微电子实验报告二

集成电路设计（版图部分）实验报告学生姓名：周嫄学号：2011029170009 指导教师：曾洁实验地点：科B4532014年 5 月10 日电子科技大学实验：使用L-Edit编辑单元电路布局图一、实验学时：4学时二、实验目的1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境；2、掌握L-Edit的使用技巧；三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice 文件。

四、实验结果：1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是（morbn20.tdb）文件的。

9.1 Metal2 Minimum Width Minimum Width Metall2 3 lambda9.2 Metal2 to Metal2 Spacing 9.3 Metal2 Overlap of Via1 SpacingsurroundMetall2Via Metall24 lambda1 lambda2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。

先确定W。

W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位 4，则先加10后再乘以2。

所以，要绘制的是一个L=2u，W=（ 18u ）的PMOS管掩膜版图。

所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：该PMOS管的截面图为：3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。

所完成的DRC检查无错误的NMOS版图为：该NMOS管的截面图为：4、运用前面绘制好的nmos 组件与pmos 组件绘制反相器inv的版图。

加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。

所完成的DRC检查无错误的版图为：5、将反相器布局图转化为T-Spice 文件，该文件的内容为：五、实验总结与体会：1.通过本次实验，能够把理论与实际结合起来，利用软件将课本所学运用到实际的版图设计中，加深了对知识的理解与巩固；2.当第一次接触一个新软件时，应该怎样学习使用它，这是在实验中应该学习的技能；3.版图设计时需要考虑的因素有哪些，以及他们的相关性和重要程度对结果的影响。

一、实习目的与意义随着科技的飞速发展，微电子技术已成为现代社会的重要支撑。

为了更好地将理论知识与实际应用相结合，提高自身的实践能力，我选择了微电子技术作为毕业实习的专业方向。

本次实习旨在通过实际操作，深入了解微电子技术的原理、应用及发展趋势，培养自身的动手能力和创新能力，为将来的职业发展打下坚实基础。

二、实习单位及环境本次实习单位为我国一家知名微电子企业——XX科技有限公司。

公司位于我国某高新技术产业园区，占地面积广阔，环境优美。

公司主要从事微电子器件的研发、生产和销售，产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领域。

实习期间，我所在的部门为研发部，主要负责新型微电子器件的研发工作。

部门内设有多个实验室，包括集成电路设计实验室、封装测试实验室等，设备先进，技术力量雄厚。

三、实习内容与过程1. 集成电路设计实习初期，我在导师的指导下，学习了集成电路设计的基本原理和流程。

通过查阅相关资料，了解了模拟电路、数字电路、混合信号电路等设计方法。

在导师的指导下，我参与了某款新型微电子器件的设计工作，从电路设计、仿真验证到版图设计，亲身体验了整个设计过程。

2. 封装与测试在完成集成电路设计后，我学习了封装与测试的相关知识。

了解了不同封装形式的特点、工艺流程及测试方法。

在导师的带领下，我参与了器件的封装与测试工作，学习了如何使用测试仪器对器件进行性能测试。

3. 项目实践实习期间，我还参与了多个项目实践。

其中包括某款无线通信模块的研发、某款汽车电子产品的升级等。

在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用于实际，解决了项目过程中遇到的问题，提高了自己的实际操作能力。

4. 学术交流与培训实习期间，公司定期组织学术交流活动，邀请行业专家进行讲座。

我积极参加这些活动，拓宽了视野，了解了微电子领域的最新发展趋势。

此外，公司还为我提供了相关的培训课程，如EDA工具使用、半导体材料等，使我受益匪浅。

四、实习收获与体会1. 提高了实践能力通过本次实习，我掌握了微电子技术的实际操作技能，学会了如何将理论知识应用于实际，提高了自己的动手能力。

实验报告)微电子器件与电路实验(集成学号实验时间姓名 2019.04实验成绩实验操作教师签字实验二集成二极管电学特性分析实验名称(1)计算机 (2)操作系统：Centos实验设备TSMC RF0.18um工艺模型软件平台：Cadence Virtuoso (4)(3)1.掌握变量扫描分析、OP分析、DC Sweep下分析器件电学模型参数2.掌握二极管电流和结面积和结周长关系，加深对集成二极管电学特性的理解实验目的特性的测试方法3.掌握二极管CV 掌握单边突变结二极管掺杂浓度测量方法4.实验要求1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形)3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室，、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。

