模拟电子技术试卷1答案

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。

2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。

3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。

6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。

集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。

二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。

CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。

模拟电子技术-2005-0001 (题目数量：42 总分：100.0)1.单选题(题目数量：16 总分：48.0)1. 互补输出级采用射极输出方式是为了使A.电压放大倍数高B.C.D.带负载能力强答案: A2. 某放大电路如图所示，已知三极管的，电容C1, C2 和Ce对交流视为短路,则该放大电路的组态为（D）A.共射B.共集C.共基D.选项都不是答案:D3. 为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。

A.电压B.电流C.串联D.并联答案: 电压4. 某放大电路如图所示，已知三极管的，电容C1, C2 和Ce对交流视为短路，该放大电路的电压放大倍数约为（D）A.92B.-92C.100D.选项都不对答案:D5. 功率放大电路的转换效率是指（）A. B. C. D.都不对答案: 最大输出功率与电源提供的平均功率之比6. 电路如图3所示，电阻R B1=120K，R B2=80K，Re=2K，R L=3K；晶体管T的β=50，r bb’=0，V BE=0.7V，r ce=∞, V CE(sat)=0.2V，该放大电路的输出电阻为（）A.3KB.24.5C.1.2KD.都不对答案:B7. 电路如图1所示，电路的反馈系数为A.10B.9C.1D.0.1答案: C8. 电路如图1所示，该电路开环传函引入的负反馈类型为A.电压串联B.电流并联C.电压并联D.电流串联答案:A9. 电路如图2所示，说法正确的是（）：A.电路不能放大B.电路可以放大C.去掉R1就可以放大。

D.选项都不对答案:D10. 电路如图1所示，运放为单极点，开环增益为105，带宽为10Hz，则该放大电路的带宽为A.105B.106C.10D.104答案:B11. 电路如图1所示，电路的电压放大倍数为A.-9B.9C.10D.-10答案:C12. 若图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES│，则最大输出功率P OM=A. B. C. D.都不对答案:C13. 在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为A. B. C. D.都不对答案:A14. 如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A.击穿B.电流为0C.电流过大使管子烧坏D.正常导通答案:D15. 电路如图所示，输入信号为正弦波，当幅度逐渐增大，首先出现波形的（）失真。

专科《模拟电子技术》模拟题试卷一。

（共60题,共150分）1. 理想的功率放大电路应工作于( ）状态. （2分)A。

甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D。

丙类互补★检查答案标准答案：C2。

NPN共射电路的Q点设置在接近于( ）处将产生顶部失真。

（2分)A.截止区B。

饱和区C.击穿区D。

放大区★检查答案标准答案：A3。

双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是( )接法。

（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D。

共栅极★检查答案标准答案:B4. 当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是（)。

（2分）A.低通B。

高通C。

带通D。

带阻★检查答案标准答案:C5。

为了提高电压放大倍数，希望放大电路的( )大一些。

(2分)A.输入电流B。

输出电流C.输入电阻D。

输出电阻★检查答案标准答案：D6。

当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将（)漂移电流。

此时，耗尽层的宽度将（）. (2分）A.大于变宽B.大于变窄C。

小于变宽D。

等于不变★检查答案标准答案：C7。

差动放大电路的特点是抑制（）信号,放大（)信号. （2分）A。

共模共模B.共模差模C。

差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8。

共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位（）。

(2分）A。

相差0B。

相差45C。

相差90D。

相差180★检查答案标准答案：A9. 直流电源滤波的主要目的是：（）。

（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C。

将正弦波变成方波D。

将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10. 电路如图所示。

若V1管正负极接反了,则输出（)。

（2分）A。

只有半周波形B。

全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D。

无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11。

双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。

场效应管是控制器件。

期末模拟试卷一答案课程名称：模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。

A 、增大 ，B 、减小，C 、不变 答案：A2. 在N 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。

A 、大于，B 、小于 ，C 、等于 答案：B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。

A 、所放大的信号不同，B 、交流通路不同，C 、直流通路不同 答案：C4. 在长尾式的差分放大电路中，Re 对＿＿有负反馈作用。

A 、差模信号，B 、共模信号，C 、任意信号 答案：B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ，可能是因为_____。

A 、CC V 过大 ， B 、c R 开路， C 、b R 开路， D 、β 过大答案：C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ，测得I ＝1μA 。

