2013-半导体物理期中考试试卷-电子科技大学-朱俊

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电子科大微固2010半导体物理期末试卷(含答案)

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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
生显著陷阱效应的杂质和缺陷称为陷阱中心。(4 分) 等电子复合中心：在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。(4 分)
V
V
（2 分）
（2 分）
2. 在一维情况下，描写非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续方程为：
E p p 2 p p Dp 2 p E p p g p ，请说明上述等式两边各个单项所代表的物理意 t x x x p
义。（10 分）
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(15 分) ① 求耗尽层内电势的分布 V(x)；(7 分) ② 当 Vs=0.4V 时的耗尽层宽度 Xd 和最大耗尽宽度 Xdm 的表达式；(8 分) 解：（ 1 ）根据耗尽层近似，空间电荷区的电荷密度为 ρ (x)=qND, 故泊松方程可写为 : (1) 因半导体内电场强度为零，并假设体内电势为零，则右边界条件 ε (x)∣x-xd = V∣X=Xd = 0 则由式（1）与（2）、(3)得 = (xd-x) ∣x = xd = 0 (2) (3)
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D. 丙甲乙
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10．以下 4 种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs

电子科技大学半导体物理期末考试试卷b试题答案汇编

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试课程考试题B卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2011年月日课程成绩构成：平时15 分，期中 5 分，实验10 分，期末70 分可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10-19C，真空介电常数ε0=8.854×10-12F/m，室温（300K）的，SiO2相对介电常数=3.9，N C=2.8×1019cm-3，300K时，n i(GaAs)=1.1×107cm-3.一、多选题:在括号中填入正确答案（共30分，共19题，每空1分）1-14题，罗小蓉15-19题1.受主是能增加（B）浓度的杂质原子，施主是能增加（A）浓度的杂质原子，A、电子B、空穴2.如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用，则这种杂质称为（ B ）。

A、受主B、两性杂质C、施主3.对于掺杂浓度为N D的非简并半导体，0 K下，其电子浓度=（ D ）；在低温下，其电子浓度=（ B ）；在高温本征温度下，其电子浓度=（ C ）；A、N DB、n D+C、n iD、04.对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更（A ）的能量，本征温度区的起始温度更（ A ）。

A、高 B. 低5.在一定温度下，非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积（C）本征载流子浓度的平方。

该关系（ D ）于本征半导体，（ D ）于非本征半导体。

A、大于B、小于C、等于D、适用E、不适用6.电子是（A），其有效质量为（D）；空穴是（B），其有效质量为（C）。

A、粒子B、准粒子C、负D、正E、07. p型半导体中的非平衡载流子特指（C ），其空穴的准费米能级（I ）电子的准费米能级。

A、n0B、p0C、ΔnD、ΔpE、nF、pG、高于H、等于I、小于8. 在室温下，低掺杂Si的载流子散射机制主要是（ B D ）。

A、压电散射B、电离杂质散射 C. 载流子-载流子散射D.晶格振动散射9. 适用于（ B ）半导体。

第一章半导体中的电子状态-朱俊-2013

本章重点：本章重点：
Ge、 Ge、Si和 Si和GaAs的晶体结构 GaAs的晶体结构能带的概念及Ge 能带的概念及Ge、 Ge、Si和 Si和GaAs的能带结构 GaAs的能带结构有效质量、有效质量、本征半导体及其导电机构、本征半导体及其导电机构、空穴
§1·1 半导体的晶体结构和结合性质
1、晶体中的电子波函数是调幅的平面波；晶体中的电子波函数是调幅的平面波；
ψ k ( x ) = e uk ( x )
ik x
一个自由电子波函数 ei k x 与一个具有晶体结构周期性的函数 uk (x) 的乘积。的乘积。
u k ( x ) 以a为周期的周期函数
uk ( x) = uk ( x + na )
对于Ⅱ 对于Ⅱ－Ⅵ族，双原子层形成电偶极从Ⅱ 子层形成电偶极从Ⅱ 族原子到相邻的Ⅵ 族原子到相邻的Ⅵ族原子的方向定为【001】方向。方向。对于Ⅲ 对于Ⅲ－Ⅴ族，Ⅲ族原子层为（原子层为（001）面另外的Ⅲ 另外的Ⅲ族原子层为（00－1）面，两个面的化学、面的化学、物理性质完全不同。完全不同。
分布几率是晶格的周期函数，但对每个原胞的但对每个原胞的
相应位置，相应位置，电子的分布几率一样的。电子的分布几率一样的。波矢k 波矢k描述晶体中电子的共有化运动状态的量子数。描述晶体中电子的共有化运动状态的量子数。
♦ 它是按照晶格的周期 a 调幅的行波。调幅的行波。 ♦ 这在物理上反映了晶体中的电子既有共有化的倾向，倾向，又有受到周期地排列的离子的束缚的特点。又有受到周期地排列的离子的束缚的特点。 ♦ 只有在 uk ( x) 等于常数时，等于常数时，在周期场中运动的电子的波函数才完全变为自由电子的波函数。电子的波函数才完全变为自由电子的波函数。 ♦ 因此因此，，布洛赫函数是比自由电子波函数更接近实际情况的波函数。更接近实际情况的波函数。

