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《电子技术》练习题一、填空题1、不论是N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。
2、根据PN结的组合方式，可形成PNP型和 NPN型三极管。
3、二极管的两端加正向电压时，有一段“死区压降”，锗管约为 0.1V ，硅管约为 0.5V 。
4、二极管的主要特性是单向导电性，PN结正向偏置时处于导通状态。
5、通常把晶体管的输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区、饱和区。
6、一个PN结可以构成一个二极管、稳压二极管工作在特性曲线的反向击穿区域。
7、集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。
8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点，即虚短和虚断。
9、数字逻辑电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。
10、数字电路中，基本的逻辑关系有与、或和非三种。
11、与门的逻辑功能是有0出0, 全1出1；与非门的逻辑功能是。
在数字电路中常用数字 1 、 0 表示电平高低。
12、按晶体管的导通时间的不同，可将功率放大电路分成甲类、乙类、甲乙类。
其中效率最高的是乙类。
乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
13、直流稳压电源主要由电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分组成。
14、时序逻辑电路是由具有记忆功能的触发器组成，其输出状态除与当时的输入16、二极管的两个管脚的名称是阳极和阴极。
17、.集成三端稳压器CW7915的输出电压为-15 V，CW7805输出电压为 5 V。
18、在整流与负载之间接入滤波电路。
若接电容滤波电路，要将滤波电容与负载并联，若接电感滤波电路，要将滤波电感与负载串联。
19、理想集成运放的特点是：输入电阻无穷大，电压放大倍数无穷大，共模抑制比无穷大，输出电阻 020、(30)10 = ( 11110 )2、（101111）2=( 2F )16。
二、选择题1、在单相半波整流电路中，如果变压器二次绕组电压为40V，则输出电压U0为（ C ）。
A．10V B．15V C．18V D．20V2、PNP型晶体管处于放大状态时，各极正确的电位关系是（C ）A．VC > VE > VB B．VC > VB >VE C．VC < VB < VE D．VC < VE < VB3、在放大电路中，当输入信号一定时，静态工作点Q设置太高将产生（ B ）失真A．截止 B．饱和 C．频率 D．无法确定4、硅管正偏导通时，其管压降约为（ D ）A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V5、稳压二极管是一种特殊的二极管，稳压时工作在（ C ）状态。
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电路与电子技术基础复习材料第一章一：集中电路的条件：要求实际电路的几何尺寸必须远远小于工作电磁波的波长。
(P4) (很重要)二：电路元件（电阻，电容，电感）电阻：u=RI电容：i=c(du/dt) c:电容电感：u=L(di/dt) L:电感三：基尔霍夫定律基尔霍夫第一定律第一定律又称基尔霍夫电流定律，简记为KCL：在任一瞬时，流向某一结点的电流之和恒等于由该结点流出的电流之和。
第二定律又称基尔霍夫电压定律，简记为KVL，在任一瞬间，沿电路中的任一回路绕行一周，在该回路上电动势之和恒等于各电阻上的电压降之和。
应用P28 习题（基尔霍夫定律应用）（电路元件电容的应用）1-18 电压如题图1-7(a)所示，施加于电容C 如题图1-7(b) 所示，试求i (t )，并绘出波形图。
第二章电阻电路的一般分析方法一．电阻的混联及Y-△等效转换公式：1.将△型转换为Y型2. 将Y型转换为△型R12=R1R2+R2R3+R3R1/R3R23=R1R2+R2R3+R3R1/R1R31=R1R2+R2R3+R3R1/R2为方便记忆可写为如下：△型连接电阻=Y型中各电阻两两乘积之和/对面的Y型电阻Y型连接电阻=△型相邻两电阻之积/Y型电阻之和应用三角形电阻电路为27Ω，先将变换为Y电路，请问Y电路中各电阻为：9Ω？解：则R1=27*27/(27+27+27)=9习题基尔霍夫定律计算线性网络L=b-(n-1)注:(L:独立回路数，b:支路数，n:节点数）网孔方程：自电阻*子电流-互电流*互电阻=电压降升节点方程：自电位*自电导-互电位*互电导=流进节点的电流应用(4)选节点2 为参考节点，则节点方程为：节点一：（1/R1+1/R4+1/R6）U1-1/R4U3-1/R6U4=U S1/R1节点三：（1/R1+1/R4+1/R6）U3-1/R4U1-1/R5U4= -U S2/R2节点四：（1/R3+1/R5+1/R6）U4-1/R6U1-1/R5U3= -U S3/R3第三章一．叠加定理叠加定理陈述为：由全部独立电源在线性电阻电路中产生的任一电压或电流，等于每一个独立电源单独作用所产生的相应电压或电流的代数和。
