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通信电子电路基础第一章半导体器件§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。
（导电能力即电导率）（如：硅Si 锗Ge等＋4价元素以及化合物）二、半导体的导电特性本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。
硅和锗的共价键结构。
（略）1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化•掺杂──管子•温度──热敏元件•光照──光敏元件等2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴•自由电子──受束缚的电子（－）•空穴──电子跳走以后留下的坑（＋）三、杂质半导体──N型、P型（前讲）掺杂可以显著地改变半导体的导电特性，从而制造出杂质半导体。
•N型半导体（自由电子多）掺杂为＋5价元素。
如：磷；砷P──＋5价使自由电子大大增加原理：Si──＋4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。
载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。
o空穴──少子o自由电子──多子•P型半导体（空穴多）掺杂为＋3价元素。
如：硼；铝使空穴大大增加原理：Si──＋4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。
B──＋3价载流子组成：o本征激发的空穴和自由电子──数量少。
o掺杂后由B提供的空穴──数量多。
o空穴──多子o自由电子──少子结论：N型半导体中的多数载流子为自由电子；P型半导体中的多数载流子为空穴。
§1-2 PN结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时，交界面两侧的那部分区域。
2、PN结的结构分界面上的情况：P区：空穴多N区：自由电子多扩散运动：多的往少的那去，并被复合掉。
留下了正、负离子。
（正、负离子不能移动）留下了一个正、负离子区──耗尽区。
由正、负离子区形成了一个内建电场（即势垒高度）。
方向：N--> P大小：与材料和温度有关。
（很小，约零点几伏）漂移运动：由于内建电场的吸引，个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。
20步全面了解基础电子电路知识，快速入门电子电路的干货任何有兴趣学习基本电子学的人都应该能够阅读原理图并使用标准的电子组件构建电路。
步骤1：电力有两种类型的电信号，即交流电（AC）和直流电（DC）。
在交流电的作用下，电流在整个电路中的流动方向不断变化。
您甚至可以说这是交替的方向。
反转速率以赫兹为单位，即每秒的反转次数。
因此，当他们说美国电源为60 Hz时，它们的意思是每秒反转120次（每个周期两次）。
使用直流电时，电流在电源和地面之间沿一个方向流动。
在这种布置中，总有一个正电压源和一个接地（0V）电压源。
您可以通过用万用表读取电池来进行测试。
有关如何执行此操作的详细说明，请查看Ladyada的万用表页面（您将特别要测量电压）。
说到电压，通常将电定义为具有电压和额定电流。
电压的单位显然是伏特，电流的单位是安培。
例如，全新的9V电池的电压为9V，电流约为500mA（500毫安）。
电也可以根据电阻和瓦特来定义。
在下一步中，我们将稍微讨论阻力，但是我不会深入探讨瓦特。
当您深入研究电子产品时，会遇到具有瓦特额定值的组件。
切勿超过组件的额定功率，这一点很重要，但是幸运的是，可以通过将电源的电压和电流相乘轻松地计算出直流电源的功率。
如果您想更好地了解这些不同的度量，它们的含义以及它们之间的关系，请观看有关欧姆定律的视频。
大多数基本电子电路都使用直流电。
因此，所有有关电的进一步讨论都将围绕直流电展开。
步骤2：电路电路是电流可以流经的完整闭合路径。
换句话说，闭合电路将允许电流在电源和地面之间流动。
开路会中断电源与地面之间的电流。
属于此封闭系统且允许电流在电源与地面之间流动的任何事物均被视为电路的一部分。
步骤3：抵抗要记住的下一个非常重要的考虑因素是必须在电路中使用电。
例如，在上面的电路中，电流流经的电动机为电流增加了阻力。
因此，所有通过电路的电都被投入使用。
换句话说，需要在正极和地面之间连接一些东西，以增加电流的阻力并用尽它。
