常见扩散方阻异常分析

扩散工艺常见质量问题及分析一、硅片表面不良1、表面合金点。

形成表面合金点的主要原因是表面浓度过高。

（1）预淀积时携带源的气体流量过大。

如CVD预淀积时源的浓度过高，液态源预淀积时通源的气体流量过大或在通气时发生气体流量过冲；（2）源温过高，使扩散源的蒸气压过大；（3）源的纯度不高，含有杂质或水份；（4）预淀积时扩散温度过高，时间太长；为了改善高浓度扩散的表面，常在浓度较高的预淀积气氛中加一点氯气，防止合金点产生。

2、表面黑点或白雾。

这是扩散工艺中经常出现的表面问题。

一般在显微镜下观察是密布的小黑点，在聚光灯下看是或浓或淡的白雾。

产生的原因主要有：（1）硅片表面清洗不良，有残留的酸性水汽；（2）纯水或化学试剂过滤孔径过大，使纯水或化学试剂中含有大量的悬浮小颗粒（肉眼观察不到）；（3）预淀积气氛中含有水分；（4）扩散N2中含有水分；（5）硅片在扩散前暴露在空气中时间过长，表面吸附酸性气氛；3、表面凸起物。

主要是由较大粒径的颗粒污染经过高温处理后形成的。

如灰尘、头屑、纤维等落在硅片表面，或石英管内的粉尘、硅屑等在进出舟时溅到硅片表面。

表面凸起物一般在日光灯下用肉眼可以看到。

4、表面氧化层颜色不一致。

通常是用CVD预淀积时氧化层厚度不均匀；有时也可能是扩散时气体管路泄漏引起气氛紊乱；气体还有杂质，使扩散过程中生长的氧化层不均匀，造成氧化层表面发花；5、硅片表面滑移线或硅片弯曲。

这是硅片在高温下的热应力引起的，一般是由进出舟速度过快，硅片间隔太小，石英舟开槽不合适等引起的。

6、硅片表面划伤，边缘缺损，或硅片开裂等，通常是由操作不当造成的。

也有石英舟制作不良（放片子的槽不在同一平面上或槽开的太窄，卡片子）的因素。

二、漏电流大漏电流大在集成电路失效的诸因素中通常占据第一位。

造成集成电路漏电流大的原因很多，几乎涉及到所有的工序。

主要有：（1）表面沾污（主要是重金属离子和碱金属离子）引起的表面漏电；（2）Si－SiO2界面的正电荷，如钠离子、氧空位，界面态等引起的表面沟道效应，在p型区形成反型层或耗尽层，造成电路漏电流偏大；（3）氧化层的缺陷（如针孔等）破坏了氧化层在杂质扩散时的掩蔽作用和氧化层在电路中的绝缘作用而导致漏电；（4）硅片（包括外延层）的缺陷引起杂质扩散时产生管道击穿；（5）隔离再扩散深度和浓度不够，造成隔离岛间漏电流大（严重时为穿通）；（6）基区扩散前有残留氧化膜或基区扩散浓度偏低，在发射区扩散后表现为基区宽度小，集电极－发射极间反向击穿电压低，漏电流大；（7）发射区扩散表面浓度太低，引起表面复合电流；（8）引线孔光刻套偏和侧向腐蚀量过大后，由AL布线引起的短路漏电流；（9）AL合金温度过高或时间过长，引起浅结器件发射结穿通；减少或控制集成电路的漏电流，需要在整个制造过程中全面、综合地管理，防止有可能导致漏电的各个因素的产生。

受控状态编制审核批准生效日期版本号修订号文件编号发放号2010-08-11B1JN/JL30301-4-2010扩散常见问题及解决办法1.做气密性测试时，气密性总是达不到要求？石英门没有装好,或者尾气回收瓶漏气，检查尾气瓶是否接触紧密，校正石英门位置。