半导体物理期中考试试卷四

《半导体物理》期中考试试卷四一、选择题（课程目标一。

每小题1分，共15分）1. 用E c´和E c分别表示导带顶和导带底，E v和E v´分别表示价带顶和价带底。

则导带宽度为（）。

A.E c´−E cB. E c´−E vC. E c−E vD. E v´−E v2. 用E c´和E c分别表示导带顶和导带底，E v和E v´分别表示价带顶和价带底。

则禁带宽度为（）。

A. E c´−E cB. E c´−E vC. E c−E vD. E v´−E v3. 导带底电子有效质量m n∗（）。

A. 大于零B. 小于零C. 等于零D. 不确定4. 价带顶电子有效质量m n∗（）。

A. 大于零B. 小于零C. 等于零D. 不确定5. 宽带电子有效质量为m1，窄带电子有效质量为m2，则（）。

A. m1>m2B. m1<m2C. m1=m2D. 不确定6. 本征半导体中的空穴一般位于（）。

A. 价带顶B. 价带底C. 价带中间D. 禁带中间7. 回旋共振测量半导体中电子有效质量时，要求（）。

A. 样品纯度高，测量温度低B. 样品纯度低，测量温度低C. 样品纯度低，测量温度高D. 样品纯度高，测量温度高8. 回旋共振测量n型硅中电子有效质量时，若磁场沿着[100]方向施加，则能观测到（）共振吸收峰。

A. 一个B. 两个C. 三个D. 四个9. 在掺杂少量施主杂质磷(浓度为N D)的n型硅中，再掺杂受主杂质硼(浓度为N A)，当N A>> N D 时，室温下非简并硅将主要依靠（）导电。

A. 电子B. 空穴C. 磷D. 硼10. 非简并GaAs中掺入Si，一定温度下，随着Si的浓度增加，载流子浓度乘积n0p0（）。

A. 增加B. 减小C. 恒定D. 不确定11. 非简并GaAs 中掺入Si ，由于Si 的双性行为，随着Si 浓度增加，电子浓度将先增加后饱和，那么空穴浓度将（）。

2013-半导体物理期中考试试卷-朱俊

2013-半导体物理期中考试试卷-朱俊………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零壹三至二零壹四学年第一学期期中考试半导体物理课程考试题卷（100分钟）考试形式：闭卷考试日期2013年10 月29日一、选择填空（含多选题）（19×2分）1、重空穴是指（ C ）A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴2、硅的晶体结构和能带结构分别是（ C ）A. 金刚石型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. 金刚石型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型3、电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（ C ）。

A、各处出现的几率相同B、各处的相位相同C、各元胞对应点出现的几率相同D、各元胞对应点的相位相同4、本征半导体是指（ A ）的半导体。

A、不含杂质与缺陷；B、电子密度与空穴密度相等；C、电阻率最高；C、电子密度与本征载流子密度相等。

5、简并半导体是指（ A ）的半导体A、(E C-E F)或(E F-E V)≤0………密………封………线………以………内………答………题………无………效……B 、(EC -E F )或(E F -E V )≥0C 、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D 、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子6、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm -3, 磷为1015 cm -3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。

A. 本征，B. n 型，C. p 型，D. 1.1×1015cm -3,E. 9×1014cm -3 7、3个硅样品的掺杂情况如下：甲．含镓1×1017cm -3；乙.含硼和磷各1×1017cm -3；丙.含铝1×1015cm -3 这三种样品在室温下的费米能级由低到高（以E V 为基准）的顺序是( B ) A.甲乙丙； B.甲丙乙； C.乙丙甲； D.丙甲乙8、以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn 与温度的（ B ）。

