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《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错误）5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
（正确）8. 二极管具有单向导电性。
（正确）9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误）13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。
（正确）14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
（正确）23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。
晶体二极管和二极管整流电路1、纯净的半导体称为，它的导电能力很 。
在纯净的半导体中 掺入少量的价元素，可形成P 型半导体，又称型半导体，其中多数载流子 为，少数载流子为。
2、 在本征半导体中掺入 价元素，可形成N 型半导体，其中多数载流 子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体 3、 如图，这是 材料的二极管的 __ 曲线，在正向电压超过V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。
正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。
当反向电压增大到 V 时，即称为电压。
其中稳压管一般工作在区。
4、 二极管的伏安特性指 和矢系： .后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正小，错管约为V 。
5、 二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压， 二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。
6、 PN 结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。
7、 二极管的主要参数有 _______ 、 __________ 和，二极管 的主要特性是。
8、 用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻 值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管 内部。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。
9、 整流是指 ______________________________________ 整流电路分可为：和电路。
将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： —> __________ — ____________ 一 ___________10、 有一直流负载R L =9 厂蒂暫直流一盲NEH5V,现有2CP21(FlM=3000mA,VRM=100V)和 2CP33B (FlM=500mA, V RM =50V)两种型号的二极管，若采用桥式整流电路，应选用 型二极管只。
11、 稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻rz 越大，说明稳压性能越。
12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成l(mV(v) 当正向电压超过 硅管约为V,-5013、有一错二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极 管已有一硅二极管正反向电阻均接近于磁賜该二极管已 14、如图，Vi 、V2为理想二极管15、如图，V 为理想二极管。
《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟 总分： 分 班级： 班 命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。
（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（正确）3. N 型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（正确）4. P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈负电性。
（错误）5. PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错误）6. 晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的PN 结。
（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN 结而工作的。
（正确） 8. 二极管具有单向导电性。
（正确） 9. 二极管是线性器件。
（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。
（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。
（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
（错误） 13. 二极管的核心是一个PN 结，PN 结具有单向导电特性。
（正确）14. PN 结的单向导电性，就是PN 结正向偏置时截止，反向偏置时导通。
（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。
（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。
（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。
（错误）18. 点接触型二极管其PN 结的静电容量小，适用于高频电路。
（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但姓名： 考号： 班级：工作频率低。
（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。
（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。
用晶体二极管代换电子管整流妙法
旧式电子仪器和音频扩大机多用电子管整流取得高压直流（如图１），但电子管易老化，常用的整流管有５Ｚ３Ｐ、５Ｕ４、６Ｚ４等。
修理者常用１Ｎ５４０８等高反压二极管取代，但有两个问题要解决：
１．用晶体管整流输出直流高压会明显升高，会促使其余电子管老化。
２．晶体管整流一接通电源直流高压就会建立，而电路中其他电子管阴极还未充分加热，会影响使用寿命；第二条的影响大于第一条，因此必须改动线路，增加高压延时电路。
如图２所示：根据交流电源电压的高低将２～５只１Ｎ５４０８串接，先作全波整流，而原有的整流管（５Ｚ３Ｐ）就串接在后面，这样使用可以解决前述的两个问题；即或是电子管已有些老化，都很好用。
笔者在多台电子仪器和５０瓦电子管扩音机上使用都好用。
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2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考电子类技能考试样库第一章•晶体二极管及二极管整流电路第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数；A:判断题：1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（）2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX10K档位。
（）3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（）4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX0K档位（）。
5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（）6.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（）7 .二极管和三极管都是非线性器件。
（）8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（）9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（）B:选择题1.P型半导体的多数载流子是（）。
A.电子B.空穴C.电荷D.电流2.晶体硅或锗中，参与导电的是（）。
A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C3.下列说法正确的是（）。
A.N型半导体带负B.P型半导体带正C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生4.N型半导体的多数载流子是（）。
A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。
A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电6.稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的。
A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性7.锗二极管导通时，它两端电压约为（）。
A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。
A.自由电了是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体9.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高10.PN结呈现正向导通的条件是（）。
晶体二极管一、选择题（每题分，计分)1。
二极管正向导通时，呈现····················（ )A. 较小电阻B。
较大电阻C。
不稳定电阻 D. 无法确定2。