2.扩散万级间温度很高？空调温度设定值高、冷却水没有开、热排没有开、石英管隔热套安装不严。

3.POCL3恒温箱突然断电？检查线路、更换新的恒温箱。

4.R2D上下料时出现碎片问题？根据报警信息查找出问题的部位，然后调节（手柄）至合适的位置并保存、home复位、查看是否有碎片、关闭软件并重启、关闭电源并重新启动操作软件。

5.扩散过程中出现撞舟问题？调节lift放在碳化硅桨上的位置、调节传动的路线、调节石英管在扩散炉炉体中的位置。

6.扩散后方块电阻高？增加通源时间、增加POCL3的量、增加温度、实际温度达不到需要校温。

7.扩散后硅片表面发蓝或有烧焦？发蓝时因为硅片表面有水：增加制绒的风刀温度、降低制绒滚轮的速度、降低扩散千级间的空气湿度、减少制绒后硅片在扩散千级间的存放时间。

8.进出舟时出现报警而使工艺跳步？根据报警信息看什么原因造成的，根据实际情况选择继续运行工艺或者用取舟程序把石英舟从管里取出来。

9.如果R2D在运行过程中出现连接超时（LP out truck timeout）怎么办？检查传感器是否正常工作，重新调整一下位置。

10.R2D运行时，位置走不到位或者软件运行十分缓慢？在R2D不工作时，把软件进行重启，然后复位就行了。

11.工艺运行过程中，如果氮气补偿过小？调节尾瓶处的开关，使之达到工艺要求。

12.桨中途停止怎么办？查看报警信息，如果是在出料时不动，桨停留在20位置上，查看舟的位置是否正确，然后点Start，重新开始。

如在其他位置不动，查看传动装置是否松动，电机是否工作。

13.门关不严怎么办？检查门是否被挡板档住，检查电机是否完好，sensor是否松动，重新做校准。

扩散异常分析方案1、方阻异常偏大a、炉管维护后若试片方阻较大，查看历史记录是否大饱和，饱和时P源瓶阀门是否打开，若异常，则再次运行大饱和程序；若正常，则查看拉温是否拉好，若未拉好，让设备再次拉温；若正常，则查看温度流量曲线是否正常，若均正常，则可以增加扩散温度后继续试片。

b、正常生产后，若该批方阻整体异常偏大，查看P源液位是否低于警戒液位，请直接更换。

如果磷源没有问题，查看程序有无运行错误；查看注入管处连接器是否脱落；查看温度曲线、气体流量曲线、恒温箱温度和恒温箱水位是否异常。

在更换磷源后发现生产的硅片方块电阻偏大，可先检查是否为磷源瓶进出气阀未打开，进出气口是否被堵，石英瓶身与阀套接口处是否有密封不严现象。

c、若炉口方阻异常偏大，可能为炉门密封不严所致，请设备调节炉门密封即可。

d、若整炉异常偏大，可能加热器因设备报警(如断偶、超温等)而关闭，请设备维修后开启加热开关即可。

2、方阻整体异常偏小a、查看恒温箱温度是否过高，恒温箱水位是否过低所致，根据以上问题做出相应调整；b、查看程序是否运行错误；c、可能出现由于生产人员的误操作导致的异常，DF1炉由于出炉装置经常被切换为手动模式，硅片在工艺结束后放置在炉内过长时间也有可能导致电阻偏低；d、询问硅片是否为二次扩散片；e、观察温度曲线，是否为温度波动；观察流量曲线，是否为工艺气体流量出现波动或者流量曲线异常；3、方阻极差异常偏大a、若炉口极差异常偏大，可能炉门密封不严所致(r\如密封圈碳化，石英炉门以及炉管错位等)；若正常，则检查尾气管是否堵塞，疏通尾气管；查看炉口均流板是否缺损或所放置位置不佳，更换均流板或调节位置；b、若炉尾极差异常偏大，查看尾气管是否堵塞；查看炉尾均流板是否缺损，若缺损则更换均流板；查看桨是否对中，若未对中则调节桨的对中；查看排风管是否掉落；查看注入管是否水平；查看拉温是否拉好；查看气路的密封性，根据以上问题可请设备做出相应调整。

