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2.单晶硅拉制工艺
三.主要流程介绍
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三.主要流程介绍 (1) 拉制方法及拉制过程:直拉单晶(CZ)和区熔(FZ)
直拉单晶拉制过程图
装炉
化料
引晶
放肩 冷却
等径 收尾
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直拉单晶炉
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三.主要流程介绍
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三.主要流程介绍
(2)氩气使用情况:整个热场系统,包括两大部分,加热器发热, 其它部分主耍是保温、导流,形成一定的温度梯度,使座落在石墨托 里的石英坩埚中的熔料能按要求的晶向结晶生长。
• 此工艺消耗的氮气主要是用于抽真空后工作腔内压 力平衡和真空泵的氮气保护,氮气消耗量约8m3/h
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三.主要流程介绍
• 甩干机氮气耗量: • 在清洗制绒和去磷硅玻璃之后都需要使用甩干机,
氮气主要用于甩干的过程中将硅片吹干,此过程氮气 的消耗量约100m3/h
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三.主要流程介绍
• 镀减反射膜:抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面 反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射 膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。
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三.主要流程介绍
• 扩散工艺:太阳能电池需要一个大面积的PN结以 实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳 能电池PN结的专用设备。在进舟、升温、稳定、 通源、恒温、冷却、出舟过程中氮气消耗量约 28m3/h(100MW)
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三.主要流程介绍
• 去磷硅玻璃:该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中, 通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使 其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除 扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。
• 工艺优点:压力比较缓和,对设备要求低,安全性好,且氢气和四氯化硅比值较小, 因此还原炉内四氯化硅浓度较高,保证了还原反应的速率以及充分性,且降低了 后期分离的难度.