微电子技术PPT课件

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微电子学专业介绍.ppt

微电子专业内容
1. 半导体材料：Si、GaAs、ZnSe
用什么做？
2. 半导体物理：
3. 半导体器件：元器件(电子和光电子）、集成电
路
4. 半导体工艺：制造工艺、测试技术、微机械
做什么？
5. 计算机辅助器件、工艺模拟
6. 新型器件、微系统的开发 7. 设计软件的开发
怎么做？
内容
1. 什么是微电子学？ 2. 我们的条件是什么？ 3. 毕业后去哪里？ 4. 学习什么知识？
➢ 1966年由高教部批准成立了半导体研究室。承担了许多科研项目，国家和地方的重点或重大科研任务，培养了一批又一批的学生
➢ 1976年后还培养了相当数量的“半导体物理与器件物理”的硕士生和博士生， ➢ 1996年 “半导体物理与器件”专业改为“凝聚态物理”专业 ➢ 2006年批准设立“微电子学与固体电子学”博士点
用于“信息光电子材料与信息技术”的补充三． “211工程”十一五投入是~2000万元，形成微电子的完善工艺四． “985” 投入
“萨本栋微机电研究中心”，一期（2000年-2003年）3500多万，中心建立以硅为基础的微电子机械加工工艺实验室和微电子设计研究室，有先进的集成电路平面工艺和测试所需的设备及设计环境和软件工具，为微电子学科研和教学提供了一个良好的基地。 “985”第二期（2004年-2006年）计划投入建设经费3000万。
例如微机电系统（MEMS）、生物芯片等
• 微电子学
•
学科：理学
门类：电子信息科学类
专业名称：微电子学
业务培养目标：本专业培养掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和基本实验技能，能在微电子学及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高级专门人才。

微电子工艺原理与技术--离子注入 ppt课件

先加速后分析注入机结构示意
离子注入系统的原理示意图
国产中束流离子注入机
Vll Sta 810XEr 中束流注入机
20-80KeV 400-500W/h
Vll Sta 80HP 300mm 大束流注入机
1-80KeV FOR 90nm IC process
900XP 高能注入机
高能P阱注入机
2keV - 900keV
国产多功能离子改性注入机
无分析器气体金属辅助溅射四种离子源
全方位离子注入
离子源的种类
1. 潘宁源在阴极-阳极间起弧电离源气分子，获得等离子体，适合小束流气体离子注入
2. 2.热灯丝源（Freeman源）靠灯丝发射电子激发等离子体，适合无氧气体离子的中小束流注入
中束流离子源（CF-3000）
Eaton注入机离子源
大束流离子源（8-10mA）中束流离子源（NV-6200）
蒸发离子源的结构
磁分析器原理
设吸出电压为V，对电荷q的正离子，能量为qV(eV)。
EqV1m2v, v 2qV
2
m
经过磁场强度为B、方向与离子运动方向垂直的分析腔，
受到洛仑兹力qvB，该力使离子作圆周运动。有：
m2v
mv1 2m 1 m
qvr B, V ,B 2V
r
qBB q
rq
可见，偏转半径r与B成反比，与m成正比。对固定的离子注入机，分析器半径r和吸出电压固定，调节B的大小（励磁电流）即可分析出不同荷质比的离子。
BF3气源磁分析质谱
磁分析器的分辨率
注意：同一荷质比的离子有相同的偏转半径，磁分析器无法作出区分。要求源气有很高的纯度，尽量避免相同荷质比离子出现。如：N2+ 和Si+，N+ 和Si++ ，H2+ 和 He++等。

