当前位置：文档之家 › 晶体二极管和二极管整流电路12

晶体二极管和二极管整流电路12

  • 格式：ppt
  • 大小：4.45 MB
  • 文档页数：50

下载文档原格式

  / 50

合集下载

(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档

(完整版)2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案,推荐文档

《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟总分：分班级：班命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。

（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（正确）3. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（正确）4. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错误）5. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错误）6. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。

（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

（正确）8. 二极管具有单向导电性。

（正确）9. 二极管是线性器件。

（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。

（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。

（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。

（错误）13. 二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。

（正确）14. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。

（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。

（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。

（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。

（错误）18. 点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。

（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。

（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。

（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。

（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。

（正确）23. 半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。

二极管试题

二极管试题

晶体二极管和二极管整流电路1、纯净的半导体称为，它的导电能力很 。

在纯净的半导体中 掺入少量的价元素，可形成P 型半导体，又称型半导体，其中多数载流子 为，少数载流子为。

2、 在本征半导体中掺入 价元素，可形成N 型半导体，其中多数载流 子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体 3、 如图，这是 材料的二极管的 __ 曲线，在正向电压超过V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。

正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。

当反向电压增大到 V 时，即称为电压。

其中稳压管一般工作在区。

4、 二极管的伏安特性指 和矢系： .后，二极管导通。

正常导通后，二极管的正小，错管约为V 。

5、 二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压， 二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。

6、 PN 结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

7、 二极管的主要参数有 _______ 、 __________ 和，二极管 的主要特性是。

8、 用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻 值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管 内部。

两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。

9、 整流是指 ______________________________________ 整流电路分可为：和电路。

将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： —> __________ — ____________ 一 ___________10、 有一直流负载R L =9 厂蒂暫直流一盲NEH5V,现有2CP21(FlM=3000mA,VRM=100V)和 2CP33B (FlM=500mA, V RM =50V)两种型号的二极管，若采用桥式整流电路，应选用 型二极管只。

11、 稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻rz 越大，说明稳压性能越。

12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成l(mV(v) 当正向电压超过 硅管约为V,-5013、有一错二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极 管已有一硅二极管正反向电阻均接近于磁賜该二极管已 14、如图，Vi 、V2为理想二极管15、如图，V 为理想二极管。

最新 年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案

最新 年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案

《晶体二极管及二极管整流电路》试题时间：60分钟 总分： 分 班级： 班 命题人：一、判断题1. 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。

（错误）2. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（正确）3. N 型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（正确）4. P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈负电性。

（错误）5. PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错误）6. 晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的PN 结。

（正确）7. 半导体二极管主要是依靠PN 结而工作的。

（正确） 8. 二极管具有单向导电性。

（正确） 9. 二极管是线性器件。

（错误）10. 二极管和三极管都是非线性器件。

（正确）11. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。

（错误）12. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。

（错误） 13. 二极管的核心是一个PN 结，PN 结具有单向导电特性。

（正确）14. PN 结的单向导电性，就是PN 结正向偏置时截止，反向偏置时导通。

（错误）15. 二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。

（正确）16. 二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。

（正确）17. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。

（错误）18. 点接触型二极管其PN 结的静电容量小，适用于高频电路。

（正确）19. 整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。

（正确）20. 整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但姓名： 考号： 班级：工作频率低。

（错误）21. 点接触型二极管只能使用于大电流和整流。

（错误）22. 制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。

用晶体二极管代换电子管整流妙法

用晶体二极管代换电子管整流妙法

用晶体二极管代换电子管整流妙法
旧式电子仪器和音频扩大机多用电子管整流取得高压直流（如图１），但电子管易老化，常用的整流管有５Ｚ３Ｐ、５Ｕ４、６Ｚ４等。

修理者常用１Ｎ５４０８等高反压二极管取代，但有两个问题要解决：
１．用晶体管整流输出直流高压会明显升高，会促使其余电子管老化。

２．晶体管整流一接通电源直流高压就会建立，而电路中其他电子管阴极还未充分加热，会影响使用寿命；第二条的影响大于第一条，因此必须改动线路，增加高压延时电路。

如图２所示：根据交流电源电压的高低将２～５只１Ｎ５４０８串接，先作全波整流，而原有的整流管（５Ｚ３Ｐ）就串接在后面，这样使用可以解决前述的两个问题；即或是电子管已有些老化，都很好用。

