下载文档原格式
红外线是波长介于微波与可见光之间的电磁波，波长在0.75～1000μm之间，其在军事、通讯、探测、医疗等方面有广泛的应用。
目前对红外线的分类还没有统一的标准，各个专业根据应用的需要，有着自己的一套分类体系。
一般使用者对红外线的分类为（1）近红外(NIR, IR-A DIN)：波长在0.75～1.4μm；（2）短波红外(SWIR, IR-B DIN)：波长在1.4～3μm；（3）中波红外(MWIR, IR-C DIN)：波长在3～8μm；（4）长波红外(LWIR, IR-C DIN)：波长在8～15μm；（5）远红外(FIR)：波长在15～1000μm。
根据Maxwell电磁方程，红外线在空气等物质内部和界面传播会发生吸收、反射和透射等，其中吸收是影响传播的最主要因素。
空气中的一些气体分子如CO2、H2O等有着与其物质分子结构相对应的特征吸收谱线，对某些波长的红外线产生强烈地吸收，而对另外一些红外线则不产生吸收，从而表现出很高的透射率。
大气中对红外辐射吸收比较少的波段称为“大气窗口”，主要包括三个：1～3μm，3～5μm，8～14μm，图1描述了红外线在大气中传播的透射曲线。
红外探测器从1800年英国W. Herschel发现红外线到现在已有二百多年历史。
人们通过不断地技术开发和创新，使红外应用从军事国防迅速朝着资源勘探、气象预报、环境监测、医学诊治、海洋研究等关系到国计民生的各个领域扩展。
在这些应用中红外探测又显得特别重要，因为要更好地研究红外线必须先对其进行探测。
理论上任何形态的物质只要在红外辐射作用下发生某种性质或物理量的变化，都可以被用来进行红外探测。
目前来说按照工作机理不同, 红外探测器常被分为热探测器和光子型探测器。
热探测器利用红外光的热效应及材料对温度的敏感性来测量红外辐射，其原理是热敏材料吸收红外光后温度升高，利用材料的温度敏感特性将温度的变化转变为电信号。
目前主要利用温差电效应、热释电效应、金属、气体等热胀冷缩现象、超导体在Tc附近升高温度电阻急剧变化等等。
光电探测器产品手册（第二版）立鼎光电@郭玉西Tel*************Mob:139****43722016年8月20日立鼎光电探测器事业部简介西安立鼎光电科技有限公司是一家专业从事各种光电类产品及其部件、组件、元件的研发生产、系统集成、专业代理销售推广为一体的高新技术企业。
公司专注于为客户提供从元件、组件、部件到全套光电系统产品的完整解决方案。
总部位于中国古都西安的电子城街区和高新技术开发区之间，周围有众多知名高校、科研院所及高新技术企业，科研创新氛围浓厚，是公司人才引进和技术创新的强大源泉。
为了高效便捷地服务于国内广大客户，公司在北京、深圳、上海、武汉、香港等地设有分公司或办事处。
公司自成立以来，秉承“资源整合，自主创新”之思想研发产品的同时，也致力于将国外的先进产品和技术引进到国内。
立鼎光电探测器事业部以市场为导向，有效整合探测器资源，多年来与世界多家知名的探测器厂商建立了紧密的合作关系，一直专注于探测器产品在国内的售前、售中及售后的优质服务。
客户范围覆盖了航空、航天、兵器、船舶、电子、核工业等十大军工集团以及中科院所、知名高校和工农业领域。
我们始终秉承“领先技术、诚实服务、合作共赢”的发展理念，真诚与国内外广大用户、合作伙伴及同行携手合作，共创光电事业美好明天！产品目录光电探测器中华立鼎（CLPT）短波点元/焦平面探测器--------------------------------------------4 波兰VIGO公司MCT探测器及组件-----------------------------------------------------10 美国InfraRed 中/长波及双色探测器-----------------------------------------------------13 德国IFW 紫外探测器-----------------------------------------------------------------------18 美国EOS全波段光电探测器---------------------------------------------------------------22 美国GPD近红外探测器--------------------------------------------------------------------25 西班牙NIT硒化铅中波探测器------------------------------------------------------------29 德国ALPHALAS可见光/近红外高速探测器-------------------------------------------36 美国AGI短波/中波探测器-----------------------------------------------------------------40美国Teledyne Judson全波段探测器------------------------------------------------------43 俄罗斯Ekran像增强器及光电倍增管----------------------------------------------------45一、中华立鼎（CLPT ）公司短波探测器前瞻技术研究室中华立鼎光电是一家研发、生产高品质InGaAs 短波探测器的公司，其产品从点元探测器到面阵探测器一应俱全，质量可靠，价格合理，得到世界客户的广泛认可和应用。
InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析∗张航;刘栋斌;李帅;孙振亚;王文全【摘要】According to environmental requirement of payload,the total dose irradiation is 2 krad( Si) when the orbit-al altitude is 700km and work period is 3 years. So the InGaAS detector of the Xenics company should have the a-bility of 10 krad( Si) resistant radiation. In order to study the characteristics of this InGaAs detector,irradiation test was conducted using a Cobalt60-γ with the total dose of 30 krad( Si) . Main parameters of the detector was studied before and after irradiation. After irradiation,the dark current increases and response of detector decreases with the irradiation dose increasement,which indicates that performance of the detector becomes worse with increasing irradi-ation dose. It is analyzed that the damage mechanisms of detector afterγirradiation,there results provide reference for the total dose resistant irradiation hardening in future.%针对Xenics公司的一款InGaAs探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2 krad( Si),技术指标要求探测器的抗总剂量辐射能力要在10 krad( Si)以上。
铟镓砷（InGaAs）相机是一种红外相机，适用于探测和拍摄近红外和短波红外光谱范围内的图像。
它的工作原理基于铟镓砷半导体的特性以及红外辐射的探测和转换。
铟镓砷半导体具有较高的红外灵敏度，其能带结构使其在近红外和短波红外波段（0.9微米至1.7微米）具有较高的响应度。
在铟镓砷相机中，通常使用PN结或PN垒结来实现红外光的探测。
工作时，铟镓砷相机通过透镜将红外辐射聚焦在铟镓砷探测器上。
当红外光照射到探测器的PN结或PN垒结处时，光子的能量会激发电子从价带跃迁到导带，产生电荷载流子。
这些电荷载流子被探测器中的电场分离，形成由电压或电流表示的信号。
接下来，铟镓砷相机通常使用信号放大器和模数转换器（ADC）来处理和转换来自探测器的电信号。
这样，红外图像的亮度和对比度等信息就能以数字形式输出，并可通过显示器或其他设备进行显示和分析。
铟镓砷相机由于其在近红外和短波红外波段的敏感性，常被用于军事、安防、医疗和科学研究等领域，例如红外光谱分析、红外成像和热成像等应用。
四象限InGaAs APD探测器的研究
王致远;李发明;刘方楠
【期刊名称】《光通信研究》
【年(卷),期】2007(000)006
【摘要】文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数.试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性.
【总页数】4页(P43-46)
【作者】王致远;李发明;刘方楠
【作者单位】重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
【相关文献】
1.InGaAs/InP APD探测器光电特性检测 [J], 肖雪芳;杨国华;归强;王国宏;马晓宇;陈朝;陈良惠
2.InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD室温下静态光电特性的研究 [J], 丁国庆
3.Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流-温度特性及其比较[J], 丁国庆
4.长距离高比特率光纤通信用InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD [J], 林洪榕
5.InGaAs四象限探测器 [J], 莫才平;高新江;王兵
