名词解释及简答题：
第一章：二极管及应用
1、半导体特性：光敏性、热敏性、掺杂性。
2、N型半导体：纯净半导体掺入微量5价P元素，形成N型半导体，多子是自由电子，少子是
空穴，主要靠自由电子导电。
3、P型半导体：纯净半导体掺入微量3价B元素，形成P型半导体，多子是空穴，少子是自由电
子，主要靠空穴导电。
4、pn结形成：经过特殊工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密结合在一起，则在两种半导
体的交界处，形成一个特殊的接触面，称为PN结。
5、PN结的单向导电性：PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为pn结的单
向导电性。
6、二极管的伏安特性：加在二极管两端的电压和流过二极管的电流两者之间的关系，称为二极管
的伏安特性。
二极管的伏安特性曲线：用于定量描述加在二极管两端的电压和流过二极管的电流两者之间的关系的曲线，称为二极管的伏安特性曲线。
7、二极管为什么是非线性器件？
答：从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管是非线性器件。
8、二极管的主要参数：（1）I F：（最大整流电流：二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流）；
（2）V RM:(二极管正常使用时所允许加点最高反向电压）。
9、整流：把交流电变换成单向脉动电流的过程，称为整流。
10、滤波：把脉动直流电中的交流成分滤除，使之更加平滑的过程，称为滤波。
11、电容滤波是在负载两端并联一个电容构成；利用电容两端的电压不能突变的原理；主要适用
于负载较轻（负载电阻大、输出电流小）、对直流稳定度要求不高的场合。
12、稳压二极管：属于特殊面接触型，正常工作在反向击穿区；稳压原理：反向击穿后，电流剧
变，而两端电压几乎不变。
13、滤波电路中二极管平均导通时间与相应整流电路中二极管导通的时间相比，哪一个长？为什
么？答：整流电路中二极管平均导通时间长。
原因：滤波电路中二极管的导通需要输入电压大于滤波电容两端的电压，而电容两端电压不能突变，因此使二极管的导通时间变短。
14、稳压二极管与普通二极管相比，在伏安特性曲线上有何差异？
答：稳压二极管与普通二极管伏安特性曲线相似，只是在正向导通区与反向击穿区，稳压二极管的特性曲线比普通二极管的陡峭。
15、二极管的伏安特性曲线的四个工作区域是什么？
答：死区、正向导通区、反向截止去、反向击穿区。
第二、三章：三极管、场效应管与放大电路
1、三极管：核心是两个联系着的PN结；按半导体基片材料不同（或者说两个pn结的组合方式不同），分为NPN型和PNP型；具有电流放大作用，
2、三极管的电流放大原理：基极电流I B的微小变化控制集电极电流I C的较大变化。
3、三极管的电流放大原理的实质：较小的基极电流控制集电极的大电流，是以小控大，不是能力
的放大。
4、使三极管起放大作用的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
5、为什么说三极管工作在放大区具有横流特性？
答：在三极管的输出特性曲线上可以看到，在放大区间的曲线与横轴平行，当VCE大于1V 后，无论V CE怎么变化，I C几乎不变，这说明三极管具有恒流特性。
6、三极管的输入特性曲线：在V CE为一定值的条件下，加在三极管发射结上的电压V BE与它产生
的电流I B之间的关系曲线。
7、三极管的输出特性曲线：在I B为一定值的条件下，加在集电极与发射极的电压V CE与集电极
电流IC之间的关系。
8、场效应管的转移特性曲线：在V DS为一定值的条件下，加在栅极与源极间的电压V GS与漏极
电流I D之间的关系。
9、场效应管的输出特性曲线：在V GS为一定值的条件下，加在漏极与源极间的电压V DS与漏极
电流I D之间的关系。
10、三极管的放大参数β=
IB
IC
∆
∆
反应三极管的放大能力；场效应管的放大参数跨导
m
g=
gs
d
v
i
V DS为定值，反应场效应管的放大能力。
11、三极管与MOSFET场效应管的异同：
（1）三极管是电流控制器件；场效应管是电压控制器件；三极管的放大参数是β，场效应管的
放大参数是跨导
m
g；2）三极管是双极型，导电时两种载流子都参与导电；场效应管是单极型，导电时只有一种载流子参与导电；（3）场效应管稳定稳定性好；三极管受温度影响大；
（4）三极管输入电阻较小，约几千欧姆；场效应管输入电阻极高，可达Ω
10
10以上，对前级（5）放大能力影响极小；（5）三极管的发射区和集电区结构上不对称，正常使用时，发射极和集电极不能互换；场效应管在结构上是对称的，源极和漏极可以互换（注意：当MOSFET 管的衬底和源极在管内短接后，漏极和源极就不能互换了）
12、MOSFET管如何存放？如何焊接？为什么？
答：MOSFET管存放时，要使栅极与源极短接，或者三极屏蔽，避免栅极悬空。
焊接时，电烙铁外壳要良好接地，或用烙铁余温焊接。
原因：因为MOSFET管输入电阻极高，一旦栅极感应少量电荷，就很难泻放掉。MOSFET 管绝缘层很薄，极间电容很小，当带电物体靠近栅极，感应电荷就会产生很高电压，将绝缘层击穿，损坏管子。
13、为什么三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似？
答：因为V BE加在三极管的基极与发射极之间的PN结（即发射结）上，该PN结就相当于一只二极管，因此三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似。
14、静态：放大器没有信号输入时候的直流工作状态。
15、描述静态工作点的量：V BEQ、I BQ、I CQ、V CEQ.