半导体物理期中考试试题

半导体物理期中考试试题说明：学号后两位能被3整除的做A类题、余数为1的做B类题、余数为2的做C类题。

一、选择填空（含多项选择）A1.热平衡时，非简并半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（C D）有关，而与（A B）无关。

A. 杂质浓度B. 杂质类型C. 禁带宽度D. 温度B1.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致E F靠近（D）。

A. E cB. E vC. E gD. E iC1.对于处于饱和区的半导体材料，温度升高将导致禁带宽度（C），多子浓度（B），少子浓度（A）。

A. 变大B. 不变C.变小A2.当施主能级E D与费米能级E F相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（C）倍。

A. 1B. 1/2C. 1/3D. 1/4B2.费米分布函数曲线如图，则温度关系为（B）A. T1>T2>T3B.T3>T2>T1 C.无法判定C2.磷掺入硅中起（A），硼掺入硅中起（B），位错缺陷起（AB）作用，当磷和硼杂质同时掺入硅中时，半导体的导电类型为（E）。

A.施主作用B.受主作用C.n型D.p型E.无法判定A3 B3 C3.室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（B），空穴浓度为（D），费米能级（G）；将该半导体升温至800K，则多子浓度约为（F），少子浓度为（F），费米能级（I）。

（已知：室温下，n i≈1.5×1010cm-3，800K 时，n i≈2×1017cm-3）A. 1014cm-3B. 1015cm-3C. 1.1×1015cm-3D. 2.25×105cm-3E.1.2×1015cm-3 F. 2×1017cm-3G. 高于Ei H. 低于Ei I. 等于Ei二、分析题A1.分析Ge、Si、砷化镓的能带宽度规律特点，禁带宽度随温度的变化趋势。

电子科技大学2009半导体物理期末考试试卷B试题答案

电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题B 卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2010年元月18日12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面反型13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势二、选择题（共15分，每题1分）D 。

A. 禁带变宽B. 少子迁移率增大C. 多子浓度减小D. 简并化2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-⨯=cm n i 。

处于稳态的某掺杂Si 半导体中电子浓度315105.1-⨯=cm n ，空穴浓度为312105.1-⨯=cm p ，则该半导体A 。

A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 A 。

A. 本征半导体 B. 杂质半导体 C. 金属导体A. 上升B. 下降C. 不变D.经过一极值后趋近E i9. GaAs 具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，A 。

A. 载流子发生能谷间散射B. 载流子迁移率增大C. 载流子寿命变大a) 掺入浓度1014 cm -3的P 原子； b) 掺入浓度1015 cm -3的P 原子；c) 掺入浓度2×1014 cm -3的P 原子，浓度为1014 cm -3的B 原子； d) 掺入浓度3×1015 cm -3的P 原子，浓度为2×1015 cm -3的B 原子。

11.12. （子浓度=n i 13. A.01n r d B.1p r d C. pr d ∆1 D.其它A. 半导体表面势B. 平带电压C. 平带电容D. 器件的稳定性15. 不考虑表面态的影响，如需在n 型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是A 。

A. In(W m =3.8eV)B. Cr(W m =4.6eV)C. Au(W m =4.8eV)D.Al(W m =4.2eV)三、问答题（共31分，共四题，6分＋10分＋10分＋5分）（6分）V 曲线为一条直线，结构，测试高频由C -V 曲线的最大值求出氧化层厚度d 0，再结合最小值可以求出掺杂浓度；（4分）方法⑵：霍耳效应。

2007-半导体物理期末考试试卷-朱俊

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 6年1 月13日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分10分，实验成绩满分10分；期中考试成绩10分。

2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。

课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分一、多选题：（18分）1.对于一定的p型非简并半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（），本征流子浓度（）；A、增加，B、不变，C、减少。

2. 对于一定的n型非简并半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei；A、Ec ， B、Ev， C、Eg， D、EF3. 热平衡时，半导体中的电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（）有关，而与（）无关；A、杂质浓度B、杂质类型C、禁带宽度，D、温度4. 当施主能级ED 与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍；A、1，B、1/2，C、1/3，D、1/4。

5. 对于非简并Si单晶样品，温度降低使得其禁带宽度（），其本征载流子浓度（）。

A、增加B、不变C、减小6. 影响非简并掺杂半导体器件性能的两种主要载流子的散射机制是（）：A、位错散射B、晶格振动散射C、中性杂质散射D、电离杂质7. n型和p型两片GaAs晶片是均匀掺杂的，即N D（n型）=N A（p型）》n i。

