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晶闸管整流电路原理
晶闸管是一种“电力电子开关”，它的基本组成是一个由两个PN结构成的三端器件，即晶闸管。
晶闸管又称为可控硅，是一种新型半导体器件，它有两个控制极和两个漏极构成，通过控制PN结的导通时间来控制它的导通与关断，从而实现对电路的控制。
在晶闸管中，只有一个PN结作为电极，而且PN结不能像一般二极管那样直接用电流进行充电或放电。
因为当给PN结施加正向电压时，PN结的内部会有大量电子通过，使PN结两端的电压升高；当给PN结施加反向电压时，电子被阻断，PN结会变成一个高阻值的、不带电的绝缘层。
这样就限制了PN结中电子的运动范围，从而保证了PN结内没有足够多的电子可以通过。
另外，当给PN结加反向电压时，晶闸管会在内部形成一个高电压梯度（即门极反向击穿）。
这样在晶闸管内部就会形成一个非常强的电场（相当于正向压强）。
这种电场将使电子从被阻断的PN结流向正向电压加在它上面的方向。
—— 1 —1 —。
可控硅整流电路分析一、可控硅整流电路的基本原理可控硅是一种半导体开关器件，由四层PNPN结构组成。
其工作原理基于PN结、P型耗尽区和控制电压的作用。
在正半周中，当控制电极施加正向火电压时，控制电流通过可控硅的上一层，使得P1-N1结反偏，形成障碍层，此时即使主极间加上反向电压也无法导通，所谓双向封锁；当控制电极去掉电压时，障碍层消失，主极间再加上正向电压，即可导通。
在负半周中，主极间加上正向电压时，P1-N1结正常导通，但是当控制电极加上正向电压时，由于N2层和P2层之间存在空间电荷区，从而隔断主极电压，所谓单向封锁。
可控硅整流电路利用可控硅开关功能的特点，将交流输入电压转换为直流输出电压。
二、可控硅整流电路的工作模式1.单向导通模式在单向导通模式下，可控硅的控制电极与主极间保持正向电压，使得可控硅导通。
此时，整流电路将输入交流电转换为单向的脉动直流电。
2.单向封锁模式在单向封锁模式下，可控硅的控制电极断开电压，使得可控硅反向阻断。
此时，整流电路不导通，输入交流电被隔断。
3.双向导通模式在双向导通模式下，可控硅的控制电极与主极间交替加上正向电压和零电压，以周期性地使可控硅导通和阻断。
此时，整流电路可以实现无脉动的双向直流输出。
三、可控硅整流电路的性能分析1.效率可控硅整流电路的效率被定义为直流输出功率与交流输入功率的比值。
效率通常由两部分组成：导通时段的效率和封锁时段的效率。
导通时段的效率取决于主极间的导通电压和电流，而封锁时段的效率取决于可控硅的电压封锁和损耗。
2.波形畸变可控硅整流电路的输出波形通常具有一定的畸变，主要表现为谐波含量较高。
这是由于可控硅导通和封锁时存在过渡时间，以及可控硅的非线性特性所导致的。
为了减小波形畸变，可以采用增加可控硅数目、增加电感和电容滤波等方法。
3.动态响应总结：可控硅整流电路是一种常用的电力电子器件，通过可控硅的开关功能实现交流电转换为直流电。
可控硅整流电路的工作模式包括单向导通、单向封锁和双向导通。
scr可控硅在整流电路上的应用1.引言1.1 概述在整流电路中，可控硅是一种重要的元件。
它具有可控性强、耐压能力高、效率高等优点，因此在电力领域中得到广泛应用。
本文将介绍可控硅的基本原理及其在整流电路中的应用。
可控硅是一种单向导电元件，通过控制其门极电压或电流，可以实现对其导通或截止状态的控制。
由于其具有双向可导电性，可以将交流电信号转换为直流电信号，因此在整流电路中起着重要的作用。
在整流电路中，可控硅通常被用作整流桥电路的主要元件。
整流桥电路主要用于将交流电转换为直流电，常用于电源供给等领域。
可控硅的特性使得它能够控制电流的流动方向，并能够将交流信号转换为单向的直流信号。
可控硅在整流电路中的应用具有很大的优势。
首先，可控硅具有较高的效率和稳定性，可以实现高效的能量转换。
其次，可控硅能够进行迅速的开关控制，可靠地实现交流信号到直流信号的转换。
此外，可控硅的耐压能力较高，能够满足电力系统中的高电压需求。
总之，可控硅在整流电路中具有重要的应用价值。
