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模拟电子技术基础第三章例题习题

模拟电子技术基础第三章例题习题

rbe
若旁路电容同时使 Re/ ＝0、 Re ＝0，则电压放大倍数为
& = A u
Uo Ui
. .
=−
′ β ⋅ RL
rbe
=−
50 × (6 // 6) × 103 1.85 × 103
≈ −81
由此可见 Re 的存在使放大倍数下降很多。 放大电路的输入电阻为 Ri = Rb1 // Rb 2 //[ rbe + (1 + β ) Re ] = 60 // 20 //[1.85 + (1 + 50) × 0.3] ≈ 8 kΩ 若无 Re，放大电路的输入电阻 Ri = Rb1 // Rb 2 // rbe = 1.65 kΩ，故 Re 的存在提 高了放大电路的输入电阻。放大电路的输出电阻为
& & & 0.66 × 103 & = U o = Uo ⋅ Ui = A & ⋅ Ri = −120 × A ≈ −111.5 us u • 3 & • U Rs + Ri ( 0 . 05 + 0 . 66 ) × 10 i Us Us
若 Rs＝500 Ω，RL＝8.2 kΩ，则该放大器源电压增益为
IC =
U CC U CE 12 U CE − = − 3 3 Rc Rc
iC / mA
4 3 2 1 0
2 4 6 8
100 75
当 UCE＝0 时，IC＝4mA；当 IC＝0 时，UCE＝12V，在如例 3-1 图所示的输 出特性上作出这条直线。 再由直流通路得 U − U BE 12 − 0.7 I B = CC = ≈ 51μA Rb 220 × 103 故直流负载线与 IB＝51μA 相对应的输出特性 的交点即为静态工作点 Q，由图得 IC＝2mA， UCE＝6V。 （2） 当 UCE＝3V 时， 则由直流通路可得集电极 电流为 U − U CE 12 − 3 = I C = CC = 3 mA Rc 3 × 103 U CC − U BE I C 3 I = = = = 75 μA 于是，基极电流为 B Rb β 40 U − U BE 12 − 0.7 Rb = CC = = 150.1 kΩ 故 IB 75 × 10 − 6 可采用 150 kΩ 标称电阻。 （3）若使 IC＝1.5mA，则

模拟电路典型例题讲解

模拟电路典型例题讲解
86
态范围，所以，不会出现非线性失真。 （5）输入信号的两个频率分量为 f1=1kHz，f2=10MHz，fL＜f1＜fH ，f2＞fH，所以，放
大后会出现高频频率失真。又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性 动态范围，所以，不会出现非线性失真。
【3-7】分相器电路如题图 3.5 所示。该电路的特点是 RC=RE，在集电极和发射极可输 出一对等值反相的信号。现如今有一容性负载 CL，若将 CL 分别接到集电极和发射极， 则由 CL 引入的上限频率各为多少？不考虑晶体管内部电容的影响。
相应的上限频率为
ωH
fH =
=
106
≈159.2kHz
2π 2×3.14
由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A(0)·fH│≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？ 【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图 3.2（a）所示，试写出 β的频率特性表达式，分别指出该管的 ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近 波特图。
1
1
C2≈
=
≈2.12μF
2π(RC+RL) fL 2 2×3.14×(3+10)×103×5.77
1
C3≈ 2π RE∥
Rs+rbe 1+β
1
fL 3
= 2×3.14× 2∥1+2.6 1+100
≈766μF ×5.77
取 C1=10μF，C2=10μF，C3=1000μF。 【3-10】在题图 3.7 中，若下列参数变化，对放大器性能有何影响（指 ICQ、Avm、Ri、
真问题。但由于输入信号幅度较大（0.1V），经 100 倍的放大后峰峰值为 0.1×2× 100=20V，已大大超出输出不失真的动态范围为 Vopp=10V，故输出信号将产生严重的 非线性失真（波形出现限幅状态）。 （2）输入信号为一单一频率正弦波，f=1MHz，由于 fL＜f＜fH，所以，不存在频率失 真问题。又由于输入信号幅度较小（0.01V），经 100 倍的放大后峰峰值为 0.01×2× 100=2V＜Vopp（10V），所以，也不会出现非线性失真。 （3）输入信号的两个频率分量为 f1=400Hz，f2=1MHz，均处在放大器的中频区，所以， 不存在频率失真问题。又由于输入信号幅度较小（0.01V），所以，也不会出现非线性 失真。 （4）输入信号的两个频率分量为 f1=10Hz，f2=50kHz，f1＜fL，fL＜f2＜fH，所以，放大 后会出现低频频率失真。又由于输入信号幅度较小（0.01V），叠加后也未超出线性动