实验报告打印后，于下次实验时间缴交。

3实验内容：【20%】 2.1 集成二极管电流随结面积变化特性(变量分析)实验对给定的二极管固定二极管的L，然后对二极管结W进行变量分析，测得二极管电流和结面积之间的关系曲线，通过曲线斜率估计二极管电流和结面积是否满足线性关系，回答思考题1【20%】分析)2.2 实验集成二极管电流随结周长变化特性(OP使用不同结周长的二极管单元并联成结面积相同的二极管器件，测得相同偏置条件下的二极管电流，通过对比不同二极管电流之间的差异，确定二极管电流和结周长的关系，回答思考题2【30%】 CV特性测试(DC分析下器件电学模型参数分析)集成二极管实验2.3对给定结面积的二极管进行DC分析，分析二极管结电容和反偏电压之间的关系，测得CV特性曲线。

并根据《微电子器件与电路》所学知识，回答思考题3、4、5。

【30%】实验2.4 集成二极管内建电势差及掺杂浓度测量2测试不同结电压下单边突变结二极管的单位结面积电容，根据单边突变结1/C关系曲线特点计算得到二极管的掺杂浓度和内建电势差。

一、实习背景随着科技的飞速发展，微电子技术作为信息时代的关键技术，其重要性日益凸显。

为了更好地了解微电子技术，提高自身的实践能力，我于今年暑期在一家知名微电子企业进行了为期一个月的实习。

以下是实习报告的具体内容。

二、实习单位及部门实习单位：XX微电子有限公司实习部门：研发部三、实习目的1. 了解微电子行业的基本情况，掌握微电子技术的基本原理和实际应用。

2. 培养实际操作能力，提高动手实践水平。

3. 深入了解企业研发流程，为今后从事相关工作打下基础。

四、实习内容1. 微电子基础知识学习在实习初期，我主要学习了微电子技术的基本知识，包括半导体物理、集成电路设计、版图设计等。

通过学习，我对微电子技术有了初步的认识。

2. 研发项目参与在实习期间，我参与了公司的一个研发项目，具体负责其中一部分的工作。

以下是项目的主要内容：（1）项目背景：本项目旨在开发一款高性能的微控制器，以满足市场需求。

（2）工作内容：我主要负责微控制器核心部分的电路设计和仿真。

（3）实施过程：①根据项目需求，设计微控制器的核心电路，包括CPU、存储器、接口等。

②使用Cadence软件进行电路仿真，验证电路的稳定性和性能。

③根据仿真结果，对电路进行优化，提高电路性能。

3. 团队合作与交流在实习过程中，我与团队成员积极沟通，共同解决项目中遇到的问题。

此外，我还参加了公司举办的内部培训，了解了公司的发展历程、企业文化以及行业动态。

五、实习收获1. 知识储备：通过实习，我对微电子技术有了更深入的了解，掌握了相关理论知识。

2. 实践能力：在项目实践中，我学会了如何将理论知识应用到实际工作中，提高了动手实践能力。

3. 团队协作：在团队中，我学会了如何与他人沟通、协作，共同完成任务。

4. 行业认知：通过实习，我对微电子行业有了更全面的了解，为今后从事相关工作奠定了基础。

六、实习总结通过本次实习，我深刻认识到微电子技术的重要性，以及自己在实际操作和团队协作方面的不足。

实验指导书实验名称：实验二图示仪检测MOS管参数学时安排：4学时实验类别：验证性实验要求：必做￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣一、实验目的和任务1、用图示仪检测MOS直流参数；2、学习并掌握该仪器的基本测试原理和使用方法，并巩固及加深对晶体管原理课程的理解。