硅稳压管稳压电路适用于·····················( ) A。
输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C。
输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D。
输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是···················( )A。
普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B。
普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C。
硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ） VA。
0。
2 B. 0.3 C。
0.5 D. 0。
75。
通常要求二极管正反向电阻相差················· ( ）A. 越小越好B。
晶体二极管和二极管整流电路一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。
（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。
（）3、二极管两端加上正向电压就导通。
（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。
（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。
A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。
A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。
2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。
3、称为本征半导体。
4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。
6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。
7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。
8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。
二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。
（）2、N型半导体中导电的是自由电子。
（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。
（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（）6、半导体中导电的是多数载流子。
（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。
晶体二极管及整流电路第1课时课题：半导体的主要它特性【学习目标】：1、什么是半导体2、了解半导体的基本特性【重点难点】：1、半导体的基本特性及其分类2、本征半导体，P型半导体和N型半导体的区别【导学过程】：一、预习新知：学生在预习过程中带着以下问题进行学习和思考1.常用的半导体材料是哪些？2.哪些是半导体的特殊性能？3、何为载流子？4、N型半导体是在本征半导体中摻入形成的，多，少。
5、P型半导体是在本征半导体中摻入形成的，多，少。
（一）、知识链接（二）、自主学习学生在课堂学习过程中完成以下任务1、半导体的基本特性热敏性：半导体的导电能力随着温度的而光敏性：半导体的导电能力随的变化有显著改变杂敏性：半导体的导电能力因而发生很大的变化2、本征半导体（概念）3、杂质半导体（概念）4、根据摻杂性质的不同，可分为两种类型，半导体和半导体二、课堂导学（一）、引入自然界中有容易导电的物质，有能够可靠隔绝电流的物质。
同学们想一想有没有介于这两种物质之间的物质呢？（二）、自主学习汇报1、半导体的基本特性热敏性：半导体的导电能力随着温度的升高而导电能力增强光敏性：半导体的导电能力随光照的变化有显著改变杂敏性：半导体的导电能力因掺入杂质而发生很大的变化2、本征半导体（概念）3、杂质半导体（概念）4、根据摻杂性质的不同，可分为两种类型， P 半导体和 N 半导体（三）、教师点拨（重难点的讲解、举例说明等）1、N型半导体是在本征半导体中摻入五价元素（磷或砷）形成的，自由电子多，空穴数量少。
2、P型半导体是在本征半导体中摻入三价元素（硼）形成的，空穴数量多，自由电子少。
（四）、课堂练习1、半导体与金属相比有什么特点？2、半导体具有哪些主要特征？3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？（五）课堂小结（要点归纳等）1、半导体的基本特性及其分类2、本征半导体，P型半导体和N型半导体的区别【课后作业】：一、基础训练（一）、什么是P型半导体？什么是N型半导体？二、拓展训练或推荐作业N型半导体本身是带负电，还是电中性？【总结反思】：第2课时课题：晶体二极管【学习目标】：1、PN结的相关知识2、掌握二极管的外形及符号，单向导电性3、通过图片和实物展示，让大家对不同种类二极管的外型有所认识【重点难点】：1、什么是PN结，及PN结的特性2、二极管的外形及符号，单向导电性【导学过程】：一、预习新知：1、二极管的基本结构？2、二极管的电路图形符号?3、二极管的导电特点？（一）、知识链接1、什么是半导体？2、半导体的特性？3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？（二）、自主学习1、 PN结PN结是二极管的核心，具有2、二极管的外形和符号外形在一个密封的管体两端有二根电极引线，一个是（又称阳极），另一个是（又称阴极）。
晶体二极管和二极管整流电路习题一、填空1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。
在纯净的半导体中掺入少量的三价元素，可形成P 型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。
2、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线， 在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约为 V 。
当反向电压增大到 V 时，即称为 电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为 。
若反向电压继续增大， 容易发生 现象。
其中稳压管一般工作在 区。
3、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _____后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V 。
4、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。
5、PN 结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。
6、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。
8、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA,V RM =50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用 型二极管 只。
9、稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻r Z 越大，说明稳压性能越 。
10、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。
它一般分为 、 和 三类，其中 的滤波效果较好。
11、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。
电子线路第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、晶体二极管加一定的（正向）电压时导通，加（反向）电压时（截止）这一导电特性称为二极管的（单相导电）特性。
2、不加杂质的纯净半导体称为（本征半导体）。
3、P型半导体它又称为（空穴）型半导体，其内部（空穴）数量多于（自由电子）数量。
4、加在二极管两端的（电压）和流过二极管的（电流）间的关系称为二极管的（伏安特性）。
5、把（交流）电转换成（直流）电的过程称为整流。
6。
直流电的电路称为二极管单相整流电路，常用的有（单相半波整流）、（单相桥式整流）和（倍压整流）电路。
7。
三极管工作在放大区时，通常在它的发射结加（正向）电压，集电结加（反向）电压。
8。
三极管在电路中的三种基本连接方式是（共发射极接法）、（共基极接法）、（共集电极接法）。
9。
晶体二极管的主要参数有（最大整流电流IFm）、（最高反向工作电压VRm）、（反向漏电流IR）。
10。
导电能力介于（导体）和（绝缘体）之间物体称为半导体。
11、在半导体内部，只有（空穴）和（自由电子）两种载流子。
12、一般来说，硅晶体二极管的死区电压应（大于）锗晶体二极管的死区电压。
13、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（既有少数载流子，又有多数载流子）。
14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有+号插孔中的测试表笔（通常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的（负）极，另一电极是（正）极。
15、面接触性晶体二极管比较适用（大功率整流）16。
晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则晶体二极管处于（反偏）17。
用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（R1K档）18。
当硅晶体二极管加上0。
3V正向电压时，该晶体管相当于（阻值很大的电阻)19。
晶体二极管加（反向）电压过大而（击穿），并且出现（烧毁）的现象称为热击穿20。
晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流（极小）；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会急速（增大）21、二极管的正极又称（阳）极，负极又称（阴）极。