电池片扩散方阻随着太阳能技术的发展，电池片成为太阳能能量转换的核心。

电池片的性能不仅仅取决于电子和空穴的跨越能力，还需要考虑到电池片的扩散方阻。

本文将重点介绍电池片的扩散方阻。

一、什么是电池片的扩散方阻电池片扩散方阻是指在介质中，由于物质浓度不同而引起的扩散，形成的电阻，是电池片内部电阻的一种形式。

电池片的扩散方阻是影响电池片性能的重要因素。

二、扩散方阻的影响因素1. 导电层的材料导电层的材料影响电池片的扩散方阻。

常见的导电层材料有铝、银、铜、金等。

其中，银常常被用作导电层材料，因为它的电导率高，电切应力小，抗氧化性好，能够降低电池片的扩散方阻。

2. 晶粒尺寸电池片的晶粒尺寸也会影响电池片的扩散方阻。

在晶粒尺寸越小的情况下，扩散方阻也会相应的减小。

因为晶粒尺寸小，电子和空穴的重复进出现象就会更频繁，能够加快电子和空穴的输运速度，从而减小扩散方阻。

3. 入射光辐照度电池片在辐照条件下，扩散方阻也会发生变化。

辐照度越高，扩散方阻就会越小。

因为在光照下，电子和空穴从锁定态跃迁到非锁定态的时间增加，减小了扩散方阻。

三、如何降低电池片的扩散方阻1. 导电层的优化优化导电层的材料和厚度，能够有效地减小电池片的扩散方阻。

银作为导电层的材料，在选用的过程中需注意耐腐蚀性和物理性能。

2. 晶粒尺寸的控制晶粒尺寸的大小对电池片的性能有较大影响。

可以通过优化材料生长过程、控制结晶温度、加入杂质等方法控制晶粒尺寸。

此外，通过合理的退火序列和处理，也能够使晶粒尺寸得到有效控制。

3. 光照条件的优化通过优化光照条件，例如增加入射光强度和光谱匹配度等，能够减少扩散方阻。

同时，厚度和透明电极的设计也能够减少扩散方阻。

四、总结电池片的扩散方阻是影响电池片性能的重要因素。

通过优化导电层材料、控制晶粒尺寸、优化光照条件等方式，能够有效降低电池片的扩散方阻。

扩散异常原因排查
方阻异常处理方法：
如果方块电阻不在规定范围内，轻微超出范围要求重新扩散，严重超出要求重新制绒，方阻偏低或，色斑，偏磷酸等由硅片表面问题引起的玷污需去PSG后从新制绒。

导致方阻异常的可能原因：
气体流量不稳定（大氮，小氮，氧气等），温度偏高或偏低，源瓶内三氯氧磷不足，恒温槽温度偏高，管内压力不稳定，石英管或石英舟饱和不够，炉门没关紧，管口抽风太大或太小。

我们现在是串级控温，所以不需要拉炉管恒温。

检查方法：
确保设备没有问题后再进行工艺调整。

检查内容：确认是否用错工艺，工艺过程是否完整进行后，检查工艺气体流量，温度及其升温过程，管内压力，源剩余量，恒温槽温度。

几种异常表现及工艺调整方法：
1.如果扩散不到，增大N2的携带流量；
2.方块电阻偏高，加大源量，延长扩散时间，通入足够量的小N2和O2，一般偏差几个欧姆通过温度调整。

4.方块电阻偏低，减少扩散温度，减少扩散时间。

5.扩散后单片上电阻不均匀，调整扩散气流量。

注意事项：
平时要保证传递窗的及时关闭，石英舟需要定期清洗，清洗后的石英舟需作饱和工艺，炉门要及时关闭，不允许裸手接触石英舟和硅片，避免炉管和石英舟被污染，保证扩散间的工艺卫生。