笔者在多台电子仪器和５０瓦电子管扩音机上使用都好用。

本文由中国标识网收集整理,更多信息请访问标识商学院。

2015年电子招收中职毕业生题库二

2015年电子招收中职毕业生题库二

2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考电子类技能考试样库第一章•晶体二极管及二极管整流电路第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数；A:判断题：1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。

（）2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX10K档位。

（）3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。

（）4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX0K档位（）。

5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（）6.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（）7 .二极管和三极管都是非线性器件。

（）8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（）9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（）B:选择题1.P型半导体的多数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.电荷D.电流2.晶体硅或锗中，参与导电的是（）。

A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C3.下列说法正确的是（）。

A.N型半导体带负B.P型半导体带正C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生4.N型半导体的多数载流子是（）。

A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。

A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电6.稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的。

A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性7.锗二极管导通时，它两端电压约为（）。

A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。

A.自由电了是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体9.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高10.PN结呈现正向导通的条件是（）。

半导体二极管及其基本应用电路(12)

半导体二极管及其基本应用电路(12)

2021/3/6
3
1.1 半导体二极管
1）本征半导体中的两种载流子——电子和空穴
在室温下，本征半导体中少数价电子因受热而获得能量 ，摆脱原子核的束缚，从共价键中挣脱出来，成为自由电 子。与此同时，失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留 下了一个空位，这个空位称为空穴。由于本征硅或锗每产 生一个自由电子必然会有一个空穴出现，即电子与空穴成 对出现，称为电子空穴对。
• 1.4.5 激光二极管
• 激光是英文Laser的意译，音译为“镭射”。激光是 由激光器产生的。激光器有固体激光器、气体激光 器、半导体激光器等。半导体激光器是所有激光器 中效率最高、体积最小的一种，而比较成熟且实用 的半导体激光器是砷化镓激光器，即激光二极管。
2021/3/6
27
• 图1-3-10为倍压整流电路，该电路是用n个整流二极管和n 个电容组成n倍压整流电路。从图1-3-10中a、c两端取出电 压为nU2 ，其中n为偶数；而从b、d两端取出电压为nU2 ， 其中n为奇数。可以根据需要选择输出电压。在电路中，除 了电容C1承受电压为U2外，其他电容上承受的电压均为 2U2，每个整流管的反向电压为2U2。该电路虽可得到较高 的直流输出电压，但它的输出特性很差，所以只适用于负 载电流很小，且负载基本上不变的场合。
• 二极管的主要特性是单向导电。二极管的特性可用伏安特性曲线来描 述。
• 1．二极管的伏安特性曲线 • 二极管的种类虽然很多，但它们都具有相似的伏安特性。所谓二极管
伏安特性曲线就是流过二极管的电流Ｉ与加在二极管两端电压U之间的
关系曲线。图1-1-13 所示为硅和锗二极管伏安特性曲线，
2021/3/6
第 1章
半导体二极管及其基本应用电路

(完整word版)晶体二极管和二极管整流电路试题

晶体二极管一、选择题（每题分，计分)1。

二极管正向导通时，呈现····················（ )A. 较小电阻B。

较大电阻C。

不稳定电阻 D. 无法确定2。

硅稳压管稳压电路适用于·····················( ) A。

输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合B. 输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合C。

输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合D。

输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合3.关于晶体二极管的正确叙述是···················( )A。

普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏B。

普通二极管发生热击穿,不发生电击穿C。

硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压D. 以上说法都不对4.硅材料二极管的正向压降一般为( ） VA。

