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电工学（下册）电子技术基础第4章习题解答第4章场效应管放大电路与功率放大电路4.1图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。
说明它的开启电压Uth（或夹断电压Up）约是多少。
iD/mA-iD/mA321-10iD/mA1-32uGS/V-3-2-10uGS/V(a)-4-20uGS/V(b)(c)图4.1习题4.1图解：(a)N沟道耗尽型FETUP=－3V；(b)P沟道增强型FETUT=－4V；(c)P沟道耗尽型FETUP=2V。
4.2某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。
(1)此元件是P沟道还是N沟道？(2)计算UGS=－3V是的ID；(3)计算UGS=3V时的ID。
解：(1)N沟道；UGS3)10(1)3.9(mA)UP8U3(3)IDIDSS(1GS)10(1)18.9(mA)UP8(2)IDIDSS(14.3画出下列FET的转移特性曲线。
(1)UP=－6V，IDSS=1mA的MOSFET；(2)UT=8V，K=0.2mA/V2的MOSFET。
解：iD/mA1iD/mA3.2－6(1)ouGS/V(2)o812uGS/V4.4试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
解：iD耗尽型N沟道增强型N沟道UPoUTUTUPuGS4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解：(a)能放大增强型耗尽型P沟道P沟道(b)不能放大，增强型不能用自给偏压(c)能放大1，可增加Rd，并改为共源放大，（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。
共漏Au将管子改为耗尽型，改电源极性。
图4.2习题4.5电路图4.6电路如图4.3所示，MOSFET的Uth=2V，Kn=50mA/V2，确定电路Q 点的IDQ和UDSQ值。
解：UGSQRg2Rg1Rg2VDD15243.13(V)10015IDQKn(UGSQUth)250(3.132)263.9(mA)UDSQVDDIDQRd2463.90.211.2(V) +VDD12V+VDD24V+VDD-9VRd1.0kΩVTRd560ΩVTRg1100kΩRd200ΩVTRgRg215kΩ10MΩ10MΩRg(a)(b)图4.3习题4.6电路图图4.4习题4.7电路图4.7试求图4.4所示每个电路的UDS，已知|IDSS|=8mA。
习 题 88.1 已知倒T 形电阻网络DAC 的反馈电阻R F ＝R ，U REF ＝10V ，试分别求出4位DAC 和8位DAC 的输出最大电压，并说明这种DAC 输出最大电压与位数的关系。
解 4位DAC 的最大输出电压4REF omax 4410(21)1159.37(V)22U R U R =-⨯-=-⨯⨯=- 8位DAC 的最大输出电压8REF omax 8810(21)12559.96(V)22U R U R =-⨯-=-⨯⨯=- 由此可见，最大输出电压随位数的增加而增加，但增加的幅度并不大。
8.2 巳知倒T 形电阻网络DAC 中的反馈电阻R F ＝R ，U REF ＝10V ，试分别求出4位和8位DAC 的输出最小电压，并说明这种DAC 最小输出电压与位数的关系。
解 4位DAC 的输出最小电压0REF omin 44102110.63(V)22U R U R =-⨯=-⨯⨯=- 8位DAC 的输出最小电压0REF omin 88102110.04(V)22U R U R =-⨯=-⨯⨯=- 由上可知，在U REF 和R F 相同的条件下，倒T 形电阻网络DAC 的位数越多，输出最小电压越小。
8.3已知某D/A 转换器电路输入10位二进制数，最大满度输出电压U m =5V ，试求分辨率和最小分辨电压。
解: 其分辨率为10110.0010.1%211023=≈=-, 因为最大输出电压为5V ，所以，10位DAC 能分辨的最小电压为：mVV V LSB 5005.0102315121510=≈⨯=-⨯=8.4已知某D/A 转换器，最小分辨率电压为U omin = 5 mV ，最大（满刻度）输出电压U omax = 10 V ，试问此电路输入数字量的位数n 应为多大？解: V N005.012110=-⨯, 2000005.01012==-N ,20002≈N , 11≈N所以，该电路输入二进制数字量的位数Ｎ应是11。
1.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于正…偏置，集URM = 14.1 V ；若采用单相桥式整流电路，则二极管承受的最高反向压降 U RM = 14.1 V 。
5.(57.5) 10= (111001.1 )2=( 39.8 )16。
6.三变量的逻辑函数共有 8个最小项。
其全部最小项之和为 1 。
7.TTL 三态门的输出包括高电平、低电平和高阻态等三种工作状态。
二、选择题：（每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ,则该管工作在A ）状态。
A 饱和B 、截止C 、放大2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路，通常提供一个偏置电路以克服（D ）失真。
