武汉理工《模拟电子技术基础》各章知识点及考试重点剖析

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

武汉理工大学《模拟电子技术基础》考试大纲第一部分关于考核的有关说明一、考核要求重点考核模拟电路所涉及到的有关概念、基本分析、计算方法。

考核分三个层次要求：◆掌握：要求学习者能够熟练运用的基本理论和基本分析方法。

◆理解：要求学习者能够明确认识的基本概念和基本理论。

◆了解：定性知道的一些概念。

二、试题题型◆判断题：主要涉及本课程的一些基本概念、特点、重要定义、结论等。

◆填空题：论述所学的基本内容。

◆计算题：运用基本理论通过计算求解的综合题。

◆作图题：通过运用基本理论分析，画出电路图或波形图。

三、参考教材◆采用清华大学出版社出版武汉理工大学电子技术课程组主编的《模拟电子技术基础》；第二部分考核内容和要求第一章半导体基础知识1、了解半导体的导电特性。

2、理解本征半导体（N型和P型）的特性，理解杂质半导体（N型和P型）的特性，3、正确理解和掌握PN结的单向导电性。

第二章半导体二极管及其电路1、掌握普通二极管的理想模型、恒压降模型、特性和应用，掌握波形绘制。

2、掌握稳压二极管的特性和应用，掌握波形绘制。

3、掌握发光二极管的特性和应用。

第三章双极型三极管及其放大电路1、掌握双极型三极管的输入和输出特性、电流分配关系，理解双极型三极管的工作原理。

2、掌握放大的概念与本质，放大的条件。

3、熟练掌握四种典型三极管放大电路静态工作点的估算方法和用简化的h参数等效电路分析放大电路的电压放大倍数A v、输入电阻Ri、输出电阻Ro的方法，掌握r be的近似估算公式。

4、正确理解利用图解法分析放大电路的静态工作点和动态工作波形绘制情况。

5、正确理解温度变化对三极管参数的影响，掌握射极偏置工作点稳定电路的工作原理。

7、掌握多级放大电路的工作原理、特点和电压放大倍数的计算方法。

一般了解各种耦合方式(直接耦合、阻容耦合、变压器耦合)的特点。

8、理解和掌握频率响应的概念，了解含有一个时间常数的单管共射放大电路频率响应。

9、正确理解上限频率fH、下限频率fL、通频带BW、频率失真、波特图的意义和掌握波特图的画法。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。

第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。

❑导电能力介于导体和绝缘体之间。

❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。

❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。

◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。

◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。

当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。

2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。

◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。

❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。

◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。

❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。

❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。

◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。

◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。

◆PN结的伏安（曲线）方程：4.半导体二极管❑普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。

（完整版）模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。

前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs 是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料）。

·纯净（纯度>7N）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。

在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。

本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。

温度越高，本征激发越强。

+载流子。

空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q+电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。

格中的空位，使局部显示q·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。

复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）。

·在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。

·由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。

·在常温下，多子>>少子（图1-7）。

多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。

·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。

3．半导体中的两种电流在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。

4．PN结·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结（图1-8）。

2012.12《模拟电子技术基础B》考试提纲一、考试提纲各章的考试知识点列举如下：1、半导体基础知识本章侧重于基本概念，相关知识点如下：模拟信号、束缚电子、空穴、电子空穴对、本征激发、半导体的特性、本征半导体、杂质半导体的形成、载流子、多子、少子、PN结的形成及特性。

2、半导体二极管及其电路1）基本概念单向导电性、稳压二极管的特性。

2）分析计算能够判断二极管在电路中的工作状态。

能够利用二极管的理想模型推导电路的输出波形。

能够根据稳压二极管的特性推导电路的输出波形。

3、双极型三极管及其放大电路（本章为考试的重点章节）1）基本概念三极管的工作原理、三极管的电流分配关系、三极管具有放大作用的内因和外因、在线电压测量法、在线电流测量法、直流负载线、交流负载线、静态工作点、三极管的小信号等效模型、饱和失真、截止失真、频率失真、频率特性。

