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电子技术基础(模拟部分)第五版_第六章_康华光

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电子技术基础-模拟部分(第五版)康华光-课后答案

电子技术基础-模拟部分(第五版)康华光-课后答案
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电子技术基础模拟部分
第五版
主编 康华光
高等教育出版社
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湖南人文科技学院
田汉平
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电子技术基础模拟部分第五版康华光课件

电子技术基础模拟部分第五版康华光课件
光课件
3.2.2 PN结的形成
电子技术基础模拟部分第五版康华 光课件
3.2.2 PN结的形成
电子技术基础模拟部分第五版康华 光课件
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
电子技术基础模拟部分第五版康华 光课件
end
3.2 PN结的形成及特性
3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应
电子技术基础模拟部分第五版康华 光课件
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动：
电子技术基础模拟部分第五版康华 光课件
3.3.1 半导体二极管的结构
在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。
(1) 点接触型二极管
PN结面积小，结电 容小，用于检波和变 频等高频电路。
二极管的结构示意图
(a)点接触型
电子技术基础模拟部分第五版康华 光课件
(μA)
IS: 反向饱和电流
【可参见教材P6电4子图技术3基.2础.模4拟】部分第五版康华
光课件
3. PN结V-I特性的表达式
u
i IS(e UT1)
i/mA － ＋
❖ 当加正向电压时：
u为正值，表达 式等效成 ：
＋－
u
i IS e U T
指数 关系
IF ❖ 当加反向电压时：
i=-IS UBR
－ － － － － + + + 多+子+电子

电子技术基础第五版模拟部分通用课件康华光

电子技术基础第五版模拟部分通用课件康华光
爆米花噪声
由材料缺陷或晶体缺陷引起的噪声。
噪声的抑制方法
增加信号幅度
通过增加信号幅度，降低相对噪声影 响。
滤波
通过使用滤波器滤除特定频率范围的 噪声。
接地
良好的接地可以减少电磁干扰和地线 噪声。
屏蔽
使用屏蔽材料隔离电路和电子设备， 减少外部噪声的影响。
失真的产生与抑制方法
非线性失真
由于电路元件的非线性特性引起的失真，如放大器的增益饱和。
解调技术
解调是将加载在高频载波信号上的低 频信号分离出来的过程。解调技术包 括鉴频、鉴相和鉴幅。
信号的滤波技术
滤波器类型
滤波器根据其频率响应特性可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带 阻滤波器。
滤波器设计
滤波器的设计需要考虑其传递函数、阻抗比、衰减特性、群时延特性等参数， 以达到所需的信号处理效果。
03
模拟集成电路基础
模拟集成电路的基本概念
模拟集成电路
由模拟元件构成的电路，用于处理连续变化的模拟信号。
模拟信号
表示物理量连续变化的信号，如声音、温度、压力等。
模拟集成电路的特点
具有高精度、低噪声、低失真等特点，广泛应用于信号处理、通信 、测量等领域。
模拟集成电路的工艺技术
半导体工艺
基于半导体材料（如硅、 锗）的制造工艺，包括外 延、氧化、扩散、光刻、 刻蚀等。
集成电路的分类
按工艺技术可分为薄膜集 成电路和厚膜集成电路。
集成电路的封装
将芯片与外部电路连接起 来的封装形式，包括直插 式封装、表面贴装等。
模拟集成电路的设计流程
元器件选择
选择合适的元件， 包括电阻、电容、 电感等。
版图绘制
将电路设计转化为 版图，为制造提供 依据。

最新模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案精品课件

最新模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案精品课件

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第二十一页，共100页。
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18 第二十四页，共100页。
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2 第三十页，共100页。
4 第四十二页，共100页。
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6 第九十一页，共100页。
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电子技术基础模拟(mónǐ)部分 第五版
主编(zhǔbiān)
高等教育出版社
第一页，共100页。
2 第二页，共100页。
3 第三页，共100页。
4
第四页，共100页。
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第五页，共100页。
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第六页，共100页。

