场效应管的识别方法及好坏判断
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判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。
2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。
3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。
如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。
4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。
如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。
5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。
6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。
具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。
通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。
如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。
根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。
下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。
1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。
根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。
结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。
其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。
JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。
（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。
（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。
2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。
根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。
MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
场效应管检测方法
场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
如何识别场效应管晶体管的管脚
如何识别场效应晶体管的管脚？新闻出处：电子市场发布时间：2008年09月02日测量场效应晶体管的管脚可以用万用表R X 1K电阻挡位进行测试。
试探结型场效应管的哪个管脚为栅极的方法是：将万用表中的红表笔接一个管脚，黑表笔分别去接另外两个管脚。
如果两次测出的结果相同，所测的阻值都很大或所测的阻值都很小，则可判断出红表笔所测的管脚为栅极。
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别一、什么是场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。
这种晶体管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体元件。
具有输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极（闸极）与其他电极完全绝缘而得名。
按沟道半导体材料的不同，场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已，这如同三极管有NPN型和PNP型一样。
同普通三极管一样，场效应管也有三个引脚，分别是门极（又称栅极）、源极、漏极3个端子。
场效应管可看做一只普通三极管，栅极（闸极）G对应基极B，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管）。
二、常用场效应管的种类与识别目前应用最为广泛的是绝缘栅型场效应管，简称MOS管或简称MOSFET（Met al Oxide Semiconductor FET，即金属-氧化物-半导体场效应管），这里就侧重介绍绝缘栅型场效应管的相关知识与测量方法。
1、常用场效应管的种类（1）小功率场效应管常用的小功率场效应管主要有TO-92封装和SOT-23、SOT-223等封装形式。
采用TO-92封装的场效应管型号常用的有2N7002、BSP254、BS170、1N60等。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
TO-92封装场效应管的实物如图1所示。
图1 TO-92封装场效应管采用SOT-23封装的有代码为K1N、K72、K7A、K7B的2N7002（N沟道）、代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等型号。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
6.场效应管识别与测量详解
-1 V -1. 5 V
O
-2 V
2
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关。
数学模型：
V GS I D I DSS 1 V GS(off)
在饱和区，JFET 的 ID 与 VGS 之间也满足平方律关 系，但由于 JFET 与 MOS 管结构不同，故方程不同。
利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS 的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的 宽窄，控制漏极电流 ID。 综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似， 它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于 导电沟道形成的原理不同。
3、 结型场效应管特性曲线 伏安特性曲线
NJFET 输出特性
截止区
ID = 0 以下的工作区域。 条件： VGS < VGS(th) 沟道未形成时的工作区 特点： IG 0，ID 0
O ID/mA VDS = VGS – VGS(th)
VGS = 5 V
4.5 V 4V 3.5 V VDS /V
相当于 MOS 管三个电极断开。
击穿区
• VDS 增大到一定值时漏衬 PN 结雪崩击穿 ID 剧增。 • VDS 沟道 l 对于 l 较小的 MOS 管 穿通击穿。
10、场效应管的特性 曲线
NEMOS 管输出特性曲线
非饱和区
沟道预夹断前对应的工作区。 条件： 特点：
ID/mA VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 4.5 V
VGS > VGS(th) V DS < VGS – VGS(th)
O
4V 3.5 V
VDS /V
ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。
O
-2 V
2
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关。
数学模型：
V GS I D I DSS 1 V GS(off)
在饱和区，JFET 的 ID 与 VGS 之间也满足平方律关 系，但由于 JFET 与 MOS 管结构不同，故方程不同。
利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS 的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的 宽窄，控制漏极电流 ID。 综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似， 它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于 导电沟道形成的原理不同。
3、 结型场效应管特性曲线 伏安特性曲线
NJFET 输出特性
截止区
ID = 0 以下的工作区域。 条件： VGS < VGS(th) 沟道未形成时的工作区 特点： IG 0，ID 0
O ID/mA VDS = VGS – VGS(th)
VGS = 5 V
4.5 V 4V 3.5 V VDS /V
相当于 MOS 管三个电极断开。
击穿区
• VDS 增大到一定值时漏衬 PN 结雪崩击穿 ID 剧增。 • VDS 沟道 l 对于 l 较小的 MOS 管 穿通击穿。
10、场效应管的特性 曲线
NEMOS 管输出特性曲线
非饱和区
沟道预夹断前对应的工作区。 条件： 特点：
ID/mA VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 4.5 V
VGS > VGS(th) V DS < VGS – VGS(th)
O
4V 3.5 V
VDS /V
ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。
场效应管的识别与测量教案
备课教案第周课题场效应管的测量所需课时 3教学目的1、结型场效应管的管脚识别与检测方法2、VMOS场效应管的检测方法重点结型场效应管、VMOS场效应管的检测方法难点结型场效应管、VMOS场效应管各极的判别方法教学过程：一、复习：1、场效应管的工作原理2、场效应管的主要参数二、新课讲授：一、1.场效应晶体管分类2.目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。
二、1、结型场效应管的管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D 和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。