本文将深入探讨可控硅的基本原理以及其在整流电路中的应用。
同时，还将展望可控硅在电力领域的未来发展，为读者对该领域有一个全面的了解。
1.2 文章结构本文主要讨论了可控硅在整流电路上的应用。
为了更好地组织文章内容，本文将按照以下结构进行论述。
首先，在引言部分，我们会对文章进行概述，介绍可控硅的基本原理和整流电路的应用背景。
并阐明文章的结构和目的，确保读者能够清晰地理解文章的主题和篇章结构。
接下来，在正文部分，我们会详细介绍可控硅的基本原理。
首先，我们将解释可控硅是一种什么样的器件，以及它的工作原理。
然后，我们将重点探讨可控硅在整流电路中的应用。
我们将介绍可控硅在单相和三相整流电路中的作用，并说明它在电力系统中的重要性。
我们还将分析可控硅在整流电路中的优势和限制，并介绍相关的电路拓扑结构和控制策略。
最后，在结论部分，我们将总结可控硅在整流电路上的应用。
我们将回顾本文的主要内容，强调可控硅的优点和局限性，并对其在电力领域的未来发展进行展望。
可控硅中频电源的工作原理可控硅中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流—直流—交流变换器,其基本线路如图2 。
下面分整流电路,逆变电路及保护回路分别进行一些介绍。
一三相桥式全控整流电路的工作原理1 三相桥式全控整流电路的工作过程。
三相桥式全控整流电路共有六个桥臂,在每一个时刻必须2个桥臂同时工作,才能够成通路,六个桥臂的工作顺序如图3 。
现假定在时刻t1-t2(t1-t2的时间间隔为60o电角度，既相当于一个周波的1/6)此时SCR 1和SCR6同时工作(图3(a)中涂黑的SCR),输出电压即为VAB。
到时刻t2-t3可控硅SCR2因受脉冲触发而导通,而SCR6则受BC反电压而关闭,将电流换给了SCR2,这时SCR1和SCR2同时工作,输出电压即为VAC,到时刻t3-t4,SCR3因受脉冲触发而导通，SCR1受到VAB的反电压而关闭,将电流换给了SCR3,SC R2和SCR3同时工作,输出电压为VBC,据此到时刻t4-t5, t5-t6, t6-t1分别为SCR3和SCR4, SCR4和S CR5, SCR5和SCR6 同时工作,加到负载上的输出电压分别为VBA,VCA,VCB,这样既把一个三相交流进行了全波整流,从上述分析可以看出,在一个周期中,输出电压有六次脉冲。
这种整流电路由于在每一瞬间都有两个桥臂同时导通,而且每个桥臂导通时间间隔为60o,故对触发脉冲有一定要求,即脉冲的时间间隔必须为60o,而且如果采用单脉冲方式,脉冲宽度必须大于60o,如果采用窄脉冲,则必须采用双脉冲的方法, 既在主脉冲的后面60o的地方再出现一次脉冲。
2 三相同步及触发线路1)三相同步的选取及整形根据三相桥式全控整流过程的有关要求,首先要保证触发电路与三相电源严格同步。
第六节晶闸管及其整流电路晶闸管又称可控硅，是目前半导体器件从弱电进入强电领域，制造技术最成熟、应用最广泛的器件之一。
晶闸管分普通晶闸管和特种晶闸管，特种晶闸管有快速晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管等，人们所说的晶闸管是指普通型晶闸管。
一、晶闸管的外形、结构和符号晶闸管由三个PN结和四层半导体材料组成。
晶闸管的三个电极分别为阳极（A）、阴极（K）、控制极（G）。
三个PN结分别为J1、J2和J3。
晶闸管的符号与二极管相似，只是在其阴极处增加一个控制极，表明其导通的条件除了和二极管一样需要正向偏置的电压外，还需另外增加一个条件，那就是要有控制信号。
二、晶闸管的工作原理晶闸管可以理解为一个受控制的二极管，它也具有单向导电性，不同之处是除了应具有阳极与阴极之间的正向偏置电压外，还必须给控制极加一个足够大的控制电压，在这个控制电压作用下，晶闸管就会像二极管一样导通了，一旦晶闸管导通，控制电压即使取消，也不会影响其正向导通的工作状态。
晶闸管工作原理可用如图所示的实验电路验证。
图（a）所示为晶闸管反向偏置情况，无论是否给控制极加电压，都无法使晶闸管导通，灯泡不发光。