微电子器件基础PPT全套课件

电子管的发明
1883年，美国发明家爱迪生（T· A· Edison，1847—1931）发现了热的灯丝发射电荷的现象，并被称之为 “爱迪生效应”。 1897年，英国物理学家汤姆逊（J· J· Thomson1856～1940 ）解释了这种现象，并把带电的粒子称为“电子”。 1904英国伦敦大学电工学教授弗莱明（S· J· A· Fleming1849～1945）研制出检测电波用的第一只真空二极管，从而宣告人类第一个电子二极管的诞生。
SW uP
MPEG ROM
PCB
ROM ATM ASIC
SW
FPGA
SW
SW
SRAM ROM
uP Core
MPEG ROM
FPGA A/D Block
ATM Glue Logic
SOC
SoC Example
R O M
D R A M
CPU
DSP
FPGA
SRAM
Flash
Switch
Fabric
Al V Rc Rb in out n SiO2 E n+ p n n+ B
300 Cu Strained Si high-K metal
300 ? Strained Si high-K metal
SiO2 poly Si
SiO2 poly Si
SiO2 poly Si
The limit for oxide -0.8 nm Dielectrics with high k= HfO2, ZrO2… Polysilicon metal
2009 0.045 64G 520 620 2500 8-9 0.6-0.9 300

《微电子技术发展的》课件

03 微电子技术的关键技术
高性能材料技术
硅基材料
硅基材料是微电子技术中最常用的材料，具有优良的物理和化学性质，能够满足集成电路制造的
要求。
高k材料
高k材料是指介电常数大于二氧化硅的材料，能够提供更快的晶体管开关速度和更低的功耗。
金属材料
金属材料在微电子技术中用于连接和传输电流，常用的金属有铜、铝等。
05 微电子技术的挑战与对策
微电子技术的物理极限挑战
总结词
随着微电子技术不断进步，物理极限成为技术发展的瓶颈之一。
详细描述
随着芯片上集成的晶体管数量不断增加，量子效应、热效应和信号干扰等问题愈发严重，制约了微电子技术的进一步发展。
微电子技术的环境影响挑战
总结词
微电子技术发展过程中对环境的影响逐渐受到关注。
微电子技术是计算机和信息技术发展的基础，推动了计算机硬件和软件技术的不断进步。
工业自动化
医疗保健
微电子技术应用于工业自动化领域，提高了生产效率、降低了能耗，推动了工业自动化的发展。
微电子技术在医疗保健领域的应用包括医疗设备、医疗器械和生物芯片等，为医疗诊断和治疗提供了先进的技术手段。
微电子技术的发展历程
微电子技术在计算机领域的应用案例
集成电路设计
微电子技术是计算机集成电路设计的基础，为计算机硬件提供了高效、可靠的性能。
存储器技术
微电子技术推动了存储器技术的发展，如闪存、 RAM等，提高了计算机存储容量和读写速度。
处理器技术
微电子技术为处理器设计提供了高性能、低功耗的技术支持，推动了计算机性能的不断提升。
20世纪50年代
集成电路的发明，实现了电子器件的小型化。

PPT微电子封装技术讲义

02
金属材料的可靠性较高，能够承受较高的温度和压力，因此在高集成度的芯片封装中广泛应用。
高分子材料
高分子材料在微电子封装中主要用于绝缘、密封和塑形。常见的高分子材料包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚四氟乙烯等，它们具有良好的绝缘性能和化学稳定性。
高分子材料成本较低，加工方便，因此在低端和大规模生产中应用较广。
板级封装
1
板级封装是指将多个芯片或模块安装在同一基板上，并通过基板与其他器件连接的系统封装类型。
2
板级封装具有制造成本低、易于维修和更换等优点，因此在消费电子产品中应用广泛。
3
常见的板级封装类型包括双列直插式封装（DIP）、小外形封装（SOP）、薄型小外形封装（TSOP）等。
系统级封装
系统级封装是指将多个芯片、模块和其他元器件集成在一个封装体内，形成一个完整的系统的封装类型。
微电子封装技术的应用领域
通信
高速数字信号处理、光通信、无线通信等。
计算机
CPU、GPU、内存条等计算机硬件的封装和互连。
消费电子
智能手机、平板电脑、电视等消费电子产品中的集成电路封装。
汽车电子
汽车控制单元、传感器、执行器等部件的封装和互连。
医疗电子
医疗设备中的传感器、控制器、执行器等部件的封装和互连。
详细描述
芯片贴装是将微小芯片放置在基板上的过程，通常使用粘合剂将芯片固定在基板上，以确保芯片与基板之间的电气连接。这一步是封装工艺中的关键环节，因为芯片的正确贴装直接影响到后续的引线键合和整体封装质量。
引线键合
总结词
引线键合是将芯片的电路与基板的电路连接起来的工艺过程。
详细描述
引线键合是通过物理或化学方法将芯片的电路与基板的电路连接起来的过程。这一步通常使用金属线或带状线，通过焊接、超声波键合或热压键合等方式将芯片与基板连接起来，以实现电气信号的传输。引线键合的质量直接影响着封装产品的性能和可靠性。