一、单选题1.角频率ω与频率ƒ之间的关系为（ ）。
A、ω=2πƒB、ω=1/ƒC、ω=πƒD、ω=ƒ答案： A2.一个由线性电阻构成的电器，从220V的电源吸取1000W的功率，若将此电器接到110V的电源上，则吸取的功率为（ ）。
A、250W B、500W C、1000W D、2000W答案： A3.在测量电压时，电压表应（ ）在负载两端。
A、串联 B、并联 C、任意接 D、不确定 答案： B4.我国使用的工频交流电频率为（ ）。
A、45Hz B、50Hz C、60Hz D、65Hz答案： B5.两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( ) A、4：1 B、1：4 C、1：2 D、2：1 答案： A6.三相对称绕组在空间位置上应彼此相差（ ）。
A、60°电角度 B、120°电角度 C、180°电角度 D、360°电角度7.电路中两点间的电压高，则( )。
A、两点的电位高 B、两点间的电位差大 C、两点的电位一定为正 D、两点的电位一定为负 答案： B8.按照习惯，导体中（ ）运动的方向为电流的方向。
A、电子 B、正电荷 C、电荷 D、离子 答案： A9.某电阻元件的额定数据为“1KΩ、2.5W”，正常使用时允许流过的最大电流为（ ）。
A、50m B、25m C、250m D、500m 答案： A10.有一段16Ω的导线，把它们对折起来作为一条导线用，其电阻是( )。
A、8ΩB、16ΩC、4ΩD、32Ω答案： C11.三相对称电路是指（ ）。
A、三相电源对称的电路； B、三相负载对称的电路； C、三相电源和三相负载均对称的电路。
答案： C12.将额定值为220V、100W的灯泡接在110V电路中，其实际功率为（ ）。
A、100W B、50W C、25W D、125W 答案： C13.有“220V、100W”“220V、25W”白炽灯两盏，串联后接入220V交流电源，其亮度情况是（ ）。
13电子技术复习题一、选择题1、半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（ C ）A. P型半导体；B. N型半导体；C. 本征半导体。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、P型半导体中的多数载流子是（ B ）。
A.电子B.空穴C.电子和空穴4、N型半导体中的多数载流子是（ A ）。
A. 电子B.空穴C.电子和空穴5. 整流电路加滤波电路的主要作用是（ B ）A. 提高输出电压；B. 减少输出电压的脉动程度；C. 降低输出电压；D. 限制输出电流。
6. 三端稳压电源输出负电压并可调的是（ B ）A. CW79XX系列；B. CW337系列；C. CW317系列D. CW78XX系列7、基本放大电路中，经过晶体管的信号电流有（C ）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
8、基本放大电路中的主要放大对象是（B ）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
9、分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中，U B 点电位过高，晶体管易出现（ A ）。
A、饱和状态B、截止状态C、放大状态10、晶体管放大电路中，基极电流i B 的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B ）。
A、截止区；B、饱和区；C、死区。
11. NPN型晶体放大电路中，晶体管各级电位最高的是：（C）A. 基极；B. 发射极；C. 集电极12、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A ）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。
13、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（ C ）对应。
A、集电极电流B、发射极电流C、基极电流14、为了增大放大电路的动态范围，其静态工作点应选择（ D ）。
A、截止点;B、饱和点;C、交流负载线的中点；D、直流负载线的中点。
15. 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（ B ）A. 电压U CE增大；B. 电压U CE减小；C. 基极电流减小。
第一章二极管及直流稳压电源一、填空题1．二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
