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全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布推出新型100kW级逆变器解决方案，实现业界领先的3.9升（L）小型设计等级，可用于包括SUV在内的中到大型混合动力汽车（HEV）和中小型电动汽车（EV）使用的100kW级大功率电机。
瑞萨电子将以解决方案套件的形式提供新解决方案，其中包括用于提高HEV/EV电机性能的软件，微控制器（MCU）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和快恢复二极管（FRD）等硬件组件，以及其他功率半导体设备。
新解决方案能够帮助系统开发人员缩短用于各开发步骤的时间：从规格分析到软硬件开发和电机特性调整。
例如，可以将逆变器原型机开发时间从两到三年缩短至一年，周期缩短50%以上，从而大大减少开发周期和成本。
由于全球变暖引起的异常天气事件和环境污染程度的加剧，二氧化碳排放量正在上升。
对汽车行业来说，要减少二氧化碳排放，尽快大规模采用电动系统（如HEV和EV）的需求将进一步提高。
在电动系统中，逆变器的主要作用是将直流（DC）电转换为交流电，并控制电机根据行驶条件变化调整转速与电流。
因此，为了提高逆变器系统的燃料和电力效率，除了需要将逆变器小型化以外，还需要有高精度和高效率的电机驱动系统，以便在各种型号发动机室的有限空间内安装电动装置。
而瑞萨电子的最新小型化设计的逆变器解决方案正好满足了这些需求。
一直以来，瑞萨电子都致力于开发逆变器解决方案套件。
在2014年，瑞萨开发出了一套解决方案，在额定50 kW级别实现了2.9L的尺寸。
为满足对大型车用大输出电机日益增长的需求，瑞萨电子推出了包含电机标定工具的新型100 kW级逆变器解决方案，扩大其产品阵容，以支持这些大功率电机。
新型100kW级逆变器解决方案的主要特性•行业领先的3.9升小型设计等级，减轻了逆变器系统的重量，可安装在更小的空间中其采用了内置温度传感器的IGBT晶圆制作模组. 凭借其内置温度传感器的响应速度和精度的温度管理技术，可以大大减少逆变器系统中散热器的尺寸和重量。
电机控制3 意法半导体电机控制生态系统4 PMSM & BLDC电机8 3相感应电机（ACIM）12 步进电机14 直流有刷电机16 通用电机18 开关磁阻电机19 微控制器25 STM32电机控制生态系统29 电机驱动器IC39 电源模块44 功率MOSFET46 IGBT47 600-650 V IGBT系列48 1200 V IGBT系列49 二极管 & 整流器50 晶闸管、双向可控硅和交流开关 52 MOSFET和IGBT栅极驱动器56 碳化硅和氮化镓栅极驱动器58 信号调理ST对电机控制的承诺推进了环保革命。
在环保革命理念的指引下，电机控制正向着更高效电机和驱动器的方向快速发展。
此外，为了支持新技术的市场占有率，需要以最低成本提高集成度，同时提升安全性和可靠性。
ST致力于电机控制方面的研究已有20余年，是最早意识到这些趋势的公司。
意法半导体正通过一系列的创新突飞猛进，诸如集成式智能功率模块和系统级封装、单片式电机驱动器、快速高效的功率开关、具有电压暂态保护功能的可控硅、以及功能强大且安全的微控制器等。
无论您使用哪种电机技术（从传统的和坚固的，到最现代的和最高效的），ST都能够提供合适的电子器件和完整的生态系统（包括一系列评估板、参考设计、固件和开发工具），以简化和加速设计流程。
保持最新资讯更多信息和最新材料，请访问ST网站的控制应用页面http:///motorcontrol3意法半导体电机控制PMSM &永磁同步电机和直流无刷电机因其更高效、运行更安静、更可靠等优点，正在越来越多的应用中替代直流有刷电机。
尽管结构不同，但所有三相永磁电机（BLDC、PMSM或PMAC）都是由脉冲宽度调制（PWM）的三相桥（三个半桥）驱动，以便采用频率幅度可变的电压和电流为电机供电。
为了提供最高水平设计灵活性，ST的产品组合包括面向高压和低压应用的特定产品，如单片驱动IC、功率MOSFET、IGBT、栅极驱动器、功率模块和专用微控制器，用于满足广泛的应用需求。
650V N-Channel MOSFETDescriptionSilicon Carbide (SiC) MOSFET use a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.Features⚫ High Speed Switching with Low Capacitances ⚫ High Blocking Voltage with Low RDS(on)⚫ Optimized package with separate driver source pin ⚫ Easy to parallel and simple to drive ⚫ ROHS Compliant, Halogen freeApplication⚫ EV Charging⚫ DC/DC Converters⚫ Switch Mode Power Supplies ⚫ Power Factor Correction Modules ⚫Solar PV invertersOrdering InformationAbsolute Maximum Ratings(Tc=25℃)Electrical Characteristics(T J = 25℃unless otherwise specified)Typical Performance-StaticTypical Performance-DynamicTypical Performance-Reverse Diode(T J = 25℃unless otherwise specified)The values are based on the junction-to case thermal impedance which is measured with the device mounted to a large heat sink assuming maximum junction temperature of Tj(max)=175℃Electrical CharacteristicsFig1. Output characteristics (T J = 25 °C)Fig3.Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig4. On-Resistance vs. TemperatureFig5. Transfer Characteristic Fig6. Body Diode Characteristic at 25 ºCFig11. Capacitances vs. Drain-Source Fig12. Max Power Dissipation Derating Vs T CFig17.Transient Thermal Impedance Fig18. Safe Operating AreaPackage Drawing:Dimensions (UNIT: mm )。