以上所述是基于四探针测试方阻没有问题，片源没有出现异常的情况下，也许不完全正确，仅供作为实践时的参考。

扩散工艺常见问题与处理摘要：太阳能晶硅电池主要是以单/多晶硅片为原材料，利用光伏效应将太阳能转化为电能。

在电池片的生产过程中，扩散制PN结是最核心的工序。

扩散工艺对电池的性能有着重要影响。

文章从工厂生产的角度，结合工艺及设备使用情况，浅谈扩散工艺的技术特点。

1扩散在传统电池生产中的工艺步骤原材料硅片来料检验———清洗制绒———扩散制结———干法刻蚀洗磷（或湿法刻蚀）———PECVD镀膜———丝网印刷———烧结———测试分选———电池片成品包装。

2扩散的原理及POCl3制PN结物质分子因浓度梯度而进行分子转移是扩散的基本原理；在工厂的晶硅电池生产中，普遍采用热扩散法：即在P型半导体表面掺杂五价磷元素，形成PN结，具体是指以液态POCl3作为扩散源，在高温有氧条件下（>600℃）充分分解反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，利用磷原子（N型）向硅片（P型）内部扩散的方法，改变硅片表面层的导电类型，形成PN结（同时在硅片表面形成一层磷硅玻璃），达到合适的掺杂浓度；当有适当波长的光照射在该PN结上，由于光伏效应而在势垒区两边形成电势，在开路情况下稳定的电势差形成电流。

POCl3液态源扩散具有生产效率较高，制结均匀平整，扩散层表面良好等优点。

3扩散设备和扩散的具体工艺过程扩散方式有管式和链式之分；目前，国内工厂中普遍采用管式扩散炉（下同）制作电池片的PN结；其主要由控制部分、推舟净化部分、炉体部分、气源部分等组成。

在正常的生产过程中（无需运行饱和工艺），其具体工艺过程为：进舟———低温通氧和大氮———低温通大氮，氧和小氮———高温通大氮，氧和小氮———高温通大氮（恒温）———低温通大氮（冷却）———出舟。

低温通氧即预扩散，可改善方阻的均匀性，减少死层，同时也可以缩短整个工艺时间；扩散过程中对气氛的均匀性要求较高，因此在生产过程中应尽量避免将桨暴露在空气中过长时间；在初次使用或者清洗完成后要运行饱和工艺使扩散环境更加均匀良好。

低压扩散炉工艺异常研究及处理发表时间：2018-12-06T21:01:04.877Z 来源：《电力设备》2018年第21期作者：任杰宋标[导读] 摘要：本文就我司使用捷佳伟创DS-300C四管低压扩散炉展开相关讨论，主要介绍低压扩散炉在生产中异常的研究及解决方法。

（国家电投西安太阳能电力有限公司西宁分公司青海西宁 810000）摘要：本文就我司使用捷佳伟创DS-300C四管低压扩散炉展开相关讨论，主要介绍低压扩散炉在生产中异常的研究及解决方法。

关键词：低压扩散；受控；方阻；压力偏差；流量偏差引言太阳能电池是一种取之不尽用之不竭的可再生清洁能源，所以被认为是当下最有前景的新能源，因此出现了现在各大电池组件生产、制造以及相关主工艺设备制造商百花齐放，百家争鸣的状态，这势必促使光伏行业的飞快发展。

近几年我国光伏行业发展迅猛，各家巨头企业研发和制作的高效电池更是引领着国内光伏市场，为此国内市场对光伏相关设备需求量也相应变大，进口设备价格昂贵而且技术受制于人，目前国内多数企业已经选择信任国产设备，开始批量使用国产设备扩线，扩散工序作为太阳能电池制造的核心工序，设备的使用和选型也至关重要，目前随着电池工艺向大尺寸，薄片化，低表面浓度发展，因此在产量单管产量1000pcs，方阻90-130ohm/sq之间均匀性仍优于常压设备3%的低压扩散设备成为各大公司扩散工序首选设备。