2）分析计算能够判断三极管放大电路的组态。

能够分析三大组态（四种电路）的静态工作点、电压增益、输入电阻和输出电阻等相关参数。

能够根据波特图分析电路的上、下限截止频率和中频增益。

（不要求根据表达式作波特图）4、单极型场效应管及其放大电路本章侧重基本概念，相关知识点如下：场效应管的分类、场效应管的特点、夹断电压、开启电压、各种类型场效应管的转移特性。

5、功率放大电路1）基本概念功放的分类、交越失真。

2）分析计算能够计算OCL和OTL电路的输出功率、管耗、电源供给功率和效率。

6、集成运算放大电路1）基本概念差模信号、共模信号、共模抑制比2）分析计算能够计算差分放大电路的差模电压增益、共模电压增益、共模抑制比、差模输入电阻和差模输出电阻等相关参数。

7、负反馈放大电路（本章为考试的重点章节）1）基本概念反馈的分类、负反馈的四种类型、负反馈的方框图、开环增益、闭环增益、反馈系数、反馈深度、深度负反馈、闭环增益的稳定性、各种类型负反馈的作用。

2）分析计算能够判断电路中反馈的类型。

能够根据方框图推导负反馈的闭环增益。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一。

半导体的基础知识1.半导体——-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2。

特性—-—光敏、热敏和掺杂特性。

３.本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体。

4。

两种载流子-—--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体——-—在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）.6.杂质半导体的特性*载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.*体电阻——-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型—-—通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.ＰN结*ＰN结的接触电位差——－硅材料约为0。

6~0。

8V，锗材料约为0。

2～０.３V．*PN结的单向导电性－--正偏导通，反偏截止.8。

PN结的伏安特性二。

半导体二极管＊单向导电性—－－-—－正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性－——-同ＰＮ结。

＊正向导通压降——--——硅管0．６~0.7V,锗管0.2~0.3V。

＊死区电压--—-—－硅管0。

5V,锗管0。

1V。

3.分析方法--—－—-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若V阳>V阴(正偏),二极管导通（短路);若V阳＜V阴（反偏)，二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2）等效电路法➢直流等效电路法＊总的解题手段-———将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若Ｖ阳〉Ｖ阴( 正偏），二极管导通(短路);若Ｖ阳<V阴( 反偏），二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性—--正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

《模拟电子技术》课程知识点第一章半导体器件1、熟悉半导体的定义，半导体器件所采用的主要材料，各自的特点。

2、熟悉本征半导体，杂质半导体，的定义。

3、掌握PN结的形成过程及半导体二极管的基本特性。

4、熟悉二极管的主要参数5、二极管构成的电路的分析（理想模型、恒压模型、折线模型），二极管在路分析的步骤。

6、掌握硅稳压管稳压电路的电路结构、稳压原理，熟悉限流电阻的估算。

7、了解发光二极管，以及限流电阻的计算。

8、二极管整流电路（半波、桥式全波）组成，输出电压平均值、二极管参数要求的计算。

9、掌握双极型三极管的导电类型、材料、符号。

10、掌握双极型三极管各个极电流的关系，输入、输出特性，熟悉三极管的主要参数。

11、掌握三极管的工作状态及判断方法。

12、场效应管的分类，工作状态（曲线上的区域），跨导的定义式。

13、场效应管工作在夹断区、可变电阻区、恒流区的判断。

14、读懂场效应管的转移特性、输出特性曲线，在图中能够找出相关的已知参数。

第二章放大电路的基本原理1、掌握单管共射放大电路的电路形式、工作原理对照波形图。

2、熟悉放大电路的主要技术指标。

3、掌握放大电路的分析方法①交、直流等效电路的画法②估算法计算静态工作点（I BQ、I CQ、U BEQ、U CEQ）③图解法分析电路中的电压电流波形④微变等效电路法计算动态参数（A U 、R I、R O）4、掌握分压式偏置工作点稳定电路的分析计算：电路结构、分析原理、稳定静态工作点的过程、静态工作点的计算、动态参数的计算。