图（b ）所示为晶闸管加正向偏置电压，阳极A 接高电位，阴极K 接低电位，但控制极G 没有接任何电压，晶闸管仍然处于关断状态，串联的灯泡不发光。
图（c ）所示为晶闸管加正向偏置电压的基础上，给控制极G 加一个幅度和一个宽度都足够大的正电压，此时晶闸管导通，串联的灯泡发光。
图（d ）所示为晶闸管导通后，若去掉控制极的电压，晶闸管仍然能保持导通状态，灯泡仍然发光。
综上所述，要使晶闸管由阻断状态变为导通状态，必须在晶闸管上加正向电压的同时，在控制极上加适当的正向触发电压，这样才能使晶闸管导通，一旦晶闸管导通，控制极就失去了控制作用。
要注意的是，晶闸管导通后若阳极电流小于某一个很小的电流I H (称为维持电流)时，晶闸管也会由导通变为截止，一旦晶闸管截止，必须重新触发才能再次导通。
单相可控硅整流电路一、实训目的：（1）掌握单结晶体管和可控硅的工作原理；（2）了解单结晶体管触发脉冲产生的原理；（3）了解调压的原理；（4）掌握各工作点的输出波形；（5）掌握输出电压与控制角之间的关系。
二、实训器材：220V/12V交流变压器两个，示波器一台，数字式万用表一块，桥堆一个，100Ω电阻两个，8V稳压管1个，100KΩ可调电阻一个，10ＫΩ电阻一个，０.１ｕF电容一个，510Ω电阻一个，单结晶体管（BT33）一个，47Ω电阻两个，二极管两个，可控硅两个，12V灯泡一个，万能板一块，烙铁一个，焊锡若干。
三、实训原理：1、电路分析：如图所示，可控硅整流调压电路，有单结晶体管组成的触发电路和单相桥式半控式整流电路组成。
在图示的触发电路中，由桥式整流电路输出全波整流电压信号，通过限流电阻R1和稳压管后，稳压管使整流电路的输出电压幅值限制在一定值上，输出一梯形波，提供个RC振荡电路，经电容C充放电后输出一锯齿波形电压信号，该信号又作为单结管的发射极的输入电压信号，从而使单结管输出一系列较窄的尖峰脉冲；主电路工作后，当控制极接受到同步信号时，可控硅的阴阳极在正向电压作用下触发导通。
调节充放电回路中的RP，改变控制角a，可改变导通角b，从而达到调节输出电压的目的。
四、实训步骤：（1）根据原理图，选择合适的元器件。
对有极性或有管脚要求的元器件应进行正确的判断，对其他的元件应确认标称参数；（2）按照原理图正确焊接电路；（3）调试触发电路，线路焊好后调节Rp，用示波器观察各工作点的电压波形，直至输出一连续可调的脉冲信号；（4）系统调试，接通主电路，将脉冲信号加入可控硅的控制极，用示波器测试负载两端的电压波形；波形正常后，调节RP，应使灯泡亮度发生变化。
以下是各工作点的的波形图：五、实训小结：（1）掌握了单结晶体管和可控硅的工作原理；（2）了解了单结晶体管触发脉冲产生的原理；（3）了解了调压的原理；（4）掌握了各工作点的输出波形；（5）掌握了输出电压与控制角之间的关系。
可控硅的几种接法
1.单相半波可控整流电路：将可控硅接入单相半波整流电路中，控制可控硅导通时间，实现直流电的输出。
2.单相全波可控整流电路：将可控硅接入单相全波整流电路中，控制可控硅导通时间和单相半波整流电路相比，可实现更低的负载波动和更高的输出电流稳定性。
3.三相半波可控整流电路：将可控硅接入三相半波整流电路中，通过相位控制实现整流电的输出。
4.三相全波可控整流电路：将可控硅接入三相全波整流电路中，控制可控硅导通时间和三相半波整流电路相比，可实现更低的负载波动和更高的输出电流稳定性。
5.可控交流电源：将可控硅接入交流电源中，通过控制可控硅导通时间和交流电源相位控制，实现输出可控交流电流和电压。
6.DC-DC变换器：将可控硅接入DC-DC变换器中，通过控制可控硅导通时间和变换器电路拓扑结构，实现输出可控直流电压和电流。
相范H,电流有效值、平均值的计算，对相位控制触发脉冲的基本要求。
整流电路：出现最早的电力电子电路，将交流电变为直流电。
(1)单相桥式半波整流电路a、带电阻负载的工作情况Single Phase Half Wave Controlled Rectifier. 变压器T起变换电压和隔离的作用。
电阻负载的特点：电压与电流成正比，两者波形相同结合图2-1进行工作原理及波形分析。