二、实验原理介绍同实验五三、实验设备介绍晶体管直流参数是衡量晶体管质量优劣的重要性能指标。

在晶体管生产中和晶体管使用前，须对其直流参数进行测试。

XJ4822晶体管图示仪是一类专门用于晶体管直流参数测量的仪器。

用该仪器可在示波管屏幕上直接观察各种直流特性曲线，通过曲线在标尺刻度的位置可以直接读出各项直流参数。

用它可测试晶体管的输出特性、输入特性、转移特性和电流放大特性等；也可以测定各种极限、过负荷特性。

四、实验内容和步骤1、测试场效应管2SK30、IRF830的直流参数。

准备工作：在仪器未通电前，把“辉度”旋至中等位置，“峰值电压”范围旋至0-10伏档，“功耗限制电阻”调到1K档，“峰值电压” 调到0位，“X轴作用”置集电极电压1伏/度档，“Y轴作用”置集电极电流1毫安/度档。

接通电源预热10分钟。

调节“辉度”和“聚焦”使显示的图像清晰。

晶体管特性图示仪是为普通的NPN、PNP晶体管的特性图示分析而设计的，要用它来检测场效应管，就必须找出场效应管和普通晶体管之间的相似点和不同处。

场效应管的源极( S )、栅极( G )和漏极( D )分别相当于普通晶体管的发射极( E )、基极( B )、和集电极( C )。

普通晶体管是电流控制元件，而场效应管则是电压控制元件。

1)场效应管2SK30是N-MOS器件，它的管脚分布如图6.1所示。

图6.1 2SK30管脚分布图按照管脚的分布插好管脚后，把“Y轴作用”调到0.2mA/div，“X轴作用”调到1V/div，扫描电压极性为“+”,“功耗限制电阻”调为250Ω，“峰值电压”范围为60% ,“阶梯档级”调到0.1V/div,“阶梯极性”为“-”，“级/簇”置为10。

实验一MOS电容的C-V特性测量及氧化层厚度、界面态密度等参数的提取微电子系00848067 曹宇一、实验目的1、测量MOS电容高频和低频时的C-V曲线2、利用C-V曲线进行栅氧化层厚度t ox、氧化层电荷和界面态密度D it、平带电压V fb、硅衬底掺杂浓度等参数的提取。

二、实验原理MOS电容如图1所示，它类似于金属和介质形成的平板电容器。

但是，由于半导体中的电荷密度比金属中的小得多，所以充电电荷在半导体表面形式的空间电荷区有一定的厚度（~微米量级），而不像金属中那样，只集中在一薄层中（~0.1nm）内。

半导体表面空间电荷区的厚度随偏压VG而变化，所以MOS电容是微分电容。

随着栅压的不同，MOS电容将处于不同的工作区：积累区、耗尽区和反型区。

三、实验内容1.掌握MOS电容的C-V特性测试原理和测试方法。

2.学习KeithleyModel 82-WIN 同步C-V测量仪的使用方法。

3.学习Model 82-WIN 同步C-V库的使用，并利用它提取界面陷阱电荷密度、可动离子浓度、掺杂浓度分布、平带电容、电压等。

四、实验仪器1.手动探针台2.KeithleyModel 82-WIN 同步C-V测试仪Keithley595QuasistaticCV Meter (595准静态CV仪)Keithley590 CV Analyzer (590 CV分析仪)Keithley230 Programmable Voltage Source (230可编程电压源)3.Metrics ICS五、典型C-V特性测量的步骤第一步漏电流和杂散电容修正第二步导线效应修正第三步配置测量系统第四步进行C-V测量第五步分析C-V数据配置测量系统：先连接测量元件。

一个好的探针台是不可少的。

把耦合器的同轴输入（Input)端与探针相连，输出（Output）端与底座相连。

进入Metrics ICS界面。

A．点击菜单行的Instruments按钮，出来一个下拉式菜单。

一、实习前言随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代电子技术的核心，已成为推动社会进步的重要力量。