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
文章编号:1672-8785(2021)01-0001-05p-i-n In&InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究夏少杰陈俊"(苏州大学电子信息学院，江苏苏州215006)摘要：为了实现高灵敏度探测，红外探测器需要得到优化&利用Silvaco 器件仿真工具研究了 p-i-n 型InP/Ino. 53Ga 0.47As/In 0. 53Ga °. 47A s 光电探测器的结构, 并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响&结果表 明，随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大，器件的暗电流逐渐减小，结电容逐渐增 大。
当台阶宽度变窄时，器件的暗电流随之减小，结电容也随之变小。
最后研 究了光强和频率对器件结电容的影响&在低光强下，器件的结电容基本不变； 当光强增大到1 W /m 2时，器件的结电容迅速增大&器件的结电容随频率的升 高而减小，其 &关键词：近红外光电探测器；InP/InGaAs ；暗电流；结电容中图分类号：TN362文献标志码：A DOI ： 10.3969/j.issn.1672-8785.2021.01.001Research on Current and Capacitance Characteristicsof p-i-n In&InGaAs PhotodetectorXIA Shao-jie ，CHEN Jun **收稿日期：2020-08-28基金项目：国家自然科学基金项目(61774108)作者简介：夏少杰(1995-)，男，江苏苏州人，硕士生，主要从事红外光电器件研究。
*通讯作者:E-mail ： ****************.cn(.School of Electronic and Information Engineering ，Soocho2 University ，Suzhou 215006，China )Abstract : In order to achieve high sensitivity detection ，infrared detectors need to be optimized. Based on the Silvaco device simulation tool, the photoelectric characteristics of p-i-n InP/IriQ,53GaQ,47As/In 0.53GaQ,47As photode tector is analyzed. The effects of absorption concentration and mesa width on dark current and junction capaci tance in the structure are simulated. The results show that as the doping concentration of the absorption layergradua <yincreases ，thedarkcu r entofthedevicegradua <ydecreases ，andthejunctioncapacitancegradua <y increases. When the mesa width becomes narrower ，the dark current of the device decreases ，and the junctioncapacitance becomes smaller. Finally ，the effect of light intensity and frequency on the device junction capaci tance is studied. At low light intensity ，the device junction capacitance is basically unchanged. When the light intensityincreasesto1 W /cm 2!thedevicejunctioncapacitanceincreasesrapidly2Thedevicejunctioncapaci-tance increases with frequency decreasing. The peak is caused by defect levels.Key words:near-infrared photodetector；InP/InGaAs；dark current；junction capacitance0引言随着红外探测技术的不断发展，红外探测器作为该技术中最核心的部分也发展极为迅猛&红外探测器可将人类肉眼不可见的红外辐射能转换为可测量的能量！其研究最重要的是材料和器件结构的选择。
微型近红外光谱仪系统的设计1微型近红外光谱仪系统相关理论1.1近红外光谱仪系统的工作原理近红外光谱是由于分子振动能级的跃迁（同时伴随转动能级跃迁）而产生的。
