最终版电力电子技术试题(二).doc

精品文档考试试卷(1)卷一、填空题（本题共8 小题，每空 1 分，共 20 分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________ ，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步 _________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量 ______相等而 __形状 _____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 __MOSFET_，单管输出功率最大的是 __GTO_，应用最为广泛的是 __IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用 V1,VD1,V2,VD2 表示 )。

(1)0~t1 时间段内，电流的通路为___VD1_____ ； (2) t1~t2 时间段内，电流的通路为 ___V1____ ；(3)t2~t3 时间段内，电流的通路为__VD2_____ ；(4) t3~t4 时间段内，电流的通路为 __V2_____ ；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____ ；.精品文档二、选择题（本题共10 小题，前 4 题每题 2 分，其余每题 1 分，共 14 分）1、单相桥式PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B）A、V1 与 V4 导通， V2 与 V3 关断B、 V1 常通， V2 常断， V3 与 V4 交替通断C、V1 与 V4 关断， V2 与 V3 导通D、 V1 常断， V2 常通， V3 与 V4 交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（C）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180 度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2 时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。

（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。

2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。

（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶闸管的额定电压是700V 。

（ ）第 1 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β= ，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。

（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。

（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。

1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。

（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α= 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流平均值dVT I 。

（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α= 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。

（5分）i 0三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。

它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。

电力电子技术》试题(G)一、填空题 (每空 1 分，34分)1、实现有源逆变的条件为和2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。

3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。

为了减小环流，一般采用α β 状态。

4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。

5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。

6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。

7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ；这说明电路的纹波系数比电路要小。

8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。

9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。

10 、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。

、判断题：（每题 2 分,20 分）对√，错×。

1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。

（）2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。

（）3、在半控桥整流带大电感负载，不加续流二极管电路中，电路不正常时可能会出现失控现象。

（）4、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则 120o。

α的移相范围只有5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。

（）6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。

（）7、KP2—5表示的是额定电压 200V，额定电流 500A 的普通型晶闸管。

（）8、在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。

（）9、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。

（）10、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。

电力电子复习姓名：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

！(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术2011年7月23日星期六一、填空题1.造成晶闸管在工作时发热的原因是_______，决定发热的因素是流过该管的电流_______。

2.门极可关断晶闸管(GTO)，在导通后处于________状态。

为使它关断，所需加的反向门极电流要达到阳极电流的________。

3.在实际应用中，双向晶闸管常采用________和________两种触发方式。

4.单相全控桥整流电路，其输出电压的脉动频率是________，三相零式可控整流电路，其输出电压的脉动频率为________。

5.在单相半控桥整流电路中，两个晶闸管在加________时换流，而两个硅整流二极管在________时自然换流。

6.为了得到十二相电源，在三相变压器的副边绕组中，一组接成_______，另一组接成________。

7.常用的直流可逆拖动系统的工作方式有________和________。

8.变压器漏感L B的存在，使得可控整流输出的直流平均电压________，对有源逆变电路，它将使逆变输出电压________。

9.起重提升机在放下重物时的速度必须能够控制。

改变________的大小就可以改变重物下降的速度，当________时，重物下降速度减小。

10.在无源逆变器中，为使晶闸管可靠关断，常采用________和________两种。

11．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与。

12．晶闸管象二极管一样，具有可控特性。

13．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的________电压。

14．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大________倍，使其有一定的电压裕量。

15．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿＿。

16．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是________极。

17．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为________。

电力电子技术练习题库及参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.斩波电路中斩波开关不能用晶闸管来实现。

（×）A、正确B、错误正确答案：B2.GTO制成逆导型，能够承受反向电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。

（）A、正确B、错误正确答案：B4.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B5.提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。

（）A、正确B、错误正确答案：A6.电力电子电路只能实现电能的变换，而不能实现电能的控制。

（）A、正确B、错误正确答案：B7.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。

（）A、正确B、错误正确答案：A8.直流变换电路多用于牵引调速。

（）A、正确B、错误正确答案：A9.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。

（）A、正确B、错误正确答案：A10.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。

（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。

（）A、正确B、错误正确答案：A12.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。

（）A、正确B、错误正确答案：B13.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。

（）A、正确B、错误正确答案：A14.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。

（）A、正确B、错误正确答案：A15.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。

（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。

（）A、正确B、错误正确答案：A17.GTO的缺点是电流关断增益很小。

（）A、正确B、错误正确答案：A18.β反映基极电流对集电极电流的控制力。

（）A、正确B、错误正确答案：A19.降压斩波电路运行情况只有一种：电感电流连续模式。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

1.什么是电力电子技术？答：应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。

2.说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗？答：对。

3.模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗？答：不是。

4.举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。

答：电动自行车的充电器，手机充电器，电警棍等。

5.简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。

答：开关电源：优点：体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。

缺点：由于开关工作模式和高频工作状态，对周围设备有一定的干扰。

需要良好的屏蔽及接地。

线性电源：优点：电源技术很成熟，可以达到很高的稳定度，波纹也很小，而且没有开关电源具有的噪声干扰。

缺点：是需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电容的体积和重量也相当大，效率低。

将逐步被开关电源所取代。

6.解释：不可控器件 ( 说明导通和关断的条件 ) 、半控型器件、全控型器件，并举出代表性器件的名称。

答：不可控器件：不用控制信号来控制其通、断。

导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。

典型器件：电力二极管导通条件：正向偏置，即承受正向电压，且正向电压＞阀值电压。

关断条件：反向偏置，即承受反向电压。

半控型器件：用控制信号来控制其导通，一旦导通门极就失去控制作用。

关断取决于其在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。

典型器件：晶闸管1全控型器件：导通和关断均由电路的触发控制信号驱动（驱动状态需保持）。

典型器件： GTR、IGBT、 POWER MOSFET。

7.如图示的二极管伏安特性曲线，示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿电压 UB”、“门槛电压 UTO”、“正向导通电流 IF ”及其对应的“正向压降 UF”、“反向漏电流”。

答：8.教科书 P42：第 4 题图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，写出各波形的电流平均值 I d1、I d2、I d3与电流有效值 I 1、I 2、I 3的计算表达式(不必计算出结果)。

电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。

（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCRF.电力二极管 。

2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×”。

（6分）（1）某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是700V。

（）第 1 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β=o，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。

（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。

（6分）第 2 页 （共 8 页）试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。

1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。

（5分）u uu 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。

（5分） i VT103、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。

（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：三、H 型单极同频模式PWM 的功率转换电路如下图（a ）所示。

它由四个大功率IGBT 和四个续流二极管组成。

当控制指令0i u >时，1V 和2V 工作在交替开关状态，3V 截止关断 ，4V 饱和导通。