为了深入了解微电子技术的实际应用，提升自身的实践能力，我于2023年暑假期间，在XXX科技有限公司进行了为期一个月的微电子技术实习。

二、实习目的1. 熟悉微电子技术的基本原理和工艺流程。

2. 掌握微电子器件的设计、制造与测试方法。

3. 增强团队合作和沟通能力，提升自身的职业素养。

三、实习内容1. 微电子器件设计与仿真在实习期间，我参与了公司某款新型微电子器件的设计与仿真工作。

在导师的指导下，我学习了电路设计软件，如Cadence、LTspice等，并完成了器件原理图的设计、仿真与优化。

通过实际操作，我掌握了微电子器件的设计方法，为后续的制造与测试奠定了基础。

2. 微电子器件制造在实习过程中，我有幸参观了公司的微电子器件制造车间。

在导师的带领下，我了解了芯片制造的各个工序，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、镀膜、切割等。

此外，我还学习了设备操作和维护方法，对微电子器件的制造过程有了更为深刻的认识。

3. 微电子器件测试在实习后期，我参与了微电子器件的测试工作。

在导师的指导下，我学习了测试仪器的使用方法，如示波器、万用表、频谱分析仪等。

通过实际测试，我掌握了器件性能的评估方法，并参与了测试结果的整理与分析。

四、实习收获1. 理论知识与实践相结合通过实习，我将所学的微电子理论知识与实际应用相结合，提高了自身的综合素质。

2. 提升了动手能力在实习过程中，我掌握了微电子器件的设计、制造与测试方法，提升了自身的动手能力。

3. 培养了团队合作精神在实习期间，我与团队成员密切合作，共同完成了各项任务，培养了团队合作精神。

4. 明确了职业规划通过实习，我对微电子行业有了更为全面的认识，明确了自身的职业规划。

五、总结本次微电子技术实习使我受益匪浅。

在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提升自身能力，为我国微电子产业的发展贡献自己的力量。

微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。

二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。

本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。

三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。

2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。

3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。

四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。

2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。

3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。

4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。

5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。

五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。

实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。

七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。

通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。

八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。

）。

微电子实习报告第一篇：微电子实习报告课程名称认识实习课程编号A200001A实习地点光电学院1101微电子工艺实验室实习时间2020年11月14日校外指导教师校内指导教师王智鹏、周围评阅人签字王智鹏成绩实习内容微电子工艺认识实习一、实习目的和意义学习光刻机原理，硅片的制作和加工，简单MOS器件的制备二、实习单位和岗位重庆邮电大学三、实习内容和过程实验内容：在2020年11月14日的下午我们班聚集在实验室门口等待，在老师的带领下我们进入实验室并且按规矩穿好实验服。

在将近半小时的参观下我们了解到半导体的制作原理。

半导体制作原理：图1.1半导体构造组成制造流程半导体工业所使用之材料包含单一组成的半导体元素，如硅(Si)、锗(Ge)(属化学周期表上第四族元素)及多成分组成的半导体含二至三种元素，如镓砷(GaAs)半导体是由第三族的镓与第五族的砷所组成。

在1950年代早期，锗为主要半导体材料，但锗制品在不甚高温情况下，有高漏失电流现象。

因此，1960年代起硅晶制品取代锗成为半导体制造主要材料。

半导体产业结构可区分为材料加工制造、晶圆之集成电路制造(wafer fabrication)(中游)及晶圆切割、构装(wafer package)等三大类完整制造流程，如图1.2所示。

其中材料加工制造，是指从硅晶石原料提炼硅多晶体(polycrystalline silicon)直到晶圆(wafer)产出，此为半导体之上游工业。

此类硅芯片再经过研磨加工及多次磊晶炉(Epitaxial reactor)则可制成研磨晶圆成长成为磊晶晶圆，其用途更为特殊，且附加价值极高。

其次晶圆之体积电路制造，则由上述各种规格晶圆，经由电路设计、光罩设计、蚀刻、扩散等制程，生产各种用途之晶圆，此为中游工业。

而晶圆切割、构装业系将制造完成的晶圆，切割成片状的晶粒(dice)，再经焊接、电镀、包装及测试后即为半导体成品。

图1.2 半导体产业结构上、中、下游完整制造流程制程单元集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料，经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后，结合光罩进行曝光、显像，使晶圆上形成各类型的电路，再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后，进行金属蒸发，使各元件的线路及电极得以形成，最后进行晶圆探针检测;然后切割成芯片，再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。