近红外分析技术是依据被检测样品中某一化学成分对近红外光谱区的吸收特性而进行定量检测的一种方法，它记录的是分子中单个化学键基频振动的倍频和合频信息，它的光谱是在700--2500 nm范围内分子的吸收辐射。
这与常规的中红外光谱定义一样，吸收辐射导致原子之间的共价键发生膨胀、伸展和振动，中红外吸收光谱中包括有C-H键、C-C键以及分子官能团的吸收带。
然而在NIR 测量中显示的是综合波带与谐波带，它是R-H分子团（R是O、C、N和S）产生的吸收频率谐波，并常常受含氢基团X-H（C-H、N-H、O-H）的倍频和合频的重叠主导，所以在近红外光谱范围内，测量的主要是含氢基团X-H振动的倍频和合频吸收。
图1.1是近红外技术的分析过程图，左侧箭头是建模过程，右侧箭头是检测过程。
1.2近红外光谱仪光学系统基本理论在近红外光谱分析系统中，用于测量近红外光谱的近红外光谱仪是系统的基础，而分光光学系统是光谱仪的核心。
1.2.1色散原理色散系统是光谱分析仪器中的重要组成部分，色散系统的选择与设计直接关系到光谱仪器的性能。
按其工作原理可分为空间色散型和干涉调制型。
空间色散型包括物质色散、多缝衍射和多光束干涉；而调制型主要为傅里叶变换分光、哈达玛变换分光和光栅调制分光等，这里主要介绍衍射色散分光。
在物理光学中，可以把光波看成在空间分布的标量电磁场，由于光波的波动性质，当光波通过具有一定宽度狭缝时，会发生衍射现象。
如果光波同时通过两个相邻的狭缝时，由两狭缝发出的光波将在产生干涉的同时还会受到单缝衍射的调制。
由此类推，对于多缝衍射，可以认为多缝衍射光强是多光束干涉光强被单缝衍射光强调制的结果，这就是衍射光栅的工作原理。
衍射光栅就是利用多缝的干涉衍射效应，对于任何装置，只要它能起到等间隔地分割波阵面的作用，都可以称为衍射光栅。
铟镓砷光电管
铟镓砷（InGaAs）光电管是一种特殊类型的光电探测器，广泛应用于光电子学领域。
InGaAs光电管通常用于探测红外光谱范围的光，其波长范围一般在800nm至1700nm之间，但也有一些特殊设计的产品可以覆盖更宽或更窄的光谱范围。
InGaAs光电管的工作原理基于光电效应，即当光照射在半导体材料上时，能够激发出电子-空穴对，从而产生光电流。
这种光电效应使得InGaAs光电管能够将光信号转换为电信号，从而实现对光的探测和测量。
InGaAs光电管具有许多优点，如高灵敏度、快速响应、低暗电流和低噪声等。
这使得它在许多领域都有广泛的应用，如光通信、光谱分析、红外成像和光探测等。
请注意，虽然InGaAs光电管在许多应用中表现出色，但它也有一些限制和缺点。
例如，它对某些特定波长的光可能不够敏感，或者在高温环境下性能可能会下降。
因此，在选择和使用InGaAs光电管时，需要根据具体的应用需求和条件进行综合考虑。
此外，InGaAs光电管还可以分为不同类型，如PIN光电二极管、
雪崩光电二极管（APD）等。
每种类型的光电管都有其独特的特点和适用场景，因此在选择时需要根据具体需求进行选择。
总的来说，铟镓砷光电管是一种重要的光电探测器件，具有广泛的应用前景和市场需求。
随着光电子学技术的不断发展，InGaAs光电管的性能和应用范围也将不断得到提升和拓展。
摘要本论文工作围绕１．Ｏ．１．６ｕｍ光通讯波段Ｉｎ０，５３Ｇａｏ．４７ＡｓＰＩＮ超高速光电探测器的研制开展，针对超高速光电探测器的特点，以光电探测器的设计、制作和测试＼／为主要内容，研制出了一批性能良好的光电探测器，，ｆ｝导到了下面一些结果：…＼１．在对光电探测器的卜Ｖ特性、量子效率、Ｃ—Ｖ特性和瞬态响应速度进行计算和讨论的基础上，进行了探测器的结构设计。
从优化探测器的响应速度、耦合效率和量子效率的角度出发，提出了合理的Ｉｎｏ．５３Ｇａｏ４７ＡｓＰＩＮ光电探测器的外延层材料结构和器件图形结构，利用这个结构进行了探测器的版图设计，得到了实用可行的正面入射台面结构Ｉｎｏ５３Ｇａｏ４７ＡｓＰＩＮ光电探测器版图。
２．通过正胶反转工艺、湿法腐蚀工艺和聚酰亚胺的钝化工艺实验，得到了合适的Ｉｎｏ５３Ｑａｏ４７ＡｓＰＩＮ光电探测器的单项工艺条件，利用这些单项工艺制定出了详细的探测器工艺流程，并且利用这个工艺流程制成了一批ＩＩｌ０．５３Ｇａｏ４７ＡｓＰＩＮ光电探测器芯片。
３．通过对探测器卜Ｖ特性、光谱响应、Ｃ—Ｖ特性和瞬态时域响应的测试原理和方法的讨论，利用相应的测试设备对探测器的性能参数进行了测量，并对典型器件的测试结果进行了分析。
由探测器的卜Ｖ特性曲线得到了典型器件在．５Ｖ下的反向暗电流为６４０ｐＡ，，击穿电压为３７Ｖ；由探测器的光谱响应得到了探测器的峰值响应波长为１．６５ｕｍ、短波方向的截止波长为Ｉｕｍ、长波方向的截止波长为１．７５ｕｍ；由探测器的Ｃ—Ｖ特性曲线得到了典型探测器的在．５Ｖ偏压下的电容约为１．４ｐｆ，通过对Ｃ—Ｖ特性的讨论得到了影响探测器的电容的主要因素是分布参数：由探测器的时域瞬态响应的测量得到了典型器件在．ＩＯＶ下的上升时间为３７ｐｓ，下降时间为３０ｐｓ，半高宽为４８ｐｓ，通过时域瞬态响应曲线，探讨了影响探测器响应速度的主要因素，得到了电路的ＲＣ时间常数、载流子在耗尽区外的扩散作用和测试系统的响应速度是影响探测器的响应速度的主要因素的结论，并且对测试系统中存在的问题进行了分析，预期改进测试系统后，可一ｌ、以获得更符合实际的测量结果。
