晶体管工作的条件和晶体管工作状态的判断

晶体管工作状态的判断方法
晶体管是一种常用的电子元器件，它的工作状态可以通过以下方法进行判断：
1. 测量晶体管的各引脚电压值：通过测量晶体管各引脚的电压值，可以判断晶体管的工作状态。

晶体管的引脚电压值通常与电流的流向和大小有关，因此通过测量电压值可以判断晶体管是否处于正常工作状态。

2. 测量晶体管的电流：晶体管的工作电流通常与其工作状态有关。

通过测量晶体管的电流，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。

3. 观察晶体管的发光情况：一些晶体管在工作中会发出光线，例如LED晶体管。

通过观察晶体管的发光情况，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。

4. 测量晶体管的电阻值：晶体管的电阻值通常与其工作状态有关。

通过测量晶体管的电阻值，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。

5. 使用示波器进行波形观测：示波器可以帮助观测晶体管的波形，从而判断晶体管的工作状态。

通过观测波形的幅度、频率等参数，可以判断晶体管是否处于正常工作状态。

需要注意的是，判断晶体管的工作状态需要有一定的电子电路知识和经验，如果不太熟悉晶体管的原理和使用方法，建议在专业人士的指导下进行操作。

第1篇一、引言晶体管作为电子技术中最重要的半导体器件之一，具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长等优点，被广泛应用于各种电子设备中。

晶体管放大状态条件是指晶体管在放大电路中工作时的各种参数条件，这些条件对晶体管放大性能的发挥具有重要意义。

本文将从晶体管的工作原理、放大状态条件以及影响因素等方面进行详细阐述。

二、晶体管的工作原理晶体管是一种三端器件，由发射极、基极和集电极组成。

晶体管的工作原理基于半导体材料PN结的特性。

当PN结加上正向偏置时，电子和空穴在PN结处发生复合，形成电流；当PN结加上反向偏置时，电子和空穴被PN结阻挡，形成电场，阻止电流的流动。

晶体管放大电路主要由输入信号、晶体管、负载和电源组成。

当输入信号施加到晶体管基极时，基极电流的变化会引起集电极电流的变化，从而实现信号放大。

晶体管放大电路中，晶体管的工作状态主要有放大状态、截止状态和饱和状态。

三、晶体管放大状态条件1. 放大状态晶体管放大状态是指晶体管在放大电路中工作时，基极电流变化引起集电极电流变化，从而实现信号放大的状态。

晶体管放大状态条件如下：（1）发射极偏置电压VBE：发射极偏置电压VBE是晶体管放大状态的重要条件。

当VBE大于发射极与基极之间的导通电压时，晶体管开始导通，进入放大状态。

VBE过大或过小都会影响晶体管的放大性能。

（2）集电极偏置电压VCE：集电极偏置电压VCE是晶体管放大状态的重要条件。

当VCE大于晶体管集电极与发射极之间的截止电压时，晶体管开始导通，进入放大状态。

VCE过大或过小都会影响晶体管的放大性能。

（3）晶体管工作点：晶体管工作点是指晶体管在放大电路中的静态工作点。

晶体管工作点应位于放大区的中间，以保证晶体管具有最佳的放大性能。

2. 截止状态晶体管截止状态是指晶体管在放大电路中工作时，基极电流为零，集电极电流也为零的状态。

晶体管截止状态条件如下：（1）发射极偏置电压VBE：发射极偏置电压VBE小于发射极与基极之间的导通电压时，晶体管截止。

NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域
（1）截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。

对于共射电路，UBE<=UON且UCE>UBE。

此时IB=0,而iC<=ICEO。

小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。

因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。

(2) 放大区：其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置。

对于共射电路，UBE>UON且UCE>=UBE（即UC>UB>UE）。

此时的，iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关，表现出IB 对iC 的控制作用，IC=?IB。

在理想情况下，当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线。

（简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.）
（3）饱和区：其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。