康光华第五版答案电子技术基础(模拟部分)

康光华第五版答案电子技术基础(模拟部分)

第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。

（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。

解（1）求二极管的电流和电压（2）求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T＝300 K。

VDD-2vD(10-2⨯0.7)V==8.6⨯10-3A=8.6mA3R1⨯10ΩVO=2VD=2⨯0.7V=1.4V ID=当rd1=rd2=rd时，则rd=VT26mV=≈3.02ΩID8.6mA2rd2⨯3.02Ω=±1V⨯=±6mVR+2rd(1000+2⨯3.02Ω)vO的变化范围为(VO+∆vO)~(VO-∆vO)，即1.406V～1.394V。

∆vO=∆VDD2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。

设二极管是理想的。

解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。

图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。

图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。

图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO ＝－6V。

2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有VA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩVB=D被反偏而截止。

图b：将D断开，以“地”为参考点，有2kΩ5kΩ⨯10V+⨯15V=3.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩVA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩ2kΩ5kΩ⨯(-10V)+⨯15V=1.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩ VB=D被反偏而截止。

电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光

电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光

第一章数字逻辑习题1．1 数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4 一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSBLSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于42. （2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H 72（4）（2.718 ）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@（3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。

...4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图...4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图...OLV=0.1V, ILV=1.5V, 因此有:(1) =0< ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(2) <1.5V=ViILV, 属于逻辑门0(3) <0.1<ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(4) 由于CMOS管的栅极电流非常小, 通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即...OLV=0.1V, ILV=1.5V, 因此有:(1) =0< ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(2) <1.5V=ViILV, 属于逻辑门0(3) <0.1<ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(4) 由于CMOS管的栅极电流非常小, 通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即OLV=0.1V, ILV=1.5V, 因此有:(1) =0< ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(2) <1.5V=ViILV, 属于逻辑门0(3) <0.1<ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(4) 由于CMOS管的栅极电流非常小, 通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即...高阻113.1.12 （a）AL11...高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11...1.1.3vmA..≈444Ω...1.1.4vmA..≈444Ω...1111111111110 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 10 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 11 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 111112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图...输入输出ABCLL=C1111__LC=...输入输出ABCLL=C 01111__ LC=输入输出ABCLL=C 01111__ LC=输入输出ABCLL=C 01111__ LC=第六章习题答案1.1.5已知某时序电路的状态表如表题6．1，6所示，输人为A，试画出它的状态图。

电子技术基础(模拟部分)第五版课件_康华光共456页


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16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事， 只想现 在的事 。现在 有成就 ，以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人，心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前，莽撞的 人只能 引为烧 身，只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
61、奢侈是舒适的，否则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学，如日出之阳；壮而好学 ，如日 中之光 ；志而 好学， 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里，与其说好 的教师 是幸福 ，不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战，就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿

电子技术基础(模拟部分)第五版_第6章_康华光

(2)电流源电路用于模拟集成放大器中 以稳定静态工作点，这对直接耦合放大器是十分重要的。
(3)用电流源做有源负载，可获得增益高、 动态范围大的特性。
(4)用电流源给电容充电，以获得线性电压输出。
(5)电流源还可单独制成稳流电源使用。
(6)在模拟集成电路中，常用的电流源电路有： 镜象电流源、精密电流源、 微电流源、多路电流源等。
IC=0 IC 0 VCC=0 VBB
T
VBB
6.2 差分式放大电路
6.2.0 概述
直接耦合放大电路 零点漂移
差分式放大电路中的一般概念
6.2.1 射级耦合差分式放大电路
电路组成及工作原理 主要指标计算 抑制零点漂移原理 几种方式指标比较
6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性
集成电路的优点
• 有体积小、功耗小、功能强、可靠 性好的优点，故得到发展。
• 最早源于航天技术的启示和应用。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
BJT电流源
FET电流源
电 流 源 概 述
(1)电流源电路是一个电流负反馈电路， 并利用PN结的温度特性，对电流源电路进行温度补偿， 以减小温度对电流的影响。
4. 多路电流源
R
VCC
组成
IREF
T0
IC T ∑IB T1
IC1
IC2
IC3
公式推导
IC=IREF - ∑ IB/β
T2
Re2 Re3
T3
Re
Re1
当β较大时 IC=IREF 由于各管的β， VBE相同，则 IERE≈IREFRE=IE1RE1=IE2RE2=IE3RE3 所以 IC1≈IE1=IREFRE/RE1 IC2≈IE2=IREFRE/RE2 IC3≈IE3=IREFRE/RE3