模拟电子线路 课件第三章第5-8节——共C和共B电路、多级放大器

模拟电子线路 课件第三章第5-8节——共C和共B电路、多级放大器

模拟电子线路 课件第三章第5-8节——共C 和共B 电路、多级放大器主 题：课件第三章第5-8节——共C 和共B 电路、多级放大器 学习时间：2016年4月18日－4月24日内 容：我们这周主要学习课件第三章半导体三极管及放大电路基础第5-8节共C 和共B 电路、多级放大器的相关内容。

请同学带着以下问题学习：如何分析共C 组态放大电路及多级放大器？一、学习要求掌握共C 组态放大电路的静、动态分析方法；能用小信号等效电路法求指标；掌握多级放大器的静、动态分析和电压放大倍数的计算。

重点：共C 组态放大电路的分析方法；多级放大器的参数计算方法 难点：多级放大器的静、动态分析二、主要内容1．共C 和共B 电路（1）共集电极放大电路（射极输出器）输入信号加在基极和集电极之间，输出信号由发射极和集电极之间取出，集电极是输入、输出回路的共同端。

共集电极电路又称为射极输出器、电压跟随器。

①静态工作点分析CC BEB b e =(1)V U I R R β++－C B I I β=CE CC e E =U V R I －+-u o +-R S u②动态分析电压放大倍数 'o L u 'i e L (1+)==1(1+)b U R A U r R ββ≈+其中，'L e L R R R =∥输入电阻 'i b be L [(1+)]r =R r R β+∥ 输出电阻 s b beo e 1+R R r r R β+=∥∥共集电极放大电路的特点：● 电压增益小于而接近于1，输出电压与输入电压同相； ● 输入阻抗高，输出阻抗小。

射极输出器的应用：● 放在多级放大器的输入端，提高整个放大器的输入电阻。

● 放在多级放大器的输出端，减小整个放大器的输出电阻。

● 放在两级之间，起缓冲作用。

2.共基极电路输入信号加在发射极和基极之间，输出信号由集电极和基极之间取出，基极是输入、输出回路的共同端。

模拟电路课件PPT-第6章作业解答

模拟电路课件PPT-第6章作业解答

第六章，习题6-1并习题6-4（P268）
Vcc
解：（3）满足深度负反馈，计算电压放大倍数： Rb Rc1
在深度负反馈条件下：
Re2
Ce
Rc3
VT2
C2
Ub1 Ue1
-虚短
Ib1 0, Ie1 0 -虚断
Ie1 0
I1 IF
Ub1 Ui Ue1
C1 + Ui -
UiVT1 Ie1 RF Ui
Rb
+ C1
+ Ui -
Re2
Ce
Rc1
Rc3
- VT2
C2
VT1
+ VT3
+
RF
+
Re1 Rc2
+
Uo
Re3
-
因此反馈信号的极性也为+。
反馈信号：射极
c.反馈信号和输入信号异点(三极管不同极)相遇，极性相同，因此为负反馈。
正/负反馈判断三方极法管：各端口信号极性判断(NPN
（2）反馈组态判断：
反馈信号和输和入P信NP号一在样同):点相遇时，两者极性
R5
解：
（a）
反馈类型判断
一、反馈极性判断
R1
1、找反馈支路
+
R2
2、设输入+，反馈为：- ui
3、同点相遇，极性相反：负反馈
+ A1
-
R3
-
- R4 - +A2
R6
-
uo
二、反馈组态判断
1、同点相遇：并联反馈 2、Uo短接：
反馈消失，
电压反馈
反馈类型为电压并联负反馈
第六章，习题6-2并习题6-5（P268）