那么n型晶片的多子浓度（）p型晶片的多子浓度。

n型晶片的电阻率（）p型晶片。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……A、等于B、大于C、小于8. 300K下，轻掺杂p型Si变为重掺杂p型Si后其电子迁移率将（），空穴迁移率将（）。

A、增加B、不变C、减小9. 描述载流子输运的重要特性时，载流子的迁移率是与（）相关的参数，扩散系数是与（）相关的参数。

A、扩散运动B、漂移运动C、热运动10. “表面电场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。

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ni
p0 ，可忽略 p0,
所以 n0 N D N A 1014 cm3 导带电子浓度为： n0 NC exp(
EC EF ) k0T
所以， EF EC k0T ln
NC 2.9 1019 EC (0.026eV ) ln EC 0.327eV n0 1014
五、证明题：（8 分）
设一 n 型半导体导带电子的有效质量为 m*n=mo, 试证明在 300K 时，使得费米能级 EF=(EC+ED)/2 的施主浓度为 ND=2NC。（设此时的施主的电离很弱，按非简并情况处理）证明：在非简并条件下：
4
第
ห้องสมุดไป่ตู้
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一、选择填空（含多选题）（19×2 分）
1、重空穴是指（ C ）
A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 2、硅的晶体结构和能带结构分别是（ A. 金刚石型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 C ）
n0 N c exp(
2(2 mn k0T )3/ 2 Ec EF ) ， NC h3 k0T
又， N D N D [1 f ( E )]
ND Ec EF ， n0 N c exp( ) ED EF k T 0 1 2 exp( ) k0T
由电中性条件得到：n0=ND+ 所以有：
1
B ）半导体；
A. 本征， B. n 型， C. p 型，
E. 9×1014cm-3
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7、3 个硅样品的掺杂情况如下：甲．含镓 1×1017cm-3；乙.含硼和磷各 1×1017cm-3；丙.含铝 1×1015cm-3 这三种样品在室温下的费米能级由低到高（以 EV 为基准）的顺序是( A.甲乙丙； B.甲丙乙； C.乙丙甲； D.丙甲乙）。 B )
1 ] ，即几率和平均声子数成正比。 hv exp( ) 1 k0T
3．以中等掺杂 n 型硅为例定性阐述迁移率、电阻率随温度变化的三个阶段的特点。
ρ
C D A B
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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
T 答：设半导体为 n 型，有
1.6 1019 (1015 3600 2.4 1010 1700) 5.76 101 ( s / cm)
2、有一硅样品在温度为 300k 时，施主与受主的浓度差 ND-NA=1014cm-3,设杂质全部电离，已知该温度下导带底的有效状态密度 NC=2.9 × 1019cm-3 ，硅的本征载流子浓度 ni=1.5 × 1010cm-3,求样品的费米能级位于哪里？解：由电中性条件可得: n0 ( N D N A ) p0 由题意可知，ni=1.5× 1010cm-3, ND-NA=1014cm-3 故有： N D N A
4、以 n 型半导体为例，解释为什么重掺杂半导体使得其禁带宽度变窄的原因。答：在重掺杂的半导体中，杂质浓度对能带结构的作用主要表现在两个方面：即对能态函数的影响。一是对半导体晶格原子相关的态密度；一个是杂质原子相联系的态密度。首先。以 n 型硅为例，Nd 增加，杂质向半导体 Si 原子提供的电子数目越来越多，过量的电子屏蔽作用使得 Si 原子最外层价电子所处的周期势场发生改变，导致带边明显的能量边界模糊，使得边缘伸到禁带中，形成所谓的带尾。其次，掺杂浓度变大时，杂质原子间间距变小，以至相邻的杂质原子外层电子的波函数相互交迭，孤立的杂质能级扩展为准连续的杂质能带，其密度接近能带边缘的态密度，杂质带和能带边重叠。所以重掺杂半导体能带结构的变化，形成简并能带，导致禁带宽度变窄。
1.6 1019 (1015 3600 1.76 1012 1700) 5.76 101 ( s / cm)
当 T=273k 时， p0
n0 q n p0 q p
(4.9 1012 ) 2 2.4 1010 cm 3 15 10
5、简并半导体是指（ A A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 6、在某半导体掺入硼的浓度为 1014cm-3, 磷为 1015 cm-3，则该半导体为（其有效杂质浓度约为（ E ）。 D. 1.1×1015cm-3,
i ni q( n p )
解：本征 Ge 的电导率： ni
q( n p )
i
当T＝310k时， i 3.56 102 s / cm