电子技术基础第五模拟部分课件康华光

模拟电路通常由电阻、电容、电感、二极管、三 极管等电子元件组成。
模拟电路通常用于放大、滤波、解调等信号处理 环节，以及控制和调节系统。
模拟电路的特点与分类
模拟电路具有连续性、线性、时变性等特点 ，可以实现对真实系统或自然现象的逼真模 拟。
模拟电路的分类方法有多种，如按频率分、 按放大倍数分、按功能分等。
04
高精度与低功耗
在追求高性能的同时，如何实 现更低的功耗和更高的精度是 模拟电路设计中的一大挑战。
06
模拟电路实验与案例分析
模拟电路实验的设计与实施
实验目的
掌握模拟电路的基本实验技能，培养分析和 解决实际问题的能力。
实验步骤
详细描述实验的操作流程，包括实验准备、 电路搭建、数据测量、结果分析等。
。
优化流程
03
先进行系统级仿真，再进行电路级仿真，最后进行版
图级仿真。
基于仿真的优化设计
电路仿真
通过电路仿真软件，如SPICE，对电路性能进行预测 和评估。
参数扫描
在电路仿真中，对关键参数进行扫描，找出最佳性能 参数值。
灵敏度分析
分析电路性能对各个参数的灵敏度，确定对电路性能 影响最大的参数。
基于遗传算法的优化设计
03
模拟电路还用于医疗设备的电 源管理，如为设备提供稳定的 供电和为电池充电。
04
模拟电路在医疗设备中的性能 直接关系到设备的准确性和安 全性。
04
模拟电路的优化设计
优化设计的基本原则和方法
优化设计目标
01
以电路性能指标为优化目标，如功耗、噪声、增益等
。
优化设计准则
02 根据特定应用需求，选择合适的优化算法和仿真工具
01

模电(第五版)康华光_第六章

零漂： 输 入 短 路 时 ， 输 出仍有缓慢变化 的电压产生。
主要原因： 温度变化引起，也称温漂。 温漂指标： 温度每升高1℃时，输出漂移电压按电压增益 折算到输入端的等效输入漂移电压值。
零点漂移是怎样形成的
运算放大器均是采用直接耦合方式，而直接耦
合方式放大电路的各级Q点是相互影响的，由于各级
的放大作用，第一级的微弱变化，会使输出级产生 很大的变化。当输入短路时（由于一些原因使输入
I B1 I B2
IC β
Vo = 0
动态 仅输入差模信号， vi1 和 vi2 大小相等，相位相反。 vc1 和 vc2 大小相等， 相位相反。 vo vc1 vc2 0 ，
信号被放大。
仅输入共模信号， vo
vc1 vc2 0
2.
抑制零点漂移原理 温度变化和电源电压波
按功能分为数字集成电路和模拟集成电路。
在模拟集成电路中集成运放是应用极为广泛的一种。
集成运放的基本单元电路：电流源和差分式放大电路。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源 2. 微电流源
*3. 高输出阻抗电流源
*4. 组合电流源
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源
1=2=
VBE1=VBE2= VBE rbe1= rbe2= rbe ICBO1=ICBO2= ICBO Rc1=Rc2= Rc
信号的输入方式：若信号同 时从两个输入端输入，称为 双端输入； 若信号仅从一 个输入端对地加入，称为单 端输入。
信号的输出方式：差分放大电路可以有两个输出端，一
个是集电极C1，另一个是集电极C2。从C1 和C2输出称为 双端输出，仅从集电极 C1或C2 对地输出称为单端输出。
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I REF I o VDD VSS VSG5 RREF VDD VSS VGS5 RREF
ro Avc1
抑制零漂能力增强
（3）共模抑制比
K CMR Avd Avc
K CMR Avd 20 lg Avc dB
双端输出，理想情况
单端输出
K CMR
Avd1 Avc1
K CMR