模拟电路简明教程7-8章习题答案 ppt

模拟电路简明教程7-8章习题答案 ppt
uI/V
15 6.8 0 -4.8
t
-15
解：滞回比较器
RF R2 uT U REF uZ 6.8V R2 +RF R2 +RF
uo/V
7
0 -7
t
RF R2 uT U REF uZ 4.8V R2 +RF R2 +RF
RF R2 U REF U Z 7.3V 解：U T+ R2 RF R2 RF RF R2 U T- U REF U Z 3.3V R2 RF R2 RF
D U T U T+ U T 4V
uo/V
6
0
-6
3.3
7.3
uI/V
传输特性
8-10 图示的正向输入端滞回比较器电路，试估算其两 个门限电平UT+和UT-以及门限宽度DUT的值，并
（b） R R 1 4 0.8
4 4 4 uo uI1 + uI2 uI3 1 4 1 4uI1 uI2 4uI3
7-16 在图中，设A1、A2、A3、A4均为理想运放； ① A1、A2、A3、A4各组成何种基本运算电路？
② 分别列出uo1、uo2、uo3和uo4与输入电压uI1、uI2、
0 -7
t
②稳压管的稳压值UZ=±7V ，且参考电压UREF=6V，
R1=R2=10k；
uI/V
15 0 -6 –15
t
uo/V
解：单限比较器
R1 UT U REF 6V R2
7
0 –7
t
③稳压管的稳压值UZ=±7V ，且参考电压UREF=6V，
R1=8.2k，R2=50k， RF=10k 。

模拟电路第二章习题

模拟电路第二章习题

h
12
解题分析：共什么极是指哪个极为输入回路和输出回路的公共端。（交流通 路）
（a）共射（b）共基 即求解电路的静态和动态参数
本题静态参数求解错误多！
h
13
2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的 输出特性，静态时 UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求 出 RL ＝∞和 RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失 真输出电压 （UOM有效值）。
h
14
对于放大电路与负载直接耦合的情况下，直流负载线与交流负载线是同 一条直线；而对于阻容耦合放大电路情况，只有在空载情况下，两条直 线才合二而一。
（一般取饱和管压降为0.7V）（最大不失真输出电压的求法参考课本92页） 本题为直接耦合共射放大电路
h
15
h
16
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β ＝80，rbe＝1kΩ，ui＝20mV；静态时 UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。 判断下列结论是否正确，凡对的在括号内 打“ √ ”，否则打“×”。
h
19
解题分析：本题考查晶体管在饱和截止等状态下集电极电位的算法。 题图的直流通路如下所示：
Rb2
VCC Rc
Rb1
Ti tl e
Si ze
Numbe r
h
B
20
Dat e:
28-Apr-2010
Rb2
VCC Rc
Rb1
解题过程：（1）
4
（2） （3）
Ti tl e
Si ze
Numbe r
h
27
析：参考习题2.4 3.28V和2.12V
h
28
2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100， Rbb’=100Ω。

电路及模拟电路习题

电路及模拟电路习题

E1-1：电路如E1-1所示,已知R=3Ω。

在下列两种情况下,求流过电阻R的电流I和R两端的电压UAB,并说明其实际方向：〔1=6V,=9V；〔2=6V,=9V。

E1-3：求题图E1-3所示电路中的。

E1-18：在题图E1-18所示电路中〔点画线圆内的元件是晶体管,已知：=3K Ω,=1.5KΩ,=40μA,=1.6mA,求,和C点的电位。

E1-19：题图E1-19所示电路中,已知I=2A,=6V,求电阻R的值。

E1-20：电路如题图E1-20所示,已知：=2A,=4A,=8V,=5V,=6V, =2Ω,=4Ω,=6Ω,=8Ω,=10Ω,求各电源的输出功率。

第二章E2-1：如题图E2-1所示电路,求：电流I与电压U。

E2-3:如题图E2-3所示电路,已知：=400Ω,=600Ω,=60Ω,=40A,=36A.求：=？,=？E2-5：如题图E2-5所示电路,已知：=2A,=4A,=2Ω,=4Ω,=6Ω,=8Ω,=10Ω,求：各电源的输出功率。

E2-7：电路如题图E2-7所示,求流过6Ω电阻的电流。

E2-9：电路如题图E2-9所示,求b点电位。

E2-11：已知电路如题图E2-11〔a、〔b所示,从图〔a得知=10V,从图〔b得知a,b两点之间的短路电流=22mA,求有源二端网络N的戴维宁等效电路。

E2-13：电路组成及参数如题图E2-13所示,如D点接地,求：A,B,C三点的电位。

E2-15：电路如题图E2-15所示,已知===10V,=2Ω,===1Ω,I=10A,求：E=？E2-17：电路如题图E2-17所示,S断开时,电压表读数为18V；S闭合时电流表读数为1.8A。

