N沟道增强型MOS管的结构与符号图1 (b)、(c)分别为N沟道、P沟道增强型MOS管的电路符号。
2．工作原理与特性曲线以N沟道增强型MOS管为例讨论其工作原理。
（1）工作原理工作时，N沟道增强型MOS管的栅源电压u GS和漏源电压u DS均为正向电压。
当u GS=0时，漏极与源极之间无导电沟道，是两个背靠的PN结，故即使加上u DS，也无漏极电流，i D=0，如图2(a)当u GS>0且u DS较小时，在u GS作用下，在栅极下面的二氧化硅层中产生了指向P型衬底，且垂直于衬底的电场，这个电场排斥靠近二氧化硅层的P型衬底中的空穴（多子），同时吸引P型衬底中的电子（少子）向二氧化硅层方向运动。
恒流源工作原理
恒流源是一种电子元件，其主要功能是提供稳定的电流输出。
在许多电路中，需要确保电流始终保持恒定，这就需要借助恒流源来实现。
恒流源的工作原理非常简单，但却非常重要。
恒流源通常由一个电流源和一个电阻组成。
电流源会向电路提供恒定的电流，而电阻则起到限制电流的作用。
当电路中的电阻值发生变化时，恒流源会自动调整输出电压，以确保电流保持恒定。
这种自调节的特性使得恒流源在许多电子设备中得到广泛应用。
在实际电路中，恒流源可以通过不同的方式实现。
其中一种常见的方式是使用场效应管。
场效应管可以根据控制电压的变化来调节电流输出，从而实现恒流源的功能。
另一种方式是使用运算放大器。
运算放大器可以通过负反馈来调节输出电压，使得输出电流保持恒定。
除了上述方法外，还有一种常见的实现恒流源的方式是使用二极管。
二极管在正向工作时具有恒定的电压降，因此可以通过适当连接来实现恒流源的功能。
这种方法简单、成本低廉，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
总的来说，恒流源是一种非常重要的电子元件，它可以确保电路中的电流始终保持恒定。
通过不同的实现方式，恒流源可以在各种电子设备中发挥重要作用。
在设计电路时，合理选择恒流源的类型和
参数，可以有效提高电路的稳定性和可靠性。
希望通过本文的介绍，读者对恒流源的工作原理有了更深入的了解。
mos管g极和s极短接的作用mos管是一种常用的电子元件，它由g极、d极和s极组成。
当g 极和s极短接时，会产生一些特殊的作用。
本文将讨论这种作用及其应用领域。
让我们了解一下mos管的基本结构。
mos管是一种金属-氧化物-半导体场效应管，它通过控制g极电压来控制d极电流。
当g极和s极短接时，可以发生以下几种作用：1. 零电流模式：当g极和s极短接时，mos管处于关闭状态，不会通过任何电流。
这种模式常用于数字电路中的逻辑门实现。
2. 零电压模式：当g极和s极短接时，mos管的d极电压接近于零，这使得mos管可以被用作电阻。
这种模式常用于模拟电路中的可变电阻器。
3. 零电阻模式：当g极和s极短接时，mos管的内部电阻非常小，可以忽略不计。
这使得mos管可以用作开关，从而控制电路的通断。
这种模式常用于功率放大器和开关电源等应用中。
除了以上几种基本作用外，mos管的g极和s极短接还可以产生其他一些特殊的作用。
1. 高频放大器：当mos管的g极和s极短接时，可以实现较高的频率响应。
这使得mos管成为高频放大器中的重要元件。
2. 电压控制振荡器：当mos管的g极和s极短接时，可以通过改变g极电压来控制振荡器的频率。
这种应用广泛用于无线通信系统中的频率合成器。
3. 电流源：当mos管的g极和s极短接时，可以将mos管用作电流源，提供稳定的电流输出。
这种应用常见于模拟电路中的偏置电流源。
4. 双极性逻辑门：当mos管的g极和s极短接时，可以实现双极性逻辑门的功能。
这种逻辑门可以处理正逻辑和反逻辑的信号，具有更灵活的应用性。
总结起来，mos管的g极和s极短接可以产生多种作用，包括零电流模式、零电压模式、零电阻模式等。
此外，通过改变g极电压，还可以实现高频放大器、电压控制振荡器、电流源和双极性逻辑门等功能。
这些作用广泛应用于各个领域，包括数字电路、模拟电路、无线通信系统等。
在实际应用中，我们可以根据具体需求选择合适的mos管类型和工作模式。
场效应管及其基本放大电路3.2.3.1 场效应管（ FET ）1.场效应管的特色场效应管出生于 20 世纪 60 年月，它主要拥有以下特色：①它几乎仅靠半导体中的多半载流子导电，故又称为单级型晶体管。