5、熟悉图解法分析电路（直流、交流负载线），估算最大不失真输出电压值；能够根据波形分析目前失真与否及失真类型，并知道如何调整静态工作点可消除当前失真。

6、放大电路的基本组态有哪些？如何判断？不同的基本组态电路的分析计算以及相应的特点的总结。

7、场效应管放大电路的计算（静态工作点：U GSQ,U DSQ,I DQ）,动态参数计算（场效应管的低频等效图，g m的计算），代入微变等效电路，列方程导出输出电压，输入电压关系。

武汉理工《模拟电子技术基础》各章知识点及考试重点半导体基础知识及二极管应掌握的知识点：1.先修知识之放大电路的四种基本模型及用法2.先修知识之电阻串、并、混联的等效变换3.先修知识之kirchhoff's law4.先修知识之戴维南、诺顿等效变换及线性叠加原理5.本征半导体的掺杂特性与本征激发特性以及两种载流子6.掌握P型与N型半导体材料的形成机理7.理解PN结的形成机理8.掌握PN结的单向导电性及伏安特性曲线9.掌握二极管的伏安特性，了解其重要参数10.重点掌握半导体二极管的简化模型分析法之理想、恒压降、折线模型及适用范围、使用方法11.**理解半导体二极管的简化模型分析法之小信号模型及适用范围、使用方法12.重点掌握特殊二极管之稳压二极管特性及应用电路的分析方法13.了解其它特殊二极管特性及应用14.完成并掌握习题2中客观检测题所涉及的基本概念双极型三极管及其放大电路应掌握的知识点：1.掌握三极管（BJT）的结构与符号2.理解BJT内部载流子的传输，掌握电流分配关系3.了解放大电路中BJT具有放大作用的内部与外部条件，掌握BJT具有放大作用的外部偏置条件4.掌握BJT的伏安特性曲线、主要参数及其三个工作区域和安全工作区5.掌握放大电路的基本组成、三种组态和性能指标6.掌握用估算法和图解分析法对放大电路做静态分析的基本思路，能算出典型电路静态工作点具体数值7.掌握利用小信号模型对电路做动态分析的基本思路，能根据要求写出增益、输入、输出电阻的表达式8.掌握静态工作点、直流负载线、最大动态范围、非线性失真、交流负载线、微变电阻等概念9.理解基极分压式射极偏置电路的静态工作点稳定过程10.了解BJT混合参数小信号模型的合理布局，掌握放大电路直流通路与交流通路的画法11.**通过自学与讨论了解多级放大电路耦合方式，掌握其静态与动态分析思路12.完成并掌握习题3中客观检测题所涉及的基本概念场效应管及其放大电路应掌握的知识点：1.了解双极型三极管BJT与单极型三极管FET的共性与个性2.掌握根据特性曲线判断场效应管类型的方法3.掌握JFET的结构与工作原理（外加栅源极电压对沟道导电性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响）4.掌握JFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、夹断电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系5.了解JFET主要参数6.掌握MOSFET的结构工作原理（外加栅源极电压对沟道导电性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响）7.掌握MOSFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、夹断或开启电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系8.了解MOSFET主要参数9.了解场效应管放大电路的常用偏置方式及适用范围，掌握FET放大电路的动、静态分析方法，掌握FET的低频小信号模型，正确认识耗尽型FET自偏压的特性10.完成并掌握习题4中客观检测题所涉及的基本概念功率放大电路应掌握的知识点：1.了解按照导通角对放大电路进行分类的思路2.了解功率放大电路的特征和一般问题3.掌握双电源乙类互补对称功率放大电路(OCL)的结构和工作原理4.掌握基于图解分析对双电源乙类互补对称功放的输出功率、管耗、效率等主要指标参数进行估算的方法5.