一、方阻不受控（逐渐飙高）出现此类情况排查1.进气管、排气管污染或堵塞1.1进气管污染低压扩散设备由于尾部有真空泵存在一般进行方式为炉口进气，所以较一般常扩散设备相比进气管由尾部伸至炉口部位，进气管相对较长，容易在进气管内残留偏磷酸酸液或者清洗进气管后残留水分、酸液、金属杂质造成进气管污染以至于三氯氧磷通入炉管的过程中受到污染，或被杂质反应导致反应物变少最终导致在外围动力条件不变，工艺参数不变的情况下方阻会不断飙高此种现象不会造成压力或流量偏差报警，从软件或硬件上排查起来比较困难，在确定其他方面无异常的情况下可以拆卸进气管进行清洗，一般偏磷酸液残留建议只是使用纯水清洗，若污染严重怀疑金属杂质则需要配比一定的氢氟酸溶液进行清洗然后纯水清洗，建议2%氢氟酸溶液酸洗1h，纯水鼓泡循环清洗3h1.2尾气管污染或堵塞低压设备一般采用尾部排废，尾气管较短，除长时间未清洗处理积压偏磷酸以外容易造成尾气管堵塞的有以下几种情况 a.总排废管下端积液瓶积液体积超过1/3未清理如上图所示：积液瓶偏磷酸积液超过积液瓶体积的1/3处 1/3刻度b.未增加废气纯水气化过滤系统，或纯水气化过滤系统管路连接异常，正确气路连接如下图：c.真空泵有漏，管内内压力不稳定不管因以上任何情况导致，尾气管堵塞都会导致关内压力波动，造成三氯氧磷压力波动、流量波动，以至于方阻飙高，此类现象严重情况下会造成设备压力偏差或气体流量偏差报警，即使未报警也可以通过工艺运行记录查看压力、气体流量参数来排查，排查起来比较简单出现上述情况应立即清洗尾气管，因尾气管堵塞一般情况为偏磷酸液结晶，故建议只使用纯水进行清洗2-3h，于此同时建议添加了水过滤系统的设备每15天清洗一次尾气管以及管路接头，未添加水过滤系统的每5天清洗一次尾气管以及管路接头 2.PC（压力控制）计被三氯氧磷腐蚀损坏2.1气路中未设计PC计清洗管路、或管路设计存在问题，造成通过PC计的三氯氧磷回流至PC计，将PC计腐蚀损坏，导致源瓶压力异常进而导致气体流量异常，时而会造成小氮流量终止或近似于0，最终导致方阻飙高 2.2工艺中未设置PC计清洗步骤，气路中电磁阀无法正确开关，造成通过PC计的三氯氧磷回流至PC计，将PC计腐蚀损坏，导致源瓶压力异常进而导致气体流量异常，时而会造成小氮流量终止或近似于0，最终导致方阻飙高 2.3源瓶安装时进出气接口未安装好或未紧固好，由于进行工艺时炉管内为负压且对源瓶压力要求较高，由于进出气阀连接不好导致源瓶压力波动，源瓶与炉管内压力不平衡导致三氯氧磷回流至PC计腐蚀损坏PC计正确的带有PC计清洗系统的小氮气路示意图：出现以上任何情况，只要PC计损坏，源瓶以及管内压力就会出现很大波动，导致小氮流量出现波动，严重时会有流量偏差报警，可以通过工艺运行记录参数中压力或流量记录来排查，并可以打开气源柜查看PC计是否有啪啪的响声来确定，如果确定需更换新的PC计，建议使用MKS厂家PC计，尤其出现第一二种情况，PC计被腐蚀损坏有一个过程，非正常使用的情况下大概一周左右，而且不容易报警，工艺方面就表现出方阻不受控制，不管调试气体流量，还是调试工艺温度方阻一直在升高，因为随着PC计损坏进入炉管的气体会越来越少而且波动越来越大，因此PC计的使用是低压扩散设备上最需要注意的一环；二、压力偏差报警1.