《微电子技术》课件

军事
微电子技术用于制造军事设备，如导弹制导系统、雷达、通
信设备等。
微电子技术的发展趋势
纳米技术
随着芯片上元件尺寸的不断缩小，纳米技术成为微电子技术的重要发
展方向。
3D集成
通过将多个芯片垂直集成在一起，实现更高的
性能和更低的功耗。
柔性电子
柔性电子是将电子器件制造在柔性材料上的技术，具有可弯曲、可折
将杂质元素引入半导体材料中的技术。
离子注入掺杂
利用离子注入机将杂质离子注入到半导体材料中的技术。
化学气相掺杂
利用化学气相沉积的方法，将含有杂质元素的化合物沉积到半导
体材料中的技术。
04
集成电路设计
集成电路设计流程
需求分析
明确设计要求，分析性能指标，确定设计规模和复杂度。
逻辑设计
根据规格说明书，进行逻辑设计，包括算法设计、逻辑电路设计等。
《微电子技术》 ppt课件
contents
目录
• 微电子技术概述 • 微电子器件 • 微电子工艺技术 • 集成电路设计 • 微电子封装技术 • 微电子技术发展面临的挑战与机遇
01
微电子技术概述
微电子技术的定义
微电子技术是一门研究在微小尺寸下制造电子器件和系统的技术。
它涉及到利用半导体材料、器件设计和制造工艺，将电子系统集成在微小尺寸的芯片上。
02
微电子技术领域的竞争非常激烈，企业需要不断提升自身的技
术水平和产品质量，以获得竞争优势。
客户需求多样化
03
客户需求多样化，要求企业提供更加定制化的产品和服务，以
满足不同客户的需求。
新材料、新工艺的机遇
新材料的应用

《MEMS设计技术》课件

案例二：MEMS陀螺仪在导航系统中的应用
总结词
MEMS陀螺仪是导航系统中的关键传感器，具有高精度、小型化和低成本等特点。
VS
详细描述
MEMS陀螺仪采用微机械加工技术，将陀螺仪的机械部分和电路部分集成在一个芯片上，具有体积小、重量轻、成本低等优点。它能够测量和保持方向信息，广泛应用于航空、航天、军事等领域。在导航系统中，MEMS陀螺仪可以提供高精度的角度信息，用于计算航向、姿态和位置等参数。
可靠性测试
进行全面的可靠性测试和评估，确保 MEMS器件的稳定性和可靠性。
06
MEMS设计案例分析
案例一：MEMS压力传感器在汽车中的应用
总结词
汽车压力传感器是MEMS技术的重要应用之一，具有高精度、可靠性和稳定性等特点。
详细描述
汽车压力传感器主要用于监测发动机进气歧管压力、燃油压力、气瓶压力等，以确保发动机正常工作和提高燃油经济性。MEMS压力传感器采用微型机械加工技术，具有体积小、重量轻、功耗低等优点，能够实现高精度、快速响应和长期稳定性。
惯性传感器的设计需要综合考虑材料、工艺和信号处理等因素，以确保其性能和可靠性。
化学传感器设计
01
化学传感器是用于检测气体或液体的化学成分的传感器，其设计需要考虑选择性、灵敏度、稳定性等因素。
02
常用的化学传感器类型包括电化学式、光学式和热导式等，其工作原理和结构各不相同。
03
化学传感器的设计需要综合考虑材料、工艺和信号处理等因素，以确保其性能和可靠性。
MEMS的发展历程与趋势
要点一
总结词
MEMS的发展经历了萌芽期、发展期和成熟期三个阶段，未来将向更小尺寸、更高精度和智能化方向发展。