儿个概念的解释：5为脉动直流，波形只在U2正半周内出现，故称 "半波"整流。
采用了可控器件晶闸管，且交流输入为单相，故该电路为单相半波可控整流电路。
5波形在一个电源周期中只脉动1次，故该电路为单脉波整流电路。
儿个重要的基本概念：触发延迟角：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到側螂繍戦般觀尿刼渗示’也称触发角或控制角。
导通角：晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为，用e表示。
基本数量关系。
直流输出电压平均值为:S =丄sin ald(flf) = + cog«)= 0.45S 心叫2 兀 2 兀 2 (2*1)VT的O移相范圉为180\这种通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式，简称相控方式。
直流回路的平均电流为：/厂鱼= 0.45冬上叱"R R 2 回路中的电流有效值为：(2-2)VT动乍Y—sin a dcot RS n~~—-a=—=• J——sin 2a ------ /? V4/r 2 兀山式2. 2、式2. 3可得流过晶闸管的电流波形系数：_ I _ J2;rS in 2a +4龙(兀 一 a) t\ f ——= 「Id (2-4)电源供给的有功功率为:其中卩为只上的电压有效值:电源侧的输入功率为:功率因素为:当0=0时cosa =返，O 越大，cosa 越低，a=n 。
可见，尽管是电阻负载，电源的功2率因素也不为2。
这是单相半波电路的缺陷。
例2-1单相半波可控整流电路，电阻负载，由220V 交流电源直接供电。
上次课内容1、集成功放及应用。
（了解）2、变压器耦合功放的分析。
（理解）3、功放管的散热。
（了解）4、功率放大器一章习题课。
本次课内容（2学时）（可视学时情况选择讲授或不讲）第七章 直流电源§7-1 可控硅及其伏安特性 7-1-1 可控硅的结构和符号图1 可控硅的结构全称是硅可控整流元件,又名晶闸管。
外形有平面型、螺栓型,还有小型塑封型等几种。
图1（a）是常见的螺栓型外形，有三个电极：阳极a、阴极k 和控制极g。
图1（b）是可控硅的符号。
图1（c）是内部结构示意图。
图1（c）:可控硅由、、、四层半导体组成。
从引出的是阳极a、从引出的是阴极k、从引出的是控制极g；内部有三个结，分别用、和表示。
7-1-2 可控硅的工作原理 1P 122N P N 1P 2N 2P PN1J 2J 3J图2 可控硅工作特点的实验 演示电路如图2（a），阳极a 接电源正极、阴极k 接电源负极；开关S 断开，H 不亮，可控硅不导通。
S 闭合，即控制极g 加正向电压，如图2（b），灯H 亮，可控硅导通。
可控硅导通后，将S断开，灯仍亮，如图2（c），表明可控硅仍导通，说明可控硅一旦导通后，控制极就失去了控制作用。
要关断可控硅，可去掉正向电压或减小正向电流到可控硅难以维持导通,则可控硅关断。
如可控硅加反向电压，则无论是否加控制极电压，可控硅均不会导通。
若控制极加反向电压，则无论可控硅阳极与阴极之间加正向还是反向电压，可控硅均不会导通。
可控硅的工作特点： 1、可控硅导通必须具备两个条件：一是可控硅阳极与阴极间必须接正向电压，二是控制极与阴极之间也要接正向电压；2、可控硅一旦导通后，控制极即失去控制作用；3、导通后的可控硅要关断，必须减小其阳极电流使其小于可控硅的维持电流。
H I 图3 可控硅工作原理分析 图3为可控硅的内部结构示意图:可控硅可以看成由一只NPN 型三极管与一只PNP 型三极管组成。
如仅在阳极a 和阴极k 之间加上正向电压，由于三极管发射结无正偏电压而无法导通。
若a、k 间加上正向电压，并在管的基极g 加上正向电压，使产生基极电流，此电流经管放大以后，在集电极上产生2T 1T 1T G I 1T 1T G I 1β的电流，又因为的集电极电流就是的基极电流，所以经过再次放大，在管的集电极电流就达到1T 2T 2T 2T G I 21ββ，而此电流又重新反馈到管作为的基极电流又一次被放大，如此反复下去，与两管之间因为有如此强烈的正反馈，使两只三极管迅速饱和导通，即可控硅阳极a 与阴极k 之间完全导通。