了解交越失真现象及其产生的原因和消除交越失真的措施6.掌握常用甲乙类功率放大电路的电路结构和工作特点7.了解单电源（OTL）互补对称功放的结构特点及工作原理8.掌握复合管结构特点和分析计算方法9.了解桥式推挽功放的电路结构和工作特点10.掌握功率管的选择依据11.**了解集成功率器件的主要性能参数12.**了解集成功率器件在使用上应注意的主要问题和相关性能指标的估算13.完成并掌握习题5中客观检测题所涉及的基本概念集成运算放大器应掌握的知识点：1.掌握射极偏置差分式放大电路的电路结构、工作特点和静、动态分析方法和主要性能指标的计算2.掌握差模输入信号、共模输入信号、差模输入方式、共模输入方式、差模分量、共模分量、双端输出、单端输出、共模通路、差模通路、共模抑制比等知识点3.理解射极偏置电阻对共模及差模电压增益的影响4.了解差分式放大电路的传输特性5.了解电流源在集成电路中的作用6.**了解常用BJT、FET电流源电路稳定输出电流的原理7.了解集成运算放大器基本组成与特点8.了解集成运算放大器主要性能指标与参数，在实际应用中需要注意的问题9.**了解集成运算放大器的种类和应用场合（信号的运算与处理电路章节将继续深入该内容）10.完成并掌握习题6中客观检测题所涉及的基本概念放大电路的频率响应应掌握的知识点：1.掌握放大电路频率响应的实质和定义2.掌握RC一阶高、低通电路的传递函数、频率特性、特性参数和波特图，掌握多级放大电路频率响应特性表达式与波特图的对应关系3.**了解BJT的低、高频小信号模型及频率参数（56学时不做要求）4.**了解多级放大电路频率响应和波特图、单极放大电路瞬态响应（56学时不做要求）5.完成并掌握习题7中客观检测题所涉及的基本概念负反馈放大电路应掌握的知识点：1.掌握反馈的定义、本质特征和反馈放大电路的组成框图等基本概念2.掌握反馈的分类3.掌握负反馈放大电路根据反馈网络与基本放大电路在输出回路与输入回路的连接方式呈现的四种基本组态及其各自的特征4.能够运用瞬时极性法判断反馈极性，能根据具体电路判断其反馈类型和组态5.掌握负反馈放大电路闭环增益的一般表达式6.了解负反馈对放大电路性能的影响，能够根据需要为基本放大电路引入正确、适当的负反馈7.掌握深度负反馈条件下的近似计算8.**了解负反馈放大电路产生自激振荡的原因和条件9.**理解负反馈放大电路能够稳定工作的条件10.**了解改善放大电路稳定性的常用方法11.完成并掌握习题8中客观检测题所涉及的基本概念信号的运算与处理电路应掌握的知识点（算术运算、滤波器、电压比较器）：1.了解运放的基本组成和传输特性2.掌握理想运放的特点和虚断、虚短的概念3.掌握主要技术指标在理想条件下的近似计算4.掌握同、反相以及差动输入方式的特点5.掌握各种基本运算电路（比例、比例求和、比例求差、微分、积分）的结构特点和分析计算方法6.能根据要求设计基本的运算电路7.**了解集成运算放大器在信号的运算、处理与检测中的应用8.掌握滤波电路的基本概念（通带、阻带、有源、无源、高通、低通、带通、带阻、全通、低阶、高阶等）与分类9.**理解滤波电路的传递函数形式10.**了解常用高阶有源滤波器的基本特征和主要参数11.掌握单门限电压比较器的工作原理12.掌握迟滞电压比较器的工作原理和传输特性、门限电压的计算和设置13.**了解常用集成电压比较器14.了解方波、三角波、和锯齿波产生电路的基本结构和工作原理正弦信号产生电路：1.了解正弦波振荡电路的基本结构，掌握建立及维持振荡的幅度与相位平衡条件；2.掌握文氏桥式正弦波振荡电路的组成与工作原理；3.掌握RC串并联选频网络的选频特性以及谐振频率的计算；4.了解移相式正弦波振荡电路的构成与工作原理；直流稳压电源：1.掌握小功率直流稳压电源的基本结构和工作原理；2.了解稳压电源的主要质量指标；3.了解串联反馈式稳压电路的工作原理；4.掌握三端稳压器（包括固定式和可调式）的工作原理和具体应用方法。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。