ro
rbe
K CMR 越大， 抑制零漂能力 越强
单端输出时的总输出电压 vo1 Avd1vid (1
4. 组合电流源
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
2. MOSFET多路电流源
3. JFET电流源
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源
T1、T2的参数全同 即β1＝β2，ICEO1＝ICEO2
VBE2 =VBE1 I C2 = I C1
I E2 = I E1
当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略
信号被放大。
2. 抑制零点漂移原理 温度变化和电源电压波
动，都将使集电极电流产
生变化。且变化趋势是相 同的， 其效果相当于在两个 输入端加入了共模信号。
2. 抑制零点漂移原理
这一过程类似于分压式射 极偏置电路的温度稳定过程。
所以，即使电路处于单端输出
方式时，仍有较强的抑制零漂 能力。
差分式放大电路对共模信号有很强抑制作用
用T3代替R，T1~T3特性相同，
且工作在放大区，当=0时，输出
电流为
I D2
2 (VGS2 VT2 ) 2 (W / L) 2 K n K n 2 (VGS2 VT2 ) 2
常用的镜像电流源
6.1.2 FET电流源
2. MOSFET多路电流源
I REF I D0 K n0 (VGS0 VT0 ) 2
（2）共模情况
<A> 双端输出
共模信号的输入使两管
集电极电压有相同的变化。 所以 voc voc1 voc2 0
voc 0 共模增益 Avc vic
3. 主要指标计算
（2）共模情况
<B> 单端输出
Avc1 voc1 voc2 vic vic
Rc Rc rbe (1 )2ro 2ro
1 1 vic (vi1 vi2 ) (5mV 0) 2.5mV 2 2
共模输入电压
vO vO2 Av 2 ( Avd2 vid Avc2 vic ) Av 2 [50 5 ( 0.3) 2.5] ( 3.9) 972mV
I D2 I D3 I D4
W2 / L2 I REF W1 / L1 W3 / L3 I REF W1 / L1 W4 / L4 I REF W1 / L1
6.1.2 FET电流源
3. JFET电流源
(a) 电路
(b) 输出特性
end
6.2 差分式放大电路
6.2.1 差分式放大电路的一般结构 6.2.2 射极耦合差分式放大电路 6.2.3 源极耦合差分式放大电路
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
I O I D2 I REF VDD VSS VGS R
当器件具有不同的宽长比时
W2 / L2 IO I REF （=0） W1 / L1
ro= rds2
MOSFET基本镜像电路流
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
VCE1 =VCE2
1 IC IO 2
VCC I C Rc2 VE VCC I C Rc2 ( 0.7V )
I B1 I B2
IC β
1. 电路组成及工作原理 动态
vO1 和
仅输入差模信号，vi1 和 vi2 大小相等，相位相反。 vO2 大小相等， 相位相反。 vo vO1 vO2 0 ，
不计共模输出电压时
vO 975mV
(4) RL 12k时
β3 ( Rc3 // RL ) Av 2 1.95 rbe (1 β3 ) Re3
Av Avd2 Av 2 97.5
4. 带有源负载的射极耦合差分式放大电路
静态 IE6 IREF
VCC VEE VBE6 R Re6
VBE1 VBE2 Re2
VBE Re2
由于 VBE 很小， 所以IC2也很小。 ro≈rce2（1＋
Re2
rbe2 Re2
）
（参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 Ro）
6.1.1 BJT电流源电路
3. 高输出阻抗电流源
VCC VBE 3 VBE2 VEE I REF R A3 I o I C2 I REF A1