对于共射电路，UBE>UON且UCE<UBE。

此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC<?IB。

在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。

对于小功率管，可以认为当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，及临界饱和和临界放大状态。

（要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP
型)Ue>Ub,Uc>Ub.）。

一、概述晶体管是一种半导体器件，是现代电子技术中最重要的器件之一。

pnp型晶体管作为晶体管的一种类型，其状态的判断方法对于电子技术的工程应用具有重要意义。

二、pnp型晶体管的工作原理1. pnp型晶体管的结构pnp型晶体管是由p型半导体两股和n型半导体一股交错排列而成的三层结构。

其中两端连接p型半导体的称为发射极和集电极，中间的n型半导体为基极。

2. pnp型晶体管的工作原理当在p型半导体端加正电压，而在n型半导体端加负电压时，pnp型晶体管处于正向工作状态。

此时，发射极和基极之间形成正向偏压，而基极和集电极之间形成反向偏压，从而使得晶体管导通。

当去掉或减小正向偏压，或者在基极和集电极之间加正向偏压时，晶体管就处于截止状态。

三、pnp型晶体管的状态判断方法1. 通过电压测量通过测量发射极与基极之间以及基极与集电极之间的电压，可以判断pnp型晶体管的状态。

如果发射极与基极之间的电压较大（正向偏压），而基极与集电极之间的电压较小（反向偏压），则表明pnp型晶体管处于导通状态。

反之则为截止状态。

2. 通过电流测量可以通过测量发射极与基极之间以及基极与集电极之间的电流来判断pnp型晶体管的状态。

当发射极与基极之间的电流较大，而基极与集电极之间的电流较小，说明pnp型晶体管处于导通状态。

反之则为截止状态。

3. 通过特定测试仪器除了通过电压和电流测量来判断pnp型晶体管的状态外，还可以使用特定的测试仪器进行检测。

比如示波器、万用表等仪器，可以更直观、更准确地判断pnp型晶体管的状态。

四、pnp型晶体管状态判断方法的应用pnp型晶体管的状态判断方法在电子技术领域有着广泛的应用。

比如在电路设计、故障排查、电子产品维修等方面，都需要对pnp型晶体管的状态进行判断，以保证电子设备的正常工作。

五、结论pnp型晶体管作为晶体管的一种类型，其状态的判断方法对于电子技术的工程应用具有重要意义。

通过电压测量、电流测量以及特定测试仪器的使用，可以准确地判断pnp型晶体管的导通状态和截止状态。

三极管状态判断NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb<ve,Vb<vc,截止状态Vc=-V(负电源供电)饱和状态时Vce为0.2V(npn和pnp管都是一样的)静态工作点可以测量出来发射结和集电结都是正向偏置时就已经饱和了.此时,Ube>Uce.当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体管的三种工作状态及其使用
晶体管的输出特性曲线中可将晶体管分为三个工作区，即截止区、放大区和饱和区。

从晶体管的三个工作区域可以看到，晶体管主要有电流放大作用，放大区是三极管在信号放大电路中使用的区域;而截止区和饱和区则是在逻辑电路中广泛使用。

在截止区工作时，相当于CE间断开，而在饱和区工作时，C日间电压Uc很小，相当于导通。

即当丽体管交替地工作在截止和饱和导通状态时,集一射极间相当于一个开关，并且是相当于受基极电流I控制的开关，如同受线圈电流控制的继电器触点一样。

I很小或为0时，晶体管截止，相当于开关断开;而控制I较大时，晶体管饱和，相当于开关接通。

晶体管的开关作用广泛应用于脉冲数字电路，也应用于控制系统作电子开关。

它是一种无触点开关，工作频率高，速度快，寿命长。

无任哪种使用区域，晶体管的主要参数,特别是集电极最大允许耗散功率Pcm集电极最大允许电流IcM、集一射极反向击穿电压U(BRCEO 等参数要控制在一定范围内，确保晶体管的工作安全。

另外，由于晶体管受温度影响大，使用环境要充分考虑。

晶体三极管的工作状态、管脚和类型的判别电子教案加入时间：2008-9-11 15:02:55 陈岳惠点击：104摘要：晶体三极管三个工作状态的条件和特点，运用三种分析方法，判断管子工作状态。

关键词：工作状态；电位分析法；电流分析法；计算分析法。

晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。

在模拟电子电路中，它起放大作用，基本放大电路、正弦波振荡器以及串联型稳压电源中的三极管均工作在放大状态；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，脉冲振荡器、逻辑门电路、触发器中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。