0。

2 B. 0.3 C。

0.5 D. 0。

75。

通常要求二极管正反向电阻相差················· ( ）A. 越小越好B。

2.5-二极管整流电路-模拟电子线路(第2版)-杨凌-清华大学出版社

Lanzhou University Ling Yang
单相半波整流电路
～ 220V 50Hz
D Tr
+
v2
R vO
－
v2/V Vm
0
vO/V
0
v2＞0， D√， vO= v2 ； v2＜0， D×， vO= 0。
ωt
VO
ωt
1 π
VO 2π 0
2V2 sin t d(t)
2V2
π
0.45V2
单相半波整流电路仅适用于输出电流较小，对脉动要求不高的场合。
整流桥堆
二极管倍压整流电路请同学们通过习题【2-12】自学。
Lanzhou University Ling Yang
结语
利用二极管的单向导电性可将将正、负交替变化的交流电变换成单 向脉动的直流电。本节主要介绍了单相半波、全波及桥式整流电路。
思考：对于mV甚至μV的交流信号，应用本节所介绍的电路能否 实现整流呢？
VO
1 π
π 0
2
2V2 sin t d(t)
2V2 π
0.9V2
单相全波整流电路需要一个中心抽头变压器。
Lanzhou University Ling Yang
单相桥式整流电路
D1
～
v2
D4
D3
+ D2 R vO
－
v2/V
Vm
0
ωt
vO/V
ωt 0 D1√ D2√ D1√ D2√ D1√ D2√ D3√ D4√ D3√ D4√ D3√ D4√
第2章 晶体二极管及其基本应用电路
§2.5 二极管整流电路
Lanzhou University Ling Yang

晶体二极管和二极管整流电路

(估算值)
二极管的电压与电流
最大反 向电压
通过的 电流
半波整流
电路
V2
2V2
V2
2 2V2
IL
桥式整流
电路
V2
2V2
1.2V2
2V2
½ IL
2. 滤波电容的选择 电容的选择从电容耐压和容量两个方面考虑：
(3)二极管的平均电流
IV IV
1 2
IL
(4)二极管承受反向峰值电压 VRM
VRM 2V2
(1.2.9) (1.2.10) (1.2.11) (1.2.12)
优点：输出电压高，纹波小，VRM 较低，应用广泛。
4．桥式稳流电路的简化画法
[例1.2.1] 有一直流负载，需要直流电压 VL= 60 V ，直流 电流 IL= 4 A。若采用桥式整流电路，求电源变压器二次电压 V2 选择整流二极管。
性，其原因是内部具有一个PN 结。其 正、负极对应于 PN 结的 P 型和 N 型 半导体。
PN 结 动画 PN 结的形成
1.1.3 二极管的伏安特性
1．定义：二极管两端的 电压和流过的电流之间的关 系曲线叫作二极管的伏安特 性。
2．测试电路：如图所示。
测试二极管伏安特性电路
3．伏安特性曲线：如图所示。
用万用表检测二极管如图所示。 1．判别正负极性 万用表测试条件：R ×100 或 R×1 k 挡； 将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表 笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。
万用表检测二极管
2．判别好坏 万用表测试条件：R 1k。 (1)若正反向电阻均为零，二极管短路； (2)若正反向电阻非常大，二极管开路。 (3)若正向电阻约几千欧，反向电阻非常大，二极管正常。