(4)当输出接一个12k负载 时的差模电压增益. 0 ( 12V ) 解： (1)静态 I C3 1mA Rc3
VCE3 VC3 VE3 0 (12V I E3 Re3 ) 9V
I C2
I E3 Re3 VBE3 0.37mA Rc2
12 0.37 10 ( 0.7 ) V 9V
26mV 200 (1 3 ) 2.3k I E3 26mV 200 (1 2 ) 3.78k I E2
Ri2 rbe3 (1 3 ) Re3 245.3k
Avd2
β2 ( Rc2 // Ri2 ) 50 2( rbe Rb1 )
可得传输特性曲线
vO1，vO2＝f（vid）
vO1，vO2＝f（vid）的传输特性曲线
end
6.4 集成电路运算放大器
6.4.1 集成电路运算放大器CMOS MC14573
6.4.2 集成运算放大器741
6.4.1 CMOS MC14573 集成电路运算放大器
1. 电路结构和工作原理
2. 电路技术指标的分析计算 (1)直流分析
RE6 I E6 IO ＝ IE5 RE5
4. 带有源负载的射极耦合差分式放大电路
差模电压增益 （负载开路） 则
vo2 vo2 ic4 ic2 0 rce2 rce4
vid
2rbe
vo2 vo2 ( ) 0 2rbe rce2 rce4
vid
Avd2
vo2 ( rce2 // rce4 ) vid rbe
6.2.3 源极耦合差分式放大电路
1. CMOS差分式放大电路
双端输出差模电压增益
vo1 vo2 2vo1 Avd vi1 vi2 vid
而:
vo1 g m vi1 ( ro3 // ro1 ) vid gm ( ro3 // ro1 ) 2 所以： Avd g m ( ro3 // ro1 )
其中 v ——差模信号产生的输出 o
总输出电压 vo = v v o o
Avd vid Avcvic
Avd K CMR = 共模抑制比 Avc 反映抑制零漂能力的指标
v ——共模信号产生的输出 o
6.2.1 差分式放大电路的一般结构
2. 有关概念 根据 vid = vi1 vi2 1 vic = (vi1 vi2 ) 2 v 有 v = v id i1 ic 2 vid vi2 = vic 2
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应 用电路的影响
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源 3. 高输出阻抗电流源
2. 微电流源
6.2.1 差分式放大电路的一般结构
1. 用三端器件组成的差分式放大电路
6.2.1 差分式放大电路的一般结构
2. 有关概念
vid = vi1 vi2 差模信号
1 vic = (vi1 vi2 ) 共模信号 2 v Avd = o 差模电压增益 vid v Avc = o 共模电压增益 vic
g m ( rds3 // rds1 )
6.2.3 源极耦合差分式放大电路
1. CMOS差分式放大电路
单端输出差模电压增益
vo2＝(id4-id2)(ro2// ro4)
vid vid [ gm ( g m )](ro2// ro4) 2 2
＝gm vid（ro2 // ro4）
VCC VBE ( VEE ) VCC VEE Io＝IC2≈IREF＝ R R
代表符号
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源 动态电阻
i C 2 1 ro ( ) vCE 2
rce
IB 2
一般ro在几百千欧以上
6.1.1 BJT电流源电路
2. 微电流源
IO IC2 I E2
单端输出的电压增益接近于双端输出的电压增益
4. 带有源负载的射极耦合差分式放大电路
差模输入电阻 Rid＝2rbe 输出电阻
Ro rce2 // rce4
4. 带有源负载的射极耦合差分式放大电路
共模输入电阻 Ric＝rbe＋2(1＋β)ro5
6.2.3 源极耦合差分式放大电路
1. CMOS差分式放大电路
Av 2
β3 ( Rc3 // RL ) 3.9 rbe (1 3 ) Re3
Av Avd2 Av 2 195
(3) 差分电路的共模增益
Avc2 β2 ( Rc2 // Ri2 ) 0.3 rbe Rb1 (1 β2 )2( Re1 Re2 )