求：戴维宁等效电路；并求闭合时电压表的读数。

E2-19：如题图E2-19所示电路,已知=2.8A,===5A,=12V,=20V.求：=？E2-21：如题图E2-21所示电路,求各支路电流。

E2-23：如题图E2-23所示电路,用结点电压法求结点a,b之间的电压Uab。

模拟电路习题

模拟电路习题

第一章半导体器件基础⒈讨论题与思考题⑴ PN结的伏安特性有何特点？⑵二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别?用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种?为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？⑶硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同?⑷在结构上，三极管是由两个背靠背的PN结组成的,那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别?⑸三极管是由两个背靠背的PN结组成的,由很薄的基区联系在一起。

那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用?⑹场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点?⒉作业题题1．1在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为317dcm10=N,分别求出在２５０Ｋ、３00K、350K时电子和空穴的浓度。

题１.2若硅PN结的317acm10=N，316dcm10=N，求T=３0０K时PＮ结的内建电位差。

题1．3流过硅二极管的电流I D=1mA时，二极管两端压降U D=0．７V,求电流I D=０.1mA和１０ｍA时，二极管两端压降U D分别为多少?题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的,tUuωsinmi⋅=：①画出该电路的传输特性;②画出输出电压波形。

题图1．4题1.5题图1．5中二极管是理想的,分别求出题图１.5(ａ)、(b)中电压Ｕ和电流I的值。

（a) (ｂ）题图1.5题1.6 在图题1.６所示电路中，取5-Ｖ<U I<5V。

①二极管是理想的,导通电压UＤ（on)＝0.6V，画出传输特性曲线（U I~ U O);②若二极管的导通电压U D(on）=0.6V,导通电阻ＲＤ=10０Ω, 画出其传输特性曲线。

题图1.6题1.7一PNＰ型晶体三极管，其I CBO＝10μA。

工作在放大区且ＩＥ=3mA时,I C＝2.98mA。

若连接成共发射极组态,调整发射结电压,使三极管I B=３0μＡ，则此时的IＣ为多大？题1．８在图题1.8所示电路中,已知β=100,U I =5V,V CＣ=10V，R C=4．66kΩ,U BＥ(oｎ)＝0.7V，试求晶体三极管进入饱和区所需R B的最大值。

模拟电路例题及习题.ppt

模拟电路例题及习题.ppt
解：1、如果调幅收音机的工作波段与调频广播波段相同， 用调幅收音机接收调频广播是可能的。这时只要将接收机 的本振频率调高（或调低）一些，使中频落到中频放大器 谐振曲线的倾斜部分，这样，中频放大器和其后的包络检 波器一起起着鉴频作用。
2、由已知条件知：fc=1000KHz，fI=455KHz，带宽9KHz， 所以实际信号频率fL=fc+ fI =1000+455=1455KHz，接收效果 较好的频点为452KHz或458KHz。要想使接收效果更好一些， 收音机电路应调整未变频之前的高频放大器的选频特性，使 其中心频率为1003KHz或997KHz。
答：回路电感为0.317mH,有载品质因数为1.546
例2-1：用电容部分接入方式设计一个窄带阻抗变换网络，仅 使用LC并联谐振电容部分接入形式电路即可。工作 频换率后1输G入Hz阻，抗带为宽R5in0=M5H0Ωz，。负载阻抗RL=30Ω。要求变
C1
C1
L
L
Rin
C2 RL
Rin
C2 R’L
（a）电阻部分接入
2-3 图示为一电容抽头的并联振荡回路。谐振频率f0=1MHz， C1=400 pf，C2=100 pF 求回路电感L。若 Q0=100， RL=2kΩ，求回路有载 QL值。
解2-3
C C1C2 40000 80 pF , C1 C2 500 1
L (2 f0 )2 C
1
(2 106 )2 80 1012 0.317mH
工作区(线性区)
L
C
Rp
工作区(线性区)
U
U
i
i
fL- fc= fI
0
10fc00
f 0
1000
f