正确理解三极管是学习电子技术入门的关键，而掌握三极管的三种工作状态是其主要内容。

下表是NPN晶体三极管工作状态的特点、条件。

根据上述特点和条件设计合适题目供学生练习，以巩固知识，加深对三极管的理解。

常见的题目便是晶体三极管的工作状态、类型和管脚的判别。

一、电位分析法(一)、已知管子类型和各极电位判断三极管的工作状态。

先判断管子是否处于放大状态，如果满足，即对NPN：V C＞V B＞V E，对PNP：V C＜V B＜V E ，该管子处于放大状态。

如果不满足，管子便处于截止状态或饱和状态，凡V C和V E接近便为饱和状态；凡V C和V E相差较大，管子处于截止状态。

例１、各三极管的每个电极对地的电位，如图1所示，试判断各三极管处于何种工作状态？（ＮＰＮ型为硅管，ＰＮＰ型为锗管）。

分析：先判断管子是否处于放大状态，仅a图符合PNP：V C＜V B＜V E，处于放大状态；b图和c图管子比较，前者V C和V E十分接近，处于饱和状态，后者V C和V E 相差较大，处于截止状态。

例２、判断图２三极管I B、I C和ＶCE。

该三极管处于何种状态？分析：该管为ＮＰＮ型，由于V B＜V E，所以管子处于截止状态，故I B≈0，I C≈0，V CE≈12V。

（二）、已知管子处于放大状态和各极电位，判断三极管各电极名称、类型。

场效应晶体管工作状态-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容为：场效应晶体管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子设备中。

它是一种可以控制电流流动的三个电极的器件，包括栅极、漏极和源极。

与普通的双极型晶体管相比，场效应晶体管具有更高的输入电阻、较低的噪声和较高的频率响应，使得它在放大、开关和模拟电路中具有很大的优势。

场效应晶体管的工作原理是基于栅极电场的控制作用。

通过在栅极施加一定的电压来控制漏极和源极之间的电流，从而实现对电路的控制。

场效应晶体管的工作状态可以通过栅极电压和漏极电流来表示，主要包括截止、放大和饱和三个状态。

在截止状态下，栅极电压较低，漏极电流较小，晶体管处于关闭状态，电路中几乎没有电流流动。

在放大状态下，栅极电压适当增加，漏极电流逐渐增大，晶体管开始放大信号。

在饱和状态下，栅极电压继续增加，漏极电流达到最大值，晶体管处于稳定放大状态。

场效应晶体管的特性参数包括漏极电流、互导、最大功率、负反馈等。

这些参数反映了器件的工作性能和特点，对于电子设备的设计和应用具有重要的指导意义。

总而言之，场效应晶体管作为一种重要的半导体器件，在电子设备中发挥着重要的作用。

它的工作原理和工作状态对于理解和应用该器件至关重要。

深入了解场效应晶体管的工作状态和特性参数，对于合理设计电子电路、提高电路性能具有重要意义。

1.2 文章结构文章结构部分的内容应包含对整个文章的结构进行简要介绍和概述。

需要说明文章的主要分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分主要包括概述、文章结构和目的。

在概述中，可以简要介绍场效应晶体管的重要性和广泛应用，以及为什么有必要探讨其工作状态。

接着，说明文章的结构，即引言、正文和结论三个主要部分。

最后，明确文章的目的，即为了深入理解场效应晶体管的工作状态及其特性参数。

正文部分是文章的核心，主要包括场效应晶体管的基本原理、工作状态以及特性参数。

晶体管的工作状态(工作模式)/xmx028@126/blog/#m=0&t=1&c=fks_087074 083081082074084094086095085085080069080080086068085微电子技术2009-11-02 09:09:39 阅读81 评论0 字号：大中小晶体管有三种工作状态(工作模式)。

☆晶体管的放大状态--------晶体管的工作状态(或工作模式)有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.放大状态就是输出电流与输入电流或者与输入电压成正比的一种工作状态。