真空泵异常1.1真空泵密封圈未安装好，导致真空泵有漏，造成压力波动导致设备压力偏差报警，可以通过漏率测试，一般可以设置50mbar腔室压力，查看达到设定值的时间，或达到设定值后每分钟泄压是否超过3mbar1.2真空泵膜片内有杂质，导致真空泵有漏且抽速异常，造成压力波动导致设备压力偏差报警，最终导致工艺异常，排查方法同上 1.3真空泵与炉管或与尾气系统连接的管路内有偏磷酸积液，导致泵抽出气体无法轻易排除造成压力波动，最终导致设备压力偏差报警引起工艺异常，可以直观的从气源柜观察来排查，如果有积液将积液清理后再进行检漏测试 2气路异常2.1源瓶进出气阀门未安装或紧固好，从源瓶内开始泄压，导致炉管与源瓶之间压力不平衡造成设备压力偏差报警，甚至会因回流现象损坏压力控制器，可通过查看工艺运行记录参数或通过手动侧漏来排查，也可以在不确定的情况下佩戴好防护用品检查进出气阀以及进出气管路是否有漏气或链接紧固异常情况2.2尾气中与炉管或与泵之间链接的软管接头处未紧固好漏气，测试检查方法同上 2.3尾气与总排废管道链接的软管中有偏磷酸积液或总排废管道底部积液瓶废液超过总体积的1/3，还有尾气管堵塞会造成设备压力偏差报警引起工艺异常3炉管异常3.1由于目前石英管设计，尾部除进出气、热电偶外还有多余备用的孔需要使用堵头以及石英棉封闭吃力，如果密封性差也会导致漏气，造成设备压力偏差报警3.2石英炉门密封性不好，或长期使用炉门密封圈或炉门变形，导致设备压力偏差报警，可以使用专用卡塞尺测量，也可通过手动检漏上述任何情况都与设备硬件有关，如果排查出异常需及时清理或更换，避免造成设备、工艺或生产更大的成本损失三、流量偏差报警1.前文中提到的PC计损坏以及所有会造成压力偏差报警的都可能导致流量偏差报警，由于压力波动、流量波动本来是相互影响的，因此会因为通讯延迟或优先问题本来是压力异常也优先流量偏差报警，所以大多数流量偏差报警排查方向与压力偏差报警一致2.流量计异常2.1流量计与PLC通讯异常，需要检查流量计与PLC之间通讯线连接情况，若通讯线损坏需更换通讯线 2.2检查通讯模块是否损坏，若是则更换新模块2.3检查流量是否损坏，可以先尝试初始化流量计，初始化完成后进行通气试验，若多次尝试无果，则流量计损坏需更换新流量计1.检查气动阀、手动阀、或电磁阀是否异常是否完全打开，建议配合设备方面人员共同排查2.检查气体、尾气管路是否有漏3.软件中流量偏差设置或流量偏差系数设置是否存在为题上述异常均会造成设备流量偏差报警，甚至连带工艺等待或工艺终止，如果报警需及时处理，以免产生大批量返工浪费成本总结：本文中讨论三大点低压扩散炉最容易出现的影响工艺生产的问题，研究后发现不管是工艺控制，还是设备运行都是相辅相成，而且互相影响深远，总之了解设备运行情况以及运行原理是解决工艺异常问题的最重要途径，所有的工艺异常除参数设置异常之外大多数均为设备硬件问题，而大多数设备硬件问题又都可以从工艺软件或软件中工艺运行记录中排查解决，所以任何工序任何工艺必须清楚了解设备的重要性，文章最后还是提醒各位低压扩散炉设备用户气路、流量计PC计、真空泵为低压设备重要组成部分也是最容易出问题最不容易排查的部分，设计好的气路，好的工艺，勤快保养维护是解决异常的唯一法宝。