②场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流，并以此命名。
③输入回路的内阻高达 107 -1012Ω；此外还拥有噪声低、热稳固性好、抗辐射能力强、耗电小，体积小、重量轻、寿命长等特色，因此宽泛地应用于各样电子电路中。
场效应管分为结型和绝缘栅型两种不一样的构造，下边分别加以介绍。
2.结型场效应管⑴结型场效应管的符号和N 沟道结型场效应管的构造结型场效应管（JFET）有 N 沟道和 P 沟道两种种类，图3-62(a) 所示为它们的符号。
N沟道结型场效应管的构造如图 3-62(b) 所示。
它在同一块 N型半导体上制作两个高混杂的P 区，并将它们连结在一同，引出电极，称为栅极 G； N 型半导体的两头分别引出两个电极，一个称为漏极 D，一个称为源极 S。
P 区与 N 区交界面形成耗尽层，漏极与源极间的非耗尽层地区称为导电沟道。
(a) 符号(b)N 沟道管的构造表示图图 3-62 结型场效应管的符号和构造表示图⑵结型场效应管的工作原理为使 N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅 - 源之间加负向电压（即U GS0）,以保证耗尽层蒙受反向电压；在漏- 源之间加正向电压u DS , 以形成漏极电流i D。
下边经过栅-源电压 u GS和漏-源电压 u DS对导电沟道的影响，来说明管子的工作原理。
①当 u DS=0V（即D、S短路）时， u GS对导电沟道的控制作用ⅰ当 u GS=0V时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，如图3-63(a)所示。
ⅱ当 u GS增大时，耗尽层加宽，沟道变窄（图(b) 所示），沟道电阻增大。
ⅲ当u GS增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消逝（图(c) 所示） , 沟道电阻趋于无穷大，称此时u GS的值为夹断电压U GS( off )。
放大电路计算题 练习题3一、计算分析题（每题1分）1. 图示硅三极管放大电路中，V CC =30V ，R C =10kΏ，R E =2.4 kΏ，R B =1MΏ,β=80，BEQ U =0.7V Ω=200'bb r ,各电容对交流的容抗近似为零，试：（1）求静态工作点参数I BQ ，，I CQ 、U CEQ 。
(2）若输入幅度为0。
1V 的正弦波，求输出电压u o1、u o2的幅值,并指出u o1、u o2与u i 的相位关系；（3）求输入电阻R i 和输出电阻R o1、R o2.图号3226解:（1）Ak k VV R R U V I E B BE CC BQ μβ5.244.28110007.030)1(=Ω⨯+Ω-=++-=mA A I I BQ CQ 96.15.2480=⨯==μβV k k mA V R R I V U E C CQ CC CEQ 7.5)4.210(96.130)(=Ω+Ω⨯-=+-≈（2） Ω≈⨯+Ω=++=k mAmVI U r r E T bb be 3.196.12681200)1(Q 'β 当从u o1输出时，放大电路为共射组态，故输出电压u o1与输入电压u i 反相，且1.44.2813.11080)1(11-=Ω⨯+ΩΩ⨯-=++-==k k k R r R u u A E be C i o u ββV V A U U u im om 41.01.41.011=⨯=⨯=[][]Ω≈Ω⨯+ΩΩ=++=k k k M R r R R E be B i 6414.2813.1//1)1(//βΩ=≈k R R C o 101当从u o2输出时，放大电路为共集组态，故输出电压u o2与输入电压u i 同相,且99.04.2813.14.281)1()1(122≈Ω⨯+ΩΩ⨯=+++==k k k R r R u u A E be E o u ββ 或 12≈u A VV A U U u im om 099.099.01.022=⨯=⨯=Ω≈ΩΩ=+=16813.1//4.21//2k k r R R be E o β 输入电阻不变，为164k Ω计算的最后结果数字：I CQ =1.96mA ， I BQ =24。