损坏A 、截止3.电路如图1所示，引入的反馈为（B 、饱和 C ）负反馈。
C 、截止和饱和交越A 、电压并联B 、电流并联 C 电压串联 电流串联4.下列电路中D ）电路。
A 、加法器B 、编码器 C 、译码器计数器5.构成一个十二进制的计数器, ）个触发器。
A 、 2B 、 46.摩根定律的正确表达式是：C 、D 12、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。
B 、 D 、(6分)2.放大电路电工学期考试卷01-电子技术B、填空题：（每空2分，共30分）并宜负反馈；若想要增加输出电阻，应引入电流 负反馈。
3. 理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断和虚短两个重要概念。
4.已知变压器二次侧电压 U =10V,采用单相半波整流电路，二极管承受的最高反向压降Y = A B^A C C+C D +AB C +B C D解：Y = B(A AC) C(D AD BD)= B(A C) C(D A B)AB CD AC =AB BC C D AC精品文档四、图 2 所示放大电路中，已知V C C=12V,金i=90k Q,吊2=30k Q , F C=2.5k Q , R=1.5k Q , F L=10k Q , 3 =80, U B E = 0.7V。
PS ：题目来源网络，只作参考！如有出错，纯属扯淡！选择题参考选择题一：（没找到答案）1在 图1 示 电 路 中，U S ，I S 均 为 正 值，其 工 作 状 态 是 ( )。
(A) 电 压 源 发 出 功 率 (B) 电 流 源 发 出 功 率 (C) 电 压 源 和 电 流 源 都 不 发 出 功 率 (D) 电 压 源 和 电 流 源 都 不 发 出 功 率UI SI图 22在 图2 示 电 路 中，已 知：U S ＝1 V ，I S ＝1 A 。
电 流 I 为 ( )。
(A) 1 A (B) -1 A (C) 2 A (D) 3A3 电路如图３，各电阻值和值为已知，如果要用支路电流法求解流过电压源的电流，列出的独立的电流方程和电压方程数分别为 （ ）(A ) 3和4 ( B) 4和3 ( C) 3和3 (D) 4和4图３ 图４4电路如图４，电 路 在 达 到 稳 定 状 态 后 增 加 R ，则 该 电 路 ( )。
(A) 因 为 发 生 换 路， 要 产 生 过 渡 过 程(B) 因 为 C 的 储 能 值 不 变， 不 产 生 过 渡 过 程(C) 因 为 有 储 能 元 件 且 发 生 换 路， 要 发 生 过 渡 过 程 (D) 因 为 没有发 生 换 路， 要 产 生 过 渡 过 程 5 在三相四线制电路中，中线的作用是（ ）。
(A) 构成电流回路 (B) 使不对称负载相电压对称 (C) 使电源线电压对称 (D)以上答案都不对6 对 称 星 形 负 载 接 于 三 相 四 线 制 电 源 上，如 图5 所 示。
若 电 源 线 电 压 为 380 V ，当 在 D 点 断 开 时，U 1 为 ( )。
(A) 220 V (B) 380 V (C) 190 V （D ）110VA B C N图 5７单相变压器原绕组额定电压为220V ，电压比K=6，则空载时副绕组的额定电压U20以及当副方电流I2为3A 时的原方电流I1分别是： ( )。
《电工学（电子技术）》试卷及答案一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题分13小题，每小题2分，共26分。
1、(本小题2分)二极管的死区电压随环境温度的升高而（）。
(a) 增大(b) 不变(c) 减小2、(本小题2分)一接线有错误的放大电路如图所示，该电路错误之处是（）。
(a) 电源电压极性接反(b) 基极电阻RB 接错(c) 耦合电容C1，C2 极性接错3、(本小题2分)分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将（）。
(a) 增大(b) 减小(c) 不变4、(本小题2分)电路如图所示，电阻RE引入的反馈为（）。
(a) 串联电压负反馈(b) 串联电流负反馈(c) 并联电压负反馈(d) 串联电压正反馈5、(本小题2分)理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是（）。
(a) 同相端和反相端的输入电流相等而相位相反(b) 运放的差模输入电阻接近无穷大(c) 运放的开环电压放大倍数接近无穷大6、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，欲构成反相比例运算电路，则虚线框内应连接( )。
(a) 电阻元件(b) 电感元件(c) 电容元件7、(本小题2分)电路如图所示，运算放大器的电源电压为12V，稳压管的稳定电压为8V，正向压降为0.6 V，当输入电压ui=-1V 时，则输出电压uO等于( )。
(a) - 12 V (b) 0.7V (c) -8V8、(本小题2分)在单相桥式整流电路中，所用整流二极管的数量是（）。
(a) 一只(b) 四只(c) 二只9、(本小题2分)直流电源电路如图所示，用虚线将它分成了五个部分，其中稳压环节是指图中（）。
(a)（2）(b)（3）(c) (4) (d) ( 5 )10、(本小题2分)电路如图所示，该电路的名称是（）。