《微电子器件》课件

新型微电子器件
随着科技的不断发展，新型微电子器件的研究也在不断推进。目前，新型微电子器件主要集中在柔性电子器件、生物可穿戴器件、量子器件等领域。
生物可穿戴器件
生物可穿戴器件是指能够与人体直接接触并监测人体生理参数的微电子器件。目前，生物可穿戴器件的研究重点在于提高其舒适性、准确性和稳定性。
描述模拟电路性能的参数，表示输入与输出之间的线性关系。
微电子器件的测试方法与设备
测试方法
包括功能测试、性能测试和可靠性测试等。
测试设备
如示波器、信号发生器、频谱分析仪等。
测试环境
需要控制温度、湿度、电磁干扰等环境因素。
测试标准
根据不同应用领域制定相应的测试标准。
微电子器件可靠性分析
可靠性定义
02
微电子器件的基本结构与原理
半导体材料基础
半导体材料的分类
元素半导体、化合物半导体、掺杂半导体等。
半导体的基本性质
导电性、光学特性、热学特性等。
半导体的能带结构
价带、导带、禁带等概念及其对电子跃迁的影响。
PN结与二极管
PN结的形成
01
扩散、耗尽层、空间电荷区等概念。
二极管的伏安特性
02
性能和热管理技术。
机械可靠性
微电子器件在受到机械应力时容易发生损坏，机械可靠性问题不容忽视。目前，机械可靠性的研究重点在于提高微电子器件的抗冲击和抗
振动性能。
电气可靠性
微电子器件在长时间工作过程中容易出现电迁移、氧化等问题，影响其电气性能。目前，电气可靠性的研究重点在于提高微电子器件的稳
柔性电子器件
柔性电子器件具有轻薄、可弯曲、可折叠等特点，被广泛应用于可穿戴设备、智能家居等领域。目前，柔性电子器件的研究重点在于提高其稳定性、可靠性和生产效率。

微电子工艺PPT课件

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。
1874年，电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。
如今，渝德科技被中航集团收购，更名为中航微电子。我市已有西南集成电路、中航微电子、奥特斯集成电路基板、台晶（重庆）电子、重庆石墨烯科技公司、SK海力士、中电24所、四联微电子等集成电路生产和研发机构，形成了设计-制造-封装的完备产业链，重庆大学和重庆邮电大学成立了半导体学院培养集成电路人才。
.
20
1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；
1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA 公司研制出MOS场效应晶体管。
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天， 95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺
1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，这是一个里程碑式的发明； 1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了 14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；
1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC
.
115
本课程内容结构？
集成电路制造技术—原理与工艺
硅材料
集成电路工艺
集成和封装测试
第1单元
1 单晶硅结构
2 硅锭及圆片制备

《MEMS微电感》课件

应用领域
01
通信领域
用于无线通信、卫星通信、雷达等高频信号处理系统。
02
能源领域
用于微型电源、储能系统等。
03
生物医学领域
用于生物传感器、医学诊断和治疗等。
02 MEMS微电感的设计与制造
设计流程
A
需求分析
明确MEMS微电感的应用场景和性能要求，如工作频率、Q值、尺寸等。
原理图设计
根据需求，设计MEMS微电感的原理图，包括结构、形状、尺寸等。
B
C
仿真优化
利用仿真软件对设计的MEMS微电感进行性能分析和优化，提高性能参数。
版图绘制
将原理图转化为制版图，为后续制造提供依据。
D
材料选择
01
02
03
材料类型
选择适合MEMS微电感制造的材料，如单晶硅、多晶硅、氮化硅等。
材料纯度
确保所选材料的纯度，以满足MEMS微电感的性能要求。
材料特性
《MEMS微电感》 PPT课件
目录
• MEMS微电感简介 • MEMS微电感的设计与制造 • MEMS微电感的性能测试与评估 • MEMS微电感的发展趋势与挑战 • MEMS微电感的应用案例
01 MEMS微电感简介
定义与特性
定义
MEMS微电感是指利用微电子机械系统（MEMS）技术制作的微型电感器。
案例二：MEMS传感器
总结词
MEMS传感器是利用微电感技术实现传感器功能的重要应用，具有高精度、高可靠性、低功耗等优点。
详细描述
MEMS传感器利用微电感作为敏感元件，可以感知温度、压力、磁场、加速度等物理量，广泛应用于汽车、医疗、航空航天等领域。MEMS传感器的精度和可靠性高，能够提供准确的测量数据，并且具有低功耗的特点，能够延长设备的续航时间。