以后由于基极上自动维持的正反馈电流，所以即使去掉基极g 上的正向电压，和仍能继续保持饱和导通状态。
可控硅导通时，、饱和导通总压降约1V 左右，如果阳、阴极之间正向电压太低，使流过阳极的电流难以维持导通，、就截止，从而可控硅关断。
1T 1T 1T 1T 2T 1T 1T 1T 2T 1T 2T 1T 2T 可控硅控制极的电压、电流比较低（电压只有几伏，电流只有几十至几百毫安），但被控制的器件可以承担很大的电压和通过很大的电流（电压可达几千伏，电流可大到几百安以上）。
可控硅是一种可控的单向导电开关，常用于以弱电控制强电的各类电路中。
7-1-3可控硅的主要参数1、额定正向平均电流 在规定的环境温度和散热条件下，允许通过阳极和阴极之间的电流平均值。
例如可控硅是5A 的，即指它的额定正向平均电流是5A。
2、维持电流 在规定的环境温度、控制极断开的条件下，要保持可控硅处于导通状态所需的最小正向电流。
H I 3、控制极触发电压和电流 在规定的环境温度及一定的正向电压条件下，使可控硅从关断到导通，控制极所需的最小电压和电流。
小功率可控硅约1V 左右，触发电流零点几到几毫安。
中功率以上的可控硅触发电压为几伏到十几伏，触发电流几十到几百毫安。
4、正向阻断峰值电压 控制极断开，a、k 间加正向电压，使可控硅处截止状态，称正向阻断；此时允许加到可控硅上的正向电压最大值称正向阻断峰值电压。
使用时可控硅正向电压若超过此值，即使不加触发电压也能从正向阻断转而导通。
5、反向阻断峰值电压 控制极断开，在a、k 间加反向电压，使可控硅截止的状态称反向阻断，此时允许加到可控硅上的反向电压最大值称反向阻断峰值电压。
通常正、反向峰值电压是相等的，统称峰值电压，当两者不等时，峰值电压取其中较小的一个。
一般可控硅的额定电压就是指峰值电压。
7-1-4 可控硅的型号及简易检测一、型号我国目前生产的可控硅型号有两种，即3CT 系列和KP 系列。
3 C T – 5/500表示正向阻断峰值电压（V）[500V]表示额定正向平均电流（A）[5A]表示可控硅元件表示N 型硅材料表示三个电极K P 200-10D通态平均电压级别（小于100A的不标）①D级为0.7V额定电压级别②[为1000V]额定正向平均电流[200A]普通型可控硅二、简易检测简易检测可确定质量好坏。
简易的检测方法如下：1、检测阳、阴极正反向是否短路。
可用万用表Ω×k R 1电阻挡，测试阳、阴极间的正反向电阻，都应很大（指针基本不动），否则元件内部有短路或元件性能不好。
2、检测控制极是否短路或断开。
判断的原则与测普通晶体二极管方法相同。
以上只是粗略检测，实际上用万用表不可能对可控硅作全面检测。
§7-2 可控硅整流电路7-2-1 单相半波可控整流电路图4（a）是单相半波可控整流电路。
工作原理如下： 设t V v ωsin 222=，波形见图4（b）。
当αω=t 时，控制极加有触发电压,如图4（b）所示。
当g v πω=t 时，交流电压02=v ，可控硅自行关断。
在进入负半周后，可控硅承受反向电压，呈反向阻断状态。
2v图4 单相半波可控整流电路及波形图 在0～α期间，可控硅正向阻断；在α～π（即θ）期间，可控硅导通。
α叫控制角θ叫导通角。
控制角α越大，导通角θ就越小，和为定值π。
改变触发电压到来的时刻，就改变了导通角θ，也就改变了负载电压的平均值。
如图4（c），控制角L v α增大，而导通角θ减小，负载电压平均值亦将减小。
反之，若控制角α减小，导通角θ将增大，负载电压平均值也将增大。
7-2-2 单相桥式可控整流电路图5（a）是单相桥式可控整流电路。
桥式整流输出电压2v ′对可控硅SCR 来说是正向电压，因此只要合适的触发电压到来，SCR 即可导通。
如忽略它的正向压降，则负载电压将与g v L v 2v ′对应部分相等。
当经过零值时，可控硅SCR自行关断，在2v ′2v ′的第二个半周中，电路将重现第一个半周的情况。