二极管和二极和二极整流电路练习题

晶体二极管和二极管整流电路一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。

二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。

（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。

（）3、二极管两端加上正向电压就导通。

（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。

（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。

A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。

A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。

2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。

3、称为本征半导体。

4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。

7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。

在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。

8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。

二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。

（）2、N型半导体中导电的是自由电子。

（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。

（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。

（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

（）6、半导体中导电的是多数载流子。

（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。

VRM 2V2 1.41 66.7 94 V
查晶体管手册，可选用整流电流为 3 安培，额定反向工作 电压为 100 V 的整流二极管 2CZ12A(3 A/100 V)4 只。
整流元件组合件称为整流堆，常见的有： (1)半桥：2CQ 型，如图(a)所示； (2)全桥：QL 型，如图(b)所示。
1.1.4 二极管的简单测试
用万用表检测二极管如图所示。 1．判别正负极性 万用表测试条件：R ×100 或 R×1 k 挡； 将红、黑表笔分别接二极管两端。所测电阻小时，黑表 笔接触处为正极，红表笔接触处为负极。
万用表检测二极管
2．判别好坏 万用表测试条件：R 1k。 (1)若正反向电阻均为零，二极管短路； (2)若正反向电阻非常大，二极管开路。 (3)若正向电阻约几千欧，反向电阻非常大，二极管正常。
1.2 晶体二极管整流电路
1.2.1 单相半波整流电路 1.2.2 单相桥式整流电路
1.2 晶体二极管整流电路
整流：把交流电变成直流电的过程。 二极管单相整流电路：把单相交流电变成直流电的电路。 整流原理：二极管的单向导电特性 半波整流 单相整流电路种类 桥式整流 倍压整流
1.2.1 单相半波整流电路
(1.2.3)
(1.2.4)
选管条件 (1)二极管允许的最大反向电压应大于承受的反向峰值电 压； (2)二极管允许的最大整流电流应大于流过二极管的实际 工作电流。
电路缺点：电源利用率低，纹波成分大。
解决办法：全波整流。
1.2.2 单相桥式整流电路
1．电路如图
V1 ~ V4 为整流二极管， 电路为桥式结构
万用表检测二极管
1.1.5 二极管的分类、型号和参数
1．分类 (1)按材料分：硅管、锗 管 (2)按 PN 结面积：点接触 型(电流小，高频应用)、面接 触型(电流大，用于整流) (3)按用途：如图所示。
二极管图形符号
① 整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电的二 极管。 ② 稳压二极管：利用反向击穿特性进行稳压的二极管。 ③ 发光二极管：利用磷化镓把电能转变成光能的二极管。 ④ 光电二极管：将光信号转变为电信号的二极管。 ⑤ 变容二极管：利用反向偏压改变 PN 结电容量的二极管 2．型号举例如下： 整流二极管——2CZ82B 稳压二极管——2CW50 变容二极管——2AC1 等等。
(3)二极管的平均电流 IV
(1.2.9)
(1.2.10)
1 IV IL 2 (4)二极管承受反向峰值电压 VRM
(1.2.11)
VRM 2V2
(1.2.12)
优点：输出电压高，纹波小，VRM 较低，应用广泛。
4．桥式稳流电路的简化画法源自[例1.2.1] 有一直流负载，需要直流电压 VL= 60 V ，直流 电流 IL= 4 A。若采用桥式整流电路，求电源变压器二次电压 V2 选择整流二极管。 V 60 V 解 因为 VL = 0.9V2 V2 L 66.7 V 所以 0 .9 0 .9 流过二极管的平均电流 1 1 IV IL 4 A 2 A 2 2 二极管承受的反向峰值电压
均可运载电荷——载流子
载流子：在电场的作用下定向移动的自由电子和空穴， 统称载流子，如图 所示。
半导体的两种载流子 动画 两种载流子
2．本征半导体：不加杂质的纯净半导体晶体。如本征硅或 本征锗。 本征半导体电导率低，为提高导电性能，需掺杂，形成杂 质半导体。 3．杂质半导体：为了提高半导体的导电性能，在本征半导 体(4 价)中掺入硼或磷等杂质所形成的半导体。 根据掺杂的物质不同，可分两种： (1)P 型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素(3 价)所 形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电 子。 (2)N 型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素(5 价) 所形成的半导体，如 N 型硅。其中，多数载流子为电子，少数 载流子为空穴。