在输出伏安特性曲线上，放大状态所处的范围对于BJT和FET有所不同。

(1)对于BJT：BJT的放大状态一般就是发射结正偏、集电结反偏的一种工作状态。

因为BJT是电流控制的器件，故放大状态的输出电流与输入电流成正比。

放大性能用电流放大系数表示（共基极组态是α和共发射极组态是β）。

对于共基极组态有：Ic=α Ie；对于共发射极组态有：Ic=β Ib。

对于共发射极组态的BJT，即使输入端（基极）开路，由于仍然保持为发射结正偏、集电结反偏，故也同样具有放大作用，即可把集电结反向饱和电流Ibco放大成βIbco、而输出所谓较大的穿透电流Ieco=Ibco+β Ibco=(1+β)Ibco。

并且，只要是发射结正偏，即使集电结0偏，BJT也仍然处于放大状态。

因为集电结中本来就存在较强的内建电场，反偏的效果只不过是增强其中的电场而已，并不改变集电结收集载流子的能力，所以在发射结正偏、集电结0偏时也具有放大作用。

自然，当集电结电压稍微变为正偏时，BJT即转变为饱和状态了（输出电流不再与输入电流成正比）；因此，发射结正偏、集电结0偏的状态又称为临界饱和状态。

此外，在发射结0偏（即发射极-基极短路）、集电结反偏时，晶体管同样处于放大状态，只不过这时被放大的电流是集电结反向饱和电流Ibco的一部分，所以输出电流很小（小于Ieco，大于Ibco）。