2．二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4．单相电路用来将交流电压变换为单相脉动的直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括、等。
6．W7805的输出电压为，额定输出电流为；W79M24的输出电压为，额定输出电流为。
7．开关稳压电源的调整管工作在状态，脉冲宽度调制型开关稳压电源依靠调节调整管的的比例来实现稳压。
8．发光二极管能将电信号转换为信号，它工作时需加偏置电压；光电二极管能将信号转换为电信号，它工作时需加偏置电压9.判断大容量电容器的质量时，应将万用表拨到挡，倍率使用。
当万用表表笔分别与电容器两端接触时，看到指针有一定偏转，并很快回到接近于起始位置的地方，则说明该电容器；如果看到指针偏转到零后不再返回，则说明电容其内部。
二、判断题(填“是”或“否”)1．加在二极管两端的反向电压高于最高反向工作电压时，二极管会损坏。
（）2．稳压二极管在电路中只能作反向连接。
（）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（）4．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）5．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。
（）三、选择题1．下列符号中表示发光二极管的为（）。
A． B． C． D．2．从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正向导通状态A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降3．用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡旋到（）位置A．Ω B．Ω C．Ω D．Ω4．直流稳压电源中滤波电路的作用是（）。
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
半导体二极管一、、选择1、下图中，（）二极管处于正向偏置（全部为硅管）。
2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（）。
A．强B．弱C．一样3.PN结正向偏置时（）。
A．P区接电源正极，N区接电源负极B．N区接电源正极，P区接电源负极C．电源极性可以任意调换D．不接电源4.当外界温度升高时，半导体的导电能力（）。
A．不变B．增加C．显著增加D．先减小后增加5. PN结的最大特点是具有（）。
A．导电性Ｂ．绝缘性Ｃ．单向导电性6. 变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。
A．正向运用B．反向运用 C. 正反向均可7 、PN结加正向电压时，空间电荷区将A、变窄B、基本不变C、变宽8. 测量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（）。
A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k9.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）。
A．正偏B．反偏C．零偏10. 测量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（）。
A．变大B．先变大后变小C．变小D．不变11. 2AP9表示（）。
A．N型材料整流管B．N型材料稳压管C．N型材料普通管D．N型材料开关管12.二极管正反向电阻相差（）。
A．越小越好B．越大越好C．无差别最好D．无要求13. 加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为( )。
A.随所加电压增加而变大B. 0.7V左右C.随所加电压增加而减小D．随所加电压增加变化不大14. 用万用表R×100Ω挡来测试二极管，其中( )说明管子是好的。
A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无穷大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A．基本正常B．击穿C．烧坏D．电流为零16.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )。
一、基本概念题1．硅半导体中掺入少量磷元素后就成为（ ）杂质半导体，其多子是（ ）。
A 、 N 型，空穴；B 、P 型，空穴；C 、 N 型，自由电子；D 、P 型，自由电子；2．普通二极管具有（ ）特性。
3．稳压管必须工作在（ ）区才起稳压作用。
4．三极管的三个极限参数为（ ），实际应用时必须重视它们。
A. CM I 、CM P 、()CEO BR U ；B. 、CM I 、CM P ；C. CM I 、CM P 、CEO I ；5．温度升高，三极管的BE U 值将（ ），CEO I 值将（ ）。