碳化硅快恢复二极管是一种高性能的功率半导体器件，具有高频率、低电压降和低功率损耗等优点，因此在电源、逆变器、汽车电子等领域得到了广泛的应用。
本文将主要介绍碳化硅快恢复二极管650V 8A 参数方面的相关内容。
1. 额定参数碳化硅快恢复二极管650V 8A的额定电压为650V，额定电流为8A。
这意味着该二极管可以在650V的电压下正常工作，并且可以承受不超过8A的电流。
这一参数是其正常工作的基本条件，也是其在实际应用中需要满足的最基本要求之一。
2. 反向恢复时间碳化硅快恢复二极管的反向恢复时间也是其重要参数之一。
650V 8A 的碳化硅快恢复二极管，在通电后能够在极短的时间内从导通状态迅速恢复到截止状态，这一特性使得其在高频开关电源和逆变器中具有重要的应用价值。
反向恢复时间长短直接影响了二极管在实际电路中的性能表现，因此该参数的优化对于碳化硅快恢复二极管的性能提升具有重要意义。
3. 导通压降碳化硅快恢复二极管的导通压降也是其重要参数之一。
650V 8A的碳化硅快恢复二极管在导通状态下具有较低的导通压降，这一特性使得其在功率电子器件中广泛应用。
较低的导通压降能够减小功率损耗，提高能效，因此对于碳化硅快恢复二极管的性能改善具有重要作用。
4. 封装类型碳化硅快恢复二极管650V 8A通常采用TO-220、TO-247等常见的封装形式，这些封装形式具有良好的散热性能和结构稳定性，能够满足对于高功率和高频率应用领域的实际要求。
良好的封装类型能够保证二极管的工作稳定性和可靠性，也是其在实际应用中被广泛采用的重要原因之一。
5. 可靠性指标除了以上主要参数外，碳化硅快恢复二极管650V 8A还需要满足一系列的可靠性指标，如温度特性、耐压能力、耐湿能力、抗干扰能力等。
这些可靠性指标是其在实际应用中必须要满足的，对产品品质和性能表现具有重要影响。
总结来看，碳化硅快恢复二极管650V 8A在电源、逆变器、汽车电子等领域的应用前景广阔，其具有较高的额定电压和电流、较短的反向恢复时间、较低的导通压降等优点，同时也需要满足一系列的可靠性指标。
SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 说明书12A 、650V N 沟道增强型场效应管描述SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点♦ 12A ，650V ，R DS(on)（典型值）=0.64Ω@V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力产品命名规则产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF12N65CF TO-220F-3L SVF12N65CF 无卤 料管 SVF12N65CK TO-262-3L SVF12N65CK 无卤 料管 SVF12N65CS TO-263-2L 12N65CS 无卤 料管 SVF12N65CSTR TO-263-2L 12N65CS 无卤 编带 SVF12N65CKL TO-262L-3L 12N65CKL 无卤 料管 SVF12N65CFQTO-220FQ-3L12N65CFQ无卤料管极限参数(除非特殊说明，T C=25°C)参数符号参数范围单位SVF12N65CF/FQ SVF12N65CK/KL SVF12N65CS漏源电压V DS650 V 栅源电压V GS±30 V漏极电流T C=25°CI D12A T C=100°C 7.6漏极脉冲电流I DM48 A耗散功率（T C=25°C）- 大于25°C每摄氏度减少P D51 209 210 W0.41 1.67 1.68 W/°C单脉冲雪崩能量（注1）E AS790 mJ 工作结温范围T J-55～+150 °C 贮存温度范围T stg-55～+150 °C热阻特性参数符号参数范围单位SVF12N65CF/FQ SVF12N65CK/KL SVF12N65CS芯片对管壳热阻RθJC 2.44 0.6 0.60 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA62.5 62.5 62.5 °C/W电气参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V，I D=250µA 650 -- -- V漏源漏电流I DSS V DS=650V，V GS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流I GSS V GS=±30V，V DS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压V GS(th)V GS=V DS，I D=250µA 2.0 -- 4.0 V导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=6.0A -- 0.64 0.8 Ω输入电容C issV DS=25V，V GS=0V，f=1.0MHz -- 1390 --pF输出电容C oss-- 156 -- 反向传输电容C rss-- 15.2 --开启延迟时间t d(on)V DD=325V，I D=12A，V GS=10V ，R G=24Ω(注2，3) -- 25.80 --ns开启上升时间t r-- 46.40 -- 关断延迟时间t d(off)-- 82.26 -- 关断下降时间t f-- 42.13 --栅极电荷量Q g V DS=520V，I D=12A，V GS=10V(注2，3) -- 32.5 --nC栅极-源极电荷量Q gs-- 7.37 -- 栅极-漏极电荷量Q gd-- 14.2 --源-漏二极管特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流I S MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结-- -- 12A源极脉冲电流I SM-- -- 48源-漏二极管压降V SD I S=12A，V GS=0V -- -- 1.4 V反向恢复时间T rr I S=12A，V GS=0V，dI F/dt=100A/µS （注2）-- 562 -- ns反向恢复电荷Q rr-- 5.12 -- µC 注：1. L=30mH，I AS=6.0A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25°C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。