当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时，I 将____。

A 、 为2μA 左右，B 、为0.5μA 左右，C 、变化不大，D 、远大于2μA 答案：C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V，UE=0.3V，UC=3V，则此晶体管工作在____状态。

A．截止B．饱和C．放大 D. 开关答案：C8. 差动放大电路的主要特点是____。

A. 放大差模信号，抑制共模信号；B. 既放大差模信号，又放大共模信号；C. 放大共模信号，抑制差模信号；D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

答案：A9．互补输出级采用射极输出方式是为了使____。

A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案：D10．集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。

A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案：C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路，其组成主要是____。

A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案：B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路（A、低通，B、高通，C、带通，D、带阻，E、全通）。

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分)1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关,而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线;当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈.9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F)，对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF）BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器.13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路.14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移,所以它广泛应用于集成电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅,未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B ）状态，但其两端电压必须（ C ）,它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于（ F ）状态。

习 题 11.1． 当负载开路（R L =∞）时测得放大电路的输出电压o u'=2V ；当输出端接入R L =5.1kΩ的负载时，输出电压下降为u o =1. 2V ，求放大电路的输出电阻R o 。

解：'L o o L o R u u R R =•+，'o o(1) 3.4k o L u R R u =-=Ω 1.2 当在放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s =1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ，求放大电路的输入电阻 R i 。

解：ii s i s R u u R R =•+， ∴()2k i i s s iu R R u u ==Ω-1.3 当在电压放大电路的输入端接入电压 u s =15mV ，内阻 R s = 1k Ω的信号源时，测得电路的输入端的电压为 u i =10mV ；放大电路输出端接 R L = 3k Ω的负载，测得输出电压为u o =1.5V ，试计算该放大电路的电压增益 A u 和电流增益 A i ，并分别用 d B （分贝）表示。

解：oi150u u A u ==，dB A dB A u u 5.43lg 20)(== 100()o o Li i s i sI u R A I u u R ===-，dB A dB A i i 40lg 20)(== 1.4 某放大电路的幅频响应特性曲线如图1.1所示，试求电路的中频增益A um 、下限截止频率f L 、上限截止频率f H 和通频带f BW 。

解：dB dB A um 40)(= ∴100=umAHz f H 510= Hz f L 20= ∴Hz f f f f H L H BW 510=≈-=图1.1 习题1.4电路图 图1.2 习题1.5电路图1.5 电路如图1.2所示，已知：当输入电压为0.4V 时，要求输出电压为4V 。

试求解R 1和R 2的阻值。

模拟电子技术试卷1答案及评分标准一、判断题(每题1分，共10分)1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。

（对）2.三极管共集电极电路的发射极电阻R e可以稳定静态工作点。

（对）3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。

（对）4.差分放大电路采用双端输出时，在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。

（对）5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

(错 )6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。

（错）7.共集电极电路的输入阻抗高，输出阻抗低，电压放大倍数大。

（错）8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。

（错）9.互补输出级应采用共集或共漏接法。

( 对)10.乙类功率放大电路的效率最高，理论上可达78.5％，但存在交越失真。

（对）二、填空题（每空1分，共28分）1.当 PN 结正向偏置时，扩散电流大于_漂移电流，耗尽层变窄。

当 PN 结反向偏置时，扩散电流_小于_漂移电流。

（填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄）2.三极管的外加偏置满足发射结正偏和集电结反偏时，工作在放大区。

3.当温度升高时，晶体三极管的U BE将_减小，I CEO增大，β_ 增大。

(增大或减小)4.场效应管是通过改变电压来改变电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。

5.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路，其目的是克服零点漂移。

6.在差分放大电路中，两输入端获得的一对大小相等，极性相反的信号称差模信号；而大小相等，极性相同的信号称为共模信号。

7.已知某深度负反馈电路开环增益A Ud=100，反馈系数F=0.1，则闭环增益A Uf＝9.09 。

8.正弦波振荡电路一般由放大电路、反馈环路、选频网络和稳幅环节等四个环节组成，而且缺一不可。

9.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是：振幅条件和相位条件。

大学《模拟电子技术》复习题及答案一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况B R L 开路C C 开路D 一个二极管和C 开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。

模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。

（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。

（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。

（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。

（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。

（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。

（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。

（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。

（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。

（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。

（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。

A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。

A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。