(a) 单相桥式整流电路(b) 单相全波整流电路(c) 单相半波整流电路11、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关A、B分别有如图所示为"0"和"1"两个状态，则电灯亮的逻辑式为( )。
电工学电子技术第七版下册答案【篇一：电工学(下册)电子技术基础第7章习题解答】txt>7.1 如图所示的基本rs触发器的电路图以及rd和sd的工作波形如图7.1所示，试画出q端的输出波形。
rdsd(b)图7.1 习题7.1的图解：rdsdq7.2 同步rs触发器电路中，cp，r,s的波形如图7.2所示，试画出q端对应的波形，设触发器的初始状态为0。
qcpcpsqr(a)(b)图7.2 习题7.2的图解：cpsr7.3 图7.3所示的主从结构的rs触发器各输入端的波形如图（b）所示。
sd=1，试画出q、q端对应的波形，设触发器的初始状态为 cpdsr(a)(b)图7.3 习题7.3的图解：cpdsrq7.4 试分析如图所示电路的逻辑功能。
图 7. 4习题7. 4的图解：j?qk?1qn?1?jq?kq?q所以构成t’触发器，具有计数功能。
7. 5 设jk触发器的初始状态为0，画出输出端q在时钟脉冲作用下的波形图。
1cpqcp图7.5习题7. 5的图解： jk触发器j、k端均接1时，计数。
cpq7.6 在图7.6所示的信号激励下，画出主从型边沿jk触发器的q端波形，设触发器的初始态为0。
cpjk(a)(b)图7.6 习题7.6的图解：cpjkqqcp图7.7 习题7.7的图解：cp为0时，保持；cp为1时，r=s=0，则保持，r=s=1时置0，当r=0，s=1时，置1，当r=1，s=0时，置0。
7.8如图所示的d触发器的逻辑电路和波形图如图所示，试画出输出端q的波形图，设触发器的初始态为0。
cpd（a）（b）图7. 8习题7. 8的图解： cpd7.9 图7.9所示的边沿t触发器，t和cp的输入波形如图7.9所示，画出触发器输出端q和q的波形，设触发器的初始状态为0。
qqqcpttcp(a)图7.9 习题7.9的图(b)解： t=1时计数，t=0的时候保持。
cptqq7.10 试将rs触发器分别转换为d触发器和jk触发器。
第14章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
第14章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
一、单项选择题1.电路中两点间的电压高，则( )。
A、两点的电位高 B、两点间的电位差大 C、两点的电位一定为正 D、两点的电位一定为负 答案： B2.有“220V、100W”“220V、25W”白炽灯两盏，串联后接入220V交流电源，其亮度情况是（ ）。
A、增大 B、减小 C、不变 D、以上均不对 答案： A3.三相对称绕组在空间位置上应彼此相差（ ）。
A、60°电角度 B、120°电角度 C、180°电角度 D、360°电角度答案： B4.将额定值为220V、100W的灯泡接在110V电路中，其实际功率为（ ）。
A、100W B、50W C、25W D、125W 答案： C5.一个由线性电阻构成的电器，从220V的电源吸取1000W的功率，若将此电器接到110V的电源上，则吸取的功率为（ ）。
A、250W B、500W C、1000W D、2000W答案： A6.有一段16Ω的导线，把它们对折起来作为一条导线用，其电阻是( )。
A、8ΩB、16ΩC、4ΩD、32Ω答案： C7.我国使用的工频交流电频率为（ ）。
A、45Hz B、50Hz C、60Hz D、65Hz答案： B8.按照习惯，导体中（ ）运动的方向为电流的方向。
A、电子 B、正电荷 C、电荷 D、离子 答案： A9.两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( ) A、4：1 B、1：4 C、1：2 D、2：1 答案： A10.三相对称电路是指（ ）。
A、三相电源对称的电路； B、三相负载对称的电路； C、三相电源和三相负载均对称的电路。
答案： C二、多项选择题1.运算放大器工作在线性状态的有（ ） A、反相比例求和 B、电压跟随器 C、滞回比较器 D、差动电路 答案： A B D2.关于无功功率，正确的说法有：无功功率表明了（ ） A、负载存储电能的能力 B、负载与电源之间交换电能的规模 C、需要进行补偿的理由 D、电路必须提供的能量 答案： A B C D3.晶体三极管工作时可能处于的工作状态有（ ） A、放大状态 D、导通状态 答案： A B C4.电路的基本构成有（ ） A、电源 B、负载 C、导线 D、变压器 答案： A B C5.关于叠加原理，正确的说法有（ ） A、只适用于线性电路 B、不能用于计算功率 C、电压源置零相当于短路 D、用于求解元件的电压和电流 答案： A C D6.实现电路换路的方式有（ ） A、元件参数突变 B、突然接通电源 C、电路元件突然接入 D、电源电压突然变化 答案： A B C D7.关于三相电路，正确的说法有（ ） A、三相电源是对称的 B、负载联接有两种形式 C、三相功率只与负载有关 D、平均功率与时间无关 答案： A B D8.可以实现组合逻辑功能的有（ ） A、与非门 B、或门 C、与或非门 D、三态门 答案： A B C D9.对称三相电源的条件有（ ） A、幅度相等 D、初相角互成120°答案： A B D10.与谐振的概念等价的有（ ） A、网络端口电压与电流同相 B、网络呈现电阻特性 C、网络不消耗无功功率 D、储能元件上电压很高 答案： A B C三、判断题1.电路中电流的方向是电子运动的方向。