6．要使NPN 管工作在饱和状态，管子三个极的电位之间的关系必须满足（ ）。
A 、B VC V E V ；B 、C V B V E V ； C 、E V B V C V ；7．在三极管基本放大电路中，产生截止失真的主要原因是（ ），可采用（ ）措施来消除。
8．集成运放的输入级一般采用差动放大电路，主要是为了（ ）。
9．集成运放构成运算电路时必须引入（ ），而构成电压比较器时，集成运放必须开环使用。
10．硅整流直流电源由变压、（ ）、滤波和（ ）四部分组成，11．集成三端稳压器78系列和79系列的（ ）不能接在一起，否则会损坏器件。
12．数字电路包括（ ）和时序逻辑电路，两者的区别在于时序逻辑电路具有（ ）功能。
13．TTL 与门多余的输入端最好应（ ）。
A 、接地；B 、经一电阻接地；C 、接CC U + ；D 、经一电阻接CC U +；14．可用作电子开关的门是（）。
A、OC门；B、传输门；C、三态门15．由555定时器构成的无稳态触发器也称为（），可用来产生CP信号。
16．关于二极管的正向电阻与反向电阻的论述，正确的是。
A．正向电阻比反向电阻大；B．正向电阻比反向电阻小；C．正向电阻与反向电阻相等。
17．在三极管放大电路中，温度升高使三极管的参数发生变化，正确的是。
A．U BE增加，β减小，I CBO增加；B．U BE增加，β增加，I CBO减小；C．U BE减小，β增加，I CBO增加。
18．关于阻容耦合多级放大器，下列结论正确的是。
A．对于低频信号电压放大倍数增加；对于高频信号电压放大倍数下降；B．对于低频信号电压放大倍数下降；对于高频信号电压放大倍数下降；C．对于低频信号电压放大倍数下降；对于高频信号电压放大倍数增加。
19．正弦波振荡器中，电压放大器的放大倍数为A u，反馈系数为F，起振时它们的关系应满足。
A．| A u·F |>1 ；B．|A u·F | < 1；C．|A u·F | = 1。
20．三极管组成的功率放大电路中，交越失真实际上是造成的。
A．饱和失真；B．截止失真；C．频率失真。
21．关于555集成定时器应用，下列说法正确的是。
A．既可作双稳态触发器使用，又可作单稳态触发器使用；B．不可作双稳态触发器使用，可作单稳态触发器使用；C．不可作施密特触发器使用，可作单稳态触发器使用。
22. 要设计一个像射极跟随器那样的放大电路，即输入电阻大，带负载能力强，电压放大倍数基本稳定在1，则应引入。
A．并联电压负反馈；B．串联电压正反馈；C．串联电压负反馈。
23..已知整流变压器次级绕组电压U2＝10V，测得单相桥式整流、电容滤波电路输出电压Uo＝4.5V，则可能故障是断开。
A．某只二极管和滤波电容；B．某只二极管和负载电阻；C．滤波电容和负载电阻。
24.集成运算放大器输入级采用差动放大器的原因是：。
A．有两个输入信号；B．内部阻容耦合，有零点漂移；C．内部直接耦合。
25.能实现“线与”功能的是。
A. 三态门B. OC门C. 传输门。
26.半导体材料的导电能力（）。
A．只与半导体材料有关。
B．只与环境温度有关。
C．与半导体材料、环境温度有关。
27. 右图示电路中，二极管为硅管，则电路正常时V»（）。
FA．4.3V；B．2.3V；C．0V；28. 下述关于稳压管的说法中，（）是正确的。
A稳压管具有单向导电特性。
B稳压管的反向击穿特性与普通二极管的完全一致。
C稳压管的正向特性与普通二极管的正向特性基本一致。
29. 如果需要稳定放大器的输出电压，而信号源的内阻又比较大，则该放大器最好引入（）。
A．电压并联负反馈B．电压串联负反馈C．电流并联负反馈30．在共发射极放大电路中，由于输入耦合电容C1的电容量过小而引起的失真称为（）失真。
31. 由集成运算放大器构成的正弦振荡器的振荡条件是（ ）。
A 、1AF =B 、1A F =g gC 、1A F =g g32. 在组合逻辑电路中，若TTL 门与CMOS 门混合使用时，应在两种门之间加入（ ）A ．A/D 转换电路。
B ．驱动电路。
C ．电平转换电路。
33. 下列双稳态触发器中，（ ）的输出状态存在“不定态”。
A ．JK 触发器。
B ．RS 触发器。
C ．D 触发器。
34下列器件中，（ ）具有记忆功能。
A ．编码器。
B ．译码器。
C ．555定时器。
35.把一个硅材料制成的PN 结接成图a 、b 、c 所示的电路，电流表的读数A. A 2＞A 1＞A 3;B. A 1＞A 2＞A 3;C. A 2＞A 3＞A 1。
a b c36.施密特触发器的传输特性为（ ）。
u iu i u iA. B. C.37.判别二极管好坏的简便方法是用万用表的电阻档测管子的正、反向电阻。
若测得正、反向电阻均很小，几乎为零，则此二极管有可能是（ ）；若测得正向电阻为几百欧姆，反向电阻很大，则此二极管是（ ）。
38.硅整流电源主要由整流、滤波和稳压三部分组成，高电压、小功率电源一般采用（ ）滤波方式；低电压、大电流电源一般采用（ ）滤波方式。
39.当晶体管的两个PN 结都反偏时，则晶体管处于( )。