关于扩散均匀性的问题各位同行，大家好！小弟初入行，最近在做个项目是关于实现扩散均匀性的。

目前我们试验作出的片子，单片上方块电阻的标准偏差在5左右，同一批片子（共272片，我们选取大概100片左右测量方块电阻，同一位置的标准偏差在5以上）不同位置的片子的方块电阻差别较大，具体情况是在恒温区中部的片子方块电阻一般较小，而且比较均匀，靠近炉口的片子就不太均匀，方块电阻也比较大。

除去每一舟最靠边的片子，靠边的片子仍显不均匀。

小弟觉得这种不均匀性是由于炉口没有完全密封所以产生了冷端效应，方块电阻偏大。

还有由于扩散炉布气系统不可能使舟内每个位置的气氛完全一样，所以产生了这样的不均匀性。

不滞销地的分析是否有理，还望各位前辈不吝赐教，多给我一些具体的措施去改进我们的工艺，小弟不胜感激！！1.1.你期望的方块电阻偏差是多少？10%以内已经可以了，这个参数很大程度上由设备本身决定，应该是Tempress>Centroterm>国内设备达到的均匀性，最好的设备在增加压力控制装置下125片可达到2以内。

2.272片是不是还是开管不是闭管，闭管一般是400片一炉。

开管在炉口由于抽风问题造成不均匀是很正常的。

炉口与炉中方块电阻的情况不同主要是由于气体流量的大小决定恒温区气流在湍流和层流之间的变换，如果做论文是一定得找流体力学方面的文章了。

3.解决方法很无奈也很简单，扩大大N2和O2流量，你不怕浪费就往极限加-_-||,进出炉稳定时间加长，进出炉推舟时间加长。

2. 回复#2 schweitzer 的帖子呵呵，在这里也碰到了类似的情况，很有参考价值。

谢了先。

另外还有一个问题请教：硅片在出炉后发现有的硅片上偏磷酸滴落的情况，严重时硅片被腐蚀厉害，只得报废，投片量大时，慢慢就会没有了。

像这种情况有什么办法可以根除？3. 回复#6 schweitzer 的帖子QUOTE:原帖由xinwcai 于2006-12-27 23:01 发表呵呵，在这里也碰到了类似的情况，很有参考价值。

CSS-Walter(41464538) 16:57:37
最近在看资料时有几个地方不理解，寻求大伙的帮助：
CSS-Walter(41464538) 16:57:46
为什么扩散后的方阻随着电阻率的增加而增加呢？
CSS-Walter(41464538) 16:58:11
理论上来讲，高阻片掺杂少，同样的扩散条件进入硅片体内的杂质量应该相同，反型所消耗的杂质也少，方阻应该偏低才是；
CSS-Walter(41464538) 16:58:37
第二个问题：
CSS-Walter(41464538) 16:58:54
为什么高阻片的效率会比低阻片效率低？而且随着方阻的增加，效率差异在减小呢？
高阻片和低阻片的效率差异主要体现在哪些参数上？
CSS-Walter(41464538) 16:59:31
大伙方便的时候帮忙解答一下，不甚感激！
电池工艺(275279668) 17:12:58
第一个问题我也有想过。

会不会是高掺杂的较容易扩散？南空-IPV-gary(61654358) 17:20:47
赵雷有篇文章讲这个
发在2009年的solar energy杂志上
电池工艺(275279668) 17:22:31
去哪里下载呀？
南空-IPV-gary(61654358) 17:23:23
有点启发性质
Elsevier数据库下载啊
南空-IPV-gary(61654358) 17:23:38
电池工艺(275279668) 17:24:09
网站？。