《微电子封装技术》课件

航空航天设备封装案例
航空航天设备封装案例：航空航天领域对设备的可靠性和稳定性要求极高，而微电子封装技术能够满足这些要求。例如，在飞机发动机控制系统中、卫星导航系统中等，微电子封装技术发挥着重要作用。它能够提高设备的可靠性和稳定性，降低成本，并促进小型化、集成化的发展趋势。
具体而言，在飞机发动机控制系统中，微电子封装技术能够实现高精度和高可靠性的控制，从而提高发动机的性能和安全性。在卫星导航系统中，微电子封装技术能够提高定位精度和信号质量，从而提高导航的准确性和可靠性。
医疗电子设备封装案例
医疗电子设备封装案例：医疗电子设备对精度和可靠性要求极高，而微电子封装技术能够满足这些要求。例如，在医疗影像设备、心脏起搏器、血糖监测仪等中，微电子封装技术发挥着重要作用。它能够提高设备的性能和可靠性，降低成本，并促进小型化、集成化的发展趋势。
具体而言，在医疗影像设备中，微电子封装技术能够提高图像质量和设备性能，从而提高诊断的准确性和可靠性。在心脏起搏器中，微电子封装技术能够实现高精度和高可靠性的起搏控制，从而提高患者的生命安全和生活质量。在血糖监测仪中，微电子封装技术能够实现快速、准确的血糖监测，从而帮助患者及时了解自身血糖状况并进行有效控制。
封装测试பைடு நூலகம்
01
封装测试是确保微电子封装产品性能和质量的重要环节。
03
随着技术的不断发展，新型测试方法也在不断涌现，如X射线检测、超声检测等。
02
测试内容包括气密性检测、外观检测、电性能测试等，以确保产品符合设计要求和性能标准
。
04
封装测试的发展趋势是高精度、高效率、自动化，以提高测试准确性和降低成本。
。
柔性封装技术
03

微电子学概论课件

▪ 1977年在北京大学诞生第一块大规模集成电路
我国微电子学的历史
▪ 1982年，成立电子计算机和大规模集成电路领导小组
➢主任：万里
▪ 80年代：初步形成三业分离的状态
➢制造业 ➢设计业 ➢封装业
Part 3
集成电路分类
▪ 集成电路的分类
➢器件结构类型 ➢集成电路规模 ➢使用的基片材料 ➢电路形式 ➢应用领域
微电子发展史上的几个里程碑
▪ 1962年Wanlass、C. T. Sah——CMOS技术现在集成电路产业中占95%以上
▪ 1967年Kahng、S. Sze ——非挥发存储器
▪ 1968年Dennard——单晶体管DRAM
▪ 1971年Intel公司微处理器——计算机的心脏
➢ 目前全世界微机总量约6亿台，在美国每年由计算机完成的工作量超过4000亿人年工作量。美国欧特泰克公司认为：微处理器、宽频道连接和智能软件将是21世纪改变人类社会和经济的三大技术创新
▪ 集成电路：
▪ Integrated Circuit，缩写IC
➢通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成” 在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能
▪ 集成电路设计与ຫໍສະໝຸດ 造的主要流程框架系统需求微电子学概论课件
2020/8/1
▪ 微电子学：Microelectronics
➢微电子学——微型电子学
➢核心——集成电路
物理电子学:在以前主要是学习电子在真空中的运动规律及其器件，现在内容扩展了，还包括微波方面的内容。微电子学:主要是学习半导体器件和集成电路的设计、制造、应用。固体电子学:主要是学习电子材料方面的研制、应用。