模拟电子技术例题习题

模拟电子技术例题习题
第7页
模拟电子技术B 1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝ 6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流 IZmax＝25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输 出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象? 为什么？
例题习题
（1）当UI＝15V时，若UO＝UZ＝6V，则 IR=(15-6)V/1K =9mA IDZ=-3mA<IZmin，所以稳压管未击穿。故 当UI＝35V时，若UO＝UZ＝6V，则 RL 500 UIO U I =29mA 15V 5V R=(35-6)V/1K R RL 1000 500 IDZ=17mA， IZMAX>IDZ>IZMIN，所以UO＝UZ＝6V （2）当UI＝35V时，若空载，则有 IDZ= IR=(35-6)V/1K =29mA，IDZ>IZMAX 稳压管将因功耗过大而损坏。
第8页
模拟电子技术B
例题习题
1.8 现测得放大电路中这两只 管子两个电极的电流如图P1.8 所示。分别求另一电极的电流， 标出其实际方向，并在圆圈中 画出管子，且分别求它们的电 流放大系数β。 【解】 （a） I C 1mA 100 I B 10 A （b）
IC 5mA 50 I B 100 A
I BQ
VBB U BEQ Rb
3V 0.7V 460 A 5 K
ICQ=βIBQ=50460μA=23mA。
uo=VCC-ICQRC<UBE
所以T处于饱和状态
第11页
模拟电子技术B
例题习题
第2章 基本放大电路
1. 静态工作点 (Quiescent Point) 放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。 静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ

模拟电路简明教程3-5章习题答案ppt

模拟电路简明教程3-5章习题答案ppt
C1 R1
uI R2 +VCC T1 uo T2 RL -VCC
D1
D2 R3
VCC U CES 6 1 2 U 1.563W 解：① Pom 2 RL 2 RL 2 8
2 om 2
2VCC I cm 2VCC (VCC U CES ) 2.387W ② PV π πRL Pom 1.563 65.5% PV 2.387
Rb
rbe C
+
Rc
gmU be
e
uo
-
Ri Rb //(rbb rbe ) 1.4k
Ri Aums Aum 40, Ri Rs
32dB 20lg A usm
R rbe //[rbb ( Rs //Rb )] rbe // rbb Rs 0.6k
OCL的实际效率比OTL的实际效率高。
若忽略UCES，OCL的功率大约为OTL的四倍，效
率基本相同。
4-7 分析图中的OCL电路原理，试回答： ①静态时，负载RL中的电流应
为多少？如果不符合要求，
应调整哪个电阻？
+
C1 R1 R2 D1
+VCC1 T1
②若输出电压波形出现交越失
真，应调整哪个电阻？ 如何 调整？ ③若二极管VD1或VD2的极性 接反，将会产生什么后果？
4-3 已知VCC = 6V，RL = 8Ω，设三极管的UCES = 1V。
①估算最大输出功率Pom； ②估算直流电源消耗的功率PV和效率η。 将本题结果与习题4-1进行比较。
C1 R1 +VCC
+
uI
T1 C2 +
T2 RL uo -

模电习题答案 ppt课件

模电习题答案 ppt课件

D.电流并联负反馈
电流并联负反馈
电压串联负反馈
模电习题答案
【10】电路如下图所示，分析引入的交流反馈类型。（
）。
A.电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D.电流并联负反馈
模电习题答案
二、二极管伏安特性（单向导电性）及电路分析（7%）
【4】若使二极管导通必须在N型半导体外加 负 极性电压，在P型半导体 外加 正 极性电压。 【5】二极管的主要特性是___单向导电性___。 【6】二极管的反向电阻 很大 ，二极管具有 单向导电性_性 【7】当环境温度升高时，若保持正向电流不变，则二极管的正向电压将 ___变小__（变大、变小）。 【8】稳压（齐纳）二极管的稳压作用是利用二极管的____反向击穿特性 ____特性。 【9】在下图电路中，理想二极管D处于___导通__状态， AB两端电压 为 -3__V。
B．输入阻抗低，输出阻抗高
C．具有电流放大能力和功率放大能力
D．电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好
【4】下列关于共射级放大电路的说法，正确的是（ ）。
A．输出和输入同相
B．输出和输入反相
C．放大倍数约为1
D． 输出和输入正交
【5】下列关于射级输出器的说法，不正确的是（ ）。
A．放大倍数小于但接近于1
【2】晶体三极管是( A )型器件,场效应管是(C ) 型器件.
A、电流控制电流
B、电流控制电压
C、电压控制电流
D、电压控制电压
【1】多级放大电路中，前级的输出电阻可看成是后级的_信号源内阻_，
后级的输入电阻可看成是前级的_负载__。
【1】功率放大电路的转换效率是指（ ）。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比