ni 3.56 102 4.2 1013 cm 3 1.6 1019 (3600 1700)
1 如果要求使得 EF ( EC ED ), N D 2 NC ，得证。 2
六、计算题：（30 分）
1、已知本征 Ge 的电导率在 310K 时为 3.56×10-2S/cm，在 273K 时为 0.42×10-2S/cm。一个 n 型 Ge 样品。在这两个温度时，其施主浓度 ND=1015/cm3。试计算在上述温度时掺杂锗的电导率。（设μn=3600cm/(V.s), μp=1700cm/(V.s)）。
B. 闪锌矿型和直接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型）。
3、电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（ C A、各处出现的几率相同 C、各元胞对应点出现的几率相同
B、各处的相位相同 D、各元胞对应点的相位相同
4、本征半导体是指（ A ）的半导体。 A、不含杂质与缺陷； C、电阻率最高； B、电子密度与空穴密度相等； C、电子密度与本征载流子密度相等。）的半导体
13、当施主能级 ED 与费米能级 EF 相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（ A、1， B、1/2， C、1/3， D、1/4。
2
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三、简答题（6×4 分）
1. 试说明浅能级杂质和深能级杂质的物理意义及特点？答：物理意义：在纯净的半导体中，掺入少量的其它元素杂质，对半导体的性能影响很大。由于杂质的存在，使得该处的周期性势场受到扰乱，因而杂质的电子不能处于正常的导带或价带中，而是在禁带中引入分裂能级，即杂质能级。根据杂质能级在禁带中的位置不同，分为深能级杂质和浅能级杂质。又根据杂质电离后施放的电子还是空穴，分为施主和受主两类。（2 分）特点：对于浅能级杂质，施主或受主能级离导带底或价带顶很近，电离能很小，在常温下，杂质基本全部电离，使得导带或价带增加电子或空穴，它的重要作用是改变半导体的导电类型和调节半导体的导电能力。对于深能级杂质，能级较深，电离能很大，对半导体的载流子浓度和导电类型没有显著的影响，但能提供有效的复合中心，可用于高速开关器件。（2 分） 2. 杂质半导体 Si、Ge 中，一般情形下的主要散射机构是什么？化合物半导体 GaAs 一般情形下的主要散射机构又是什么？对上述两类半导体分别写出其主要散射机构所决定的散射几率和温度的关系。答：对掺杂的元素半导体材料 Si、Ge，其主要的散射机构为声学波散射和电离杂质散射，其散射几率和温度的关系为：声学波散射： ps T 3/ 2 ，电离杂质散射： pi NiT 3/ 2 对Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体 GaAs，不仅包括上述的声学波散射和电离杂质散射，也包括光学波散射， p0 [
p=1800cm 2
/Vs，如流过样品的电流密度为 52.3mA/cm2, 求所加的电场强度。
当T＝273k时， i 0.42 102 s / cm
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学院
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任课老师
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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
ni
0.42 102 4.9 1012 cm 3 19 1.6 10 (3600 1700)
样品的费米能级位于导带底 Ec 下方 0.327eV。
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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
3、在半导体锗材料中，掺入施主杂质浓度 ND=1014cm-3, 受主杂质浓度 NA=7×1013cm-3,设室温下本征锗的电阻率为 60Ω.cm，假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3600cm2/Vs，μ

1 nq n
AB：本征激发可忽略。温度升高，载流子浓度增加，杂质散射导致迁移率也升高，故电阻率ρ随温度 T 升高下降；（1 分） BC：杂质全电离，以晶格振动散射为主。温度升高，载流子浓度基本不变。晶格振动散射导致迁移率下降，故电阻率ρ随温度 T 升高上升；。 CD：本征激发为主。晶格振动散射导致迁移率下降，但载流子浓度升高很快，故电阻率ρ 随温度 T 升高而下降。
8、以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn 与温度的（ B A、平方成正比； C、平方成反比； B、3/2 次方成反比； D、1/2 次方成正比； C ）。
9、公式 q / m* 中的是载流子的（ A、散射时间； C、平均自由时间； B 、寿命； C、扩散系数。

2013-半导体物理期中考试试卷-电子科技大学-朱俊

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