微电子技术绪论PPT课件

光刻技术的分辨率、对比度、均匀度等对微电子器件的性能有着重要影响，需要精确控制和优化。
光刻技术包括接触式、接近式、扫描式等几种方式，不同的方式适用于不同的工艺要求和节点。
未来发展方向包括探索更先进的光刻技术和方法，以提高分辨率、降低成本和提高可靠性。
04
微电子封装与测试
封装技术
芯片贴装技术
集成电路
集成电路的基本概念
集成电路是将多个晶体管和其他电子元件集成在一块衬底上，实现一定的电路或系统功能。
集成电路的制造工艺
集成电路的制造需要经过多个复杂工艺步骤，包括光刻、掺杂、刻蚀和镀膜等，以确保电路性能的稳定性和可靠性。
集成电路的应用
集成电路被广泛应用于计算机、通信、消费电子和汽车电子等领域，对现代科技的发展起着至关重要的作用。
晶体管
1 2 3
晶体管的基本结构
晶体管由三个电极（集电极、基极和发射极）构成，其工作原理是通过控制基极电流来调节集电极和发射极之间的电流。
晶体管的类型
晶体管分为NPN和PNP两种类型，其工作电压和电流大小各不相同，根据实际需求选择合适的晶体管类型。
晶体管的应用
晶体管是构成各种电子电路的基本元件，广泛应用于信号放大、开关控制和逻辑运算等领域。
系统集成创新
系统集成创新
随着微电子器件的集成度不断提高，系统集成创新成为了一个重要的研究方向。通过将不同的器件和电路集成在一个芯片上，可以实现更复杂的功能和更高的性能。
3D集成技术
3D集成技术是指将多个芯片堆叠在一起，并通过垂直互联实现高速信号传输。这种技术可以显著提高芯片的集成度和性能，同时降低能耗和成本。
掺杂技术分为非故意掺杂和故意掺杂两种，非故意掺杂是指在制造过程中不可避免地引入杂质，而故意掺杂则是为了实现特定的电路功能而人为地引入杂质。