2015年电工学下册复习试卷第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V 3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 4．晶体管的主要特性是具有（ D ）。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 5．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性6．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o 7．射极输出器电路如题7图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。
A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压8．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变9．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，题2图 题7图这种处理方法是( A )。
A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。
D 、耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。
10．P N 结加适量反向电压时，空间电荷区将（ A )。
A 、变宽 B 、变窄 C 、不变 D 、消失11．题11图示三极管的微变等效电路是（ D )12．题12图示放大电路，输入正弦电压u i 后，发生了饱和失真，为消除此失 真应采取的措施是（ C ）A.增大R LB.增大R CC.增大R BD.减小R B13．电路如题21图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V ，则电路中电流I 的值为（ A ）。
A.4mAB.0mAC.4AD.3mA14．固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q 如题22图所示，当温度升高时，工作点Q 将（ B ）。
A.不改变B.向Q′移动C.向Q″移动题21 题11图 题19图 题12图D.时而向Q′移动，时而向Q″移动15．电路如题24图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V ，则电路中电流I 的值为( B )。
A.1mAB.0mAC.1AD.3mA16．某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q 如题25图所示，欲使静态工作点移至Q′需使( D )。
A.偏置电阻R B 增加B.集电极电阻Rc 减小C.集电极电阻Rc 增加D.偏置电阻R B 减小17．半导体三极管是一种（ C ）A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件18．题28图示放大电路中，电容C E 断开后电路的电压放大倍数的大小将（ A ）A.减小B.增大C.忽大忽小D.保持不变19.电路如题29图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想组件，则输出电压u o （ A ）A.0VB.－6VC.－18VD.+12V20 ．三极管处于放大状态时（ B ）A. 发射结反偏，集电结正偏B. 发射结正偏，集电结反偏C. 发射结与集电结均正偏D. 发射结与集电结均反偏 21．题31图所示电路中，已知V CC =12V ，R C =3kΩ，晶体管β=50，且忽略U BE ，若要使静态时U CE =6V ，则R B 应取（ B ）A ．200kΩB ．300kΩ题24图 题25图题28图题29图 题31图C ．360kΩD ．600kΩ二、填空题1.N 型半导体中 自由电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。
2．二极管最重要的特性是 单向导电性 。
3．给半导体PN 结加正向电压时，电源的正极应接半导体的__ P__区，电源的负极通过电阻接半导体的 N 区。
4．半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结 正 向偏置，集电结 反 向偏置。
5.半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压 要大（或高） 。
6．若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的 截止 。
7．在题7图所示电路中，若仅是R L 增大，则电压放大倍数的绝对值将 增大 (增大?减小?或不变?)，输出电阻值将 不变 (增大?减小，或不变?)。
8．造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是 温度变化 。