模拟电路 1-2章习题讲解

模拟电路 1-2章习题讲解

直流信号所通过的路径。
对直流信号，电感是短路的，而电容是开路的。
交流通路AC
交流信号所通过的路径 。
对交流信号，电感是开路的，而电容和直流电源（忽略电源内阻 的情况下）是短路的。
习题讲解
例1、
直 流 通 路 不 正 确 交流 通路 不正 确， 造成 输出 端交 流短 路。
Ui
Uo
直 流 通 路 不 正 确
习题讲解
三极管及其基本放大电路
1、三极管工作在不同状态时的判定条件：
线性放大区：发射结正偏并正向偏置电压大于0.7V（硅管）、 集电结反偏；
饱和区：发射结正偏、集电结正偏，或C、E间压降≤0.3V； 截止区：发射结反偏或正向偏置电压小于0.7V。
习题讲解
例1、β=100，饱和压降为0.3V，判断其工作状态。
1 50 50mV
习题讲解
3-1 电流源电路
三极管电流源电路示例
=50，rbe=700， rce3=20k
12kW 1kW +
12V
ic1
T1
+ - vo
ic2
T2
12kW 1kW +
电流源交流等效电阻为： b ib
rbe
c e
Re3
ic3
ib
rce3
v i1
-
ic3
2kW T3 5kW 9V D 0.6V
习题讲解
2）共模输出增益为：
RC
RB rbe (1 )( RP 2 2 RE )
AUC
双端输出： U oc双 端 AUC (U ic1 U ic 2 ) 0 单端输出： U oc单 端 AUCU ic1