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大规模集成电路（LSI）
······
超大规模集成
按集成度(芯片中包含的元器件电路（VLSI）
数目)分：
极大规模集成电路（ULSI）
元器件数目＜100
100~3000 3000~10万 10万~几十亿
＞100万
9
第1章信息技术概述
(2)集成电路的制造(选学)
• 集成电路的制造工序繁多，从原料熔炼开始到最终产品包装大约需要400多道工序，工艺复杂且技术难度非常高，有一系列的关键技术。许多工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成。 • 兴建一个有两条生产线能加工8英寸晶圆的集成电路工厂需投资人民币10亿元以上。
80486
8086
80286
80386
晶体管数
CORE i7
CORE 2 Quad CORE 2 Duo
Pentium 4 Pentium III
1000x106 100x106
Pentium II Pentium
10x106 106
100 000
8008 8080 4004
1970 1975
1980
1985
1990
1995
2000
10 000 1 000 2010
17
第1章信息技术概述
集成电路技术的发展趋势
• 减小蚀刻尺寸，缩小晶体管、电阻、电容和连线的尺寸 • 增大硅晶圆的面积：使每块晶圆能生产更多的芯片
1999
工艺(nm)
180
晶体管(M)
23.8
时钟频率(GHz) 1.2
面积(mm2)
进行成品测试，按其性能参数分为不同等级，贴上规格型号及出厂日期等标签，成品即可出厂
第1章信息技术概述
集成电路生产线
集成电路产业发展迅速，创新能力不断增强。图为我国中芯国际集成电路有限公司12英寸超大规模集成电路生产线
13
第1章信息技术概述
集成电路的封装
•集成电路封装目的：
电功能、散热功能、机械与化学保护集成电路产业现状
对外依存度过高，特别是CPU、存储器等高端集成电路
2017年集成电路进口量高达3700多亿块，进口额约为2601 亿美元，接近原油进口额的两倍。
Core i7/i5/i3 CPU的LGA封装）
14
主板上的CPU插座
第1章信息技术概述
(3)集成电路的发展趋势
• 集成电路的工作速度主要取决于晶体管的尺寸。晶体管的尺寸越小，其极限工作频率越高，门电路的开关速度就越快，相同面积的晶片可容纳的晶体管数目就越多。 • 所以从集成电路问世以来，人们就一直在缩小晶体管、电阻、电容、连接线的尺寸上下功夫。
什么是电子电路？
电子电路由电阻，电容，电感和二极管、晶体管等元器件组成，它们通过导线连接起来，使电流在其中流动，完成信号的生成、放大、变换或传输等功能
过去，电路由单个元器件（分立元件）和电线连接而成，现在则大多制作成集成电路形式
电路板
4
第1章信息技术概述
电子电路中元器件的发展演变
2019/9/18
16
16
第1章信息技术概述
IC集成度提高的规律
Moore定律：单块集成电路的集成度平均每18个月翻一番 (Gordon E.Moore,1965年)
例：Intel微处理器集成度的发展
酷睿2双核（2006） 291～410M晶体管酷睿2四核（2007） 820M 晶体管 Core i7 六核（2010） >10亿晶体管
340
连线层数
6
晶圆直径(英寸) 12
2001
130 47.6 1.6
340 7 12
2004
90 135 2.0
390 8 14
2008
45 539 2.655
468 9 16
2010
32 1000 3.8
600 9 16
2017
14~10 8000
5
901 10 16
注：XX纳米（nm），指芯片中电路连线的线宽尺寸，尺寸越小，集成度就越高
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硅平面工艺包括氧化、光刻、掺杂和互连等工序，最终在硅片上制成包含多层电路及电子元件的集成电路。通常每一硅抛光片上可制作成百上千个独立的集成电路，这种整整齐齐排满了集成电路的硅片称作“晶圆”
对晶圆上的每个电路进行检测，然后将晶圆切开成小片，把合格的电路分类，再封装成一个个独立的集成电路
IC是所有电子产品的核心
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第1章信息技术概述
集成电路的分类
按用途分：
通用集成电路
集成电路规模
专用集成电路（ASIC）
按电路的功能分：
小规模集成电路（SSI）
数字集成电路
中规模集成电
模拟集成电路
路（MSI）
按晶体管结构、电路和工艺分：
双极型（Bipolar）电路金属氧化物半导体(MOS)电路
集成电路的制造过程 —制造业—
硅锭
硅抛光片
切片
氧化、光刻、掺杂等处理
晶片封装
测试后的晶片
晶片测试
切开的晶片
晶片切割
晶圆
封装后的晶片
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成品测试
集成电路成品
第1章信息技术概述
集成电路的制造过程
硅抛光片硅平面工艺晶圆检测、分类晶片封装集成电路成品测试成品
单晶硅锭
单晶硅锭经切割、研磨和抛光后制成镜面一样光滑的圆形薄片，称为 “硅抛光片”
电子管 (1904)
晶体管 (1948)
中/小规模大规模/超大规模集成电路集成电路(1970’s) (1950’s)
• 微电子技术是以集成电路为核心的电子技术，它是在电子元器件小型化、微型化的过程中发展起来的。
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第1章信息技术概述
什么是集成电路？
集成电路 (Integrated Circuit，简称IC)：
第1章信息技术概述
1.3 微电子技术简介
1.3 微电子技术简介
（1）微电子技术与集成电路（2）集成电路的制造（3）集成电路的发展趋势（4）IC卡
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第1章信息技术概述
(1)微电子技术与集成电路
• 微电子技术是信息技术领域中的关键技术，是发展电子信息产业和各项高技术的基础 • 微电子技术的核心是集成电路技术
以半导体单晶片作为基片,采用平面工艺，将晶体管、电阻、电容等元器件及其连线所构成的电路制作在基片上所构成的一个小规模集成电路微型化的电路或系统
集成电路的优点：
体积小、重量轻功耗小、成本低速度快、可靠性高
超大规模集成电路
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第1章信息技术概述
各种各样的集成电路
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第1章信息技术概述