晶体管的工作条件晶体管是一种半导体器件，它的工作条件是指在哪些环境下它可以正常工作，并且可以发挥出最佳的性能。

晶体管的工作条件涉及到电压、电流、温度、湿度等多个方面，下面就晶体管的工作条件进行详细介绍。

一、电压条件1. 饱和电压：晶体管的饱和电压一般是指与基极电压和集电极电压之间的关系。

在晶体管饱和状态下，基极和集电极之间的电压应保持在一定范围内，以确保晶体管的正常工作。

2. 打开电压：晶体管的打开电压是指在基极和发射极之间施加的电压，使得晶体管可以开始导通。

在设计电路时需要考虑晶体管的打开电压，以确保电路的正常工作。

二、电流条件1. 基极电流：晶体管的基极电流是指流入基极的电流，它决定了晶体管的放大功能。

在实际应用中，需要合理控制晶体管的基极电流，以确保在不损坏晶体管的前提下获得所需的放大效果。

2. 饱和电流：晶体管的饱和电流是指在饱和状态下，集电极和发射极之间的电流。

在设计电路时需要考虑晶体管饱和电流，以确保在饱和状态下正常工作。

三、温度条件1. 工作温度范围：晶体管工作温度范围是指能够保证晶体管正常工作的温度范围。

晶体管的工作温度范围通常在-55°C至+150°C之间，超过这个范围晶体管可能会出现性能下降或损坏的风险。

2. 温度变化对晶体管性能的影响：温度的变化会对晶体管的性能产生影响，通常温度升高会使晶体管的导通特性变好，但也可能增加漏电流和减小反向击穿电压。

因此在设计电路时需要考虑温度变化对晶体管性能的影响。

四、湿度条件湿度对于晶体管的工作并没有直接的影响，但是在工业环境中，高湿度可能会导致晶体管的引脚产生氧化，从而影响其与其他元器件的连接。

因此在高湿度的工作环境中，需要采取一定的防护措施，例如密封性更好的封装方法或者使用防潮的处理工艺。

总结：晶体管的工作条件是多方面综合影响的结果，需要在设计电路时进行全面考虑。

通过合理控制电压、电流、温度和湿度等条件，可以保证晶体管在不同的工作环境下均能够正常工作，并发挥出最佳的性能。

晶体管三种工作状态的判断
晶体管三种工作状态的判断
【题目】
在如图所示电路中，, ，，。

当输入电压U1分别为3V，1V 和-1V时，试问晶体管处于何种工作状态？
【相关知识】
晶体管的输入和输出特性以及三种工作状态的判断。

【解题方法】
应用晶体管三种工作状态的条件和特点加以判别。

【解题过程】
由电路图可知，晶体管饱和时集电极电流近似为晶体管刚饱和时的基极电流为（1）当时显然，晶体管处于深度饱和状态。

（2）当时所以，晶体管处于放大状态。

（3）当时，由于晶体管的基极和发射极之间加上了反向电压，则晶体管可靠截止。

【常见错误】
本例题常见问题是对晶体管三种状态的特点不了解，要注意温习。

例如晶体管饱和时，其集电极和发射极之间的压降近似等于零，相当于短路。

这样，根据电路分别计算集电极和基极的饱和电流也就不难了。

【总结】
本例题用基极实际输入电流与临界饱和电流比较，来判断晶体管的三种工作状态，方法比较简便。

晶体管的三种工作状态
晶体管是一种半导体器件，它可以在电子设备中起到放大、开关和稳定电流等作用。

晶体管的工作状态可以分为饱和状态、截止状态和放大状态三种。

下面我们将分别介绍这三种工作状态的特点和应用。

首先是饱和状态。

在饱和状态下，晶体管的集电极与基极之间的电压较低，使得集电极-发射极之间的电压也较低，导致晶体管处于导通状态。

在这种状态下，晶体管可以承受较大的电流，起到放大信号的作用。

饱和状态的晶体管通常应用于放大器和开关电路中。

其次是截止状态。

在截止状态下，晶体管的集电极与基极之间的电压较高，使得集电极-发射极之间的电压也较高，导致晶体管处于截止状态。

在这种状态下，晶体管无法承受大电流，无法放大信号。

截止状态的晶体管通常应用于数字电路中的开关电路。

最后是放大状态。

在放大状态下，晶体管的集电极与基极之间的电压处于饱和状态和截止状态之间，使得晶体管能够放大信号。

在这种状态下，晶体管可以承受一定范围内的电流，起到放大信号的作用。

放大状态的晶体管通常应用于放大器和模拟电路中。

总的来说，晶体管的三种工作状态分别是饱和状态、截止状态和放大状态。

它们分别对应着晶体管的导通、截止和放大功能，广泛应用于各种电子设备中。

通过对晶体管工作状态的理解，我们可以更好地应用晶体管，设计出更加高效和稳定的电子设备。

npn型晶体管工作在放大状态的外部条件和内部原理分析npn型晶体管是一种常用的电子器件，它可以完成信号放大、开关控制等功能。

晶体管的工作状态分为放大状态和截止状态两种。

在放大状态下，晶体管输出信号的幅度会比输入信号的幅度大，这是因为晶体管的放大倍数大于1。

那么，npn型晶体管在工作时需要满足哪些条件呢？外部条件方面，晶体管的电源电压需要满足最小工作电压要求，通常在0.5~0.7V之间。

如果电压过低，晶体管的pn结将会关闭，无法形成电流，无法工作；如果电压过高，晶体管的pn结将会击穿，导致晶体管烧毁。

此外，为了保证晶体管的工作稳定性和可靠性，电源电压不能出现大幅度波动，所以需要配备稳压电源来提供电压。

内部原理方面，晶体管的工作需要满足两个条件：1）基极电流大于零；2）集电结反向偏置。

当基极电流大于零时，pn结中的载流子会不断向集电区移动，形成电流放大效应，从而将输入信号放大。

同时，通过对集电结进行反向偏置，可以使其成为一个能够吸收大量载流子的区域，进一步增强晶体管的放大性能。

在npn型晶体管中，电流从基极流入晶体管，流经发射结，最终进入集电区。

因为集电结和发射结都是pn结，因此需要满足反向偏置的要求。

发射结和集电结都是正向偏置时，集电结会将所有的载流子都吸收掉，导致晶体管的输出电流为零，也就是截止状态。

而发射结和集电结都是反向偏置时，晶体管的基准电流未满足第一个条件，无法放大信号，也就是不工作状态。

只有在满足以上两个条件的情况下，晶体管才能正常工作，实现输入信号的放大。

综上所述，npn型晶体管工作在放大状态需要满足外部条件和内部原理两方面的要求。

只有在电源电压稳定、基极电流大于零、集电结反向偏置的条件下，晶体管才能完成信号放大的功能。