9．某放大电路在负载开路时，输出4V 电压；接入1kΩ负载后，其输出电压降为2V ，则放大电路的输出电阻为 1kΩ 。
10．电压并联负反馈使放大电路的输入电阻 减小 ，输出电阻 减小 。
11．二极管具有单向导电特性，其正向电阻远远 小于 反向电阻。
当二极管加上正向电压且正向电压大于 死区 电压时，正向电流随正向电压的增加很快上升。
12．半导体的导电能力随着温度的升高而 增大（或增强） 。
13．PN 结加反向电压时，其空间电荷区将__变宽_ ，使__漂移__运动占优势。
14．如果放大电路的静态基极电流太大，会产生 饱和 失真。
15．射极输出器中，输入电压和输出电压的相位是 同相的 。
16．锗 （硅）二极管的正向电压降大小的围是0.2～0.3（0。
6－0。
7）V 。
17．根据三极管结构的不同，有NPN 和__ PNP __两种。
18．PN 结的基本特性是 单向导电性 。
19．三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现_ 截止 失真。
三、简析题：1．题1图示电路中，已知V CC =24V ，R B =800kΩ，R C =6kΩ，R L =3kΩ，U BE =0.7V ，晶体管电流放大系数β=50，r be =1.2KΩ。
试求：（1）放大电路的静态工作点(I BQ ，I CQ ，U CEQ )。
（2）电压放大倍数A u 、输入电阻r i 、输出电阻r o 。
题1图题7图1解：(1) 3243080010CC BQ B U I A R μ≈==⨯ 5030 1.5CQ BQ I I mA β==⨯=24 1.5615CEQ CC CQ C U U I R V =-=-⨯=(2) //6//35083.31.2C L u be R R A r β•=-=-⨯=- 1.2i be r r K ≈=Ω 6O C r R K ==Ω2．在题2图所示电路中，已知三极管的β=40，电容C 1和C 2足够大，求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
2解：312240100.7BQ I =⨯⨯+50BQ I A μ=26300(1)be EQmVr I β=++ 26300820BQmV I =+=Ω 3324010820//81724010820i B be r R r ⨯⨯===Ω⨯+ 4o c r R k ==Ω(//)C L be R R Au r β-=333341081040410810130820⨯⨯⨯-⨯⨯+⨯==-3．题3图示放大电路中三极管的U BE =0.7V ，U CC =12V ，R C =2kΩ，R B =280kΩ，R L =6kΩ，C 1、C 2足够大，输入电压有效值U i =0．1V ，输出电压有效值U 0=8V.求：三极管的电流放大系数β。
3解：CC BQ B BE U I R U =⨯+312280100.7BQ I =⨯⨯+40.4BQ I A μ=(//)80o C L u i beU R R A U r β-===- 26(//)80(300)C L BQ mVR R I β=⨯+333336210610261080(300)21061040.410β--⨯⨯⨯⨯⨯=⨯+⨯+⨯⨯ ∴50β=4．题4图所示放大电路中三极管的题2图 题3图U BE =0.7V ，电阻R B1上直流压降为8V ，R C =2kΩ，R E =1.5kΩ，求U CE .。
4解：电位B V 、E V 分别是：11284B CC RB V U U V =-=-= 40.7 3.3E B BE V V U V =-=-=3.3 2.21.5E E C E V I mA I R ===≈()12 2.2(2 1.5) 4.3CE CC E C E U U I R R V=-+=-+=四、计算题： 1．题1图示放大电路中，三极管β=50、r be =1kΩ，R 2=3kΩ，R 3=1kΩ，C 1、C 2足够大，求：(1)画出放大电路的微变等效电路； (2)推导当输出端未接负载电阻R L 时的电压放大倍数&&&A U Uui=0的一般关系式； (3)求当输出端接负载电阻R L =3kΩ时的电压放大倍数&A u=? 1解：1）121333322333332)(1)(1)50310 2.88110(150)110(//)(//)3)(1)(1)50 1.510 1.44110(150)110o b u i e be b be o b L L u ib bebbeU I R R A U I r I R r R U I R R R R A U I r I R r Rββββββββ--===++++-⨯⨯==-⨯++⨯⨯--===++++-⨯⨯==-⨯++⨯⨯&&&&&&&&&&&&2．题2图示放大电路中，三极管的β=50，题1图U BE =0.6V ，输入信号u i =3sinωt mV。
对于该交流信号，C 1、C 2足够大，可视为短路。
问：(1)当π<ωt<2π时，三极管的发射结是否处于反向偏置?为什么?(2)该放大电路的电压放大倍数A&u 为多少? (3)该放大电路的输入电阻和输出电阻各为多少?2解：（1）三极管的发射结总电压： BE BE be u U u =+，当π<ωt<2π时，30be mV u -≤≤，且32t ωπ=时，3be bem u U mV =-=-故： 0.7(0.003)0.697BE BE be u U u V =+=+-=可见三极管的发射结不是处于反向偏置而是处于正向偏置。