图5（b）为工作波形。
此电路通过调整触发信号出现的时间来改变可控硅的控制角α和导通角θ，实现控制输出电压平均值之目的。
图5 单相桥式可控整流电路及工作波形图 §7-3 可控硅的触发电路提供正向触发电压的电路。
7-3-1 可控整流对触发电路的要求可控整流电路中可控硅对触发信号有下列几点要求： 1、触发电压必须在可控硅承受正向电压时加到它的控制极上；2、触发电压只需要短时间存在，因此常用脉冲电压；3、触发脉冲应有一定的幅值和功率，并有足够的移相范围；4、触发电路输出脉冲与整流主电路输出电压必须“同步”。
7-3-2 单结晶体管触发电路 一、单结晶体管的结构和型号图6 单结晶体管 结构如图6（a），三个电极:发射极e、第一基极、第二基极，一个PN 结。
图形符号如图6（b），发射极箭头表示经PN 结的电流只流向极。
图6（c）是等效电路图。
表示和间电阻，随发射极电流而变，上升，下降。
R 1b 2b 1b 1b R e 1b E I 1b R 2b表示e 和间的电阻，数值与无关。
两基极间电阻=+。
2b E I bb R 1b R 2b R bb b R R 1=η称为分压比，η一般在0.3～0.8之间。
单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33、BT35等。
二、单结晶体管的负阻特性单结晶体管具有负阻特性，如图7（a）。
所谓负阻特性，就是当发射极电流增加时，发射极电压反而减小。
结合图7（b）实验示意图说明如下:E V 在、间加电压，和b 间加可调电源，当V 从0开始增加，但小于1b 2b BB V图7 单结晶体管的负阻特性 e 1E G E BB V η时，二极管D反偏，只有很小的反向电流；V BB E V η=时，D 无偏压；V 继续升高，使E D BB E V V V +>η（V 是PN 结正向压降），PN 结导通后，P 区空穴将注入N 区，e 和间空穴浓度增加，减小，V 减小（D 1b 1b R BI BB BB bbb BI V V R R V ），导致PN 结正向电压加大，进一步减小……。
急剧上升的在上的压降加大，V 减小，呈现负阻特性。
η==11b R E I p R E 特性曲线显示D BB V V +η为峰点电压V ，为峰点电流。
峰点左侧为截止区、峰点右侧为负阻区。
当V 下降到谷点电压V 时，R 下降至极限，此时的电流称谷点电流。
谷点的左侧为负阻区，右侧为饱和区。
管子处在饱和区时，很大而V 很小。
P P I E V 1b V I E IE 图8 单结晶体管振荡器 三、单结晶体管振荡器图8为单结晶体管振荡电路：接通电源，V 通过向电容C 充电，逐渐上升。
V 达到单结晶体管峰点电压B e R E V E图9 带有同步触发电路的可控整流电路 前，单结晶体管截止，电阻上流过电流极小，1R 0≈o v 。
达到单结晶体管的峰点电压后，电容器通过、放电，迅速下降。
当降至谷点电压时，e 、间又转为高电阻截止状态，电源再次通过向电容C 充电，又按指数规律升高……。
输出端电压波形如图8（b）。
是一个前沿陡峭的电压脉冲，可以用作可控硅的触发脉冲。
E V 1b R 1R E V E V 1b e R E V o v 四、带有同步触发电路的可控整流电路图9、10是带有同步触发电路的可控整流电路和电压波形图。
图9的上半部分是单结晶体管脉冲发生器，直流电压通过的桥式整流得到，1～0间的电压是脉动波形，如图10（a）。
单向脉动电压经、稳压电路后，峰值受到限制，2～0间电压波形为梯形波，见图10（b）。
在交流电压的每半个周期内单结晶41~D D1 R 9D 体管都将输出一组脉冲，如图10（d），但起作用的只是第一个脉冲。
当可控硅承受的全波整流输出电压过零时，由于梯形波电压和该电压同步，所以在此同时，，，显然、之间的情况类似于二极管的导通状态，使电容C 能很快把所存电荷泄放掉。
在下一个梯形波中电容器从0开始充电，保证了电容器电压从0到达峰点电压所需时间相同，每半个周期内可控硅电路的控制角相等，从而实现同步触发。
以上过程可参看图10（d）、（e）。