模拟电子技术例题习题ppt课件

模拟电子技术例题习题ppt课件
IBQ V BB R U bBE Q 1 V 5 K 0 .7 V60 A
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。 【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪 个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静 态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路 （ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ
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（b）高Q情况 图1
分析：阻抗变换网络如图1（a）所示。注意，本题
有两个Q，一是回路L、C1、C2的回路Q，它是由 回路的等效负载决定，也可以由要求的带宽计算出；
二是并联支路C2、RL的支路Q，它决定了计算阻抗 变换网络是用高Q法还是低Q法
该窄带阻抗变换网络的回路Q值应为
Q=
f0 BW
109 50 106
2-3 图示为一电容抽头的并联振荡回路。谐振频率f0=1MHz， C1=400 pf，C2=100 pF 求回路电感L。若 Q0=100， RL=2kΩ，求回路有载 QL值。
解2-3
C C1C2 40000 80 pF , C1 C2 500 1
L (2 f0 )2 C
1
(2 106 )2 80 1012 0.317mH
(2)当t 时
晶体管临界导通 ic
=
0, 且有U b
cos
Eb
0.5,cos
0.5 2.5
,
因此
arccos
0.5 2.5
78o。uce
Ec 2.5
19.8V,
位于B点。
(3)当t 0时 uce Ec UC 3V, ic = icmax gm (2.5 cos 0 0.5）=2.0gm 2.0A 位于A点。
或者直接由107-20=87dB
3-11 设一理想化的晶体管静特性如图所示，已知 Ec=24 V，Uc=21V，基极偏压为零偏，Ub=2.5V， 试作出它的动特性曲线。此功放工作在什么状 态？并计算此功放的θ、P1、P0、η及负载阻抗 的大小。画出满足要求的基极回路。
Ub=2.5V
题3-11图
解3-11 1、求动态负载线
连接A、B、C三点，就是它的动态特性曲线。
ic / A
A
2
ube 3 . 0 V 2.5
2.0
1
1.5
B
1
C
0
3 9 15 21 27 33 39 45
uce /V
2、求解θ、P1、P0、η及负载阻抗的大小。
arccos 0.5 78o 2.5
RL
UC IC1
21 1(78o ) icmax
P解 Pin
10 lg
1103 2 1014
10lg 5 100
107dB
设中频输入功率为P中，已知射频增益为20dB，则有
10 lg
P中 Pin
10 lg
P中 2 1014
20dB，解得P中
2 1012 W
中频的功率增益为
10 lg
P解 P中
10lg
1103 2 1012
10lg 5 80 87dB
答：回路电感为0.317mH,有载品质因数为1.546
例2-1：用电容部分接入方式设计一个窄带阻抗变换网络，仅 使用LC并联谐振电容部分接入形式电路即可。工作 频换率后1输G入Hz阻，抗带为宽R5in0=M5H0Ωz，。负载阻抗RL=30Ω。要求变
C1
C1
L
L
Rin
C2 RL
Rin
C2 R’L
（a）电阻部分接入
根据给定静态特性，
得到晶体管的Eb 0.5v,
gm
diC dube
1S,并得到如下方程组
uce
ic
Ec gm
Uc cos t (Ub cos t
Eb
Eb
)
代入数值后得
ic
uce 24 21cos t gm (2.5cos t 0.5）
可以解出：
(1)当t 时
晶体管截止，因此 ic = 0, 但uce Ec UC 24 21 45V， 位于C点
C
C1 gC2 C1 +C2
1
0XC
1
2 109 2.5
63.（7 pF）
因此匹配网络电容为
C2=82.3pF，C1=281.7pF
例二：设接收机输入端与50Ω天线匹配，接收机
的灵敏度为1.0μV，解调器要求输入功率为
0dBm，求接收机在解调器之前的净增益。设射 频部分的增益为20dB，求中频增益。
21 2.0 0.466
22.5
P1
I U C1 C1 2
21 2.0 0.466 2
9.79W
P0 IC0EC 0 (78o ) icmax EC 0.279 2.0 24 13.3W
PC P0 P1 13.3 9.79 3.51W
P1 9.79 0.736 P0 13.3
解：
当RL=30Ω时，因为RL和C2并联支路满足高Q条件， 图1（a）所示的阻抗变换电路可等效为如图1（b） 所示电路，该电路的接入系数为
PC
C1 C1 C2
，且有Rin
R'L
RL PC2
，则
PC
C1 C1 C2
RL 0.774 R in
回路总电容为
C
C1 gC2 C1 +C2
，由XC
2.5可得
20
根据并联谐振回路Q的定义可得
Q Rin XL
X L 2.5
X L 0L L 0.398nH
回路必须在工作频率ω0附近处谐振，才能使输入 阻抗Rin为纯电阻，因此，电容支路的容抗必定与 电感支路的感抗相等，即有
XC X L 2.5
电容支路由电容C1和电容C2串联，必有XC1<XC， XC2<XC。因此当RL=30Ω时，必定满足RL>>XC2， 即并联支路R2 、C2为高Q，满足高Q的条件。阻抗 变换网络参数分别计算如下。
题2-3图
负载R
L
接入系数为p=
C1 C1 C2
400 500
0.8
折合到回路两端的负载电阻为RL
RL p2
2 0.64
3.125k
回路固有谐振阻抗为R0
Q0
2 f0C
100 6.28 106 80 1012
199k
有载品质因数QL
1
Q0 R0
1
100 199
1.546
RL
3.125
射频
中频
接收机
解：接收机接收到的功率Pin为：
Pin
u2 R
（1.0106）2 50
2 1014 W
灵敏度：在给定接收机的解调器前端所要求的最低信 噪比条件下，接收机所能检测的最低输入电平（功率）
解调器要求输入功率为1dBm，即要求功率P解大小 为1mW。则接收机在解调器之前的净增益为：
10 lg
3、符合要求的基极回路为
ub Ub cost
3-17 试画出一高频功率放大器的实际线路。要求(1)采用NPN型 晶体管，发射极直接接地；(2)集电极用并联馈电，与振 荡回路抽头连接；(3)基极用串联馈电，自偏压，与前级 互感耦合。
解3-17 根据要求画出的高频功率放大器电路如下
例6-1：写出下列图形所示波形对应的信号余弦表 达式并画出其频谱结构图（若载波为uc=Uccosωct， 调制信号为uΩ=UΩcosΩt，调制度为m）