A ．饱和状态B ．放大状态C ．截止状态40.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是( )。
A．满足起振的相位平衡条件B．提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C．使某一频率的信号能满足相位和振幅的平衡条件41.在整流电路的负载两端并联一只电容，其输出波形脉动的大小，将随着负载电阻和电容的增大而( )。
A．增大B．减小c．不变42.A、B为某逻辑电路的输入波形，C为输出波形，则该逻辑电路是( )。
A．或非门B．与非门C．与门43.放大状态的三极管，测得其管脚电位分别为7V、3V、2.3V，此管是。
A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型硅管44.三个直接耦合放大器A 、B 、C 的放大倍数，及其在温度由25 o C 上升到55 o C 时的零点漂移电压如下，其中零点漂移电压小的放大器是 。
A ．100、1mVB ．200、1mVC ．200、1.6mV45运算放大器开环情况下（不加任何反馈）可构成（ ）。
A 、电压比较器；B 、电压跟随器；C 、自激振荡器；46用一组代码表示某一信息，实现此功能的数字电路为（ ）。
A 、译码器；B 、编码器；C 、寄存器；47．单相桥式整流、电容滤波电路中，已知变压器次级电压220U V =，现测得输出电压24O U V =，说明电路中（ ）。
A 、 滤波电容开路；B 、负载开路；C 、整流管有开路的；D 、无故障；48.功率放大器在（ ）工作状态时，效率最高，但波形失真最大。
A. 甲类B.乙类C. 甲乙类49.集成运算放大器（ ）处理。
A 只能对交流信号。
B 只能对直流信号。
C 既能对交流信号又能对直流信号。
50.基本RS 触发器，当输入0R S ==时，输出端Q 的状态为 。
A ．0；B ．1；C ．不定。
二、分析计算题1.单管放大电路如下图所示，已知Ucc ＝12v ，NPN 管的β=50，Rc ＝3k Ω，R B =300k Ω，R L =5.1k Ω， 试求：(1)放大电路空载时电压的放大倍数； (2)放大电路的输入电阻r i 和输出电阻r o;(3)若输入正弦信号为i u t ω= mv ，问在负载上能获得多大电压输出?(4)若β=60，I C ＝2mA ，U CE ＝6v ，则R B 、R C 的阻值应为多少?2．多级放大器电路如下图，E C =12V，R B = 450kΩ，R B21=30kΩ，R B22 = 10kΩ，R C = 5kΩ, R E1 = 10kΩ，R E2 = 3kΩ，R L= 5kΩ，β1 =β2 = 50，U BE1 = U BE1 = 0.6V 求：（1）计算各级静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）各级放大倍数和总的放大倍数；（4）放大器的输入电阻和输出电阻；（5）前级采用射极输出器有什么好处?3.已知β=60，r be=1.8kΩ，U S=15mV，其它参数已标在图中。
（1）试求静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）计算放大电路的输入电阻r i和输出电阻r o；（4）当旁路电容开路时，Au、r i、r o是增大还是减小？3.已知R1=R2=10kΩ，Rf＝20kΩ，u i1波形如图4a所示，u i2＝1v，写出u o的表达式并画出波形。
4.（1）写出u o1与u i1的关系式；（2）A1引入了什么反馈？（3）写出u o2与u i2的关系式；（4）写出u o与u o1、u o2的关系的关系式。
5.下图是由两级运放构成的运算放大电路，图中R1=10KΩ,R F=50KΩ,R3=R5=20KΩ,E=0.5V,试求u O的值。
6.求下图电路的输出u0与u i的关系式；指出运放A2的反馈类型。
7.下图所示为半导体直流电源的方框图，要求:(1)根据方框图画出直流电源的电路图。
(2)如果负载要求输出直流电压为6v，负载电阻为600Ω，此时流过稳压管的电流为l0mA，设桥式整流电容滤波电路的输出电压U1为负载电压U o的3倍，为变压器二次绕组电压有效值的1.2倍，试求①限流电阻；②整流元件的平均电流：③整流元件的最高反向电压。
8.已知：220U V =，10Z U V = 。
（1）．1）求一切正常时的i U 和o U ；2）其它正常而R 烧断，则i U 和o U 为多少伏？（2）．已知200R =W ，稳压管的最小稳定电流min 10Z I mA =，最大稳定电流max 40Z I mA =，请确定负载L R 的范围。
9.串联型晶体管稳压电路如下图所示。
（1）若使输出电压数值增加，则取样电阻RP 上的滑动头应向上移动，还是向下移动？（2）求输出电压的可调范围，设U BE2=0.6V 。
（3）简述稳压原理。
10.利用三端集成稳压器W7805可以接成下图所示的扩展输出电压的可调电路，试计算该电路的输出电压的调节范围。
其中R 1=3.3KΩ，R 2=3.3KΩ，R P =5.1KΩ。
OU11. 图a 为一电压比较器，输入波形如图b 所示，试画出输出u o 的波形。
