电子科技大学814电力电子技术2016年考研专业课真题试卷

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。

掺杂浓度越高，内建电势将越（）。

2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。

5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。

7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。

（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。

（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。

12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。

13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。

14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。

一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。

（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。

2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。

电子科技大学网络教育考卷（A1卷）(20 年至20 学年度第 学期)考试时间 年 月 日(120分钟) 课程 电力电子技术 教师签名_____大题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合 计 得 分一、填空题(每小题1分，共30分)1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT 是 和 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题，解决的方法是 。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。

5、型号为KS100-8的元件表示 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定有效电流为安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会 ；当温度升高时，晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会 。

8、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 逆变器与逆变器两大类。

9、常用的过电流保护措施有 、 、 、 。

（写出四种即可）10、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 换流和 换流。

11、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为 ；晶闸管的额定电流可选为 。

二、单项选择题(每小题1.5分，共15分。

从每小题的四个备选选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。

)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 度。

A 、180°，B 、60°， c 、360°， D 、120°2、α为 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关3、空1 载波比；空2 同步；空3 分段同步4、空1 冲量；空2 形状5、空1 MOSFET；空2 GTO；空3 IGBT6、空1 ；空27、空1 有源；空2 无源8、空1 VD1；空2 V1；空3 VD2；空4 V2；空5 VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B）2、（D）3、（C）4、（C）5、（D）6、（A）7、（C）8、（B）9、（A）10、（B）三、简答题（共3 小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。

门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。

导通后的晶闸管管压降很小。

（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。

其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。

（2分）2、（8分）(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3) 阻感负载时需提供无功。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。

（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。

这两个条件缺一不可。

（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。

当逆变角太小时，也会发生逆变失败。

电力电子技术试题库答案来源：欧阳陶昱的日志电力电子技术试题库答案一、填空题（每空1分，共20分）1、电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术.3电力电子技术研究的对象是（电力电子器件的应用）、（电力电子电路的电能变换原理）和电力电子装置的开发与应用。

.1957年（美国通用电气（GE）公司）研制出第一只晶闸管，它标志着（电力电子技术）的诞生。

6、电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。

7、电力二极管的主要类型有普通二极管，（快恢复二极管）和（肖特基二极管）。

8、晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。

9、晶闸管有三个电极，分别是（阳极），（阴极）和门极或栅极。

10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。

11、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。

12、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断）。

13、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）比值。

14、电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）的双极型晶体管。

15、电力晶体管的安全工作区分为（正偏安全工作区）和（反偏安全工作区）。

16、双向晶闸管有两个（主）电极和一个（门）极。

17、双向晶闸管有(I+触发方式)，（I-触发），III+触发和III-触发。

18、IGBT的保护有（过电流保护），过电压保护和（过热保护）。

19、降压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=DUd），升压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=Ud/(1-D)）。

20、全控型电力电子器件控制极既能控制器件的（导通），也不能控制器件的（关断）。

21、电力器件的换流方式有（器件换流），（电网换流），负载换流和脉冲换流。

22、负载换流式逆变电路分为（并联谐振式），（串联谐振式）。

23、按照稳压控制方式，直流变换电路可分为（脉冲宽度调制）和（脉冲频率调制）。

20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1信息电子技术2、空1开关；空2开关3、空1载波比；空2同步；空3分段同步4、空1冲量；空2形状5、空1MOSFET；空2GTO；空3IGBT6、空1；空27、空1有源；空2无源8、空1VD1；空2V1；空3VD2；空4V2；空5VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B）2、（D）3、（C）4、（C）5、（D）6、（A）7、（C）8、（B）9、（A）10、（B）三、简答题（共3小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。

门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。

导通后的晶闸管管压降很小。

（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。

其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。

（2分）2、（8分）(1)直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2)输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3)阻感负载时需提供无功。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。

（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。

这两个条件缺一不可。

（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。

当逆变角太小时，也会发生逆变失败。

（3分）四、作图题（共2小题，每题12分，共24分）1、（12分）同步变压器的钟点数为Y/Y-10,42、（12分）五、计算题（共1小题，20分）1、(1)(a)Ud=α=×220×cos600=99V?（1分）Id=Ud/R=99/4=（1分）I2=Id=（1分）IdVT=1800/3600×Id=2=（1分）IVT=（2分）（b）波形如图1所示（3分）（2）（a）Ud=（1+cosα）/2=×220×（1+cos600）/2=（1分）Id=Ud/R=4=?IdVT=（1800-α）/3600×Id=（1800-600）/3600×=（1分）（1分）（2分）IdVD=2α/3600×Id=2×600/3600×=（1分）（2分）（b）波形如图2所示（3分）图1??波形图图2波形图试卷参考答案及评分标准(2卷)一、填空题：（本题共6小题，每空1分，共15分）1、空1GTR；空2IGBT2、空1基波电流相移；空2电流波形畸变3、空1均压4、空12~45、空1交流变直流；空2直流变交流；空3直流变直流；空4交流变交流6、空1V1；空2VD1；空3V2；空4VD2；空5第2二、选择题：（本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（D）2、（A）3、（B）4、（C）5、（D）6、（B）7、（C）8、（C）9、（D）10、（B）11、（C）三、简答题：（本题共4小题，共30分）1、（7分）答：(1)直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2)输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分） (3)阻感负载时需提供无功。

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。