3．负载和整流二极管上的电压和电流 (1)负载电压 VL VL = 0.45 V2 (2)负载电流 IL (1.2.1)
VL 0.45V2 IL RL RL
(1.2.2)
(3)二极管正向电流 IV 和负载电流 IZ
0.45V2 IV IL RL (4)二极管反向峰值电压 VRM
VRM 2V2 1.41V2
0.5 V (Si ) VT 0.2 V (Ge)
② VF＞VT 时，V 导通，IF 急剧增大。 导通后 V 两端电压基本恒定：
0.7 V (Si ) 导通电压 V on 0.3 V (Ge)
结论：正偏时电阻小，具有非线性。
(2)反向特性 反向电压 VR ＜ VRM(反向击穿电压)时，反向电流 IR 很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 VR ＞ VRM 时，IR 剧增，此现象称为反向电击穿。对应 的电压 VRM 称为反向击穿电压。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。
优点：电路组成简单、可靠。
半桥和全桥整流堆
1.3 滤波器和稳压器
1.3.1 滤波器 1.3.2 硅稳压二极管稳压电路
1.3.1 滤波器
作用：滤除脉动直流电中 脉动成分。 种类：电容滤波器、电感 滤波器、复式滤波器
一、电容滤波器
1．电路
特点：电容器与负载并联。
2．工作原理： 利用电容器两端电压不能突 变原理平滑输出电压。 在 0 ~ t1 期间，因 v2 的作用， V 正偏导通，电容 C 充电，波形 如图(b)中 OA 所示； 在 t1 ~ t2 期间，因 v2< vC，V 反偏截止，电容 C 通过负载放电， 波形如图(b)中 AB 所示； 在 t2 ~ t3 期间，因 vC > v2，V 正偏导通，电容再次充电，波形 如图(b)中 BC。
第1章
晶体二极管和二极管整流电路
郁南县职业技术学校:陈树才
本章学习目标 1.1 晶体二极管 1.2 晶体二极管整流电路
1.3 滤波器和硅稳压管稳压电路
本章小结
本章重点
1. 了解半导体的基本知识:本征半导体、掺杂半导体；掌 握 PN 结的基本特性。 2. 理解半导体二极管的伏安特性和主要参数。 3. 了解几种常用的二极管：硅稳压二极管、变容二极管、 发光二极管、光电二极管等。 4. 掌握单相半波、桥式全波整流电路的电路组成、工作 原理与性能特点；了解电容滤波电路的工作原理。 5. 了解硅稳压管的稳压特性及稳压电路的稳压原理。
工程应用
1.1.1 晶体二极管的单向导电特性
元 件 ： 电 阻 （ ） 、 电 容 （ ） 、 电 感 （ ） 、 变 压 器 （ ） 等 R C L T 电子元器件 体 器 件 ： 晶 体 二 极 管 、 晶 三 极 管 等
1．晶体二极管 (1)外形：由密封的管体 和两条正、负电极引线所组 成。管体外壳的标记通常表 示正极。如图所示；
1.1.3 二极管的伏安特性
1．定义：二极管两端的 电压和流过的电流之间的关 系曲线叫作二极管的伏安特 性。 2．测试电路：如图所示。
测试二极管伏安特性电路
3．伏安特性曲线：如图所示。
4．特点： (1)正向特性 ① 正向电压 VF 小于门坎电压 VT 时，二极管 V 截 止，正向电流 IF = 0； 其中，门坎电压
5. 理解滤波的概念，能清楚整流滤波器件和常用的滤波 方式，掌握滤波的电路形式，理解电容滤波及电感滤 波的工作原理，了解选择滤波电容的选择要求。
6. 熟悉稳压二极管的工作特性和参数，理解硅稳压二极 管稳压电路的工作原理。
1.1 晶体二极管
1.1.1 晶体二极管的单向导电特性
1.1.2 PN 结 1.1.3 二极管的伏安特性 1.1.4 二极管的简单测试 1.1.5 二极管的分类、型号和参数
解 由电路图可知，开关 S 闭合后，只有二极管 V1正极 电位高于负极电位，即处于正向导通状态，所以 H1 指示灯发 光。
1.1.2 PN 结
二极管由半导体材料制成。
PN 结的形成
1．半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。 如硅(Si)或锗(Ge)半导体。
半导体中，能够运载电荷的的粒子有两种： 自由电子：带负电 空穴：带与自由电子等量的正电
本章难点
1．PN 结的单向导电特性。
2．整流电路和滤波电路的工作原理。
3．硅稳压管稳压电路的稳压过程。
本章学习目标
1. 理解半导体的基本常识，掌握 PN 结的单向导电性。
2. 熟悉晶体二极管的外形、图形符号、文字符号。 3. 掌握晶体二极管的伏安特性和参数，会用万用表检 测二极管。
4. 理解整流的含义，清楚典型的整流电路类型，能分析其 工作原理，能进行相应的计算。
具有电容滤波器的 半波整流电路
1．电路 如图(a)所示 V：整流二极管，把交流电变 成脉动直流电； T：电源变压器，把 v1 变成整 流电路所需的电压值 v2。
2. 工作原理 设 v2 为正弦波，波形如前页图 (b) 所示。 (1)v2 正半周时，A 点电位高于 B 点电位，二极管 V 正偏 导通，则 vL v2； (2)v2 负半周时，A 点电位低于 B 点电位，二极管 V 反偏 截止，则 vL 0。 由波形可见，v2 一周期内，负载只用单方向的半个波形， 这种大小波动、方向不变的电压或电流称为脉动直流电。 上述过程说明，利用二极管单向导电性可把交流电 v2 变 成脉动直流电 vL。由于电路仅利用 v2 的半个波形，故称为半 波整流电路。
由波形图可见，v2 一 周期内，两组整流二极管
轮流导通产生的单方向电
流 i1 和 i2 叠加形成了 iL。 于是负载得到全波脉动直
流电压 vL。
桥式整流电路工作波形图
3．负载和整流二极管上的电压和电流 (1)负载电压 VL VL 0.9V2 (2)负载电流 IL VL 0.9V2 IL RL RL
工程应用
发光二极管和光电二极管的检测