这时表针指示出的是D-S极间电阻值。
然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
由于管子的放大作用，UDS 和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
第6章 场效应管、 晶闸管和单结晶体 管的识别与检测
6.1 场效应管的识别与检测 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、 噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小 等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。 场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但 由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的 差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应 管是一种电压控制器件。 场效应管（FET）是一种电压控制型半导体器件 （通过改变栅极和源极之间电压来控制其漏极电 流），在电路中主要起信号放大、阻抗变换等作用； 晶体闸流管简称晶闸管（可控硅），是可控整流半 导体器件，主要用于交直流无触点开关、调光、调 速、过压保护等电路中；单结晶体管因只有一个PN 结，但它与二极管的特性却不相同，多用于触发电 路、振荡电路及双稳态等电路中。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.1.2 场效应管的命名法 国产场效应管的型号命名方法有两种：第一种是与 普通三极管相同，第一部分用数字3表示主称；第 二部分用字母表示材料：D是P型硅N沟道，C是N 型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J 代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四 部分用数字表示序号。 例如，3DJ6D表示结型N沟道场效应三极管， 3DO6C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法采用字母“CS”+“XX﹟”的形式，其 中“CS”代表场效应管，“XX”以字代表型号的序号， “﹟”用字母代表同一型号中的不同规格，如CS16A、 CS55G等。
6.1 场效应管的识别与检测 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、 噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小 等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。 场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但 由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的 差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应 管是一种电压控制器件。 场效应管（FET）是一种电压控制型半导体器件 （通过改变栅极和源极之间电压来控制其漏极电 流），在电路中主要起信号放大、阻抗变换等作用； 晶体闸流管简称晶闸管（可控硅），是可控整流半 导体器件，主要用于交直流无触点开关、调光、调 速、过压保护等电路中；单结晶体管因只有一个PN 结，但它与二极管的特性却不相同，多用于触发电 路、振荡电路及双稳态等电路中。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.1.2 场效应管的命名法 国产场效应管的型号命名方法有两种：第一种是与 普通三极管相同，第一部分用数字3表示主称；第 二部分用字母表示材料：D是P型硅N沟道，C是N 型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J 代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四 部分用数字表示序号。 例如，3DJ6D表示结型N沟道场效应三极管， 3DO6C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法采用字母“CS”+“XX﹟”的形式，其 中“CS”代表场效应管，“XX”以字代表型号的序号， “﹟”用字母代表同一型号中的不同规格，如CS16A、 CS55G等。
场效应管详细资料
一：场效管的作用场效管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但它与三极管的工作原理不一样场效管也有三只脚，分别是控制极栅极（G极）、源极（S极）、漏极（D极）场效管与三极管三只引脚的对应关系：栅极（G）对应基极（B）、源极（S）对应发射极（E）、漏极（D）对应集电极（C）二：场效管的分类主板中的场效管，按照极性有P沟道和N沟道主板上常用的场效管有SOT－23、SOT－223、SO－8、TO－251、TO－252（TO －263）等其中SOT－23封装的有代码为KIN或K72或K7A或K7B的2N7002（N沟道）；代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等开题，这种场效管主要用在放大和电子开关电路中其中SO－8封装的场效管，其内部有两个场效管，这种场效管通常称为双场效管，主板中常用的型号有FDS8936、SI9936、NDS9956A、FDS9926A、FDS6912、FDS6912A、FDS6982、FDS6930A等，这种场效管主要用在电子开关和小功率稳压供电电路中其中SOT－223封装的有代码为BSP100（N沟道）、P3055LL（N沟道）等型号，这种场效管主要用在中，小功率稳压电路中，如北桥供电、3.3V供电其中TO－251封装的有代码为HUF76107D3（N沟道）、AMP3055（N沟道）等型号，这种场效管主要应用在中功率供电电路中，如南桥供电、北桥供电、AGP 显卡供电、内在供电电路中其中TO－252（TO－263）封装的有代码为HUF76121D3S、60N03、50N03、45N03、FDB6030、CEB703AL、CEB603AL、RF1S45N03LSM、RFD3055SM、BUZ102SL、PHD96NQ03LT、PHD98N03LT、PHD9NQ20T、FDB6670、K3296、32N03等型号，以上都属于N沟道场效管，都属于大功率N沟道场效管，这种场效管主要应用在大供电电路中，如CPU供电电路三：场效管的识别在电脑电路中，场效管常用字母“Q”、“V”、“VT”加数字表示对于主板中使用的贴片场效管来说，从左到右其引脚基本为G、D、S（散热片接D极）四：场效管的检测与代换在维修中，主板中的场效管通常为击穿（短路）损坏，这时保引脚之间通常呈短路状态，因此用数字万用表的二极管档检测各引脚间的压降值通常为0V。
mosfet测试方法
场效应管（MOSFET）检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
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场效应管的识别方法及好坏判断作者：佚名来源：本站整理发布时间：2009-4-26 8:34:50 [收藏] [评论]
场效应管的识别方法及测量
一、符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件
场效应管分三个极：
Ｄ极为漏极（供电极）
Ｓ极为源极（输出极）
Ｇ极为栅极（控制极）
Ｄ极和Ｓ极可互换使用
场效应管图例：
二、场效应管的分类：
场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、场效应管的特性：
1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压
2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高
3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通
4、场管的ＤＳ功能可互换
Ｎ沟道场管的导通截止电压：
导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大
截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流
四、场效应管的作用：
放大、调制、谐振、开关
五、场效应管的测量及好坏判断
1、测量
极性及管型判断
红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道
红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道
如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿
贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测
场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准
2、好坏判断
测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为
开路
软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场管的代换原则（只适合主板）
场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可
功率大的可以代换功率小的
技嘉主板的场管最好原值代换
七、主板上常见的场管型号
N沟道：
702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF
中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03
外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、7030
55N03、76139D、76129S、10N03、15M03
F827、F841、BPS100
P沟道：
352A、356。